AND8319/D ESD保護の追加時にUSB信号イ ンテグリティを維持する方法

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December, 2014 − Rev. 1

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AND8319JP/D

AND8319/D

ESD保護の追加時にUSB信号イ ンテグリティを維持する方法

はじめに

(USB)PC

電話電般能 !"USB#$%&'(速)(簡*

電+,-.#/送0"USB 2.0 -./送速123480 Mbps"4&5- .678高9静電:量8;<=>?!

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電:量#>4)4&JK1高9BCL

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討 X`"

USB 2.0

の概要

USB 規a1S"USBb cFG&!1d類MN.efPgh7複 ij辺8k続0I(l設計G& !"

!mNnQ.#o7 )Xp-M k続qr80I9;sIth7uhnN [vL[Nwv6M能#xyI4pUSB z !"USB4

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電

| (Vbus)[LNw(GND)81V<S"USB 2.0

要}G&I~MwLMN#€ "

•

^{1.5 Mbit/s}12 Mbit/s480 Mbit/s#‚7

•

-./送#ƒ„IUSBmN7…

•

L8†要go2長5 m

•

¹²⁷-Mk続‡能

•

ˆ部-M‰電Š‹給8‡能 (500 mA/5 V23)

•

^{USB 1.1}-MŒŽ

アイ・ダイアグラム

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"MZM[L\#$%IBC—˜

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®G&"œ» !768¹º重ÀX 9Iµ¶BC·質Á¶a

見

G&"

U S B 2 . 0B C ¹ º

関

I Â Ã U S B Implementers Forum (www.usb.org) (USB Specification Rev. 2.0, Section 7.1.2.2)

規

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Figure 1MZM[L\Ä# "重要

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APPLICATION NOTE

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3 4

8

5

6

7

9

Figure 1. USB 2.0 Eye Diagram

1. 06”： …’hº“0”ªÆÇ 2. 16”： …’hº“1”ªÆÇ

3.—˜™8š間：-.810%6”=J90%6”™ÈI==I遷ɚ間 4.—˜€8š間： -.890%6”=J10%6”€降I==I遷ɚ間 5.M高G：

開Ê部¦§¿Ë長G"ÌMÍ(IM閉Î϶#œ»I"

6.Mž：開Ê部©ª¿Ë長G"M8開0ÐÑI部ÒÓ±ÔFÕ(օ’hº“1”6”×7 [L\ªÆǟ ’h.¡響#œ»I"

7.Ø»’h.：TIBC遷É8ÙBC遷ÉÚIÛÜ(ÀXÝÞ.M¨N[=J<&I4 8.Mߞ： …’hº“0”6”…’hº“1”6”×7[L\ªÆÇà

9.áh767： áh7jâ逆i

www.onsemi.jp 3

測定結果

€ã験USB 2.0äMnwBC

(480 Mb/s)#$% !"静電:量8åI3d類 O護-M#$% !0MZM[L

\#œ» USB 2.0%¹ºæ較 !"æ較 Õ(Öçc% XO護-M#ã装 9ç èS9Xp評¢ !"åIO護-M#

$% !0MZM[L\O護-M

#$% 90ZM[L\#æ較IO

護-M(IBCEF1¶98Ò="

V資WESDO護ZM›w静電:量é&

8USB 2.0äMnwBCŸ ¡響 =考ê

X994ëì X)@G9"ã際設計 /送LMN配置G&!Ù部·çè自í (ÀXp

静電

:

量8>îI48T"

Figure 2､O護-M#$% 9²7BC#

 ｡

Figure 2. Test Without Device /送LMN静電:量8追îG&94

²7BCï`9純粋USB 2.0äMn wBC"

Figure 3､›Nð¨mNZº.超ñ:量

ESD-MESD9L (0.5 pF静電:量)#$% !

0USB 2.0äMnwBCMZM[L

\# "-.BC30ÔFp'JS0

p­ÎX9948Ò="…’hº“1”

…’hº“0”ªÆÇÕ(֗˜™8š間—˜

€8š間pD&見J&HU"ESD9L

静電:量8非òñ9!Ñ-.BCŒ^

ÚIó¡響À!)THU"Ù部·#追 î0I@A静電:量ô裕8TI0;ÑX õ軟ESDO護Ú策#講ÎI480"

Figure 3. ESD9L 0.5 pF ESD Device

www.onsemi.jp ö²7､›Nð¨mNZº.製ESD9C

5.0ST5G (6 pF

静 電

:

量

)# $ % X 9 "

Figure 4#÷ø X)@G9"O護-M#$%

90MZM[L\æ較I静電 :量8追îG&!4YJ=BC8EF X9 I48Ò="z—S—˜™8š間

—˜€8š間8長)ÀX9I4"Figure 4

.N#見I限¤題Gél8静電:

量’fh730部Ò#O護-M8ù費

X9I48Ò="3部Ò設計Ù

部·=J30静電:量8追îG&é&(ÀX

BC8GJEFI!Ñ4-.67 6 pFESDO護-Mp許:0HU"

Figure 4. ESD9C 6 pF Device, the Arrows Highlight the Distortation Starting to Appear with Higher Capacitance Device 2ú²7静電:量865 pF›Nð¨mN

Zº.製ESD9X5.0ST5G行9 !(Figure 5#÷

ø)"MZM[L\#見IBC830)E F —˜™8š間—˜€8š間8著 )長 )ÀX9"静電:量8309-M#$%

I高速-.LMNï`EF8­Î

"BCÓ±8USB 2.0%¹º重ÀX9I 4O護-MUSB 2.0ËA$%0 948Ò="

Figure 5. High Capacitance Device

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まとめ

ESD9L

超ñ: 量

(0.5 pF)9lû長8T､

USB 2.0äMnwvg RN%üýí

-M X$%I2適"™記M ZM[L\ã験=JÒ=I(l､ESD9L …’hº6”;<=¡響 =þ?<､—˜

™8š間—˜€8š間ï`­ÎHU"

ESD9L#$%I4USBLMN [ÿ

MN²[²•#維持 8J/送LMN™Ù 部·8静電:量#9)J=追î0Iô裕8­

&I4"

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