36 V 、 18 MHz 、低ノイズ 高速セトリング、単電源、 RRO
JFET オペアンプ
データシート ADA4625-1
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって
特長
広いゲイン帯域幅積（GB 積）: 18 MHz（代表値）
高速スルー・レート: 48 V/µs（代表値）
低い電圧ノイズ密度: 3.3 nV/ Hz（代表値）@ 1 kHz 低ピークtoピーク・ノイズ: 0.15 µVp-p、0.1 Hz ～ 10 Hz 低入力バイアス電流: ±15 pA（代表値）@ TA = 25 ºC 低オフセット電圧: ±80 µV（最大）@ TA = 25 ºC オフセット電圧ドリフト:
±1.2 µV/ºC（最大）@ TA = 40 ºC ～ 85 ºC 高速セトリング: 700 ns で 0.01 %（代表値）
幅広い動作電圧
両電源動作: ±2.5 V ～ ±18 V 単電源動作: 5 V ～ 36 V 入力電圧範囲に V を含む レールtoレール出力 高容量性負荷の駆動能力 出力短絡電流: ±46 mA 位相反転なし
ユニティ・ゲインで安定
アプリケーション
PLL フィルタ・アンプ
トランスインピーダンス・アンプ
フォトダイオード・センサーのインターフェース 低ノイズ・チャージ・アンプ
概要
ADA4625-1 は、アナログ・デバイセズの業界をけん引する高電
圧、単電源、レールtoレール出力（RRO）、高精度接合型電界 効果トランジスタ（JFET）入力オペアンプをベースにしており、
市場でかつてないレベルの高速、低ノイズ性能を発揮します。
ADA4625-1 は、高電圧、高ゲイン、低ノイズ・アプリケーショ
ンで最適な性能を発揮します。入力コモンモード電圧範囲は負 電源を含み、出力はレール toレールで振幅します。これにより、
別個にグラウンド・センス用の負電圧電源を使用しなくても、
低電圧、単電源アプリケーションのダイナミック入力レンジを 最大化できます。
広帯域幅、低ノイズ、低入力バイアス電流を合わせて実現して いる ADA4625-1 は、ロー・レベル信号に高増幅と広帯域幅の両 方 を 与 え る ア ン プ が 必 要 な 、 フ ェ ー ズ ・ ロ ッ ク ・ ル ー プ
（PLL）のアクティブ・フィルタ・アンプ、および高チューニ ング電圧（VTUNE）の電圧制御発振器（VCO）やプリアンプに特 に適しています。
ピン配置
NC 1 –IN 2 +IN 3 V– 4
NC 8
V+
7 OUT 6
NC 5
ADA4625-1
TOP VIEW (Not to Scale)
15893-001
NOTES
1. NC = NO CONNECTION. DO NOT CONNECT TO THIS PIN.
2. EXPOSED PAD. CONNECT THE EXPOSED PAD TO GND, V+ OR V– PLANE, OR LEAVE IT FLOATING.
図 1.
ADA4625-1 はユニティ・ゲインで安定しており、入力範囲がい
ずれかの電源レールを 200 mV 超えても位相は反転しません。
出力は、最大 1000 pF の負荷と 600 Ω の負荷を駆動できます。
ADA4625-1 は 40 ºC ～ +125 ºC の拡張工業用温度範囲で動作が 仕様規定されており、+5 V ～ +36 V（±2.5 V ～ ±18 V）で動作 し、+5 V と ±18 V で仕様が規定されています。ADA4625-1 は、
露出パッド（EPAD）付きの 8 ピン SOIC パッケージを採用して います。
15893-157
100
10
1
1 10 100 1k 10k 100k
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/√Hz)
FREQUENCY (Hz) VSY = 5V VSY = ±18V
図 2. 電圧ノイズ密度の周波数特性
表 1. 関連する高精度 JFET オペアンプ
Single Dual Quad
Not applicable AD823A Not applicable
AD8510 AD8512 AD8513
AD8610 AD8620 Not applicable
ADA4610-1 ADA4610-2 ADA4610-4
ADA4622-1 ADA4622-2 ADA4622-4
ADA4627-1/ADA4637-1 Not applicable Not applicable
目次
特長 ... 1
アプリケーション ... 1
概要 ... 1
ピン配置 ... 1
改訂履歴 ... 2
仕様 ... 3
電気的特性 — ±18 V 動作時 ... 3
電気的特性 — 5 V 動作時 ... 5
絶対最大定格 ... 7
熱抵抗 ... 7
ESD に関する注意 ... 7
ピン配置およびピン機能の説明 ... 8
代表的な性能特性 ... 9
動作原理 ... 20
入力段およびゲイン段 ... 20
出力段 ... 20
位相反転なし ... 21
電源電流... 21
アプリケーション情報 ... 22
フェーズ・ロック・ループ（PLL）用の アクティブ・ループ・フィルタ ... 22
ADA4625-1 の利点および設計例 ... 23
トランスインピーダンス・アンプ ... 24
推奨される電源ソリューション ... 28
入力過電圧保護 ... 28
容量性負荷の駆動 ... 28
温度管理... 29
外形寸法 ... 30
オーダー・ガイド ... 30
改訂履歴
10/2017—Revision 0: Initial Version
仕様
電気的特性 — ±18 V 動作時
特に指定のない限り、電源電圧（VSY）= ±18 V、コモンモード電圧（VCM）= 出力電圧（VOUT）= 0 V、TA = 25 ºC。
表 2.
Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage VOS ±15 ±80 µV
−40°C < TA < +125°C ±250 µV
Offset Voltage Drift ΔVOS/ΔT −40°C < TA < +85°C ±0.2 ±1.2 µV/°C
−40°C < TA < +125°C ±0.5 ±2.1 µV/°C
Input Bias Current IB ±15 ±75 pA
−40°C < TA < +125°C ±5.5 nA
Input Offset Current IOS ±2 ±50 pA
−40°C < TA < +125°C ±0.4 nA
Input Voltage Range IVR −18.2 +14.5 V
Common-Mode Rejection Ratio CMRR VCM = −18.2 V to +14.5 V 97 115 dB
−40°C < TA < +125°C 94 dB
VCM = −18.2 V to +12 V 115 130 dB
−40°C < TA < +125°C 110 dB
Large Signal Voltage Gain AVO Load resistance (RL) = 2 kΩ, VOUT = −17.5 V to +17.5 V
140 150 dB
−40°C < TA < +125°C 135 dB
RL = 600 Ω, VOUT = −15 V to +15 V 130 135 dB
−40°C < TA < +125°C 115 dB
Input Capacitance CDM Differential mode 8.6 pF
CCM Common mode 11.3 pF
Input Resistance RDM Differential mode 1012 Ω
RCM Common mode, VCM from −18 V to +12 V 1012 Ω
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High VOH RL = 2 kΩ 17.65 17.72 V
−40°C < TA < +125°C 17.5 V
RL = 600 Ω 17.0 17.28 V
−40°C < TA < +125°C 16.75 V
Output Voltage Low VOL RL = 2 kΩ −17.74 −17.70 V
−40°C < TA < +125°C −17.5 V
RL = 600 Ω −17.4 −17.0 V
−40°C < TA < +125°C −16.85 V
Output Current IOUT Dropout voltage (VDROPOUT) < 1 V ±33 mA
Short-Circuit Current ISC ±46 mA
Closed-Loop Output Impedance ZOUT f = 1 MHz, closed-loop gain (AV) = +1 2 Ω
AV = +10 18 Ω
AV = +100 29 Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio PSRR VSY = ±5 V to ±18 V 105 120 dB
−40°C < TA < +125°C 102 dB
Supply Current per Amplifier ISY VOUT = 0 V 4.0 4.5 mA
−40°C < TA < +125°C 5 mA
Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate SR VOUT = ±10 V, RL = 2 kΩ, AV = −1 48 V/µs
VOUT = ±10 V, RL = 2 kΩ, AV = −5 44 V/µs
Gain Bandwidth Product GBP AV = 100 18 MHz
Unity-Gain Crossover UGC AV = 1 12.4 MHz
−3 dB Bandwidth −3 dB AV = 1 16 MHz
Phase Margin ΦΜ 88 Degrees
Settling Time tS To 0.1%, input voltage (VIN) = 10V step, RL = 2
kΩ, load capacitance (CL) = 15 pF, AV = −1
500 ns
To 0.01%, VIN = 10 V step, RL = 2 kΩ, CL = 15 pF, AV = −1
700 ns
ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE (EMI)
REJECTION RATIO
EMIRR
f = 1000 MHz 56 dB
f = 2400 MHz 93 dB
NOISE PERFORMANCE
Peak-to-Peak Noise eN p-p 0.1 Hz to 10 Hz 0.15 µV p-p
Voltage Noise Density eN f = 10 Hz 5.5 nV/√Hz
f = 100 Hz 3.6 nV/√Hz
f = 1 kHz 3.3 nV/√Hz
Current Noise Density iN f = 1 kHz 4.5 fA/√Hz
Total Harmonic Distortion + Noise THD + N AV = 1, f = 10 Hz to 20 kHz, RL = 2 kΩ, VIN = 6 VRMS at 1 kHz
Bandwidth = 80 kHz 0.0003 %
−109 dB
Bandwidth = 500 kHz 0.0007 %
−103 dB
電気的特性 — 5 V 動作時
特に指定のない限り、VSY = 5 V、VCM = 1.5 V、VOUT = VSY/2、TA = 25 ºC。
表 3.
Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage VOS ±0.1 ±0.6 mV
−40°C < TA < +125°C ±1.0 mV
Offset Voltage Drift ΔVOS/ΔT −40°C < TA < +85°C ±0.4 ±2.6 µV/°C
−40°C < TA < +125°C ±0.7 ±3.6 µV/°C
Input Bias Current IB ±15 ±50 pA
−40°C < TA < +125°C ±3.5 nA
Input Offset Current IOS ±2 ±50 pA
−40°C < TA < +125°C ±150 pA
Input Voltage Range IVR −0.2 +1.5 V
Common-Mode Rejection Ratio CMRR VCM = 0 V to 1.5 V 74 90 dB
−40°C < TA < +125°C 70 dB
Large Signal Voltage Gain AVO RL = 2 kΩ to V−, VOUT = 0.35 V to 4.65 V 130 145 dB
−40°C < TA < +125°C 120 dB
RL = 600 Ω to V−, VOUT = 0.5 V to 4.5 V 120 130 dB
−40°C < TA < +125°C 110 dB
Input Capacitance CDM Differential mode 12.1 pF
CCM Common mode 16.3 pF
Input Resistance RDM Differential mode 1012 Ω
RCM Common mode, VCM from 0 V to 1.5 V 1012 Ω
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High VOH RL = 2 kΩ to V− 4.75 4.82 V
−40°C < TA < +125°C 4.7 V
RL = 600 Ω to V− 4.65 4.74 V
−40°C < TA < +125°C 4.55 V
Output Voltage Low VOL RL = 2 kΩ to V+ 0.17 0.22 V
−40°C < TA < +125°C 0.3 V
RL = 600 Ω to V+ 0.25 0.3 V
−40°C < TA < +125°C 0.45 V
Output Current IOUT VDROPOUT < 1 V ±33 mA
Short-Circuit Current ISC ±46 mA
Closed-Loop Output Impedance ZOUT f = 1 MHz, AV = +1 2 Ω
AV = +10 18 Ω
AV = +100 29 Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio PSRR VSY = 4.5 V to 10 V 80 97 dB
−40°C < TA < +125°C 75 dB
Supply Current per Amplifier ISY VOUT = 0 V 3.9 4.3 mA
−40°C < TA < +125°C 4.8 mA
Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate SR VOUT = 0.5 V to 4.5 V, RL = 2 kΩ, AV = −1 32 V/µs
VOUT = 0.5 V to 4.5 V, RL = 2 kΩ, AV = −5 27 V/µs
Gain Bandwidth Product GBP AV = 100 16 MHz
Unity-Gain Crossover UGC AV = 1 11.2 MHz
−3 dB Bandwidth −3 dB AV = 1 16 MHz
Phase Margin ΦM 86 Degrees
Settling Time tS To 0.1%, VIN = 4 V step, RL = 2 kΩ, CL = 15 pF, AV = −1 600 ns
To 0.01%, VIN = 4 V step, RL = 2 kΩ, CL = 15 pF, AV = −1
950 ns
EMI REJECTION RATIO EMIRR
f = 1000 MHz 56 dB
f = 2400 MHz 87 dB
NOISE PERFORMANCE
Peak-to-Peak Noise eN p-p 0.1 Hz to 10 Hz 0.15 µV p-p
Voltage Noise Density eN f = 10 Hz 5.5 nV/√Hz
f = 100 Hz 3.6 nV/√Hz
f = 1 kHz 3.3 nV/√Hz
Current Noise Density iN f = 1 kHz 4.5 fA/√Hz
Total Harmonic Distortion + Noise THD + N AV = 1, f = 10 Hz to 20 kHz, RL = 2 kΩ, VIN = 0.6 VRMS at 1 kHz
Bandwidth = 80 kHz 0.0003 %
−109 dB
Bandwidth = 500 kHz 0.0007 %
−103 dB
絶対最大定格
表 4.
Parameter Rating
Supply Voltage 40 V
Input Voltage (V−) − 0.2 V to
(V+ ) + 0.2 V
Differential Input Voltage (V−) − 0.2 V to
(V+) + 0.2 V
Input Current1 ±20 mA
Storage Temperature Range −65°C to +150°C
Operating Temperature Range −40°C to +125°C
Junction Temperature Range −65°C to +150°C
Lead Temperature, Soldering (10 sec) 300°C Electrostatic Discharge (ESD)
Human Body Model (HBM)2 1.25 kV
Field Induced Charge Device Model (FICDM)3 1.25 kV
1 入力ピンには、電源ピンへのクランプ・ダイオードが付いています。
入力信号が電源レールを 0.3 V 上回る場合は、入力電流を 20 mA 以下 に制限してください。
2 適用規格 ESDA/JEDEC JS-001-2011。
3 適用規格 JESD22-C101（JEDEC の ESD FICDM 規格）。
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに 恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定 格のみを指定するものであり、この仕様の動作のセクションに 記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありま せん。デバイスを長時間にわたり絶対最大定格状態に置くと、
デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。
熱抵抗
熱性能は、プリント回路基板（PCB）の設計と動作環境に直接 関連しています。PCB の熱設計には、細心の注意が必要です。
表 5. 熱抵抗
Package Type1, 2 θJA3 θJC Unit
RD-8-1 52.8 5.7 °C/W
1 これらの値は JEDEC 規格 JESD-51 に従って得られたものです。
2 エクスポーズド・パッドは開放したままにしても構いませんが、適切
な温度管理を行うには、GND または V+ ／ V プレーンに接続する必 要があります。
3 基板レイアウトは θJA などの熱特性に影響を与えます。適切な温度管理
技術を用いると、θJA を改善することができます。詳細については、温 度管理のセクションを参照してください。
ESD に関する注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。
電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知されない まま放電することがあります。本製品は当社独自の特 許技術である ESD 保護回路を内蔵してはいますが、
デバイスが高エネルギーの静電放電を被った場合、損 傷を生じる可能性があります。したがって、性能劣化 や機能低下を防止するため、ESD に対する適切な予防 措置を講じることをお勧めします。
ピン配置およびピン機能の説明
NC 1 –IN 2 +IN 3 V– 4
NC 8
V+
7 OUT 6
NC 5
ADA4625-1
TOP VIEW (Not to Scale)
15893-002
NOTES
1. NC = NO CONNECTION. DO NOT CONNECT TO THIS PIN.
2. EXPOSED PAD. CONNECT THE EXPOSED PAD TO GND, V+ OR V– PLANE, OR LEAVE IT FLOATING.
図 3. ピン配置
表 6. ピン機能の説明
Pin No. Mnemonic Description
1, 5, 8 NC 接続なし。これらのピンには接続しないでください。
2 −IN 反転入力。
3 +IN 非反転入力。
4 V− 負電源電圧。
6 OUT 出力。
7 V+ 正電源電圧。
EPAD 露出パッド。露出パッドは GND または V+ ／ V− プレーンに接続するか、フロート状態にしておきます。
代表的な性能特性
特に指定のない限り、TA = 25 ℃、VCM = 0 V。
50
0
–100 100
NUMBER OF AMPLIFIERS
VOS (µV) 10
20 30 40
–75 –50 –25 0 25 50 75
VSY = ±18V RL= ∞
15893-003
図 4. 入力オフセット電圧（VOS）の分布、
電源電圧（VSY）= ±18 V
70
0
–2.0 2.0
NUMBER OF AMPLIFIERS
TCVOS (µV/°C) 10
20 30 40 50 60
–1.5 –1.0 –0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 VSY = ±18V
15893-004
図 5. TCVOS の分布（ 40 ºC ～ +125 ºC）、VSY = ±18 V
600
400
–600–18.2 16.8
VOS (µV)
VCM (V) –400
–200 0 200
–13.2 –8.2 –3.2 1.8 6.8 11.8 VSY = ±18V
90 AMPLIFIERS
15893-005
図 6. VOS とコモンモード電圧（VCM）の関係、VSY = ±18 V
25
20
15
10
5
0
–400 400
NUMBER OF AMPLIFIERS
VOS (µV)
–300 –200 –100 0 100 200 300
VSY = 5V VCM= 1.5V RL= ∞
15893-006
図 7. VOS の分布、VSY = 5 V
45
0
–2.0 2.0
NUMBER OF AMPLIFIERS
5 10 15 20 25 30 35 40
–1.5 –1.0 –0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 TCVOS (µV/°C)
VSY = 5V VCM= 1.5V
15893-007
図 8. TCVOS の分布（ 40 ºC ～ +125 ºC）、VSY = 5 V
1000
–1000
–0.2 3.4
–800 –600 –400 –200 0 200 400 600 800
VOS (µV)
0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 VCM (V)
VSY = 5V 90 AMPLIFIERS
15893-008
図 9. VOS と VCM の関係、VSY = 5 V
25
–25–40 125
TEMPERATURE (°C) –20
–15 –10 –5 0 5 10 15 20
VOS (µV)
–25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 VSY= 5V, VCM= 1.5V
VSY= ±18V
15893-009
図 10. VOS の温度特性
120
100
80
60
40
20
0
–60 10
NUMBER OF AMPLIFIERS
IB (pA)
–50 –40 –30 –20 –10 0
VSY = ±18V RL= ∞
15893-010
図 11. 入力バイアス電流（IB）の分布、VSY = ±18 V
90
0
–40 40
NUMBER OF AMPLIFIERS
IOS (pA) VSY = ±18V
RL= ∞
10 20 30 40 50 60 70 80
–30 –20 –10 0 10 20 30
15893-011
図 12. 入力オフセット電流（IOS）の分布、VSY = ±18 V
200
–1600 0
–40 125
IB (pA)
TEMPERATURE (°C) –1400
–1200 –1000 –800 –600 –400 –200
–25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 VSY= 5V, VCM= 1.5V
VSY= ±18V
15893-012
図 13. IB の温度特性
120
100
80
60
40
20
0
–60 10
NUMBER OF AMPLIFIERS
IB (pA)
–50 –40 –30 –20 –10 0
VSY = 5V VCM= 1.5V RL= ∞
15893-013
図 14. IB の分布、VSY = 5 V
90
0
–40 40
NUMBER OF AMPLIFIERS
IOS (pA) 10
20 30 40 50 60 70 80
–30 –20 –10 0 10 20 30
VSY = 5V VCM= 1.5V RL= ∞
15893-014
図 15. IOS の分布、VSY = 5 V
100
–100–18.2 17.8
–80 –60 –40 –20 0 20 40 60 80
IB (pA)
VCM (V)
–14.2 –10.2 –6.2 –2.2 1.8 5.8 9.8 13.8 VSY = ±18V
15893-015
図 16. IB と VCM の関係、VSY = ±18 V
10n
1n
100p
10p
1p
–18.2 17.8
ABSOLUTEVALUEOF IB(A)
–14.2 –10.2 –6.2 –2.2 1.8 5.8 9.8 13.8 VCM (V)
TA = 25°C
15893-016
TA = 125°C
TA = 85°C
図 17. 各種温度での IB の絶対値と VCM の関係、VSY = ±18 V
100
10
1
0.1
0.001 100
(V+) – VOUT (V)
IOUT SOURCE (mA)
0.01 0.1 1 10
VSY = ±18V
+125°C +85°C +25°C –40°C
15893-017
図 18. 各種温度でのドロップアウト電圧（（V+） VOUT）と 出力電流（IOUT）ソースの関係、VSY = ±18 V
300
–300
–0.2 3.8
–250 –200 –150 –100 –50 0 50 100 150 200 250
IB (pA)
VSY = 5V
VCM (V)
0.3 0.8 1.3 1.8 2.3 2.8 3.3
15893-018
図 19. IB と VCM の関係、VSY = 5 V
–0.2 5.0
10n
1n
100p
10p
1p ABSOLUTEVALUEOF IB(A)
VCM (V)
0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8 4.2 4.6
15893-019
TA = 25°C TA = 125°C
TA = 85°C
図 20. 各種温度での IB の絶対値と VCM の関係、VSY = 5 V
10
1
0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 100
(V+) – VOUT (V)
IOUT SOURCE (mA) VSY = 5V
VCM= 1.5V
TA = +125°C TA = +85°C TA = +25°C TA = –40°C
15893-020
図 21. 各種温度での（（V+） VOUT）と IOUT ソースの関係、
VSY = 5 V
100
10
1
0.1
0.001 100
VOUT – (V–)(V)
IOUT SINK (mA)
0.01 0.1 1 10
VSY = ±18V
TA = +125°C TA = +85°C TA = +25°C TA = –40°C
15893-021
図 22. 各種温度でのドロップアウト電圧（VOUT （V ））と IOUT シンクの関係、VSY = ±18 V
120
–40
100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
GAIN (dB)
FREQUENCY (Hz) –20
0 20 40 60 80 100
270 225 180 135 90 45 0 –45 –90
PHASE (Degrees)
VSY = ±18V RL= 1kΩ
CL = 300pF CL = 100pF CL = 0pF
15893-022
図 23. オープンループ・ゲインと位相の周波数特性、VSY = ±18 V
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
FREQUENCY (Hz) 60
–20
GAIN (dB)
–10 10 0 20 30 40 50
VSY = ±18V
15893-023
AV = 100
AV = 10
AV = 1
図 24. 各種クローズドループ・ゲインでのゲインの周波数特性、
VSY = ±18 V
10
1
0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 100
VOUT – (V–) (V)
IOUT SINK (mA) VSY = 5V
VCM= 1.5V
TA = +125°C TA = +85°C TA = +25°C TA = –40°C
15893-024
図 25. 各種温度での（VOUT （V ））と IOUT シンクの関係、
VSY = 5 V
120
–40
100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
GAIN (dB)
FREQUENCY (Hz) –20
0 20 40 60 80 100
PHASE (Degrees)
VSY = 5V RL= 1kΩ
CL = 300pF CL = 100pF CL = 0pF
15893-025
270 225 180 135 90 45 0 –45 –90
図 26. オープンループ・ゲインと位相の周波数特性、VSY = 5 V
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
FREQUENCY (Hz) 60
–20
GAIN (dB)
–10 10 0 20 30 40 50
VSY = 5V
15893-026
AV = 100
AV = 10
AV = 1
図 27. 各種クローズドループ・ゲインでのゲインの周波数特性、
VSY = 5 V
1000
0.001
OUTPUTIMPEDANCE(Ω)
100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
FREQUENCY (Hz) 0.01
0.1 1 10 100
VSY = ±18V
15893-027
AV = 100 AV = 10 AV = 1
図 28. 出力インピーダンス（ZOUT）の周波数特性、VSY = ±18 V
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
FREQUENCY (Hz)
VSY = ±18V 100
–20
PSRR (dB)
0 20 40 60 80
–PSRR +PSRR
15893-028
図 29. 電源電圧変動除去比（PSRR）の周波数特性、VSY = ±18 V
140
20
100M 1G
EMIRR (dB)
FREQUENCY (Hz) 40
60 80 100 120
10M 10G
VSY= 5V VSY= ±18V
15893-029
図 30. EMI 除去比（EMIRR）の周波数特性
1000
0.001
OUTPUT IMPEDANCE (Ω)
100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
FREQUENCY (Hz) 0.01
0.1 1 10 100
VSY = 5V
15893-030
AV = 100 AV = 10 AV = 1
図 31. ZOUT の周波数特性、VSY = 5 V
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
FREQUENCY (Hz) 100
–20
PSRR (dB)
0 20 40 60 80
VSY = 5V VCM= 1.5V
–PSRR +PSRR
15893-031
図 32. PSRR の周波数特性、VSY = 5 V
140
60
–40 125
PSRR (dB)
TEMPERATURE (°C) 70
80 90 100 110 120 130
–25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 VSY= ±5V TO ±18V
VSY= +4.5V TO +10V
15893-032
図 33. PSRR の温度特性
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M FREQUENCY (Hz)
120
0
CMRR (dB)
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
110 VSY= 5V
VSY= ±18V
15893-033
図 34. 同相ノイズ除去比（CMRR）の周波数特性
45 40 35 30 25 20 15 10 5 0
1 10 100 1k
OVERSHOOT (%)
LOAD CAPACITANCE (pF) VSY = ±18V
RL = 2kΩ VIN = 100mV p-p
OS+OS– AV = +1
AV = –1
15893-034
図 35. 小信号オーバーシュート（OS±）と負荷容量の関係、
VSY = ±18 V
20 15 10 5 0 –5 –10 –15 –20
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VOLTAGE (V)
TIME (µs) VSY = ±18V
RL = 2kΩ CL = 100pF
15893-035
図 36. 大信号過渡応答、AV = +1、VSY = ±18 V
140
60
–40 125
CMRR (dB)
TEMPERATURE (°C) 70
80 90 100 110 120 130
–25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 VSY= ±18V, VCM= –18.2V TO +14.5V
VSY= ±18V, VCM= –18.2V TO +12.0V VSY= 5V, VCM= 0V TO 1.5V
15893-036
図 37. CMRR の温度特性
40 35 30 25 20 15 10 5 0
1 10 100 1k
OVERSHOOT (%)
LOAD CAPACITANCE (pF) VSY = 5V
VCM = 1.5V RL = 2kΩ VIN = 100mV p-p
OS+
OS–
AV = +1
AV = –1
15893-037
図 38. OS± と負荷容量の関係、VSY = 5 V
4
3
2
1
0
–1
–2
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
OUTPUT VOLTAGE (V)
TIME (µs) VSY = 5V
RL = 2kΩ CL = 100pF
15893-038
図 39. 大信号過渡応答、AV = +1、VSY = 5 V
20 15 10 5 0 –5 –10 –15 –20
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VOLTAGE (V)
TIME (µs) VSY = ±18V
RL = 2kΩ CL = 100pF
15893-039
図 40. 大信号過渡応答、AV = -1、VSY = ±18 V
0.10
0.05
0
–0.05
–0.10
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VOLTAGE (V)
TIME (µs)
VSY = ±18V RL = 2kΩ CL = 100pF VIN = 0.1V p-p
15893-040
図 41. 小信号過渡応答、AV = 1、VSY = ±18 V
0.10
0.05
0
–0.05
–0.10
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VOLTAGE (V)
TIME (µs)
VSY = ±18V RL = 2kΩ CL = 100pF VIN = 0.1V p-p
15893-041
図 42. 小信号過渡応答、AV = -1、VSY = ±18 V
5
4
3
2
1
0
–1
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
OUTPUT VOLTAGE (V)
TIME (µs)
VSY = 5V VCM = 1.5V RL = 2kΩ CL = 100pF
15893-042
図 43. 大信号過渡応答、AV = -1、VSY = 5 V
1.60
1.55
1.50
1.45
1.40
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VOLTAGE (V)
TIME (µs) VSY = 5V
VCM = 1.5V RL = 2kΩ CL = 100pF VIN = 0.1V p-p
15893-043
図 44. 小信号過渡応答、AV = 1、VSY = 5 V
1.60
1.55
1.50
1.45
1.40
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VOLTAGE (V)
TIME (µs) VSY = 5V
VCM = 1.5V RL = 2kΩ CL = 100pF VIN = 0.1V p-p
15893-044
図 45. 小信号過渡応答、AV = -1、VSY = 5 V
