生体超分子
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生体超分子
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3
次元
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メモリデバイス
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研究
研究
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奈良先端科学技術大学院大学
奈良先端科学技術大学院大学
奈良先端科学技術大学院大学
奈良先端科学技術大学院大学
物質創成科学研究科
物質創成科学研究科
物質創成科学研究科
物質創成科学研究科
小原孝介
小原孝介
小原孝介
小原孝介
2009.3.10
支援財団研究活動助成
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支援財団研究活動助成
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研究背景
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研究背景
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データ
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音楽
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写真
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記録媒体
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フラッシュメモリ
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動画
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SDカードカードカードカード ポータブルポータブルポータブルポータブル プレーヤー プレーヤープレーヤー プレーヤー USB メモリ メモリ メモリ メモリ フィルム フィルムフィルム フィルム カセットカセットカセットテープテープテープテープカセット フロッピーディスクディスクフロッピーフロッピーディスクディスクフロッピー 磁気磁気ディスク磁気磁気ディスクディスクディスク ビデオテープビデオテープビデオテープビデオテープ デジタルカメラ デジタルカメラデジタルカメラ デジタルカメラ SSDRoadmap of Flash memory technology
研究背景
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256Mb
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32Gb
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100 nm 100 nm Floating Gate Floating Gate ControlGate WSiWSi
Engineering
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Semiconductor Technology
Based On
Moore’s Law
Biology
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Biotechnology
生体超分子
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鉱物化
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ナノ
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5.
特異的認識能力
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自己組織化能力
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Polypeptide DNA Protein supramolecule Bio nano block生体超分子
生体超分子
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高誘電率
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-5 0 5 10 10-13 10-12 10-11 10-10 10-9 10-8 10-7 10-6 10-5 Gate Voltage (V) D ra in C u rr en t (A ) -2 V ⇔⇔⇔⇔ 2 V -9 V ⇔⇔⇔⇔ 9 V Vd = 50 mV論文投稿
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学会発表 :
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ID-VG 特性特性特性特性 電荷保持特性 電荷保持特性電荷保持特性 電荷保持特性高性能
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φ φ φ φ 7 nm φ φφ φ 12 nmフェリチン
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100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 1 2 3 4 5 Re te ntio n Time (s ) T h re s h o ld v o lt a g e ( V ) Writing at + 7 V fo r 10 s Eras ing at - 7 V fo r 10 s Re ading at + 2.5 V 10 years研究業績
研究業績
研究業績
研究業績
【
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【発表論文
発表論文
発表論文
発表論文】
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】
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1) “Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics” K. Ohara et al: Jpn. J. Appl. Phys. (in press)
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【国際学会発表
国際学会発表
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1) “Floating gate memory devices based on ferritin nanodots on high-k gate dielectrics” K. Ohara et al: The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai ( 2008 IMFEDK ), Osaka University, March 2008
2) “Floating gate memory based on ferritin nanodots with high-k gate dielectrics” K. Ohara et al: 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials ( SSDM 2008 ), Tsukuba International Congress Center, September 2008.
3) “Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics” K. Ohara et al: 2009 International Thin Film Transistor Conference ( ITC’ 09 )