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先端光・電子デバイス創成学

京都大学 卓越大学院プログラム 先端光 電子デバイス創成学 募集要項 平成 31(2019) 年度 京都大学大学院横断教育プログラム推進センター 先端光 電子デバイス創成学卓越大学院

京都大学 卓越大学院プログラム 先端光 電子デバイス創成学 募集要項 平成 31(2019) 年度 京都大学大学院横断教育プログラム推進センター 先端光 電子デバイス創成学卓越大学院

... 「先端電子デバイス創成」卓越大学院プログラムについて ■ プログラムの目的 IoT (Internet of Things)革命、ウェアラブル情報機器、車の自動運転や電動化、スマートグリッ ドなど、現在、人類社会はエレクトロニクスを中心とする大きな変革期を迎えています。このような ...

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最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(1ページ)

最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(1ページ)

... 今年度の分子科学研究所における活動内容を以下にまとめる。 (1) 光源要素技術の開発 マイクロドメイン制御に基づく超小型高輝度高品位レーザーの開発,およびこれを励起源とする極短パルス光源の 要素技術開発に着手した。サブ mJ 級の数サイクル 2.1 ミクロンの発生を目指し,非線形光学素子の探索や基礎研 究の展開を行った。特に,世界で初めて,5mm 厚の大口径 P P M g L T ...

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最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

... 深紫外や中赤外領域における新しい超短パルス発生技術の開発において,アルゴンガス中にチタンサファイア レーザーの出力の基本波(800.nm)と二倍波(400.nm)を重ね合わせて集し, 四光波混合過程による波長変換によっ て, . 2–20. µ m まで広がった中赤外スペクトルを発生させた。2. µ m と 20. µ m では,10 倍も波長が異なっているが,そ ...

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最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

... ロン爆発反応イメージングを用いた水素移動に伴う立体構造変化の実時間追跡;(2) 電子−イオンコインシデンス計 測による近赤外非共鳴2重イオン化過程の解明;(3) のゆらぎによる深紫外非線形原子過程の解明,などの成果が あ っ た。 ま た, 本 ネ ッ ト ワ ー ク に お け る 供 用 研 究 の 推 進 に 寄 与 す る 各 種 研 究 会 の 開 催 に つ い て は, 「 Workshop ...

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JAIST Repository: 表面光電位デバイスを用いた新しいBODセンサー

JAIST Repository: 表面光電位デバイスを用いた新しいBODセンサー

... SPV デバイスとは、半導体絶縁層表面の pH 変化を表面電位の変化 として検出する電気化学センサーである。その構造は、半導体上に酸化膜および窒化膜からなる絶 縁層を形成しただけという単純なものである。 SPV デバイスでは信号の読み出しには LED から の断続の照射領域で発生する光起電力を利用して、半導体にバイアスをかけたときに生じる絶 ...

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ZnO薄膜を用いた光機能性デバイスに関する研究

ZnO薄膜を用いた光機能性デバイスに関する研究

... 24 図 2-18 劈開にて端面出しを行った試料の導波確認の様子。 図 2-18 より、3 層スラブ導波路としての導波を確認することが出来たが、ストリッ プ装荷型導波路構造による導波を確認することが出来なかった。劈開による端面出し 自体は上手くいったと思われるが、SiO 2 基板の代替として Si 基板上に成膜した SiO 2 が ...

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最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

... go.jp/b_menu/houdou/20/07/08072808.htm ) 」実施される。具体的には,科学や技術開発を推進する複数の研究機関 が相補的に連結されたネットワーク研究拠点を構築し,この拠点を中心にして(1)光源・計測法の開発; (2)若 手人材育成; (3)ユーザー研究者の開拓・養成を3本柱とする事業を展開する。 ...

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2020 年度修士課程 1 年生用博士後期課程 1 年生用 授業時間表及び履修登録の手引き 工学研究科機械工学専攻機械電子創成工学専攻先端材料工学専攻電気電子工学専攻情報通信システム工学専攻応用化学専攻 創造工学研究科建築学専攻都市環境工学専攻デザイン科学専攻 先進工学研究科未来ロボ

2020 年度修士課程 1 年生用博士後期課程 1 年生用 授業時間表及び履修登録の手引き 工学研究科機械工学専攻機械電子創成工学専攻先端材料工学専攻電気電子工学専攻情報通信システム工学専攻応用化学専攻 創造工学研究科建築学専攻都市環境工学専攻デザイン科学専攻 先進工学研究科未来ロボ

... 機械電子創成工学特別演習【1年次春学期~2年次春学期 通年】 佐藤 宣夫,関 弘和,手嶋 吉法,長瀬 亮,平塚 健一,松井 伸介,秋田 剛,新井 浩志,大野正弘,菅 洋志,徳永 剛,和田 豊 特別講義[情報セキュリティマネジメント特論] 谷本 茂明 ...

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ZnO/Si系材料を用いた光機能性デバイスの作製に関する研究

ZnO/Si系材料を用いた光機能性デバイスの作製に関する研究

... 1----2 2 2 pn 2 pn pn pn 型太陽電池 型太陽電池 型太陽電池 型太陽電池の の の の発電原理 発電原理 発電原理 発電原理 図 1-1 pn 接合による光起電力効果 太陽電池の最も一般的な原理は pn 接合による光起電力効果である。図 1-1 はその効 果による、正孔と電子の移動を示したものである。pn 接合部付近に半導体の禁制帯幅 E g ...

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JAIST Repository: 低次元電子格子系における時間分解光電子分光の理論研究

JAIST Repository: 低次元電子格子系における時間分解光電子分光の理論研究

... 超高速の時間スケールに発現するから現代 の高速デバイスを制御する超高速スイッチ にもその応用が考えられる。でも、誘起絶 縁体金属転移現象の物理的理解はそんなに 簡単ではなく、いろいろな物理的原理が複雑 な方式に含まれている。実際、絶縁体は生成 原理やその特性に従っていくつのカテゴリ に分かれる。カテゴリによって観測される 誘起絶縁体金属転移のメカニズムと現象論 ...

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ZnO薄膜を用いた導波路型光波長変換デバイスに関する研究

ZnO薄膜を用いた導波路型光波長変換デバイスに関する研究

... 15 第 3 章 RF スパッタリング法による ZnO 薄膜の作製と評価 3-1 はじめに ZnO は六方晶系ウルツ鉱型の結晶構造を持つ酸化物半導体で非線形材料である。また、 室温で 3.37eV のバンドギャップを有する直接遷移型のワイドギャップ半導体であり、 紫外~紫色の発光素子として期待されてきた。応用面では、透明導電膜として使用され ている ITO(Indium Tin ...

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最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

... 超高精度量子制御技術の開発では,時空間コヒーレント制御に有効と期待される京都大の野田進教授のフォト ニック結晶レーザーの導入に向けて,野田グループとの研究交流を推進した。また,高速回転する分子の動画を世界 で初めて撮影した結果を報告し[ Science Advances 1, e1400185 (2015) ] ,さらに,回転の加速・減速を行った。 ...

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大口径電子デバイス用エピ基板の開発

大口径電子デバイス用エピ基板の開発

... 近年、白色LEDは低消費電力、長寿命という特性により照明 や液晶テレビのバックライト向けなど、様々な用途での使用が拡 大しており、白色LED素子の市場規模は2011年度の7,0 00億円から2013年度には1兆円になると予測されています。 このような中、当社は、GaN-on-Silicon注1技術を使用したLE Dチップの開発を進めており、今年1月からは、米国の白色LE D製品メーカーであるブリッジラックス社と白色LED素子を共 ...

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最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム(文部科学省)(2ページ)

... 時空間分解顕微分光技術の開発では,世界で初めてキラルでないナノ構造体が局所的に光学活性であることを実証 した[ J. Phys. Chem. C 118, 22229 (2014) ] 。 (2) 人材育成・施設供用 人材育成では,大森教授が仏ストラスブール大学客員教授として「と物質の相互作用」に関する講義を行うとと もに,米テンプル大・英グラスゴー大学・仏 C himie ParisT ech ...

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東京大学生産技術研究所 光電子融合研究センター

東京大学生産技術研究所 光電子融合研究センター

... 電子融合デバイス研究分野 2-8 半導体量子構造における電子・スピン制御 寒川 哲臣 客員教授 自己触媒 VSL 法によるナノワイヤ成長において、原子層で急峻な InAs/InP 界面が形成 可能であること、および InAs ディスク層の厚さに依存して 1.1–1.6 μm の範囲で発光 ...

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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258

Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258

... 製造歩留り向上のためには製造工程で生じる欠陥の発生を把握し、対策する ことが重要となる。半導体では、製造プロセスの微細化に伴い致命となる欠陥 サイズも微小化しており、欠陥検査・観察がますます重要となっている。製造工 程で生じた欠陥を把握するため、インラインウェハ検査システムが導入されて いる [15]。インラインウェハ検査システムはデバイスの製造工程間でウェハを検 ...

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有機デバイス関連界面の電子構造

有機デバイス関連界面の電子構造

... B は F B =E F -D-E A と表すこと ができる.つまり,D の大きさだけ,電子注入障壁は下がる ことになる.多くの有機薄膜の場合は,D は正の値を示し, 典型的な値としては,数百 meV から 1 eV 程度である.有 機デバイスに使用される,電子機能性有機分子の多くが 可視域にエネルギーギャップを持つことを考えれば,D の影 ...

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ミラー対称性による新型トポロジカル絶縁体を発見~高効率電子デバイスの開発に光~ 研究活動 | 研究/産学官連携

ミラー対称性による新型トポロジカル絶縁体を発見~高効率電子デバイスの開発に光~ 研究活動 | 研究/産学官連携

... 型 こ こ う 連続的 変 変わ い性質 探 こ 図形 本質 探 数学 分 こ いい や直線 論理的 置関係 構成 従来 幾何 対 やわ い幾何 呼 ここ最近 こ 考え方 物質中 電子 状態 応用 こ バ 物質 部 絶縁体 あ 表面 ...

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電気電子システムコース創成実験 実施報告

電気電子システムコース創成実験 実施報告

... 理工学部理工学科電気電子システムコース では,以前から電気電子工学創成実験の1つの テーマとして「半導体を用いた発光・受光素 子の試作とその特性評価」の実験を行ってき た。LED製造プロセスの一部を体験してもら い,半導体デバイスに関する理解を深めるこ とを目的としていた。 ...

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支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

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