P60-24.pdf セラミック発振子 ( セラロック ) Application Manual

(1)

セラミック発振子（セラロック）

Application Manual

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2021.3.1

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欧州RoHS指令対応について

・当カタログに記載の製品は、全て欧州RoHS 指令に対応した製品です。

・欧州RoHS指令とは、欧州の「電気電子機器中の特定の危険物質の使用制限に関する指令（2011/65/EU）」およびその修正指令を指します。

・当社の欧州RoHS指令対応の詳細については、当社Webサイト「欧州RoHSへの対応」

（http://www.murata.com/ja-jp/support/

compliance/rohs）よりご確認下さい。

はじめに

セラミック発振子（以下セラロックとする）は、多結晶体である圧電セラミックスの機械的共振を利用した発振素子です。

当社の長年にわたるセラミックフィルタ（セラフィル）

の量産技術が、セラロックの商品化を可能とし、時代のニーズに合った商品として年々その市場を拡大してきました。

集積回路技術の進歩は、従来大がかりなコンピュータシステム以外に処理できなかった各種機器の制御を1個の LSIで可能としました。また、その価格も大幅に低下し、

いまや産業用機器から民生用機器にいたるまで、1チップマイクロコンピュータが使用されるようになりました。この応用分野は今後もますます拡大されるものと思われます。一方、これらの1チップマイクロコンピュータに不可欠のクロック用発振子にも、さらに適度な安定性と無調整化、小型化、低価格化が要求されています。

こうした要求を満足するものとして、セラロックが最適であり、現在、TV、VTR、自動車電装品、電話機、複写機、

カメラ、音声合成機器、通信機、各種リモコン、ミシン、

玩具など非常に幅広い用途に応用されつつあります。

ここに、セラロックアプリケーションマニュアルをまとめましたので、セラロックを効果的に、また支障なくご使用いただくために是非お役立てください。

(3)

・製品によっては、お守りいただかないと発煙、発火等にいたる可能性のある定格や注意（保管・使用環境、定格上の注意、実装上の注意、取扱上の注意）を記載しておりますので、必ずご覧下さい。

・当カタログには、代表的な仕様しか記載しておりませんので、ご注文にあたっては詳細な仕様が記載されている納入仕様書の内容をご確認いただくか承認図の取交しをお願いします。

お願い

　　…量産性を考えた設計がなされています。セラミック発振子はCR、LCなど電気的共振を応用したものと異なり、機械的共振を利用していますので、基本的に外部回路や電源電圧の変動などの影響を受けにくく、無調整で高安定な発振回路が得られます。

各種発振素子の特長を簡単にまとめます。

各種発振素子の特長

セラロックの特長と種類

1 ^RoHS

7表面波

振動モードと周波数帯周波数（Hz）

振動モード 1屈曲振動

2長さ振動 3拡がり振動 4径方向振動 5厚みすべり振動6 厚み縦振動

1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G

［注］：←→は振動方向を示す

名　称シンボル価　格形　状調　整周波数

初期精度長期安定性

LC 安価大きい要 ±2.0％あまり

よくない

CR 安価小さい要 ±2.0％あまり

よくない

水晶振動子高価大きい不要 ±0.001％優れている

セラミック

発……振……子安価小さい不要 ±0.5％優れている

(5)

お願い

3

1 2.セラロックの種類

MHz帯リードセラロック（CSTLSシリーズ）

CSTLSシリーズは、外付けコンデンサが不要ですので部品点数の削減、セットの小型化が図れます。

右表に負荷容量内蔵型セラロック（3端子セラロック）の周波数範囲および外形図を示します。

品番の読み方

❶識別記号

❷周波数帯／コンデンサ内蔵

❸構造・サイズ　LS：丸リードタイプ

❹公称中心周波数

❺タイプ

　G：厚みすべり振動、X：厚み縦振動（3rdオーバートーン）

❻周波数公差

　1：±0.1％、2：±0.2％、3：±0.3％、5：±0.5％、

　D：DTMF用、Z：その他

❼内蔵容量

　1：5pF、3：15pF、4：22pF、5：30pF、6：47pF

❽個別仕様

　…標準品の場合、「❽個別仕様」は適用されず、…「❾包装仕様コード」が繰り上がります。

❾包装仕様コード　−B0：バラ品、

　−A0：ラジアルテーピング品……H0＝18mm

… つづら折り梱包（標準品）

（例）

CS T LS

❶ ❷ ❸

4M00

❹

G

❺

5

❻

3

❼ ❽

-A0

❾

リードセラロック（CSTLSシリーズ）の種類と外形寸法

タイプ名周波数外形寸法（mm）

CSTLS G 3.40〜10.00MHz

CSTLS X 16.00〜70.00MHz

※　16.00〜32.99MHzまでは「3.5」

2.5 2.5

5.53.5

8.0 3.0

2.5 2.5

6.53.5

5.5 3.0

※

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1 MHz帯チップセラロック

（CSTCR/CSTNR/CSTNEシリーズ）

電子機器のますますの小型・薄型化・高密度実装の要求に応え、

MHz帯チップセラロックのバリエーションを豊富に取り揃えています。

3端子チップセラロック（負荷容量内蔵型）CSTCR/CSTNEシリーズの外形寸法、および標準ランド寸法と、CSTCRシリーズのテープキャリアの外形寸法を右表に示します。

品番の読み方

❶識別記号

❷周波数帯／容量内蔵・非内蔵　T：コンデンサ内蔵

❸構造・サイズ

　CR/NR/NE：キャップチップタイプ

❹公称中心周波数

❺タイプ

　G：厚みすべり振動、V：厚み縦振動

❻周波数公差

　1：±0.1％、2：±0.2％、3：±0.3％、5：±0.5％、

　H：±0.07％

❼内蔵容量

　1：5pF…or…6pF、2：10pF、3：15pF、5：33pF…or…39pF、

　6：47pF

❽個別仕様

　…標準品の場合、「❽個別仕様」は適用されず、…「❾包装仕様コード」が繰り上がります。

❾包装仕様コード　B0：バラ品、

　…R0：プラスチックテーピング品φ180mmリール梱包

（例）

CS T CR

❶ ❷ ❸

4M00

❹

G

❺

5

❻

3

❼ ❽

R0

❾

チップセラロック（CSTCR/CSTNR/CSTNEシリーズ）の外形寸法、および標準ランド寸法

タイプ名周波数（MHz）外形寸法

標準ランド寸法（mm）

CSTCR G^※1

CSTNR G^※1 4.00〜7.99

CSTNE G^※1 8.00〜13.99

CSTNE V^※1 14.00〜 20.00

※1　…当製品は、密閉構造ではありませんので、洗浄および樹脂コーティングすることは、お避けください。

2.6 1.6 0.8

0.4

1.5 0.41.5 0.4 0.80.70.8 0.7

1.2

2.0 4.5

0.4

1.90 ~ 2.10

0.4 0.8 0.4 0.8

1.2 1.2

0.8

1.3 3.2

0.4

1.90 ~ 2.10

0.4 0.8 0.4 0.8

1.2 1.2

1.0

3.2 1.3

(7)

お願い

5

1

チップセラロックのプラスチックテープの外形寸法

(in mm) 4.0±0.1

2.0±0.05

(9.5)

4.0±0.1

(3)(2)(1)

ø1.5 +0.1-0

ø1.5+0.1-0

12.0±0.2

5.5±0.051.75±0.1

4.7±0.10.3±0.05 1.25±0.05 (1.85 max.)

2.2±0.1

Direction of Feed (3̊)

10̊ Cover Film

The cover ﬁlm peel strength force 0.1 to 0.7N The cover ﬁlm peel speed 300mm/min.

CSTCRシリーズ

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2 1.セラロックの等価回路定数

セラロックの基本的な使い方は、図2-1のように一対の電極を設けた2端子型共振子としての応用です。2端子間のインピーダンスおよび位相特性を測定しますと図2-2のようになります。

図2-2からインピーダンスが最小となる周波数Fr（共振周波数）

とインピーダンスが最大となる周波数Fa（反共振周波数）の間の周波数帯でインダクティブとなり、その他の周波数帯でキャパシティブとなるような動作をしていることがわかります。このことは2端子型振動子の機械的振動がコイルL、コンデンサC、

抵抗Rの直並列共振回路の組み合わせで等価的に置き換えて考えられることを意味します。固有周波数（P.8、注釈1参照）の近傍でのその電気的等価回路は、図2-3のようにあらわすことができます。

Fr、Faは圧電セラミックスの性能および形状により定まる周波数で、等価回路定数も次式により一義的に決定できます。（P.8、

注釈2参照）

Fr＝1/2π L

1

C

1

Fa＝1/2π L

1

C

1

C

0

/(C

1

+C

0

)＝Fr 1+C

1

/C

0

―――――――――――(2-1)

―――――(2-2)

―――――――――――(2-3) Qm＝1/2πFrC

¹

R

¹

(Qm：機械的Q)

いま、Fr≦F≦Faなる周波数帯のみを考えると、図2-4のようにインピーダンスZ＝Re＋jωLe（Le≧0）となり、セラロックは損失Re（Ω）を持つインダクタンスLe（H）として動作することになります。

図2-1　2端子型セラロックの記号

2端子間インピーダンス　Z＝R＋jX

（R：実数部、X：虚数部）

位相　φ＝tan^-1X/R 記号

図2-4　Fr≦F≦Faの周波数帯域でのセラロックの等価回路

Re Le

Re：実効抵抗 Le：実効インダクタンス

図2-3　セラロックの電気的等価回路

R1…：等価抵抗 L1…：等価インダクタンス C1…：等価キャパシタンス C0…：電極間容量

L1 C1

C0 R1

図2-2　セラロックのインピーダンスと位相特性

[Z]

10⁴ 10³ 10² 10

90

0

-90 10⁵

周波数

インピーダンス位相

Fr Fa

セラロックの原理

2 ^RoHS

(9)

お願い

7

2

下表にセラロックの代表的な等価回路定数値を水晶振動子のそれと対比して示します。両者を比べると、容量およびQmに大きな差があり、実際に発振させた場合の発振条件の違いはこれらに起因します。セラロックの各品種（周波数）での等価回路定数の標準値を巻末−付表「セラロックの等価回路定数一覧表」

−に示します。

なお、セラロックは機械的共振を利用しているため、目的の振動モード以外にも奇数次高調波、あるいは他の振動モードが存在します。その様子を図2-5に示します。

図2-5　セラロックのスプリアス特性

1

1M

100k

10k

1k

100

10

1 10 100 1k 10k 100k 1M

主振動

3次振動厚み振動主振動

周波数 (MHz)

10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0

40 30

20 10

0

インピーダンス

(Ω)[Z]

インピーダンス

(Ω)[Z]

CSTLS4M00G53-B0

セラロックと水晶振動子の等価回路定数例の比較（参考値）

発振子発振周波数 L1（μH） C1（pF） C0（pF） R1（Ω） Qm dF（kHz）

セラロック 4.00MHz 0.46×10³ 3.8…　 19.8 … … 9.0 … … 1220 350.9

8.00MHz 0.13×10³ 3.5…　 19.9 … … 8.0 … … … 775 641.6 水晶 4.00MHz 2.10×10⁵ 0.007 2.39 … 22.1 240986 6

8.00MHz 1.80×10⁵ 0.002 4.48 154.7 … 59600 2

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2

（注釈1）

共振子の寸法と固有周波数についての関係をあらわします。

たとえば、長さ振動を利用した共振子では、図Ⅰのように波長が共振子の長さ（厚み振動の場合は厚み）の2倍になります。共振子の長さℓ、共振周波数Fr、圧電セラミックスの中を伝わる波の音速をC、波長λとすると、それぞれに次の関係があります。

　Fr・ℓ＝Const.（周波数定数、厚みの場合はFr・t）

　λ＝2ℓ

　C＝Fr・λ＝2Fr・ℓ

上式から容易に想像されるように、周波数定数は共振子の大きさを決定します。

図Ⅰ

ℓ=λ/2

定在波の振幅分布

(振幅最小) 　　(振幅最大)

（注釈2）

図2-3において、簡素化のため抵抗分R1を除いて考えると、

その2端子間インピーダンスZ（ω）は次式であらわせます。

jωC 1

⁰

( jωL

1

＋ )

) Z (ω)＝

ここで、ω＝　　　

jωC 1

¹

jωC 1

⁰

＋( jωL

1

＋ 1 )

jωC

¹

j (ωL

^1－

＝

＝ωrのとき、Z (ωr)＝0 ωC 1

1

1＋ C

0

－ω

²

C

0

L

1

C

1

1 L

1

C

1

1 2π　L

1

C

1

ω＝

ω＝2πFより、

Fr＝ωr/2π＝

1 2π　C

0

C

1

L

1

/(C

0

＋C

1

)

Fa＝ωa/2π＝＝Fr 1＋

＝ωaのとき、

1 C

0

C

1

L

1

/(C

0＋

C

1

)

C

1

C

0

Z (ωa)＝∞　となります。

L1 C1

C0

注　釈

(11)

お願い

9 2.発振回路の原理 2

発振回路には大別して、

　①正帰還による方式

　②負性抵抗素子を利用する方式

　③伝達時間あるいは位相の遅延を利用する方式があります。

この中で、セラロックや水晶振動子、LC回路の場合は①の方式が応用されます。LCによる正帰還発振回路では、同調形反結合発振回路、コルピッツ回路、ハートレー回路が代表的なものですが、そのうちのコルピッツ、ハートレー両回路を図2-6 に示します。

図2-6では増幅器として最も基本的なトランジスタを用いています。これらの発振周波数は近似的に、コルピッツ回路では、

L、CL1、CL2、ハートレー回路ではL1、L2、Cからなる回路の共振周波数と同一となり、それぞれ次式であらわせます。（P.11、

注釈3参照）

fosc.≒

(ハートレー回路) 1

fosc.≒

(コルピッツ回路)

1 2π L・ C

^L1

・C

L2

C

L1

＋C

L2

2π C (L

¹

＋L

²

)

―――――――――――(2-4)

―――――――――――(2-5)

セラロックを応用する場合は、Fr〜Fa間でインダクティブになる性質を利用し、LC回路中のLをセラロックで置き換えます。

一般にはコルピッツ回路のLと置き換える方法が採用されています。

ここで、発振回路の動作原理について述べます。図2-7に示すような帰還回路において、その発振条件は次のとおりとなります。

　ループゲインG＝α・β≧1… (2-6)

　移相量　θ＝θ1＋θ2＝360°×n（n＝1、2、…）

コルピッツ回路では、θ1＝180°の反転増幅器を用い、帰還回路にL、Cを用いてさらにθ2＝180°の反転を行っています。セラロックを応用した場合もこれと同様です。

CL1 CL2

L

L1 L2

C

図2-6　LC発振回路の基本構成

… コルピッツ回路… ハートレー回路

増幅器増幅率：α 移相量：θ1

帰還回路帰還率：β 移相量：θ2

図2-7　発振の原理

発振条件ループゲインG＝α・β≧1 移相量θ＝θ1＋θ2＝360°×n

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2

セラロックを利用したコルピッツ形発振回路としては、インバータを用いる方法が最も一般的であり、また容易です。図 2-8にその場合の基本回路構成を示します。この回路において、

Ⓐ点でループを断ち開ループとすることで、ループゲインGと移相量θを測定することができます。この実際の測定回路を図

2-9に、また測定結果例を図2-10に示します。 ^A

CL1 CL2

Rf α(θ1)

β(θ2) セラロック

図2-8　インバータを用いた場合の基本発振回路

セラロック IC

Rf VinS.S.G

C1

C2 ベクトル

ボルトメータ

図2-9　ループゲインおよび位相測定回路

ループゲイン…：G＝α・β 位　……相……　量…：θ¹＋θ²

位相 (発振可)

ゲイン

-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40

3.80

周波数　(MHz)

(deg)

位相 (発振不可)

ゲイン

-40 0 40

3.80 3.90 4.00 4.10

4.00 4.20

4.20

3.90 4.10

周波数　 (MHz)

位　　相

(deg) 位　　相

(dB)

ループゲイン

(dB)

ループゲイン

-90

-180 0 90 180

-90

-180 0 90 180

セラロック CSTLS4M00G53-B0 VDD＝＋5V CL1＝CL2＝15pF IC：TC4069UBP　　　　　　（TOSHIBA）

セラロック CSTLS4M00G53-B0 VDD＝＋2V CL1＝CL2＝15pF IC：TC4069UBP　　　　　（TOSHIBA）

(13)

お願い

11

2

（注釈3）

図Ⅲにエミッタ接地形トランジスタ回路の等価回路を示します。ここでRiは入力インピーダンス、R0は出力インピーダンス、βは電流増幅率をあらわします。

図Ⅲの等価回路を用いて、図2-6の発振回路をあらわすと、

図Ⅳのようになります。Z1、Z2、Zはハートレー形、コルピッツ形の回路に対しておのおの表のとおりとします。図Ⅳをもとに次の3式が得られます。

図Ⅲ

i1 R0

- +

βR0i1 Ri

図Ⅳ　ハートレー /コルピッツ形LC発振回路ハートレー形コルピッツ形 Z1 jωL1 1／ jωCL1

Z2 jωL2 1／ jωCL2

Z 1／ jωC jωL

i1

i2 i3 i1

R0

Ri - +

βR0i1

Z

Z2 Z1

　βR0i1＋（R0＋Z2）i2−Z2i3＝0………（1）

　Z1i1＋Z2i2−（Z2＋Z＋Z1）i3＝0………（2）

　（Z1＋Ri）i1−Z1i3＝0… ………（3）

発振が持続するには、i1≠0、i2≠0、i3≠0であることが必要ですから、（1）〜（3）式を電流について解くことにより次の条件式が求められます。

　βR0Z1Z2＝（Z1＋Ri）Z²₂−｛Z（Z1 2＋Z）＋…

… （Z2＋Z＋Z1）Ri｝（Z2＋R0）………（4）

ここで、Z1、Z2、Zはいずれも虚数となることにより、式（4）

を実数部と虚数部に分けると次のとおりの条件式となります。

　（虚数部）Z1Z2Z＋（Z1＋Z2＋Z）RiR0＝0… …………（5）

　（実数部）βR0Z1Z2＋Z（Z＋Z1 2）R0＋

　… Z（Z＋Z2 1）Ri＝0………（6）

式（5）が位相条件、式（6）が電力条件をあらわします。

式（5）のZ1、Z2、Zに、左の表に示す素子をそれぞれ当てはめ、

それを各周波数ωについて解けば、発振周波数を求めることができます。

(ハートレー形)

ω²osc＝(2πfosc.)² ＝ 1

(L1L2) C{1＋ L1・L2 } (L1＋L2) CRiR0

　　　　　　　……（7）

(コルピッツ形)

ω²osc＝(2π fosc.)²＝ 1 ・ {1＋

L C^L1・CL2

CL1＋CL2

L } (CL1＋CL2)RiR0

　　　　　　　……（8）

どちらの回路も、Ri、R0が十分大きければ｛　｝内の項は1 になり、発振周波数は、近代的に次式で与えられることになります。

　　　　　　　……（9）

　　　　　　　……（10）

注　釈

fosc.≒

(ハートレー形)

1 fosc.≒

(コルピッツ形)

1 2π L・ C

^L1

・C

^L2

C

^L1

＋C

^L2

2π (L

1

＋L

2

) C

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3 1.セラロックの電気的性能

セラロックの周波数安定性は、水晶とLC、CR発振の中間にあり、

その温度安定性は−20〜＋80℃で、±0.11〜±0.5％（初期値に対し）です。また、周波数の初期精度は、標準品において±

0.5％程度となります。当社標準仕様のセラロックは標準測定回路により周波数調整されますが、実際に使用されるICの回路により発振周波数にズレを生じる場合があります。通常、1チップマイクロコンピュータの基準クロックに要求される周波数精度は、使用条件下で±2〜3％程度ですので、この場合はセラロック標準品で十分対応できます。特殊用途により、正確な発振周波数が必要な場合は、指定の回路により調整することも可能です。

以下にセラロックの一般的な電気的性能について述べます。（発振周波数標準測定回路については、次章「代表的な各種発振回路への応用」をご参照ください。）

MHz帯リードセラロック（CSTLSシリーズ）の電気的性能

CSTLSシリーズの電気的性能を次表にまとめて示します。

CSTLS□G56シリーズ（H-CMOS仕様品）の発振周波数測定回路定数は周波数により異なりますのでご注意ください。MHz帯 3端子セラロック（CSTLSシリーズ）は、負荷容量が2個内蔵されており、回路図上のシンボルは、図3-1のようにあらわします。

CSTLSシリーズの一般規格を下表に示します。なお、3端子セラロックの端子には、先の第1章CSTLSシリーズの種類と外形寸法図にも示しましたように入出力が定められています。ただし、逆に接続されても周波数が多少ズレるだけで発振特性に何ら影響はありません。

CSTLSシリーズの共振抵抗規格

タイプ周波数範囲（MHz）共振抵抗（Ω以下）

CSTLS□G

… 3.40〜… 3.99 50

… 4.00〜… 7.99 30

… 8.00〜10.00 25

CSTLS□X 16.00〜32.99 50

33.00〜50.00 40

CSTLSシリーズ

図3-1　3端子セラロックのシンボル

セラロックの性能

3 ^RoHS

(15)

お願い

13

3

CSTLSシリーズの一般規格項目シリーズ名

周波数範囲

（MHz）発振周波数初期偏差

発振周波数温度安定性

（−20〜＋80℃）

発振周波数

エージング発振周波数標準測定回路

CSTLS□G53/56 3.40〜10.00 ±0.5％ ±0.2％^※1 ±0.2％

CSTLS□X 16.00〜50.00 ±0.5％ ±0.2％ ±0.2％

※1　内蔵容量により変わります。

※2　逆に接続されても特性上何ら問題はありませんが、多少周波数がズレることがあります。

※3　G56/Xシリーズは、TC74HCU04（TOSHIBA）に変わります。

※4　G56シリーズのとき付加されます。

VDD

IC IC

X 1MΩ

Rd (3)

(2)

※2(1)

C1 C2

出力

… IC：TC4069UBP^※3 　　　（TOSHIBA）

…VDD：＋5V

… X：セラロック

… Rd：680Ω^※4

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3 MHz帯チップセラロック（CSTCR/CSTNR/CSTNE シリーズ）の電気的性能

チップセラロック（CSTCR/CSTNR/CSTNEシリーズ）の一般規格を、それぞれの表に示します。

CSTCR/CSTNR/CSTNEシリーズの共振抵抗規格

タイプ周波数範囲（MHz）共振抵抗（Ω以下）

CSTCR□G CSTNR□G^※1

4.00〜5.99 60 6.00〜7.99 50

CSTNE□G 8.00〜10.00 40

10.01〜13.990 30

CSTNE□V 14.00〜20.000 40

CSTCR/CSTNR/CSTNEシリーズの一般規格項目

シリーズ名

周波数範囲

（MHz）発振周波数初期偏差

発振周波数温度安定性

（−20〜＋80℃）

発振周波数

エージング発振周波数標準測定回路

CSTCR□G

（CSTNR□G）^※1 4.00〜7.99 ±0.5％

（±0.07％）^※1 ±0.2％ ±0.1％

VDD

IC IC

X (3)

(2) (1)

C1 C2

出力

※2

… IC：TC4069UBP（TOSHIBA）^※3

…VDD：＋5V

… X：チップセラロック

CSTNE□G 8.00〜13.99 ±0.5％ ±0.2％ ±0.1％

CSTNE□V 14.00〜20.00 ±0.5％ ±0.3％ ±0.3％

※1　狭公差のみ対応します。

※2　逆に接続されても特性上何ら問題はありませんが、多少周波数がズレることがあります。

※3　Vシリーズは、TC74HCU04（TOSHIBA）に変わります。

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お願い

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3 2.セラロックの機械的性能および耐候性能

セラロックの機械的強度と耐候性についての標準的な試験条件を下表にまとめます。各試験における発振周波数の変化の様子を図3-2に、信頼性試験後の変化量を次頁に、またはんだ耐熱性プロファイルを図3-3に示します。

セラロックの標準的信頼性試験条件

項　目条　　　　　件

1.…耐衝撃性

a

cmの高さから、

b

床面に3回自然落下させた後測定する。

2.…はんだ耐熱性

c

のはんだ槽に端子根元より、2mmの位置まで3秒浸した後槽より取り出し、1時間放置後測定する。^※1 図3-3のプロファイルのリフロー炉に1回通して、常温に取り出し1時間後測定する。^※2

3.…耐振動性振動数10〜55Hz全振幅2mmの振動をX、Y、Zの3方向に各2時間印加後測定する。

4.…耐湿性温度

d

、湿度90〜95％の恒温恒湿槽中に

e

時間保持し槽より取り出し、1時間放置後測定する。

5.…高温保持特性温度85±2℃の恒温槽に

e

時間保持し、槽より取り出し、1時間放置後測定する。

6.…低温保持特性温度

f

の恒温槽に

e

時間保持し、槽より取り出し、1時間放置後測定する。

7.…温度サイクル −55℃の槽に30分、室温に15分、＋85℃の槽に30分、室温に15分それぞれ放置する。

以上を1サイクルとし、10サイクル加えた後、室温にて測定する。

8.…端子引張り強度各端子に1kgの静荷重を垂直方向に加えた後測定する。^※1

※1　セラロックリードタイプ

※2　MHz帯チップセラロック

1. CSTLSシリーズ

タイプ fosc. a b c d e f

G … 3.40〜10.00MHz 100 コンクリート 350±10℃ 60±2℃ 1000 −55±2℃

X 16.00〜50.00MHz 100 コンクリート 350±10℃ 60±2℃ 1000 −55±2℃

2. CSTCR/CSTNR/CSTNEシリーズ

タイプ fosc. a b c d e f

G … 4.00〜13.99MHz 100 木　　　板 − 60±2℃ 1000 −55±2℃

V 14.00〜20.00MHz 100 木　　　板 − 60±2℃ 1000 −55±2℃

P60-24.pdf

2021.3.1

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