Crystal oscillator
仕様（特性）
項目
記号
仕様
条件
電源電圧
VCC1.80 V Typ. 2.50 V Typ. 3.30 V Typ.
- 1.62 V ~ 1.98 V 1.98 V ~ 2.20 V 2.20 V ~ 2.80 V 2.70 V ~ 3.63 V
出力周波数範囲
fO 0.67 MHz ~ 170 MHz -保存温度
T_stg -40 ºC ~ +125 ºC 単品での保存動作温度
T_use -40 ºC ~ +105 ºC -周波数許容偏差
*1 f_tol J: ±50 × 10-6 T_use = -40 ºC ~ +105 ºC消費電流
ICC3.2 mA Max. 3.3 mA Max. 3.4 mA Max. 3.5 mA Max. T_use = +105 ºC
無負荷, fO = 20 MHz
2.7 mA Typ. 2.9 mA Typ. 3.0 mA Typ. T_use = +25 ºC 5.5 mA Max. 5.8 mA Max. 6.7 mA Max. 8.1 mA Max. T_use = +105 ºC
無負荷, fO = 170 MHz
4.7 mA Typ. 5.7 mA Typ. 6.8 mA Typ. T_use = +25 ºC
ディセーブル時電流
I_dis 3.2 mA Max. 3.2 mA Max. 3.3 mA Max. 3.5 mA Max. OE = GND, fO = 170 MHzスタンバイ時電流
I_std 0.9 μA Max. 1.0 μA Max. 1.5 μA Max. 2.5 μA Max. T_use = +105 ºC ST¯¯ = GND0.3 μA Typ. 0.4 μA Typ. 0.5 μA Typ. 1.1 μA Typ. T_use = +25 ºC
波形シンメトリ
SYM 45 % ~ 55 % 50 % VCC Level出力電圧
(DC characteristics)
VOH 90 % VCC Min. IOH/IOL Conditions [mA] Vcc ※A ※B ※C ※D tr/tf 標準モード (fO > 40 MHz), tr/tf 高ドライブモード IOH -2.5 -3.5 -4.0 -5.0 IOL 2.5 3.5 4.0 5.0 tr/tf 標準モード (fO ≤ 40 MHz) IOH -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 IOL 1.5 2.0 2.5 3.0 tr/tf 低ドライブモード IOH -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 IOL 1.0 1.5 2.0 2.5 ※A：1.62 V ~ 1.98 V, ※B：1.98 V ~ 2.20 V ※C：2.20 V ~ 2.80 V, ※D：2.70 V ~ 3.63 V VOL 10 % VCC Max.出力負荷条件
L_CMOS 15 pF Max. -入力電圧
VIH 70 % VCC Min. OE or ST¯¯ VIL 30 % VCC Max.立ち上がり・
立ち下がり時間
標準
tr/tf 3.0 ns Max. fO > 40 MHz 20 % - 80 % VCC, L_CMOS = 15 pF 6.0 ns Max. fO ≤ 40 MHz高ドライブ
3.0 ns Max. fO = 0.67 MHz ~ 170 MHz低ドライブ
10.0 ns Max. fO = 0.67 MHz ~ 20 MHz出力停止時間
t_stp 1 μs Max. OE / ST¯¯ 端子電位が 30 % VCC未満になる時点の t を 0 とする出力開始時間
t_sta 1 μs Max. OE 端子電位が 70 % VCCを越えた時点の t を 0 とするスタンバイ復帰時間
t_res 3 ms Max. ST¯¯ 端子電位が 70 % VCCを越えた時点の t を 0 とする発振開始時間
t_str 3 ms Max. VCC が 1.62 V を越えた時点の t を 0 とする周波数経時変化
f_aging 周波数許容偏差に含む +25 °C, 10 年 *1 周波数許容偏差には周波数初期偏差、周波数温度特性、電源電圧変動特性、リフロー変動、リフローシフト、周波数経時変化（+25 ºC, 10 年）を含む端子説明
Pin
名称
I/O
機能
1
OE
Input
出力イネーブル
High: OUT 端子から所定の周波数を出力
Low: OUT 端子はウィークプルダウン、出力ドライバのみ停止
ST
¯¯
Input
スタンバイ
High: OUT 端子から所定の周波数を出力
Low: OUT 端子はウィークプルダウン
内部回路が停止し、消費電力が I_std まで最小化するスタンバイモードへ移行
2
GND
Power
接地
3
OUT
Output
クロック出力
4
V
CCPower
電源
水晶発振器(プログラマブル)
OUTPUT: CMOS
SG
-
8018
シリーズ
周波数範囲
: 0.67 MHz ~ 170 MHz (1 ppm Step)
電源電圧範囲
: 1.62 V ~ 3.63 V
機能
: Output enable (OE) or Standby (ST
¯¯)
周波数偏差
※: ±50 ppm (-40 ºC ~ +105 ºC)
※ 経時変化(+25℃, 10 年)を含む
Package ：2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5, 5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 (mm)
PLL 技術による量産短納期対応、サンプル即納
専用ライタ（別売）でプログラム可能
製品型番(お問い合わせください)
SG-8018CA: X1G00557xxxxx00
SG-8018CB: X1G00558xxxxx00
SG-8018CE: X1G00559xxxxx00
SG-8018CG: X1G00560xxxxx00
CG CE CB CA
2.5 x 2.0mm 3.2 x 2.5mm 5.0 x 3.2mm 7.0 x 5.0mm
2.5x2.0mm
製品名称
①機種名, ②パッケージ,
③周波数, ④電源電圧,
⑤周波数許容偏差, ⑥動作温度範囲,
⑦機能, ⑧tr/tf(出力ドライバ能力)
外形寸法図
（単位: mm）
フットプリント（推奨）
（単位: mm）
SG-8018CG
SG-8018CG
SG-8018CE
SG-8018CE
SG-8018CB
SG-8018CB
SG-8018CA
SG-8018CA
■使用上の注意
安定動作とジッタ低減のため、V
CC- GND 間に 0.1 µF のバイパスコンデンサを付けてください。このバイパスコンデンサは、本
製品と同じ PCB 上の面に実装し、最短の距離で配線することを推奨します。
SG-8018CG 170.000000MHz T J H P A
①
②
③
④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
②パッケージ ④電源電圧 ⑥動作温度範囲 ⑧tr/tf CA: 7.0 mm x 5.0 mm T: 1.8 V ~ 3.3 V Typ. H: -40 °C ~ +105 °C A: 標準モード CB: 5.0 mm x 3.2 mm B: 高ドライブモード CE: 3.2 mm x 2.5 mm ⑤周波数許容範囲 Frequency tolerance ⑦機能 C: 低ドライブモード CG: 2.5 mm x 2.0 mm J: 50 x 10-6 P: Output enable S: StandbyCrystal oscillator
特性グラフ（Typ 値参考特性. 特記なき場合、T_use = 25 ℃, L_CMOS = 15pF）
消費電流
ディセーブル時電流
スタンバイ時電流
■Notes:
2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120Icc
(mA)
Temperature (℃)
fo = 20MHz, L_CMOS = No load
Vcc = 3.3 V Vcc = 2.5 V Vcc = 1.8 V特性グラフ（Typ 値参考特性. 特記なき場合、T_use = 25 ℃, L_CMOS = 15pF）
位相ジッタ（RMS）
（オフセット周波数帯域 12 k－20 MHz）
位相ジッタ（RMS）
（オフセット周波数帯域 1.8 M－20 MHz）
Period Jitter RMS
Period Jitter Peak-Peak
Cycle-to-Cycle Jitter Peak-Peak
■Notes:
30 40 50 60 70 80 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Phas e Ji tt er -RMS ( p s) fo (MHz) Vcc = 3.3 V Vcc = 2.5 V Vcc = 1.8 V 0 10 20 30 40 50 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Phas e Ji tt er -RMS ( p s) fo (MHz) Vcc = 3.3 V Vcc = 2.5 V Vcc = 1.8 V 0 10 20 30 40 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 P er iod Ji tt er RMS (p s) fo (MHz)Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 1.8 V 0 10 20 30 40 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 P er iod Ji tt er RMS (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 2.5 V 0 10 20 30 40 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 P er iod Ji tt er RMS (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 3.3 V 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 P er iod Ji tt er P ea k -P ea k (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 3.3 V Vcc = 3.3 V Vcc = 1.8 V 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 P er iod Ji tt er P ea k -P ea k (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow
Vcc = 3.3 V Vcc = 3.3 V Vcc = 2.5 V 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 P er iod Ji tt er P ea k -P ea k (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 3.3 V 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Cy cle to Cy cle Ji tt er P ea k -P ea k (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 1.8 V 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Cy cle to Cy cle Ji tt er P ea k -P ea k (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 2.5 V 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Cy cle to Cy cle Ji tt er P eak -P eak (p s) fo (MHz)
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow Vcc = 3.3 V
Crystal oscillator
特性グラフ（Typ 値参考特性. 特記なき場合、T_use = 25 ℃, L_CMOS = 15pF）
立ち上がり・立ち下がり時間（fo = 20 MHz）
■注釈:
frequency slow default fast 0.67 M – 20 M See Slow See Default See Fast 20 M – 40 M - See Default See Fast 40 M – 170 M - See Fast See Fast
高調波スペクトル（fo = 20 MHz ）
ドライブ設定による高調波の比較
■注釈:
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Ris e Time(ns) Vcc (V)Rise time L_CMOS = 5 pF
Tr/Tf mode = Slow Tr/Tf mode = Default Tr/Tf mode = Fast 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Fal l Time(ns) Vcc (V)
Fall time L_CMOS = 5 pF
Tr/Tf mode = Slow Tr/Tf mode = Default Tr/Tf mode = Fast 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Ris e Time( ns) Vcc (V)
Rise time L_CMOS = 15 pF
Tr/Tf mode = Slow Tr/Tf mode = Default Tr/Tf mode = Fast 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Fall Time( ns) Vcc (V)
Fall time L_CMOS = 15 pF
Tr/Tf mode = Slow Tr/Tf mode = Default Tr/Tf mode = Fast -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 Pow e r ( d B m ) frequency (MHz) ① ③ ⑤ ⑦ ⑨ ⑪
Normalize to Rise/Fall time = “Fast”.
静電破壊耐量（ESD）
試験項目
静電耐圧
人体モデル（HBM）
2000V
機械モデル（MM）
250V
デバイス帯電モデル（CDM）
750V
マーキング図（標準仕様）
機種名
標準品
ブランクサンプル品
SG-8018CG
SG-8018CE
SG-8018CB
SG-8018CA
シミュレーションモデル
・ IBIS モデルを提供可能です。ご要望の際には、お問い合わせください。.
その際、動作条件（電源電圧、立ち上がり/立ち下がり時間設定、動作温度）の情報が必要となります。
170.
A2
A2
Crystal oscillator
製品外形・材質・環境情報
SMD 製品リフロープロファイル例
JEDEC-STD-020D.01 の耐熱リフロー条件への対応可否は、製品ごとに判断させて頂いております。お問い合わせください。
鉛フリー製品です。
EU RoHS 指令適合製品です。
Pb-Free マークのない製品について
製品内部には鉛（高融点はんだ鉛、又は、電子部品のガラスに含まれる鉛／共
に EU RoHS 指令では適用除外項目）を含有しています。
機種名
外形寸法
端子数
重量
(Typ.)
端子
材料
端子
メッキ
EU RoHS
指令適合
鉛
フリー
MSL
リフロー
ピーク温度
(Max)
SG-8018CG
2.5 x 2.0 x 0.7 mm
4
13 mg
W
Au
Yes
Yes
1
260°C
SG-8018CE
3.2 x 2.5 x 1.0 mm
4
25 mg
W
Au
Yes
Yes
1
260°C
SG-8018CB
5.0 x 3.2 x 1.1 mm
4
51 mg
W
Au
Yes
Yes
1
260°C
SG-8018CA
7.0 x 5.0 x 1.3 mm
4
143 mg
W
Au
Yes
Yes
1
260°C
標準梱包仕様
SMD 製品は、テーピング形式 EIA-481 および IEC-60286 に準拠し、リールを箱詰めして送品します。
標準梱包数量と寸法（単位：mm）
機種名
梱包数量
Quantity
(個/リール)
リール寸法
キャリア寸法
テープ
引き出し方向
(1 番ピンが
左上方向=L)
a
b
W
A
B
C
D
SG-8018CG
3000
Φ180
Φ60
9
4
5.25
8
1.15
L
SG-8018CE
2000
Φ180
Φ60
9
4
5.25
8
1.4
L
SG-8018CB
1000
Φ180
Φ60
13
8
7.25
12
1.4
L
SG-8018CA
1000
Φ254
Φ100
17.5
8
9.25
16
2.3
L
Temperature
[
C
]
60 300 250 200 150 100 50 0 Time[s] 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 Tsmin ;+150C Tsmax ;+200C TL ;+217C +255C tp;at least 30s TP ;+260C OVER
Time +25
C
to
Peak
Ramp-up rate +3 °C/s Max. tL 60sto150 ts 60sto120s Ramp-down rate -6 °C/s Max. Ma rki n g Ma rki n g世界標準の環境管理システムを推進
セイコーエプソンは、環境管理システムの運営に国際標準規格の ISO 14000 シリーズを活用し、PDCA サイクルを回すことによって 継続的改善を図っており、国内外の主要な製造拠点の認証取得が 完了しております。品質向上への取り組み
セイコーエプソンは、お客様のニーズをとらえた高品質・高信頼 度の製品・サービスを提供するため、いち早くISO 9000 シリー ズ認証取得活動に取り組み、国内国外の各事業所において ISO 9001 の認証を取得しています。また、大手自動車メーカーの要求 する規格であるISO/TS 16949 の認証も取得しています。 ■カタログ内で使用しているマークについて ●鉛フリー製品です。 ●EU RoHS 指令適合製品です。 *Pb-Free マークの無い製品について 端子部は鉛フリーですが、製品内部には鉛（高融点はんだ鉛、又は、 電子部品のガラスに含まれる鉛／共にEU RoHS 指令では適用除外項目）を含有しています。 ●車載製品（ボディ系、情報系など）にご使用いただくことを意図し、車載環境を想定した品質保証プログラムにより 設計、製造する製品です。 ●車の安全走行（走る・止まる・曲がる）にご使用いただくことを意図し、車載安全を想定した品質保証プログラムに より設計、製造する製品です。Seiko Epson Corporation ●本資料のご使用につきましては、次の点にご留意願います。 1. 本資料の内容については、予告なく変更することがあります。量産設計の際は最新情報をご確認ください。 2. 本資料の一部、または全部を弊社に無断で転載、または、複製など他の目的に使用することは堅くお断りいたします。 3. 本資料に記載される応用回路、プログラム、使用方法等はあくまでも参考情報であり、これらに起因する第三者の知的財産権および その他の権利侵害あるいは損害の発生に対し、弊社は如何なる保証を行うものではありません。 また、本資料によって第三者または弊社の知的財産権およびその他の権利の実施権の許諾を行うものではありません。 4. 特性表の数値の大小は、数値線上の大小関係で表します。 5. 輸出管理について (1) 製品および弊社が提供する技術を輸出等するにあたっては「外国為替および外国貿易法」を遵守し、当該法令の定める必要な手 続をおとりください。 (2) 大量破壊兵器の開発等およびその他の軍事用途に使用する目的をもって製品および弊社が提供する技術を輸出等しないでくださ い。また、これらに使用するおそれのある第三者に提供しないでください。 6. 製品は一般電子機器に使用されることを意図し設計されたものです。 特別に高信頼性を必要とする以下の特定用途に使用する場合は、 弊社の事前承諾を必ず得て下さい。 承諾無き場合は如何なる責任も負いかねることがあります。 1 宇宙機器（人工衛星・ロケット等）2 輸送車両並びにその制御機器（自動車・航空機・列車・船舶等） 3 生命維持を目的とした医療機器 4 海底中継機器 5 発電所制御機器 6 防災・防犯装置7 交通用機器 8 その他；1 ～7 と同等の信頼性を必要とする用途 本資料に掲載されている会社名、商品名は、各社の商標もしくは登録商標です。 ISO 14000 シリーズとは： 環境管理に関する国際規格。地球温暖化、オゾン層破壊、森林 資源枯渇等が叫ばれるようになったのを背景に、1996 年に国 際標準化機構が世界共通の規格として制定しました。 ISO/TS 16949 とは： ISO9001 をベースに、自動車産業向けの固有要求事項を付加し た国際規格です。
