2ポート・デバイスの特性評価
［１］デバイス特性ばらつきの評価
... NMOS の Well)、トランスファ MOS のウエルには 0V を印加し、ビットライン(BLT、BLC)、およびノード(V0、 V1) の電圧を変えることで、SNM の評価を行う。また、テストモードの設定により、①ランダムアクセス、②カウ ンタアクセス、③全選択、④全非選択のアドレス設定モードが選択可能である。ランダムアクセスモードとは ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... LED の市場は世界的な拡大を 見せているがその価格に課題が残り、更なる材料作製プ ロセスの低コスト化が望まれている。また、その発光領 域の拡大にむけて、 GaN 系混晶半導体の他、赤色領域 から深紫外領域にわたる広い範囲での高効率・低価格発 光素子の開拓に関する研究が進められている。これらワ イドギャップ半導体材料は種々成長方法に関する精力 ...
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アプリケーション ノート USB 2.0 物理レイヤ テスト はじめに USB 2.0 対応のデバイス設計 特性評価および動作確認に携わっているエンジニアは 製品の市場投入のスピードアップを日々迫られています 当社の測定パッケージでは USB-IF(USB Implements Forum, Inc
... テスト機器 Signal Qualityテストでは、当社DPO7254型などの周波数帯 域2.5GHz以上のリアルタイム・オシロスコープが必要です。プ ローブとしては、P6245型 ＊1 またはTAP1500型シングルエン ド・プローブ（ロー・スピード、フル・スピード）、P6248型 ＊1 またはTDP1500型差動プローブ（ハイ・スピード）が必要に ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 進められ、適用範囲の拡大が図られている。これらワイ ドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用では、厚膜 材料が用いられることが多く、様々な物理的、化学的加 工プロセスを経てデバイスが作製される。最も基本的な 工程は切断と研磨で、その結果試料表面には高密度の格 子欠陥と大きな格子歪みが導入されるため、デバイス特 ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... 2．研究の目的 本研究は、ワイドギャップ半導体材料のうち、 GaN と ZnO について、機械的研磨に代表される表面加工に よって材料特性がどの様に変化するかを検証すること を内容としている。半導体の特性は光学的性質で端的に 表現される。格子歪みの大きさはホトルミネッセンス （ ...
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AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法
... ■ 別のパッケージを選択する。 セラミック・パッケージまたはピン数がさ らに多いパッケージを使用する方法があります。セラミック・パッケー ジはプラスチック・パッケージよりも多くの熱を消費することができ、 ピン数の多いパッケージもプリント基板（PCB）に実装されたとき に、より多くの熱を消費することができます。また、SuperBGAパッ ...
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4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性への影響に関する研究
... 変化があり、その凹凸による電界集中が起こり、局所的にリークパスとなる。実際はエピタキシ ャル膜を形成する際に、前処理として水素清浄化処理を行うが、欠陥部分において KOH に比べれ ば非常に小さいが水素エッチングによる凹凸は観察されている。 ①～③については ESR,STS,エリプソメーター、ラマン分光等で観察する手法はあるが、今回のよう ...
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有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価
... パルス発振レーザを用いた加工はレーザ光を集光す ることで高エネルギーを瞬間的かつ局所的に注入するこ とができることからレーザ波長程度の超微細加工が実現 できることが知られている．レーザ加工は光エネルギー を熱エネルギーに変換することで達成される．この過程 においてレーザが照射されている領域の周囲へ熱が拡散 することによってダメージが生じその結果として加工品 ...
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JAXA Repository AIREX: 月面模擬環境におけるモータの熱特性評価
... (1) の試験では、異なる温度におけるモータの 挙動、 (2) の試験では、 「低温で保存し、 その後加熱する」 というサイクルを繰り返した場合のモータの挙動について、 それぞれ検証を行った。 これら試験より、 月面の温度環境において、 試験に使用したモータがほぼ同一性能で保存・ ...
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Keysight Technologies 高精度動特性評価・パルスＩＶ評価に対応
... WGFMU の主な特長 概要 図 2 に、 WGFMU とリモートセンス／スイッチユニット（ RSU ）を簡略化した回路図を示します。 WGFMU の ALWG 電圧発生機能を使用して作成された波形が、 RSU を通して出力されます。 RSU では実際の電流または電圧測定も行われます。 WGFMU には、 PG モードと高速 IV モードの 2 ...
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12 ベイ Thunderbolt 3 NAS TVS-1282 Windows および Mac 接続のための 4 つの内蔵 Thunderbolt 3 ポート Windows 10 Mac Thunderbolt 3 ポート x 4 デュアル 10GBASE-T LAN ポート 2 x M.2 ス
... 速 の Thunderbolt™ 3 NAS です。また、メディアおよびエンターテインメ ントの専門家が必要とする、完全なデジタル ワー クフローの大容量データ需要を満たすために設計 されました。高パフォーマンスおよび幅広い互換 性により、画像収集からポストプロダクションに至 るまで、時間と費用の節約が可能になります。 TVS- 1282T3 ...
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マルチGNSSによる測位特性評価
... 度はどの程度であり，また，その測位精度はどのような 特性を有するかについて実観測データを使用して検証を 行った。測位精度に関しては， GPS を含む組合せにおい て，東西，南北方向ともに 1m 程度の標準偏差であった。 最も精度が高い組合せは GPS と QZSS の組合せによるも のであった。元来， QZSS は GPS の補完衛星として打上 げられたものであって ...
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Title 非線形応答特性を持つ光デバイスを有する光通信システムの伝送特性に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 山田, 英一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date URL
... EDFA)の利得の非線形応答，すなわち利得飽和特性が伝送 特性に与える影響を議論している．まず，均一励起の光増幅器の利得飽和特性を解析 的に解き，それを用いて，多中継接続された光伝送システムにおいて，伝送信号の入 出力特性を解析し，利得の飽和により光信号が安定化されることを示している．ま ...
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ヤンバルクイナロードキル回避システムにおける車両検出センサーの特性評価
... バルクイナの交通事故の発生件数を示す。 2007 年には 21 羽が、 2008 年も 16 羽が交通事故の犠牲になっている。これまでロード キル対策としてフェンスの設置や運転者への注意喚起などの施策 がこれまでに実施されてはいるが、 2009 年も事故の発生件数は 19 件に達し、一向に減る傾向が見られない。安田から楚州に向かう 県道 ...
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アプリケーションノート: 光増幅器(EDFA)の特性評価
... ① 検光子(Polarizer)の挿入損失を測定し、パラメータのPout loss に入力する。 ② 偏光コントローラ(Polarization Controller)の出力を直接OSAに入力し、EDFAへの入力信号Pin を測定する。 ③ ...
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パワーデバイス特性入門
... オン状態モデル、オン状態キャリア分布と電圧降下（対称型IGBT、非対称型IGBT、トランスペアレント・エミッタIGBT） （６）スイッチング特性 ターンオン特性（フォワード・リカバリ）、ターンオフ特性（インダクタ負荷）、ターンオフ期間のエネルギー損失 （７）ラッチアップ抑制 ...
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厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... MEMS デバイスを構成する Polymer MEMS や、ポリマーの持つ化学的特性や生体適合性を最大限 に利用した Micro-Total Analysis Systems、Lab on a chip への応用が期待されている。こ の中で、ポリマー自体の機械的特性の向上や機能性を付加させるために、ポリマーマトリ ...
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厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 基板上のメタル層の除去と基板を洗浄することで，s1805 の除去とチャンバ 形状を持ったメタル層の形成を行う。基板洗浄後はバルブ構造体の形成となる。バルブ 構造体は 1 層目が SU-8 3025，2 層目は磁気ポリマーコンポジット（SU-8 3025 + Fe 15 wt%）で構成される。ここで，磁気ポリマーコンポジットは膜厚を確保するために粘度 ...
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ユーザ デバイス プロファイル エクス ポートの使用方法
... ユーザ デバイス プロファイル エクスポートの使用方法 Specific User Device Profile 形式 Specific User Device Profile 形式 ユーザ デバイス プロファイルに関連付けられた詳細の限定されたセットをエクスポートするに は、 Default User Device Profile 形式を使用します。特定のクエリー ...
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［１］デバイス特性ばらつきの評価
... 可能になる。この薄片試料の膜厚は評価の目的によって異なり、厚さ 2nm 程度のゲート酸化膜の厚さを評価 するならば数 10nm の薄片にして格子像を観察する必要があるし、応力を評価するならば、応力解放が少な い 300nm 程度の厚さにする必要がある。また、LER や LWR ...
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