低入力電流 1 µA max
Last Saved: 2010/04/24 22:17 / Edit: 1 特長 低入力オフセット電圧 : 50 µv max 低入力オフセット電圧ドリフト : 0.6 µv/ C max 超低バイアス電流 : 100 pa max 超高オープンループゲイン : 2000 V/mV min 低電源
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AD5410/AD5420: 1 チャンネル、12 / 16 ビット、シリアル入力 4 mA ~ 20 mA 電流源 DAC
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極性制御電流を赤のリード線に入れ (+ Ic を電流源の正端子につなぐ ) 磁場を図 1-1 に示すような向きで与えたとき 青のリード線 (+ VH) から正のホール電圧が発生します 電流か磁場の向きを反対にすると出力電圧も反転します 感度と制御電流制御電流 ( 入力 ) は仕様で与えられた 定格
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絶対最大定格 / Ta = 25 C, VSS = 0 V 項目記号条件定格値 unit 最大電源電圧 VDD max VDD 0.3~+7.0 V 入力電圧 出力電圧 出力電流 VIN,,, RES 0.3~+7.0 VIN2 OSC,KI~KI5 0.3~VDD+0.3 VOUT 0.3~+7.
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LTC デュアル、2フェーズ、RSENSE™、低入力電圧、同期整流式コントローラ
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NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております
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NJM062C/064C NJM062CA/064CA 低消費電力 J-FET 入力オペアンプ 特長 動作電源電圧 ±2 to ±18V 高入力抵抗 Ω typ. 広動作温度範囲 -40 C to 125 C バイポーラ構造 低消費電流 200μA/amp typ. スルーレート 3.5
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ADA4927-1/ADA4927-2: 超低歪み電流帰還差動 ADC ドライバ
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LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
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NJM45001 電力線通信用アナログフロントエンド IC 特長 高機能 高温検出及び保護 出力電流制限機能付き 送信ドライバアンプと低ノイズ受信アンプを内蔵 高性能送信ドライバアンプ 高出力電流 : 3A typ. 電力線が低インピーダンス ( 例 :1Ω) においても高出力が得られます 低歪み
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ユニット ZWS-B SERIES 単出力 W UL CSA EN 低電圧指令 電気用品安全法入力電圧 100VAC 系のみ準拠 保 特長 用 高調波電流抑制回路を省いたシンプル回路構成 小型 軽量 高効率 無負荷時の入力電力を 0.2W(typ
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NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238
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AD8515: 1.8 V 低電力 CMOS レール to レール入力/出力オペアンプ
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OP1177/OP2177/OP4177: 低ノイズ、低入力バイアス電流の高精度オペアンプ
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XD6506 シリーズ JTR 超低消費電流レギュレータ ( スタンバイ機能付き ) 概要 AEC-Q100 Grade2 XD6506 シリーズは 0.8uA(TYP.) の超低消費電流を実現した CMOS プロセスの正電圧レギュレータ IC です IC は基準電圧源 誤差増幅器
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高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト
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LT 定電流/定電圧、入力電流制限付き 2Aバッテリ・チャージャ
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ADA4001-2: 低ノイズ、低入力バイアス電流レール to レール出力デュアル JFET オペアンプ
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0 Intoduction 0.1 (localization fomula) T = U(1) M µ M T µ = M M T µ eff M T 2. M T M T Gauss µ µ eff (1) (2) Atiyah-Singe U(1) [At85]
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1 ( ) Einstein, Robertson-Walker metric, R µν R 2 g µν + Λg µν = 8πG c 4 T µν, (1) ( ds 2 = c 2 dt 2 + a(t) 2 dr 2 ) + 1 Kr 2 r2 dω 2, (2) (ȧ ) 2 H 2
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