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CMP 特性に及ぼすパッド溝断面の傾斜角の影響

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Academic year: 2021

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(1)

CMP 特性に及ぼすパ ッ ド溝断面の傾斜角の影響

Ef fect sofSl ant edCross‑ Sect i onalShapesofPadGroovesonCM P Charact eri st i cs

堀 口文江

1 )辛

,土肥俊郎

1 )

,堀本卓

1 )

,2

)

,鈴木辰俊

3)

,瀬山貴 司

1 )

, 船越考雄

1 )

Fumi eHori guchi l ) ,Toshi roDoi l ) ,SuguruHori mot o l ) , 2) ,Tatsut oshiSuzuki 3)

,

TakahshiSeyama l ) ,TakaoFunakoshi l )

1 )

埼玉大学教育学部

2)㈱D‑ Pr oc es s 3

)東邦エ ンジニア リング株式会社

1 ) sai t amaUni ve r s i t y 2)D‑ Pr oc es s l nc . 3) To hoEngi nee r i ngCo. , Lt d.

[ Abs t r ac t ]

I nCMP( Che m ic a lMe c ha ni c a lPo l i s h i ng)c ha r a c t e r i s t i c s , t hes ha pe sofg r oov e sf o r me donpa ds u r f a c ea f f e c tg r e a t l y onr e mo va lr a t e ,no n‑ uni f o r mi t yWi t hi nwa f e rs u r f a c ea n ds l u r r yf lowr a t e.The ya l l owt hes l u r r yf lOwt owa r dt he c e n t e ro rou t s i d eoft hepa dwhe nt hepa di sr o t a t l ng・ I nt hi ss t udy ,how7di f fe r e n ts l a n t e dg r oove sont hepa ds u r f a c e a f fe c tt her e mo va lr a t ea nds l u r r yf lowr a t ewe r ee xa m in e d. A s ar e s u l t,d i f fe r e nta nduni quec ha r a c t e r i s t i c swe r e obs e Ⅳe d・The s es l a n t e dg r oov epa dsma yma kei tpos s i bl et oi mp r o vepo l i s h i ngpe r f わr ma nc e ss uc ha sr e mova lr a t e a n dr e duc i ngt hea moun tofs l u 汀yt Obeus e d.

Ke ywo r ds: CMP( Che mi c alMe c hani c alpo l i s hi ng ) , s l ant edgr oo ve s , pads ,s l ur r y ,r emo valr at e, uni f o r mi t y

1.研究の背景 と目的

ULSI

デバイスは,超微細化を牽引する ドライバと なっている。周期 4年/世代の DRAM に対 して、ロジ ックデバイスは周期年/世代 と短 く、超微細化 と高速 化 ・低消費電力化などを目指 して技術革新が進め られて いる。動作スピー ドをあげるために配線の多層化 ととも

、Cu

を配線メタルとし、微細化に伴う配線間容量を 下げるために絶縁膜材料に誘電率

k

値の小さい

Lo w‑ k /

スーパー

Lo w‑ k

材料を導入することが必要とな り、新 し い材料の開発にも拍車をかけている。さらに、生産性の 向上 とチップの低コス ト化をね らいウエハの大 口径化

(¢300mm)

を念頭に、新たな設備投資が進め られて いるところである。1)

このような背景の中で超 LSIデバイスには平滑 ・ 坦化

CMP

が今や

LS

lプロセスの重要なテクノロジー となっている。その

CM P

プロセスにおいては、半導 体デバイスの配線材料が柔 らか く、断線 しやす い

Cu

338‑ 8570

さいたま市桜 区下大久保 255 埼玉大学教育学部

電話&

Fa x:0 48 ‑ 858 1 3 23 5 : eiT l aH:f hor i @saj t ama・ 山. aCJ P

(銅)配線が主流 にな り、半導体デバイスの多層化 に 伴 う脆弱な剥離強度の低誘電率層間絶縁膜の使用が 必須 となっている。

そ こで、本研究では、今後 の配線工程で主流 となる

Cu/ Low ‑K

材料 にお けるパ ッ ドの溝形状 に着 目する。パ ッ ドは、如何 にス ラリー を安定的に効果的 に使 うか、あるいは如何 にス ラリーの特性 を発揮 させ るかがキー とな り、パ ッ ドの材質、ミクロ的構造、そ して表面 に形成す る溝 のパ ター ンと断面構造が重要 になるOそのなかで、特 に表面に形成する溝は、ス ラ リーの保持機能 、ウエハ面下への安定供給 、および ス ラリーの効果的使用、つま りス ラリー消費量低減化 に関係す るので、非常 に重要な項 目である。平坦化

CMP

プロセスでは、パ ッ ドおよびスラリーが非常 に 重要な役割 を果た し両者 は車 の両輪 の関係 にある と 言える

2 ) 。

本研究では、スラリーを効果的に使用する とともに、

高能率 ・高精度化が確保できるパ ッ ドの適用条件 を見 出す ことを目標 に、パ ッ ドの表面 に形成す る溝の断面 構造 に着 目して検討を行なった。パ ッ ド表面 に施 した 溝 の断面角度がス ラ リー の保持機能 に影響 を及 ぼす

‑1‑

(2)

もの と考 え、各種の傾斜溝構造パ ッ ドを試作 した。

そ して、それ を酸化膜の

CMP

に適用 して加工 レー ト な らびに加工面形状 にどのよ うな影響 を与えるか、加 工特性 を把握 したので以下 に報告す る。

2 .

本研究 の考え方

現在

、CMP

用パ ッ ドには

、I CI OO

O (ロデール ・ニ ッタ社製)の発泡ポ リウレタンを一般的に用いる。そ の主な理 由は、スラリーの保持 と反応生成物や切 り屑 の排 出な どの機能 を持たせ るため、材料中に微細な、

多 くの空孔 を設 けることである。通常、これ らの各作 用 をよ り効果的に発揮 させ るために、パ ッ ドの表面 に 様 々な溝 を形成 している。パ ッ ド表面 に形成する溝の パター ン (例えば、同心 円状、格子状、スパイ ラル状) は、流体力学 的に考 えてスラリーの挙動 に影響を与え ることがわかっている

3)

。 しか し、 これ までの溝は、

断面構造 に着 目して形成 されてお らず、図

1

のように 単純、かつ経験的に垂直に形成 した断面構造であった。

図 1 従来のパ ッ ド表面 に形成 した垂 直溝 の SEM 写真

本研究では、パ ッ ドの溝の断面角度 を変える ことに よ りスラリーの挙動が変化 し、加工特性 に何 らかの影 響 を及 ぼす もの と考えた。ここでは、パ ッ ド表面に形 成する溝 に、様々な傾斜角度 を施 したパ ッ ドを試作 し て、酸化膜を加工対象 として

CMP

を試みそれ らの加 工特性 を把握す る。この傾斜角の溝 の考え方は、溝の 傾斜角 によってパ ッ ドとウエハ の間 に介在す るス ラ リーの流れ方が変わって くる こと、すなわちマイナス 傾斜の溝ではスラリーが外 に出るのを抑制 し、逆にプ ラス傾斜 の溝では遠心 力でス ラ リーが溝 の外 に放 出 されやす いことが考 え られる。別 の言 い方をすると、

マイナス傾斜溝では正圧が、プラス傾斜 の溝では負圧 が、それぞれ発生 しやす いもの と考 え られるので、当

然 CMP

特性の相違が出て くるもの と考え られる。

3.

パ ッ ド表面への傾斜角溝の形成 と実験条件

試作 したパ ッ ドは、パ ッ ドの中心 に向かって傾斜角

度 を形成 した (負の傾斜角を付与 した)もの (

‑1

0 0

‑2

0

0‑3

0

0

)、および傾斜角度 をパ ッ ドの外側 に向 か って形成 した (正 の傾斜角 を付与 した) もの (+

1(

o+2 0 0+3 0 0

) を準備す る。(

2

参照)

図 2 各パ ッ ドに形成 した 7 種類 の溝 の模 式図

マイナス側 あるいはプ ラス側 に傾斜溝 を形成す る ことによって、スラ リーの保持効果、排 出効果な どが 異なるもの と考 え、溝のないフラッ トパ ッ ドに同一傾 斜角度 を形成す る。ここでは、溝の高さ、幅、ピッチ 等 を同一 にして、溝の傾斜角の効果 のみを明 らか にす る こととし、溝 の高 さは

1 m m

、幅は

0 . 5

mm、溝 と溝の 間隔

1 m

mの溝 を同心 円状 に形成する こととした。

図 3な らびに図 4に、パ ッ ドに任意のパ ター ンで 傾斜角溝 を形成する こができる専用の加工装置 「超精 密 パ ッ ド溝 加 工 装 置 」 (東 邦 エ ンジ ニ ア リン グ製

「MPI O

OLq)の外観 と加 1二部の写真 を示す。

図 3 超精密パッド溝加 工装置の外観 写真 ( 東 邦エンジニアリング社)

図4 超精密パッド溝加 工装置 ・ 加 工部の写真 ( 東邦エンジニアリング社 )

‑ 2 ‑

(3)

5

、+300

の傾斜角度つき溝 を形成 した断面 構造の写真の一例である。加工実験では、従来の垂直 溝を形成 したパ ッ ド (傾斜角O

o

) (図 1)と比較 しつ つ加工特性 を把握 した。傾斜角度 を変えたのは、スラ リーの流体挙動が変化 し、ウエハに対 し作用する動圧 (正圧〜負圧)が どのように、加工特性 に影響 を及ぼ すかを検証するためである。

5

パ ッ ド表 面 に形成 した傾斜溝角度つ き溝構造 ♂ SEM

写真の一例 ( +300)

各種溝 (

2)

を形成するためのパ ッ ドには、微小 な水溶性粒子 (空孔 に相当)を多数含有する JSR社 製溝な しのフラッ トパ ッ ドを準備 した。スラリーには 酸化膜用シリカスラリーを用いた。

適用 した加工条件を表

1

にまとめて示す

1

適用 した加工条件

試料(¢3") 熱酸化膜 (Siに厚 さ

1〟m

堆積) 加工装置 小 型 リ ン グ 式 ポ リ シ ン グ 装 置

(LM15)

パ ッ ド JSR社製 (¢340mm)

形成溝の [‑3

0

0‑2

0

0‑1

0

0

0

0+l

o

o+2

0 0

傾斜角度] +30】

スラリー 酸化膜用シリカスラリー (JSR CMS1101)

ス ラ リー 供

給速度 30,60,120 (ml/min) 加工圧力 30,120,160 (g/cm

2)

定 盤 (パ ッド)回転数 40,80 (rpm)

4.

実験結果および考察

本実験では、大きく分けて

3

実験 を行 った。

最初実験 1では、傾斜溝

7

種類のパ ッ ドによる研磨 実験である。研磨 レー トを比較するため、スラリー

供給量、パ ッ ド回転数、研磨圧力を全て共通にして実 験 を行 った。

(パッ ド回転数 :40rpm,スラリ‑供IYn'量 60mJ/mln)

0

0

(U Lu \∈ u ) エ

n

T E]q

加工圧力

‑ + 30g/cm2

= 1 20g/cm2

‑ 1 トー 1 60g/cm2

1 3 0 ‑2 0 11 0 0 +1 0 +2 0 +3 0

溝 傾 斜 角度

図 6

パ ッ ド溝 傾 斜 角度 と酸 化 膜加 にレ‑ 卜の 関係

6

に、加工圧力を変えた時のパ ッ ドに形成 した溝 傾斜角度 と酸化膜の加工 レー トの関係を示す。従来の 垂直溝)と比べ、清 をマイナス (内側)向き及びプラ ス (外側)向きにそれぞれ傾斜 させたパ ッ ドの場合、

加工 レー トが上昇する傾向が見 られる。溝傾斜角度が マイナス側の場合、総 じてプラス側よ りは加工 レー ト が高 く、それは高い加工圧力の時、それが顕著であ り、

加工圧力 160g/cm

2

では‑200で最大値を有する○

これは、回転するパ ッ ドの遠心力に対 し、内側 に向 いた溝の方が外側 に向いた溝よ りス ラリーを保持す る効果が高いためであると考えている。溝傾斜角度

±300

において加工 レー トが上昇 しない ことについ ては加工圧力に対 して角度が大 き過ぎるためにパ ッ ドの強度が低 くな り、本来の溝の効果が発揮できない ものと考察 される。いずれにしても、溝の効果のみな らず、機械的強度 と合わせて溝傾斜角度の最適条件を 見 出す必要があるが、 ここでは

±200

O

oに注 目 する。

5 2 劫

10 00 鮒 抑 乃 餌

(Lt.∈

\Lu u )エ ー n TuR

‑3 ‑

a;

「 t く

パ ッド回転数

ー 伽1 1

‑か一・8

b

‑200 0 0 +20 0

滴将司 角度

7

パ ッドの回転数を変えた時の満傾斜角度と加工レー トの 関係 (加工圧力 160g/cm2,スラリー供給量:60ml/min)

(4)

図 7に、加 工圧 力 1 60g / cm2、 ス ラ リー 供給 量 60mJ / mJ ' n と一定 にして、パ ッ ドの回転数 を変えた時 の、各種溝傾斜角度 と加工 レー トの関係 を示す。図の よ うにパ ッ ドの回転数が低速 と高速 の場合 を比較す ると、溝傾斜角度による加工 レー トの相違があき らか である。

低速の場合は図 6 で考察 した通 りであるが、高回転 数の場合、‑200では正圧が、 +200では負圧がそ れぞれ顕著 になるため、加工 レー トの大小関係が逆転 す るものと考え られる。垂直溝( oo) の場合、動圧 も 生 じているだろうが、2 倍の高速回転の時、スラリー の廻 りこみ・ 分散性が良好にな り加工 レー トが高 くな った ものと考える。 これ らの ことか ら次の実験では、

低速のパ ッ ド回転数 におけるス ラリー供給量 を確認 する。

幻 Q の 刀 (u!uJ J LUU)

I

n T 異

0

溝傾斜角度 と加工圧力

図 8 スラリー供給量による加工 レー トの変化

図 8 はスラリー供給速度 を変化 させた時の、各種溝 傾斜角度 における加工圧 力 と加工 レー トの関係であ る。スラリー供給量の大小に関わ らず、どの溝角度 も 加工 レー トに大差ないが、垂直溝 ( Oo)の場合、高 いスラリー供給速度 ( 120mV mi n)の方が若干高い加 工 レー トになっている。換言すれば傾斜溝 ( ±200) の場合、少ないスラリー供給量で もウエハ面内に効率 よ く分散 しているものと考え られ、省スラリー化が期 待 される。

以上の実験結果よ り、

1

)従来の垂直溝 と比べ、溝をマイナス ( 内側)向き 及びプラス ( 外側)向きにそれぞれ傾斜 させたパ ッ ド の場合、研磨 レー トが上昇する傾向が見 られる。

2) 溝斜角度がマイナス側の場合、総 じてプラス側よ りは研磨 レー トが高い。マイナス溝傾斜角のパ ッ ドは スラリー保持効果が高い。

3) スラ リー供給量が少ない場合で も、多い場合を上 回る研磨 レー トを得ることができ傾斜溝の効果 ( ウエ ハ面内に効率よ くスラリーを分散 させる)を確認でき た。

5. 結言

平坦化 CMPの研究の一環 として、パ ッ ドに形成す る溝の断面形状角度 に着 目して加工特性 を把握 し、下 記の ことが明 らかになった。

溝の傾斜角度は加工 レー トに影響を及ぼし、溝のマ イナス側 とプラス側 に最適値 ( ±200付近)がある。

これは加工圧力が高い時程顕著である。パ ッ ドの回転 数が高い条件の時、パ ッ ドとウエハ間で正または負の 動圧が発生す るな どス ラリーの挙動が変化す る もの と考え られる。特に傾斜溝の場合、加工 レー トの観点 か らは、垂直溝 と異な り低速回転の方が効率がよ く、

省ス ラリー化の可能性がある ことが明 らかになった。

く参考文献>

1)粟屋 ・山崎 :半導体産業 における CMP 技術, 精密工学会秋季大会論文集,p269( 2003)

2)土肥俊郎 :詳説半導体 CMP技術、工業調査会、

2001

3)T . K. Doy etaL : I mpac tofNoveJPad Gr oove Desi gns on RemovalRat e and Uni f or mJ ' t y of Dj el ec t r j c and Copper CMP, Jour nal of El ect r ochem. Soc. ,151, 3( 2004) G196 ‑ G199

‑4 ‑

図 5 は 、+300 の傾斜角度つき溝 を形成 した断面 構造の写真の一例である。加工実験では、従来の垂直 溝を形成 したパ ッ ド ( 傾斜角 O o) ( 図 1)と比較 しつ つ加工特性 を把握 した。傾斜角度 を変えたのは、スラ リーの流体挙動が変化 し、ウエハに対 し作用する動圧 ( 正圧〜負圧)が どのように、加工特性 に影響 を及ぼ すかを検証するためである。 図 5 パ ッ ド表 面 に形成 した傾斜溝角度つ き溝構造 ♂ SEM 写真の一例 ( +300) 各種溝 ( 図 2) を形成す

参照

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