素粒子物理学2
素粒子物理学序論B
今回の目次
高エネルギー物理学を学ぶための道具立て 自然単位 ファインマン・ダイアグラム 素粒子の性質を探る方法 断面積 崩壊 2単位について
MKS単位系 長さL(m), 質量M(kg), 時間T(sec) 物理量は LaMbTc で表される エネルギー [E] = ML2T-2 = kg⋅m2/sec2 ジュール エネルギーとして電子ボルト(eV) = 電荷1の粒子を 1ボルト加速 ⇐ 対象は素粒子 定義により1V = 1J/C. よって[J]=[CV] あるいは [エネルギー] = [LF] = [L(C⋅V/L)] = [CV] 1eV = 1.6 x 10-19 CV(クーロン・ボルト) = 1.6 x 10-19 J(ジュール)1KeV = 103 eV, 1MeV = 106 eV, 1GeV = 109 eV,
1TeV = 1012 eV, etc...
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ところで…
E [エネルギー] = 1.4 x 10-23 x T [温度] 1eVは T = 1.6 x 10-19 / (1.4 x 10-23) 10,000 ℃ (K) LHCで加速される陽子のエネルギー 7TeV = 70,000,000,000,000,000 eV = 7京 ℃ 4自然単位
や c を基本単位に選ぶ [L] = [ c] x [E-1] [T] = [ ] x [E-1] とおく 長さも時間も [1/E]. 単位は (eV)-1 になる 速度はcを単位として無次元質量M [E/c2] [E] = eV, MeV, GeV, TeV, ...
運動量 p [Ev/c2]=[E/c] [E]=eV, MeV, GeV, TeV, ..
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�
� = c = �c = 1
� = 1.055 × 10
−34J
· sec = 6.582 × 10
−22M eV
· sec
�c = 197.33 × 10
−15M eV
· m
�
�自然単位系からの変換
次元を合わせる 例1. 長さ 1/mp, mp = 938 MeV 例2. 時間 1/mp 例3. 断面積σの単位はバーン(b)=10-24cm2が使われる ➠ 1 (GeV)-2 = 0.389 mb を示せ 6 1 mp = �c(M eV · m) 938MeV = 197 × 10 −15(m) 938 = 0.2 × 10−13(cm) 1 mp = �(MeV · sec) 938MeV = 6.58 × 10 −22(sec) 938 = 7.0 × 10−25(sec) ホントは「1/エネルギー」と言うべき別の例
プランクスケール:重力と静止エネルギー(=質量)が 同程度になるエネルギースケールあるいは質量のこと 重力の強さが他の3つと同程度 重力の量子化が必要 ブラックホールとの境界 7 G = 6.67 × 10−11m3kg−1s−2 = 6.71 × 10−39�c(GeV/c2)−2 にすると GM M r = Mc 2 r = � M c ⇒ M = ��c/G ⇒ M = �1/G = 1.22 × 1019(GeV )シュバルツシルト半径
ブラックホール (古典的には)光速で運動したとしても重力のポテンシャル に勝てない シュバルツシルト半径は ブラックホールになるには大きさ(=コンプトン波長) がシュバルツシルト半径になればよいので プランクスケールより小さな空間を考えることができない 8 1 2mc2 < G M m r ∴ r < 2GM c2 � M c < 2GM c2 ∴ M > � �c 2G = 1 √ 2mplさらに別の例
不安定粒子 ある寿命を持って崩壊 粒子の存在時間に Δt τの不定性 不確定性原理より、ΔEあるいはΔmにも不定性 例として π τ= 2.6 x 10-8 sec, m = 140 MeV Δm/m 2 x 10-16 ρ では Δm/m 0.2 (m = 770 MeV) 質量の測定からΔm( ΔE)がわかるので からτがわかる 9 ∆m = ∆E = � ∆t = 6.58 × 10 −22M eV · sec 2.6 × 10−8sec = 2.5 × 10−14M eV ∆E · ∆t(= Γ · τ) = � τ = �/∆E = �/Γ = 4.2 × 10−24sec 崩壊幅素粒子の性質を探る手だて
粒子の散乱 断面積 断面積の角度依存性 不安定粒子の崩壊 崩壊幅=寿命 崩壊角度分布 などなど 10 実験による観測事実とラグランジアン をどうやって結びつけるのか?断面積
微分散乱断面積 粒子ビームが単位面積あたり毎秒ni個入射するとき、標的粒 子1個につき(θ,Φ)方向の立体角dΩの中に散乱される粒子の 数をdN個/secとすると 全断面積 12 θ, φ dΩ ni/sec/cm2 dN = ni dσ dΩ(θ, φ)dΩ σ = � dσ dΩdΩ 単位 1barn(b) 10-24cm2 1mb, 1μb, 1pb, 1fb, ... ある初期状態から終状態への遷移確率に関係してる 相互作用ラグランジアン(ハミルトニアン)に関係してる相互作用を摂動として扱う
自由粒子に対するSchrodinger方程式(体積V中に1個) 相互作用ポテンシャルV(x,t)の中で運動する1個の粒子に対 して を解く 13 H0φn = Enφn , � V φ∗mφnd3x = δmn (H0 + V (x, t))ψ = i ∂ψ ∂t摂動として扱えない相互作用は計算不能
•
非常に短距離では強い力も弱い(漸近的自由)•
Lattice QCD という数値計算による手法 電磁気力、弱い力はいいとして、強い力はヤバいのでは? --- (*) --- (**)遷移振幅
時刻 t=-T/2 から t=T/2 への遷移を考える 14 ψ = � n an(t)φn(x)e−iEnt daf dt = −i � n an(t) � φ∗fV φnd3xei(Ef−En)t daf dt = −i � d3xφ∗fV φiei(Ef−Ei)t Tf i ≡ af(T/2) = −i � T /2 −T/2 dt � d3x[φf(x)e−iEft]∗V (x, t)[φ i(x)e−iEit] (**)に入れて、φf*をかけ体積Vで積分。(*)を使う (**)の解は という形に表せるとする ai(−T/2) = 1 an(−T/2) = 0, (n �= i) 相互作用前はH0の固有状態 af(t) = −i � t −T /2 dt� � d3xφ∗fV φiei(Ef−Ei)t�は と の間の状態数
フェルミの黄金律
ポテンシャルが時間に依存しない場合を考える 単位時間あたりの遷移確率 15 Vf i ≡ � d3xφ∗f (x)V (x)φi(x) W = lim T→∞ |Tf i|2 T Tf i = −iVf i � +T /2 −T/2dtei(Ef−Ei)t
w
f i= 2π|V
f i|
2ρ
f(E
i)
wf i = � W dEf ρf (Ef ) = 2π � dEf ρf(Ef )|Vf i|2δ(Ef − Ei) ρf ρf(Ef)dEf Ef Ef + dEf 終状態密度 = −2πiVf iδ(Ef − Ei) エネルギー保存 Δt = 2乗しても確率にならない断面積
A + B → C + D (規格化定数NA,B,C,D ) Wfiは単位体積あたりの遷移率 ただし 終状態の数 入射フラックス 16断面積 = W
fix [終状態の数] / [入射フラックス]
V d3pC (2π)32E C · V d3pD (2π)32E D F = |vA| 2EA V 2EB V Wf i = |Tf i| 2 T V = (2π) 4 δ(4)(pc + pD − pA − pB)|M |2 V 4 不変振幅 Tf i = −2πiVf iδ(Ef − Ei) Tf i = −iNANBNCND(2π)4δ(4)(pD + pC − pB − pA)M 2Eは体積V あたりの粒子数微分断面積
A + B → C + D 微分断面積は 17断面積 = W
fix [終状態の数] / [入射フラックス]
位相空間 知りたいラグランジアンの情報は ここに含まれている dσ = |M | 2 F dLips dσ = V 2 |vA|2EA2EB 1 V 4 |M| 2(2π)4δ(4)(p C + pD − pA − pB) V d3pC (2π)32E C · V d3pD (2π)32E D dLips = (2π)4δ(4)(pC + pD − pA − pB) d 3p C (2π)32E C · d3pD (2π)32E D (規格化因子Vはキャンセルしてる)ラザフォード散乱
非相対論的取り扱い 18 φi = Neipix, φ f = Neipfx N = 1/ √ V HIS = 1 4π Ze2 r Vf i = � d3xφ∗f (x)HISφi(x) HIS = Ze 2 4πV � d3xe i(pi−pf)x r I ≡ � d3xe iqx r = ... = 4π q2 q ≡ pi − pf HIS = Ze2 4πV 4π q2 q 2 = (p i − pf)2 = 4p2 sin2(θ/2) ρf = δ(Ei − Ef) V d3p (2π)3 = V (2π)3 dp dE p 2dΩ = V mpdΩ 8π3 入射粒子の速度をv=p/mとすると入射フラックスはv/V (σ=wfi V/v) dσ dΩ = ( Ze2 4π )2 4m2 q4 = Z2α2m2 4p4 sin4(θ/2) α = e2 4π ∼ 1 137ラザフォード散乱で何がわかるか?
既知:何の粒子を使っているか Z と m 実験で測定する量 微分断面積 入射粒子の運動量依存性 散乱角度 わかること が正しいかどうか⇐相互作用の(形)理解 結合定数α 19 dσ dΩ = ( Ze2 4π )2 4m2 q4 = Z2α2m2 4p4 sin4(θ/2) HIS = 1 4π Ze2 r不変振幅
知りたい物理が不変振幅に含まれている 例として、 仮想的に スピンを持たない電子とミューオンの 散乱を考える 20 Tf i = −iNANBNCND(2π)4δ4(pD + pC − pB − pA)M e− e− µ− µ− γ pA pB pC pD jµ(e) jµ(µ) V = −ie(∂µAµ + Aµ∂µ) − e2A2 ゲージ対称性に基づくQEDより 無視不変振幅
知りたい物理が不変振幅に含まれている 例として、 仮想的に スピンを持たない電子とミューオンの 散乱を考える 20 Tf i = −iNANBNCND(2π)4δ4(pD + pC − pB − pA)M e− e− µ− µ− γ pA pB pC pD jµ(e) jµ(µ) V = −ie(∂µAµ + Aµ∂µ) − e2A2 ゲージ対称性に基づくQEDより 無視jµ(e) = −eNANC(pC + pA)µei(pC−pA)x
Tf i = −i � φ∗f (x)V (x)φi(x)d4x = i � φ∗f ie(Aµ∂µ + ∂µAµ)φid4x = −i � jµ(e)Aµd4x 電磁場Aμによる電子の散乱
不変振幅(続き)
21 e− e− µ− µ− γ pA pB pC pD jµ(e) jµ(µ) jµ(µ) = −eNBND(pD + pB)µei(pD−pB)x ミューオンが電磁場Aμを作ると考える Aµ = − 1 q2 j (µ) µ q = pD − pB不変振幅(続き)
21 e− e− µ− µ− γ pA pB pC pD jµ(e) jµ(µ)不変振幅(続き)
21 e− e− µ− µ− γ pA pB pC pD jµ(e) jµ(µ) Tf i = −i � jµ(e)(x)(− 1 q2 )j (µ) µ (x)d4x = −iNANBNCND(2π)4δ4(pD + pC − pB − pA)M−iM = (ie(pA + pC)µ)(−i
gµν
q2 )(ie(pB + pD)
不変振幅(続き)
21 e− e− µ− µ− γ pA pB pC pD jµ(e) jµ(µ) Tf i = −i � jµ(e)(x)(− 1 q2 )j (µ) µ (x)d4x = −iNANBNCND(2π)4δ4(pD + pC − pB − pA)M−iM = (ie(pA + pC)µ)(−i
gµν
q2 )(ie(pB + pD)
ν)
M