Study of Effects of High Temperature Annealing on Electrical and Structural Properties of
Poly‑Si Films
著者 曲 偉峰
journal or
publication title
博士学位論文要旨 論文内容の要旨および論文審査 結果の要旨／金沢大学大学院自然科学研究科
volume 平成9年6月
page range 1‑5
year 1997‑06‑01
URL http://hdl.handle.net/2297/16062
曲偉峰
氏名 生年月日 本籍 学位の種類 学位記番号 学位授与の日付 学位授与の要件 学位授与の題目
中国 博士（工学）
博甲第192号 平成8年９月３０日
課程博士（学位規則第４条第１項）
ＳｔｕｄｙｏｆＥｆｆｅｃｔｓｏｆＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＡｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄＳｔｒｕｃｔｕｒａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ Ｐｏｌｙ－ＳｉＦｉｌｍｓ
（ポリシリコン薄膜の構造と電気的特性に対する 高温アニールの効果の研究）
（主査）鈴木正國
（副査）山田実，長谷川誠一 佐々木公洋，北川章夫
論文審査委員
学位論文要旨
Abstractlnthiswork,EffbctsofHighTemperatureRapidThemalAnnealing(HT-RrA)on ElectricalandStructuralPropertiesofPoly-Sirilmswerestudiedusingthegasflameheating systemTheremarkablelateralgraingrowthofpoly-SiB1mswithmaximumgrainsizeofabout 3.51mlhasbeenobtainedatannealingtemperatureaboutl400℃fbrl80sltwasfbundthat secondarygamgrowthconsistsoftwoprocesses,theinitialstructuralrealTangementofthegrain boundaliesandthesubsequentgramgrowthHighdopmge田ciencywasalsoattainedbyHT-RrA mphosphorus-dopedpoly-SinlmsTheimprovementofelectricalpropertiesofphosphorusdoped poly-SimmsmassociationwiththeirmicroscopicstmcturewereinvestigatedFromtheseresults，
theHT-RTAprocessbygasflamesiseEfective．
ChapterlIntroduction
NovelHigh-TemperatureRapidThennal-Annealing(HT-RTA)technologyfOrlarg｢e-areaand highqualitypolycrystallinesilicon（poly-Si）filmsareexploredinthisstudy・Conventional annealingmethodsaredevisedintothreemethods，fumaceannealing，theexcimerlaseror
lampannealingandelectronbeamannealing,havebeenwidelyusedThefhrnaceannealingis generallyusedinsemiconductorindustriesHowever,hightemperature（＞１２００℃)anneaUngis generallydi田cultfbrconventionalfhrnaces・Ontheotherhand,laser-beamandelectron-beam annealingcaneasnyattainhightemperatureTheannealingsystemsusinglaser-beamorelectroL
-1-
