不揮発性メモリ （フラッシュ）
Cortex -M キャッシュコントローラを使って決定論的コード性能を達成する方法 TB3186 はじめに マイクロコントローラベース (MCU) の組み込みアプリケーションでは ソフトウェアは不揮発性メモリに保存して実行します この不揮発性メモリとは 通常はフラッシュメモリです フラッシュメモリは
... マイクロコントローラ ベース(MCU)の組み込みアプリケーションでは、ソフトウェアは不揮発性メモリ に保存して実行します。この不揮発性メモリとは、通常はフラッシュメモリです。フラッシュメモリはコー ...
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詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗
... 常、電気抵抗が高いアモルファス相をリセット「0」 、電気抵抗が低い結晶相を セット「1」として情報を記録します。それ故、PCRAM メモリセルは、相変化材 料の上下を電極で挟みこんだ単純な構造を有するため、FeRAM(強誘電体メモリ) や MRAM(磁気抵抗メモリ)に比して、製造コストや集積度の面で有利とされてい ...
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Cover Story 特集 巨大市場が見えてきた新型メモリー PRAM(phase change RAM) や MRAM(magnetoresistive RAM) で巨大市場を獲る こうしたシナリオが現実味を帯びてきた メモリー大手各社が, 製品ロードマップにこれらの新型不揮発性メモリーを含める
... PRAMと同様に，マイコンに混載するNOR 型フラッシュを置き換える用途もある。すべて のデジタル機器を狙えることから，年間数百億 ∼1000 億円規模を狙える。この市場を狙うのが ルネサスである。同社は，PRAMが開発途上で あることから，先行してMRAMを混載したマイ コンのサンプル出荷を2008 年に始める。家電メ ーカーなど10 社以上に向ける。出荷先は明らか にしていないが，「想定以上に多くの用途で引き ...
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不揮発性半導体メモリに適用する薄いSiN膜の形成法と電荷捕獲中心モデルに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 型不揮発 性半導体メモリが注目を集めている． MNOS 型メモリ素子は大量のトラップが存在す る SiN 膜に電荷を蓄積し，このトラップに電荷を出し入れすることで，不揮発性メモ リとして機能させる． MNOS 型メモリ素子は基板と電荷を蓄積する SiN 膜との間の薄 ...
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フラッシュメモリの価格ダウンにより SSD 市場が急拡大 SSD はフラッシュとメモリコントローラ IC および周辺回路をプリント基板に搭載したデバイスです 機器組み込み用のモジュールタイプのほか HDD と同サイズでパッケージされたタイプがあります HDD と同じインタフェースを備え 容易に置き換
... シリアル ATA 3Gb/s 対応ハーフスリム SSD 浮遊ゲートを付加した MOS-FET をメモリセル ( 記憶 素子 ) として、これをシリコンウエハ上で碁盤目状に多 数集積して製造されるのがフラッシュメモリチップで す。碁盤目状に配置されたセルどうしはワード線、ビッ ト線、ソース線で結合されます。フラッシュメモリに は NOR 型と NAND 型があります。セルの基本構造 ...
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機能性ワックス添加剤 全製品一覧 1 ワックスの 不揮発 融点 分 ( ) (%) 標準添加量 (%) 適用系付与される機能適用分野備考水FDA適合溶剤系つや消しテクスチ スリ プ性アンチスリ プ耐摩耗性スリキズ防止耐ブロ キングソフトフ ル撥水性沈降防止光輝材配向性タイヤマ ク防ヒ ルマ ク防印刷
... CERAFLOUR ® 969 PTFE / 変性ポリエチレンワックス － 5 115 0.5-2 粉体塗料用微粉状ワックス。塗膜に比較的大きなテクスチャーを付与する。CERAFLOUR ® 968 よりも低い光沢が得られる。耐スクラッチ性を向上する。 CERAFLOUR ® 970 ポリプロピレンワックス ー 9 160 0.5-4 ...
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フラッシュメモリコントローラ：シリアルATA 3Gbps対応 1TB（テラバイト）SSDコントローラ GBDriver RS4シリーズの開発、製品化
... 3. 全領域スタティック・ウェアレベリング機能装備 TDK 独自のスタティック・ウェアレベリング・アルゴリズムにより、全メモリ領域（全ブロッ ク）について書き換え（消去）回数をカウントし、均等にブロックの置き換えを行います。OS 等の固定領域も定期的に均等化するため、メモリ寿命を飛躍的に向上しています。また、スタ ティック・ウェアレベリングの範囲も自由に設定可能です（その場合、スタティック・ウェア ...
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V850ES/Fx3, V850ES/Fx3-L 32ビット・シングルチップ・マイクロコントローラ フラッシュ・メモリ・プログラミング（プログラマ編）AN
... 第2章 コマンド／データ・フレーム・フォーマット プログラマとV850ES/Fx3間でデータを送受信する際，プログラマがコマンドを送信する場合は，コマンド・フレ ームを使用します。プログラマからV850ES/Fx3に書き込みデータやベリファイ・データなどを送信する場合は，デ ータ・フレームを使用します。これらのフレームには，転送データの信頼性を向上させるために，フレーム単位で ...
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SH7268/SH7269グループ アプリケーションノート SPIマルチI/Oバスコントローラ シリアルフラッシュメモリ接続例
... 外部アドレス空間リードモードを使用する場合は、「2.4 初期設定フロー」の 図 3で示した設定に加えて、 図 14に示す設定を行ってください。 2.6.2 アドレスの自動変換 図 10に外部アドレス空間リードモードにおけるアドレス変換イメージ（シリアルフラッシュメモリが 24 ビットアドレスの場合）を示します。SPIBSCは、SPIマルチI/Oバス空間であるH'1800 0000 番地 ～ H'1BFF ...
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USB フラッシュメモリUX-A064GT 用,UX-A032GT 用 セキュリティソフトインストールマニュアル USB フラッシュメモリ TransMemor y-ex TM UX-A064GT UX-A032GT セキュリティソフト インストールマニュアル セミコンダクター & ストレージ社 1
... USB フラッシュメモリ UX-A064GT 用, UX-A032GT 用・セキュリティソフト インストールマニュアル 6 第３章 セキュリティソフトのインストール方法 ここでは、本製品を使用するためのセキュリティソフトのインストール方法を説明し ます。下記の説明に従って正しくインストールを行ってください。 ...
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代センサーネットワーク モバイル情報機器 サーバー等から研究開発実施者が想定するアプリケーションにおいて 劇的な低消費電力化を志向する新しいメモリアーキテクチャ 基本ソフトウェア アルゴリズムのデザインを提示するとともに 必要に応じて間歇動作等に求められる次世代不揮発性素子の性能を提示し システムと
... 最終目標（平成２７年度） 事業終了時に予測される次世代不揮発性素子の性能を満たすことを前提に、次世 代センサーネットワーク、モバイル情報機器、サーバー等から研究開発実施者が想 定するアプリケーションにおいて、劇的な低消費電力化を志向する新しいメモリア ーキテクチャ、基本ソフトウェア、アルゴリズムのデザイン を提示するとともに、 ...
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RX210 グループ FIT を用いたフラッシュメモリの書き換え 要旨 本サンプルコードでは FIT を用いて 特定の内蔵フラッシュメモリ (ROM および E2 デ ータフラッシュ ) のアドレスに特定の値を書き込む方法について説明します 対象デバイス RX210 1 / 50
... 図 4.1 ROM の書き換え手順 E2 データフラッシュを書き換える手順を図 4.2 に示します。E2 データフラッシュを書き 換える際には、ROM へのアクセスは可能ですが、読み出し、および P/E 許可・禁止を制御す る必要があります。また、消去状態は不定値が読み出され、ブランクチェック機能により対 象領域が消去されていることを確認します。本サンプルコードでは、動作確認用にベリファ ...
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Application Note Application Note No. ESC-APN Document No.: ESC-APN adviceluna/advicelunaⅡのフラッシュメモリ対応 対応範囲と使用方法 はじめに adviceluna/advicelu
... 3.1.2. メモリ操作やプログラム実行を妨げる要因の抑止 フラッシュメモリへのダウンロードには、前述のように書き込みの複数のアクセスシーケンスが必要となり ます。そのため、一般的に DRAM や SRAM へダウンロードを行うよりも多くの時間を要します。 特に FGM 方式を使用した場合、ダウンロードを行う際に ICE 側で用意してある FGM を ICE 作業 RAM エリ ...
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Introduction USB Boot とは何ですか? USB メディア フラッシュメモリ媒体からの Windows XP Embedded の起動 USB Boot による機器開発のシナリオ Introduction USB Boot とは? Windows XP Embedded を UFD
... Introduction USB Boot とは何ですか？ USB メディア フラッシュメモリ媒体からの Windows XP Embedded の 起動 USB Boot による機器開発のシナリオ Introduction.. Windows XP Embedded を UFD から起動する機能 Windows XP Embedded SP2 FP 2007 からの新[r] ...
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フラッシュ ファイル システムの操作
... ファイルをフラッシュ メモリにコピーする前に、ファイル システムに同じ 名前のコンフィギュレーション ファイルが格納されていないことを確認できます。同様に、フ ラッシュ コンフィギュレーション ファイルを別の場所にコピーする前に、ファイル名を確認し て、その名前を別のコマンドで使用できます。ファイル システムのファイルに関する情報を表示 するには、次の表に記載する特権 EXEC ...
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アプリケーション ノート DDR メモリの電気的検証 スマート フォンからサーバまで ほとんどすべての電子デバイスには なんらかの形式のRAMメモリが使用されています フラッシュ型 NANDはさまざまな民生家電で今も数多く使われていますが コンピュータやコンピュータベースの製品においては今なお SD
... Nexus社のインターポーザのユニークな特長の1つは、特許取得 のソケットを使用している点です。装着時はメモリICの半田ボー ルに勘合し、外した時はそれぞれの半田ボールが元の部品に残る ようになっています。これにより、半田を取り去ったり、再半田 することなく、メモリICを外したり取り付けたりすることができ ます。使いやすさが向上し、何回も半田を付け外しすることによ ...
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高性能，高生産性を実現する 大規模メモリ・並列処理システムソフトウエアの研究
... 質点当たりの1ステップ実行時間とメモリ使用量 事前のデータ配置の難しい，不規則データ構造，非同期アクセス応用に 対しても，mSMSの有効性を確認 共有メモリ型 プログラムと 同等記述で巨 大ツリーによ り高速処理 ...
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VMAXオール フラッシュ ファミリー
... 2 構成によっては、アレイに電力を供給する三相電源に AC 入力電流の不均衡が発生する場合があります。お客様のデータセンターの各 相の負荷条件のバランスをとるため、このような状況が発生する可能性があることをお客様側の電気技師に警告する必要があります。 無線周波数の干渉 無線周波数帯を含む電磁場は、電子機器の動作に干渉することがあります。Dell EMC の製品は EN61000-4-3 規格に準拠し、無線周波数 ...
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会計ニュース・フラッシュ
... コード原則4-9では、「取締役会は、金融商品取引所が定める独立性基準を踏まえ、独立社 外取締役となる者の独立性をその実質面において担保することに主眼を置いた独立性判断 基準を策定・開示すべきである」としている。この金融商品取引所の独立性基準は直接に独 立社外取締役の独立性判断基準としてリンクされるものではなく（コメント36）、各社が、取引 ...
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海外銘柄フラッシュ
... QCT（半導体製品）部門の Q4 売上高は前年同期比 13%増の 46.5 億ドル、税引前利 益は同 42%増の 9.7 億ドルとなった。主力の MSM チップの Q4 出荷実績が同 4%増の 2.20 億個となり、Q3（4-6 月）決算発表時点での同社見通し（2.05 億～2.25 億個）の 中央値を上回った（図表 1）。需要の拡大や製品ミックス改善を背景に、収益性の改 善がみられた。税引前利益率は 21%と、15/9 ...
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