( ) LSI /2007 LSI ( ) ( ) ( ) ( ) 9:00 17: ( ) 9:00 20: ( ) 9:00 17: F Tel F 2

平成

19

年

9

月

14

日 (平成 19 年 10 月 25 日 修正版)

LSI

テスティングシンポジウム

/2007

開催通知

LSI

テスティング学会 会長 中前幸治(大阪大学 大学院情報科学研究科) 協賛

(

社

)

電子情報通信学会

(

社

)

応用物理学会 日本信頼性学会

1.

日 時  平成

19

年

11

月

7

日

(

水

)

9:00

∼

17:55

講演

11

月

8

日

(

木

)

9:00

∼

20:00

講演、商業展示、インフォーマル・ミーティング

11

月

9

日

(

金

)

9:00

∼

17:00

講演、商業展示

2.

会 場 《講  演》 千里ライフサイエンスセンター

5F

 ライフホール        豊中市新千里東町

1-4-2

Tel. 06-6873-2010

       地下鉄千里中央駅前北出口すぐ 《商業展示》 千里ライフサイエンスセンター

6F

 千里ルーム 《インフォーマル・ミーティング》 千里阪急ホテル        豊中市新千里東町

2-1-D-1

Tel. 06-6872-2211

3.

参加申込要領 平成

19

年

10

月

26

日

(

金

)

までに、下記

[1]

の要領で、

Web

にてお申込下さい。

Web

でのお申し込みができない場合には、

[2]

、

[3]

の方法でお申し込み頂いても結 構です。

[1] Web

http://www-LSITS.ist.osaka-u.ac.jp/

の「参加申し込み」のペー ジよりお申し込み下さい。

[2] E-mail

参加申込書に記載の事項を、判り易いテキスト形式で入力し、 下記連絡先へお送り下さい。

[3]

郵送・

FAX

同封の参加申込書に御記入（参加者１名につき１部）の上、下 記連絡先へお送り下さい。  詳しくは、上記

[1]

の本シンポジウム

Web

、または同封の「参加申込要領」を御 覧下さい。 連絡先 大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻     中前研究室内 

LSI

テスティング学会事務局 三浦克介・大矢佳恵     〒

565-0871

 吹田市山田丘

2-1

    

Tel: 06-6879-7813

 

Fax: 06-6879-7812

4.

プログラム

11

月

7

日

(

水

)

一般講演 I：プロセス内計測・試験

座長 中前幸治

(1)

統計的適合ウェーブレットを用いた

SEM

画像ナノ構造の

LER

計測 御堂義博, 中前幸治, 藤岡 弘† 大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学 経営情報 学科

Line edge roughness measurement of nanostructures in SEM metrology by

using statistically matched wavelet

Y. Midoh, K. Nakamae, and H. Fujioka†

Dept. Information Systems Eng., Grad. Sch. Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. Management and Information Science, Fukui University of Technology

9:00

∼

9:20

(2)

帯電を考慮した

SEM

画像シミュレータの開発

S. Borisov, S. Babin,宮野ゆみこ†,濱口 晶†,阿部秀昭†,山崎裕一郎†

Abeam Technologies Inc.,†東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

Development of SEM image simulator with charging condition

S. Borisov, S. Babin, Y. Miyano†, A. Hamaguchi†, H. Abe†, and Y. Yamazaki† Abeam Technologies Inc.,†Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corp.

9:20

∼

9:40

(3)

先端レジストパターン計測における

CD-SEM

パラメータ最適化手法

人見敬一郎, 中山義則, 山梨弘将, 早田康成, 川田洋揮†

日立製作所 中央研究所,†日立ハイテクノロジーズ

Optimization method of measurement conditions on CD-SEM for advanced

photoresist pattern

K. Hitomi, Y. Nakayama, H. Yamanashi, Y. Sohda, and H. Kawada†

Central Research Lab., Hitachi, Ltd.,†Hitachi High-Technologies Corp.

9:40

∼

10:00

(4) Mass Gate CD

測定値と

Layout

情報を使った

OPC

形状に起因する

CD

異常値を 同定する

Die to Database

検証装置

長谷部俊昭, C. Yan, 北村 正, 山本昌宏 ナノジオメトリ研究所

Die-to-database verification tool using mass gate measurement and layout

information for detecting critical dimension errors

T. Hasebe, C. Yan, T. Kitamura, and M. Yamamoto NanoGeometry Research Inc.

10:00

∼

10:20

(5)

瞳空間

(

フーリエ空間

)

において構造性複屈折を用いた

CD

欠陥検査技術 河井章利, 持田大作†,山崎裕一郎††,芳野公則†† ニコン インストルメンツカンパニー 産業機器統括部 設計部,†コアテクノロジー センター 研究開発本部 光学設計部,††東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推 進センター 半導体プロセス開発第三部

CD inspection new technology leveraging a form birefringence in a Fourier

space

A. Kawai, M. Mochida†, Y. Yamazaki††, and K. Yoshino††

Design Dept., Industrial Instruments Company,†Optical Design Dept., Core Technology Center, Nikon Corp.,††Advanced ULSI Process Engineering Dept. III, Process & Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corp.

一般講演 I：プロセス内計測・試験 (続き)

座長 佐藤 貢

(6)

同一パターンの複数低解像度

SEM

画像からの高解像度化を用いた欠陥検査

高島真彦, 御堂義博, 中前幸治

大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻

Defect inspection using a high-resolution pattern image obtained from multiple

low-resolution images of the same pattern on an observed noisy SEM image

M. Takashima, Y. Midoh, and K. Nakamae

Dept. Information Systems Eng., Grad. Sch. Information Science and Technology, Osaka University

10:55

∼

11:15

(7) SEM

像による

VLSI

自動欠陥検出・分類の性能向上

岡本武司, 三浦克介, 中前幸治

大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻

Performance improvement of automatic defect detection and classification from

SEM images on VLSI wafers

T. Okamoto, K. Miura, and K. Nakamae

Dept. Information Systems Eng., Grad. Sch. Information Science and Technology, Osaka University

11:15

∼

11:35

(8)

電子線によるフォトレジストパターン欠陥検査技術

藤原 馨, 林 輝幸, 斉藤美佐子, J. Jau†

東京エレクトロン 技術開発センター,†Hermes Microvision, Inc.

Technology of ADI (after develop inspection) on photo resist pattern using

electron beam

K. Fujihara, T. Hayashi, M. Saito, and J. Jau†

Technology Development Center, Tokyo Electron Ltd.,†Hermes Microvision Inc.

11:35

∼

11:55

(9) DOI

サンプリングの改善手法

佐藤由行, 山田康之, 加賀康裕, 山崎裕一郎, 青木正身†, D. Tsui†, C. Young†, E. Chang†

東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター,†ケーエルエー・テン

コール

A new methodology to significantly improve DOI sampling rate in 45nm

production environment

Y. Sato, Y. Yamada, Y. Kaga, Y. Yamazaki, M. Aoki†, D. Tsui†, C. Young†, and E. Chang† Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corp.,†KLA-Tencor Japan Ltd.

11:55

∼

12:15

《

12:15

∼

13:30

昼食・休憩 》

チュートリアル

座長 山崎裕一郎

(T1)

インライン

CD

計測技術 池野昌彦 日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置営業統括本部 事業戦略本部

Introduction of in-line CD measurement technology

M. Ikeno

Marketing & Planning Div., Semiconductor Equipment Business Group, Hitachi High-Technologies Corp.

一般講演 II：故障解析/前処理/装置

座長 山崎裕一郎

(10)

半導体パッケージ高精度断面加工用

CP-X

線クロスリンクシステムの開発

近藤 正, 佐々木晶邦, 大沼範洋, 河村俊夫

ソニーセミコンダクタ九州 品質部門 LSI 解析技術部

Development of high precision cross sectioning system for advanced

semiconductor package

T. Kondo, M. Sasaki, N. Onuma, and T. Kawamura

LSI Device Analysis Engineering Dept., Quality Assurance Div., Sony Semiconductor Kyushu Corp.

14:00

∼

14:20

(11) TEM

観察用試料の高品位化へのアプローチ

鈴木秀和, 中谷郁子, 山本 洋, 高橋春男, 岩崎浩二 エスアイアイ・ナノテクノロジー

High-definition TEM sample preparation technique

H. Suzuki, I. Nakatani, Y. Yamamoto, H. Takahashi, and K. Iwasaki SII NanoTechnology Inc.

14:20

∼

14:40

(

講演取り止め

) Canceled

13 TEM

トモグラフィを用いた半導体デバイスの三次元定量評価

3-Dimensional quantitative analysis

of semiconductor device by transmission electron microtomography

東レリサーチセンター

,

†京都工芸繊維 大学

Toray Research Center Inc.

，†

Kyoto Institute of Technology

伊藤俊彦

,

松脇右京

,

内城貴則

,

大塚祐二

,

橋本秀樹

,

陣内浩司†

T. Ito, U. Matsuwaki, T. Naijou, Y. Otsuka, H. Hashimoto, and H. Jinnai

†

14:40

∼

15:00

75

(14)

電子線トモグラフィーおよび

EBSD

を用いた

Cu

配線信頼性故障箇所の解析技術

工藤修一, 廣瀬幸範, 鈴村直仁, 宮崎博史, 福本晃二, 朝山匡一郎, 小守純子 ルネサステクノロジ 技術開発統括部

Analysis technique of reliability failure points in Cu interconnects using electron

tomography and EBSD

S. Kudo, Y. Hirose, N. Suzumura, H. Miyazaki, K. Fukumoto, K. Asayama, and J. Komori Production Technology Development Div., Renesas Technology Corp.

15:00

∼

15:20

《

15:20

∼

15:35

休憩 》

一般講演 III：故障解析/装置/手法

座長 須賀三雄

(15)

単一

InAs

量子ドットの三次元微細構造解析 今野 充, 矢口紀恵, 上野武夫, 中村邦康, 東 淳三, 喜多 隆†,井上和也† 日立ハイテクノロジーズ ナノテクノロジー製品事業本部 那珂事業所,†神戸大学 工学部

3D structural characterization of a single InAs quantum dot

M. Konno, T. Yaguchi, T. Kamino, K. Nakamura, J. Azuma, T. Kita†, and K. Inoue† Nanotechnology Products Business Group, Hitachi High-Technologies Corp.,

†_{Faculty of Engineering, Kobe University}

15:35

∼

15:55

(16) TEM-EELS

による半導体デバイス解析 橋川直人, 河上 恵, 朝山匡一郎

ルネサステクノロジ 解析技術開発部 物理解析技術グループ

TEM-EELS analysis for semiconductor devices

N. Hashikawa, M. Kawakami, and K. Asayama

Process & Device Analysis Engineering Development Dept., Renesas Technology Corp.

(17)

電子線ホログラフィーを用いたドーパントプロファイル観察の検討 佐藤岳志, 松本弘昭, 今野 充, 福井宗利, 馬見新秀一†,谷口佳史†,葛西裕人††

日立ハイテクノロジーズ ナノテクノロジー製品事業本部 那珂事業所 那珂アプリ ケーションセンタ,†先端解析システム第二設計部,††日立製作所 基礎研究所

Investigation of dopant profile observation of Si device using electron holography

T. Sato, H. Matsumoto, M. Konno, M. Fukui, S. Mamishin†, Y. Taniguchi†, and H. Kasai†† Naka Application Center,†Advanced Microscope Systems Second Design Dept., Naka Div., Nanotechnology Products Business Group, Hitachi High-Technologies Corp.,††Advanced Research Lab. Hitachi, Ltd.

16:15

∼

16:35

(18)

三次元アトムプローブによる磁性薄膜の評価

小川吉文, 片山俊治, 上野修一, 福本晃二, 小守純子

ルネサステクノロジ 生産本部 技術開発統括部 解析技術開発部

Evaluation of magnetic thin films using three dimensional atom probe

Y. Ogawa, T. Katayama, S. Ueno, K. Fukumoto, and J. Komori

Process Technology Development Div., Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp.

16:35

∼

16:55

(19)

高電子移動度トランジスタ

(HEMT)

の走査電子・レーザビーム誘起電流

(SELBIC)

測定 末吉晴樹, 高洲信一†,崔 雲, 友景 肇 福岡大学 工学部電子情報工学科,†日本電子 開発本部

Scanning electron and laser beams induced current (SELBIC) measurements

on high electron mobility transistors (HEMTs)

H. Sueyoshi, S. Takasu†, W. Choi, and H. Tomokage

Dept. Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University,

†_{Advanced Technology Div., JEOL Ltd.}

16:55

∼

17:15

(65) SELBIC

装置を用いた測定事例

高洲信一, 末吉晴樹†,崔 雲†,友景 肇†

日本電子 開発本部,†福岡大学 工学部電子情報工学科

A measurement example with scanning electron & laser beams induced Current

(SELBIC) method

S. Takasu, H. Sueyoshi†, W. Choi†, and H. Tomokage†

Advanced Technology Div., JEOL Ltd.,†Dept. Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University

11

月

8

日

(

木

)

一般講演 IV：故障診断・解析／回路修正

座長 三好元介

(20)

アナログアプリケーション用

FIB

低比抵抗ビア加工についての評価

S. Motegi, J. Rajesh†, M. Vladimir V† Noah Corp.,†Credence Systems Corp.

Characterization of low resistivity FIB edit via filling for analog applications

9:00

∼

9:20

(21) Effect of backside, through Si, editing on performance of transistors

H. Tanaka, R. Jain†, T. Lundquist†, and Q. Wang†

Noah Corp.,†Credence Systems Corp.

9:20

∼

9:40

(22) FIB

を用いた裏面回路修正がトランジスタ特性へ及ぼす影響

酒井哲哉

NECエレクトロニクス 生産本部 テスト評価技術部

Transistor characteristics changing after backside circuit modification using FIB

T. Sakai

Test and Analysis Engineering Div., Manufacturing Operations Unit, NEC Electronics Corp.

9:40

∼

10:00

《

10:00

∼

10:15

休憩・商業展示 》

新製品紹介

座長 三浦克介

(

事務局

)

(23) 3

次元

SEM/STEM

解析シミュレータ

FabMeister-EB

のご紹介 世古千博, 小野耕平 みずほ情報総研

The introduction to 3D SEM/STEM analysis simulator FabMeister-EB

C. Seko and K. Ono

Mizuho Information & Research Institute Inc.

10:15

∼

10:23

(24) SEM (

ステレオ

)

画像の

3

次元表示ソフトウェア 岡部良二, 中野和俊, 猪口正幸

日本電子システムテクノロジー 技術部

3 dimensions software of a SEM (a stereo) image

R. Okabe, K. Nakano, and M. Inokuchi

Engineering Dept., JEOL System Technology Co., Ltd.

10:23

∼

10:31

(25)

ウェハエッジ検査の自動化

中野和俊, 吉野 孝, 猪口正幸 日本電子システムテクノロジー

Automation wafer edge inspection

K. Nakano, T. Yoshino, and M. Inokuchi JEOL System Technology Co., Ltd.

10:31

∼

10:39

(26)

データ解析ソフトウエア

S-PLUS

による、データの可視化・統計解析・データマイ

ニング

田澤 司

数理システム

Data visualization, statistical analysis and data mining using S-PLUS

T. Tazawa

Mathematical Systems, Inc.

(27) STEM

画像取得可能なウェーハ対応デュアルビーム

Expida1255S

岸本喜芳, ステーシー・ストーン†

日本エフイー・アイ 営業部,†エフイーアイカンパニー

Expida1255S for wafer based STEM imaging solution

K. Kishimoto and S. Stone†

Sales Dept., FEI Company Japan Ltd.,†FEI Company

10:47

∼

10:55

(28)

新型

Cold FE-TEM “HF-3300”

のご紹介 谷口佳史, 今野 充, 石川尚史†

日立ハイテクノロジーズ ナノテクノロジー製品事業本部,†先端製品営業本部

Introduction of new cold FE-TEM “HF-3300”

Y. Taniguchi, M. Konno, and T. Ishikawa†

Nanotechnology Products Business Group,†Advanced Equipment & Systems Sales Div., Hitachi High-Technologies Corp.

10:55

∼

11:03

(29) FIB-SEM

複合装置

XVision200

シリーズ

満 欣, 山本 洋, 鈴木秀和, 麻畑達也, 高橋春男, 岩崎浩二 エスアイアイ・ナノテクノロジー

An introduction of XVision200 series

K. Man, Y. Yamamoto, H. Suzuki, T. Asahata, H. Takahashi, and K. Iwasaki SII NanoTechnology Inc.

11:03

∼

11:11

(30) Zyvex

社製

4, 6, 8

極ナノプローバーによる半導体欠陥解析ソリューションの紹介

井上閑山, ジョン・サンダー, テイラー・カバナ Zyvex Instruments L.L.C.

Recent nanoprobing application innovations for semiconductor failure analysis

K. Inoue, J. Sanders, and T. Cavanah

Zyvex Instruments L. L. C.

11:11

∼

11:19

(31) AFP (Atomic force prober)

と

Agilent B1500A

半導体デバイスアナライザーによ る電気的故障解析ソリューション

野口倫稔, 塩田 隆, 秋山公平, 細野さおり

アジレント・テクノロジー・インターナショナル, 半導体パラメトリックテスト 事業部

Electrical failure analysis solution by using AFP : Multiprobe MP2 and

semiconductor device analyzer : Agilent B1500A

M. Noguchi, R. Shioda, K. Akiyama, and S. Hosono

Hachiouji Semiconductor Test Div., Agilent Technologies International Japan, Ltd.

11:19

∼

11:27

(32) Kleindiek

社製品による故障解析 土屋直人

アドサイエンス 営業本部

Failure analysis by Kleindiek products

N. Tsuchiya

Sales Dept., AD Science Co.

11:27

∼

11:35

(33)

スキャニング

SQUID

顕微鏡を使った高抵抗欠陥解析

J. Gaudestad, A. Orozco,宮下愛子†

ネオセラ,†セキテクノトロン 科学機器部

Failure analysis of high resistance defect using scanning SQUID microscopy

J. Gaudestad, A. Orozco, and A. Miyashita†

Neocera Inc.,†Scientific Instruments Dept., Seki Technotron Corp.

11:35

∼

11:43

(34)

サーマルロックイン手法の発熱画像解析計測への応用

久米俊浩, 鈴木一広, 鈴木浩司, 石塚利道†,竹嶋智親†

浜松ホトニクス システム事業部 半導体産業営業部,†システム事業部 第 3 設計部

Introduction of thermal lock-in technique for thermal imaging

T. Kume, K. Suzuki, K. Suzuki, T. Ishizuka†, and T. Takeshima†

Semiconductor Industry Sales Group,†System Design III, Systems Div., Hamamatsu Photonics K. K.

(35)

故障解析・観察装置用

CAD

ナビゲーションシステム「

NASFA (NAvigation

System for Failure Analysis)

」新機能のご紹介

中島義弘, 伊佐 敏†

アストロン 開発部,†営業部

Introduction of the CAD navigation system “NASFA (NAvigation System for

Failure Analysis)” new function for failure analysis/observation equipments

Y. Nakajima and S. Isa†

Development Dept.,†Sales Dept., Astron Corp.

11:51

∼

11:59

(36)

半導体チップ不良、良品解析の為の事前処理加工

河野雅希

ビーエヌ テクノロジー 産業機械事業部 精密研磨装置グループ

Polishing technology to prepare for failure analysis on IC devices

M. Kouno

Precision Instrument Group, Industrial Machinery Div. BN TECHNOLOGY Corp.

11:59

∼

12:07

(37) MEMS RF

リレー

(7Ghz, 26.5Ghz) :

米国

TERAVICTA

社 横川正博, 飯田孝太郎†

ATEサービス 新規開発担当部,†営業本部

MEMS RF relay (7Ghz, 26.5Ghz) : TeraVicta Technologies U.S.A

M. Yokokawa and K. Iida†

Business Development,†Sales Div., ATE Service Corp.

12:07

∼

12:15

《

12:15

∼

13:40

集合写真撮影・昼食・休憩・商業展示・企画運営委員会 》

新動向

座長 真島敏幸

(N1)

最先端システム

LSI

設計の課題

—

設計インテントの活用

—

西口信行 半導体理工学研究センター

Design issues for the most advanced system LSI —Utilization of design

intents—

N. Nishiguchi

STARC (Semiconductor Technology Academic Research Center)

13:40

∼

14:10

一般講演 V：故障診断アルゴリズム

座長 真島敏幸

(38)

検出可能な遅延故障サイズを考慮した故障診断

相京 隆, 高橋 寛†,樋上喜信†,大津潤一†,小野恭平†,高松雄三†

半導体理工学研究センター,†愛媛大学 大学院理工学研究科 電子情報工学専攻

Fault diagnosis with considering detectable delay fault size

T. Aikyo, H. Takahashi†, Y. Higami†, J. Ohtsu†, K. Ono†, and Y. Takamatsu†

Semiconductor Technology Academic Research Center,†Dept. of Electrical and Electronic Eng. and Computer Science, Grad. Sch. Science and Eng., Ehime University

14:10

∼

14:30

(39)

レイアウト依存バラつきを考慮した

VLSI

故障診断法

二宮幸夫, 三浦克介, 中前幸治

大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻

A diagnostic method of VLSI considering layout-dependent parameter variation

Y. Ninomiya, K. Miura, and K. Nakamae

Dept. Information Systems Eng., Grad. Sch. Information Science and Technology, Osaka University

(40)

スイッチング・レベル・シミュレーションを用いたセル内故障診断技術の診断精度 の改善と検証

中里昌人, 則松研二, 浦田浩司

東芝 セミコンダクター社 システム LSI 事業部 システム LSI 設計技術部

Verification result and improvement of the diagnosis accuracy of the diagnosis

technique for faults in cell circuits using the switching level simulation

M. Nakazato, K. Norimatsu, and K. Urata

System LSI Design Dept., System LSI Div., Semiconductor Company, Toshiba Corp.

14:50

∼

15:10

(41)

レイアウト抽出情報を用いた温度依存故障診断法の検討

三浦克介, Xing Wu†,中前幸治

大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†西安交通大学 電子情報

工学部

Study on diagnostic method of temperature-dependent faults by utilizing

layout-extracted information

K. Miura, X. Wu†, and K. Nakamae

Dept. Information Systems Eng., Grad. Sch. Information Science and Technology, Osaka University,†Sch. Electronics and Information Eng., Xi’an Jiaotong University

15:10

∼

15:30

《

15:30

∼

15:45

休憩・商業展示 》

一般講演 VI：故障診断システム／事例

座長 前川繁登

(42) Per-Test X

故障診断手法の診断分解能向上について 大谷雅志, 温 暁青, 大和勇太, 宮瀬紘平, 梶原誠司 九州工業大学大学院 情報工学研究科

Improving diagnostic resolution of per-test X-fault diagnosis method

M. Ootani, X. Wen, Y. Yamato, K. Miyase, and S. Kajihara

Grad. Sch. Computer Science and Systems Eng., Kyushu Institute of Technology

15:45

∼

16:05

(43) SCAN

故障診断と

I

_DDQ測定値を併用した故障箇所特定方法

住友洋志, 船津幸永

NECエレクトロニクス 生産本部 テスト評価技術部

Fault localization method by SCAN test diagnosis and I

DDQ

measurement

H. Sumitomo and Y. Funatsu

Test and Analysis Engineering Div., Manufacturing Operations Unit, NEC Electronics Corp.

16:05

∼

16:25

(44)

トランジスタ動作点解析による故障論理の追跡

—

フィードバック故障による発振 現象の取得

—

真田 克, 中村朋矢, 橋田啓示 高知工科大学 工学研究科 基盤工学専攻 電子・光システム工学科

Fault path tracing based on transistor operating point analysis — detection of

oscillation phenmenon by feedback fault —

M. Sanada, T. Nakamura, and K. Hashida

Dept. Electronic and Photonic Systems Eng, Grad. Sch. Engineering, Kochi University of Technology

16:25

∼

16:45

(45) RC

回路網による故障モデルの考案とトランジスタレベル故障診断試行

吉澤 豊

NECエレクトロニクス テスト評価技術部

An idea of fault model by RC network, and the transistor level fault diagnosis trial

Y. Yoshizawa

Test and Analysis Engineering Div., NEC Electronics Corp.

(46)

圧縮パタンを用いた故障診断の実用性評価 精山哲也, 重田一樹, 石山敏夫

NECエレクトロニクス 生産事業部 テスト評価技術部

Performance evaluation of fault diagnosis in compression mode

T. Seiyama, K. Shigeta, and T. Ishiyama

Test and Analysis Engineering Div., Manufacturing Operations Unit, NEC Electronics Corp.

17:05

∼

17:25

(47)

解析ナビゲーションシステムを用いた解析事例 内角哲人, 大久保忠之, 真島敏幸†,嶋瀬 朗†,松本賢和†,花崎裕一†,堀田和宏††, 寺田浩敏†† ルネサステクノロジ 品質保証統括部，†技術開発統括部，††浜松ホトニクス シス テム事業部

Failure analysis case studies applying FA-Navigation system

A. Uchikado, T. Okubo, T. Majima†, A. Shimase†, Y. Matsumoto†, Y. Hanazaki†, K. Hotta††, and H. Terada††

Renesas Technology Corp.，Quality Assurance Div.，†Production Technology Development Div.,††Hamamatsu Photonics K. K. Systems Div.

17:25

∼

17:45

インフォーマルミーティング

18:00

∼

20:00

11

月

9

日

(

金

)

一般講演 VII：故障診断・解析／装置

座長 前川繁登

(48)

ナノプロービングシステムを用いたデバイス配線評価の試み

砂押毅志, 三井泰裕†,福井宗利†,齋藤 勉†,黒澤浩一, 布施潤一

日立ハイテクマニファクチャ&サービス,†日立ハイテクノロジーズ

Evaluation of electrical characteristics in interconnects using nano-probing

system

T. Sunaoshi, Y. Mitsui†, M. Fukui†, T. Saito†, K. Kurosawa, and J. Fuse

Hitachi High-Tec Manufacturing & Service Corp.,†Hitachi High-Technologies Corp.

9:00

∼

9:20

(49) 8

極セミオート・ナノプローバーによるビットセル安定性試験

R. E. Stallcup II, Z. Cross, K. Inoue, W. James†, P. Ngo† Zyvex Instruments L.L.C.,†Microtech Analytical Labs LP

Bit cell stability testing using an encoded 8 positioner SEM nanoprobing system

Zyvex Instruments L. L. C.,†Microtech Analytical Labs LP

9:20

∼

9:40

(50)

電子ビーム照射による

LSI

の故障解析技術

古谷 仁, 石井俊哉, 田中和美, 伊藤誠吾, 中村 誠†

富士通 デバイス技術統括部 解析センター,†富士通研究所 基盤技術研究所 新材

料研究部

Failure analysis of LSI device by electron beam irradiation

H. Furuya, T. Ishii, K. Tanaka, S. Ito, and M. Nakamura†

Device Analysis Center，Product Technology Div.，Fujitsu Ltd.，†Advanced Materials Lab., Device & Materials Lab., Fujitsu Laboratories Ltd.

9:40

∼

10:00

(51)

電子ビーム吸収電流法による半導体デバイス故障個所検出方法に対する考察

野久尾毅, 外谷場純, 大堀祐一郎, 上平美紀子, 江藤義之 日本電子 計測検査機器本部

A study on the fault site localization method of semiconductor devices by

electron beam absorbed current images.

T. Nokuo, J. Toyaba, Y. Ohori, M. Kamidaira, and Y. Eto Metrology Inspection Div., JEOL Ltd.

10:00

∼

10:20

《

10:20

∼

10:35

休憩・商業展示 》

一般講演 VII：故障診断・解析／装置 (続き)

座長 二川 清

(52) IR-OBIRCH

によるパワー

MOS-FET

の解析 金子 守 三洋半導体 パワーマネジメント事業本部 ハイパーデバイス事業部 品質保証部

IR-OBIRCH analysis of power MOS-FET

M. Kaneko

Hyper Device Quality Assurance Dept., Sanyo Semiconductor Company

10:35

∼

10:55

(53)

電子ビーム吸収電流解析による故障解析事例

植木悠介, 木梨潤也, 田崎義久, 鍋谷孝之, 川口智之, 留目 誠, 若松秀樹, 宮崎 勉 東芝マイクロエレクトロニクス 評価システム開発部

Case study on the failure analysis by electron beam absorbed current method

Y. Ueki, J. Kinashi, Y. Tasaki, T. Nabeya, T. Kawaguchi, M. Todome, H. Wakamatsu, and T. Miyazaki

Test System Development Dept., Toshiba Microelectronics Corp.

(54)

フォトルミネッセンスと光散乱による

LSI

故障解析技術の開発

棚橋克人, 増田 崇†,足立和宏†,桑島 敦††,渡辺 悟, 田中和美†,伊藤誠吾†

富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所 プロセス開発部,†富士通 電子デバ

イス事業本部 デバイス技術統括部 解析センター,††岩手工場 デバイス技術部

Development of LSI failure analysis technique by photoluminescence and laser

scattering

K. Tanahashi, T. Masuda†, K. Adachi†, A. Kuwashima††, S. Watanabe, K. Tanaka†, and S. Ito†

Advanced Process Development Dept. Silicon Technology Development Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd.†Device Analysis Center, Production Technology Div.††Product Engineering Dept. Iwate Plant, Electronic Devices Business Unit, Fujitsu Ltd.

11:15

∼

11:35

(55)

カソードルミネッセンス法、ラマン分光法、有限要素用による

STI

構造の微小場応

力解析

小寺雅子, 井口 直, 土屋憲彦, 田村瑞樹†,柿沼 繁††,中 庸行††,柏木伸介††

東芝 セミコンダクター社,†東芝インフォメーションシステムズ,††堀場製作所

Nano-scale stress field evaluation with shallow trench isolation structure

assessed by cathodoluminescence, Raman spectroscopy, and finite element

method analyses

M. Kodera, T. Iguchi, N. Tsuchiya, M. Tamura†, S. Kakinuma††, N. Naka††, and S. Kashiwagi††

Semiconductor Company, Toshiba Corp.,†Toshiba I. S. Corp.,††Horiba, Ltd.

11:35

∼

11:55

《

11:55

∼

13:15

昼食・休憩・商業展示 》

チュートリアル

座長 益子洋治

(T2)

進化する

TEM

技術 須賀三雄 日本電子 経営戦略室

Progress of TEM technology

M. Suga

Strategic Management Planning Office, JEOL Ltd.

13:15

∼

13:45

一般講演 VII：故障診断・解析／装置 (続き)

座長 益子洋治

(56)

ダイレベルでの裏面発光解析の提案

吉田岳司, 小山 徹, 小守純子

ルネサステクノロジ 生産本部 技術開発統括部 解析技術開発部

Propasal of reverse-side emission microscope for dicing chip

T. Yoshida, T. Koyama, and J. Komori

Process & Device Analysis Engineering Development Dept. Production Technology Development Div., Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp.

13:45

∼

14:05

(57) Effect of IC geometry shrink on photon emission spectrum

G. Faggion, P. Sardin†, S. Dudit†, M. Vallet†, H. Deslandes††, J.-P. Roux††, H. Koike†††, and T. Kuki†††

NXP,†ST Microelectronics,††Credence Systems Corp.,†††NOAH Corp.

14:05

∼

14:25

(58)

透過型レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による半導体デバイスイメージング

金 鮮美, 村上博成, 斗内政吉

大阪大学レーザーエネルギー学研究センター

Semiconductor device imaging using transmission-mode laser THz emission

microscope

(59)

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡における

LSI-TEG

観察 山下将嗣, 大谷知行, 斗内政吉†,三浦克介††,中前幸治††,二川 清†††

理化学研究所 テラヘルツイメージング研究所チーム,†大阪大学 レーザーエネル

ギー学研究センター,††大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,

†††_{NECエレクトロニクス}

Observation of LSI-TEG circuits using laser THz emission microscope

M. Yamashita, C. Otani, M. Tonouchi†, K. Miura††, K. Nakamae††, and K. Nikawa†††

Terahertz sensing and imaging Lab., RIKEN,†The Institute of Laser Engineering, Osaka University,††Dept. Information Systems Eng., Grad. Sch. Information Science and Technology, Osaka University,†††NEC Electronics Corp.

14:45

∼

15:05

《

15:05

∼

15:20

休憩・商業展示 》

一般講演 VIII：故障診断・解析／手法／システム

座長 須賀三雄

(60) Application of configurable PVC checker for fault identification on scan based

design

W. Ng, S. Jacobson, D. Nguyen, P. Truong, and S. Shen†

World Wide Technology Development, National Semiconductor Corp.,†CAD Navigation, Magma Designs Automation

15:20

∼

15:40

(61) LVP

パッドの自動配置による故障解析容易化設計法の試行評価

野中淳平

NECエレクトロニクス 生産本部 テスト評価技術部

An experiment to evaluate the design method for failure analysis by LVP-pads

placed automatically

J. Nonaka

Manufacturing Operations Unit, Test and Analysis Engineering Div., NEC Electronics Corp.

15:40

∼

16:00

(62) DLS

解析システムの構築 原田 保, 則松研二, 浦田浩司, 田崎義久†,中村昌史†,中西謙友†,若松秀樹† 東芝 セミコンダクター社 システム LSI 事業部,†東芝マイクロエレクトロニクス 評価システム開発部

Development of the dynamic failure analysis system using DLS method

T. Harada, K. Norimatsu, K. Urata, Y. Tasaki†, M. Nakamura†, Y. Nakanishi†, and H. Wakamatsu†

System LSI Div., Semiconductor Company, Toshiba Corp.,†Test System Development Dept., Toshiba Microelectronics Corp.

16:00

∼

16:20

(63)

時間分解発光解析手法による

LSI

動作解析

松本賢和, 花崎裕一, 川鍋伸二, 小松宗雄, 嶋瀬 朗, 真島敏幸 ルネサステクノロジ 生産本部 解析技術開発部

Dynamic LSI circuit analysis using time resolved emission

Y. Matsumoto, Y. Hanazaki, S. Kawanabe, M. Komatsu, A. Shimase, and T. Majima Process & Device Analysis Engineering Development Dept., Renesas Technology Corp.

16:20

∼

16:40

(64) Tester assisted dynamic failure analysis workflow

F. Beaudoin, T. Justice, and H. Koike†

Credence Systems Corp.,†NOAH Corp.

5.

商業展示

日時：

11

月

8

日

(

木

) 10:00

∼

17:00

、

9

日

(

金

) 10:00

∼

17:00

場所：

6F

千里ルーム

企業名 展示内容 講演

みずほ情報総研株式会社

Mizuho Information & Research

Institute

3次元 SEM/STEM 解析シミュレータ FabMeister-EB

3D SEM/STEM Analysis Simulator FabMeister-EB 有

日本電子システムテクノロジー株 式会社

JEOL SYSTEM TECHNOLOGY

CO., LTD.

ImageExcite、SEM-3D、WaferEdge、Probe

ImageExcite, SEM-3D, WaferEdge, Probe 有

株式会社数理システム

Mathematical Systems, Inc.

データ解析ソフトウエア S-PLUS

Data analysis software S-PLUS 有

Zyvex

インスツールメンツ

Zyvex Instruments, LLC

ビットセル安定性試験も可能なセミオート 8 極ナノプロー バー: nProber

Encoded 8-Probe Nanoprober for Bitcell Stability test: nProber

有

アジレント・テクノロジー株式会社

Agilent Technologies, Inc.

次世代デバイスに対応する故障解析ソリューションのご提案 New total failure analysis solution for the advanced devices 有

株式会社アド・サイエンス

AD Science Co.

LSI故障解析ツール

LSI Probing Tool 有

セキテクノトロン株式会社

SEKI TECHNOTRON

CORPORATION

スキャニング SQUID 磁気顕微鏡 Magma C30

Magnetic Microscope Magma C30 有

浜松ホトニクス株式会社

Hamamatsu Photonics K.K.

発熱画像解析装置 THEMOS シリーズ

Thermal Emission Microscope THEMOS Series 有

株式会社アストロン

Astron, Inc.

故障解析・観察装置用 CAD ナビゲーションシステム 「NASFA」新機能のご紹介

Introduction of the CAD navigation system “NASFA” new function for failure analysis/observation equipments.

企業名 展示内容 講演 株式会社ビーエヌ テクノロジー

BN TECHNOLOGY

CORPARATION

卓上型 PM5 精密研磨装置 WSB2 ボンディング装置 PM5 Precision Lapping & Polishing Machine WSB2 Wafer Substrate Bonding unit

有

ATE

サービス株式会社

ATE Service Corporation

MEMS RFリレー (TeraVicta 社) 、パフォーマンスボード、メ カニカルテスターインターフェース、シグナルインテグリ ティシミュレータ (Sigrity 社) 、DFT テスタ (Tesada 社) 、テ スターマニピュレータ (Reid Ashman 社) 、IDDQ 測定 BOST (Q-Star社) 、DC パラメトリック解析 (Prometeus 社) 、TDR 解析ツール (TDA 社)

MEMS RF Relay (TeraVicta), LSI Tester Load Board, Mechanical Tester Interface, Signal Integrity Simulation (Sigrity), DFT Tester (Tesada), Tester manipulator (Reid Ashman), IDDQ measurement BOST (Q-Star), DC Parametric Analysis (Prometeus), TDR Analysis Tool (TDA)

有

エクセルテクノロジー株式会社

Excel Technology Japan K.K.

レーザモールド除去システム  F/A LIT, ULTRA LIT

Laser Mold Removing System  F/A LIT, ULTRA LIT 無

株式会社テクノラボ

TechnoLab Company

Evactronアンチコンタミネーター

Evactron Anti-Contaminator 無

日本サイエンティフィック株式会社

NIPPON SCIENTIFIC CO., LTD.

プラスチックモールドオープナ  PS102、 IC 裏面研磨装置   BA101

Plastic Mold Decapsulation System PS102, IC Backside Preparation System BA101

無

株式会社ノア

NOAH Corporation

Credence Systems社 故障解析装置群

Credence Systems Corp. Failure Analysis Solution 無

株式会社アポロウエーブ

APOLLOWAVE CORP.

プローブカード、マニュアルプローバー

Probe Card, Manual Prober 無

株式会社日立ハイテクノロジーズ

Hitachi High-Technologies

Corporation

パネル展示、日立微小デバイス特性評価装置 ナノ・プロー バ: N-6000、球面収差補正機能付日立走査透過電子顕微鏡: H-2700、走査電子顕微鏡

Panel, Fine-structured Device Characteristic Evaluation System: N-6000, Hitachi Spherical Aberration Corrected STEM: HD-2700・Scanning Electron Microscope

無

日本バーンズ株式会社

NIPPON BARNES CO., LTD.

新型発光解析装置、発熱解析装置、超音波検査装置

企業名 展示内容 講演

丸文株式会社

MARUBUN CORPORATION

ユニハイトシステム社 マイクロフォーカス 3 次元 X 線装置 Uni-hite System Corp. Microfocus 3D X-ray system 無

株式会社東陽テクニカ

TOYO Corporation

走査型プローブ顕微鏡 Nano-DST、ナノインデンター G200

Scanning probe Microscope Nano-DST, NanoIndenter G200 無

東京エレクトロン株式会社

Tokyo Electron Limited

HMI社電子ビーム欠陥検査装置 eScan310、Bede 社 X 線トポ グラフィー欠陥検査解析装置 BedeScan (TM)

Hermes Microvision Inc. Ebeam Inspection System eScan310, Bede Scientific Instruments Ltd. X-ray Topography Defect Detection and Inspection System BedeScan (TM)

無

東機通商株式会社

TOKI COMMERCIAL CO., LTD

大気中で先進解析 (1 μ m 以下の PAD にコンタクト) を可能 にしたプローバシステム

The prober system enables advanced analysis by contacting in PAD ofless than 1μ m in the atmosphere

無

雄山株式会社

The Oyama Company Ltd.

新型セミオートプロービングステーション P300A

New Semi-Auto Probing Station P300A 無

エスアイアイ・ナノテクノロジー 株式会社

SII NanoTechnology Inc.

XVisionシリーズのご紹介

An introduction of XVision series 無

有限会社テクノパシフィック

Techno Pacific Corporation

aBeam Technologies社:モンテカルロ SEM シミュレーター

MEBS社:電子・イオン光学設計シミュレーター

aBeam Technologies: Monte Carlo SEM Simulator MEBS Ltd.: Electron & Ion Optics Simulator

無

日本電子株式会社

JEOL Ltd.

ビームトレーサー  JFAS-7000BT 他

Beam Tracer JFAS-7000BT 無

株式会社インターアクション

INTER ACTION Corporation

DFTテストシステム

DFT Test System 無

日本エフイー・アイ株式会社

FEI Company Japan Ltd.

エフイー・アイ社の故障解析装置

賛助会員一覧

(平成 19 年 10 月 9 日現在, 50 音順)

• (

株

)

アクレーテク・マイクロテクノロジ

•

アジレントア・テクノロジー

(

株

)

• (

株

)

アストロン

• (

株

)

アド・サイエンス

• (

株

)

アドバンテスト

• (

株

)

アプライド マテリアルズ ジャパン

• (

株

)

アポロウエーブ

•

アルバック・ファイ

(

株

)

• (

株

)

インターアクション

• ATE

サービス

(

株

)

•

エクセルテクノロジー

(

株

)

•

エスアイアイ・ナノテクノロジー

(

株

)

•

雄山

(

株

)

•

クリーデンス・システムズ

(

株

)

•

ケーエルエー・テンコール

(

株

)

•

情報技術開発

(

株

)

• (

株

)

数理システム

•

セキテクノトロン

(

株

)

•

テクノラボ

•

東機通商

(

株

)

•

東京エレクトロン

(

株

)

• (

株

)

東陽テクニカ

•

日本アイビーエム インダストリアル ソ リューション

(

株

)

•

日本エフイー・アイ

(

株

)

•

日本サイエンティフィック

(

株

)

•

日本電子

(

株

)

•

日本電子システムテクノロジー

(

株

)

•

日本バーンズ

(

株

)

• (

株

)

日本レーザー

• (

株

)

ノア

•

浜松ホトニクス

(

株

)

•

阪和電子工業

(

株

)

•

株式会社ビーエヌテクノロジー

• (

株

)

日立ハイテクノロジーズ

•

富士通

LSI

テクノロジ

(

株

)

•

丸文

(

株

)

•

みずほ情報総研

(

株

)

• Zyvex Instruments, LLC

シンポジウム

企画運営委員会

名誉委員長 藤岡 弘

(

大阪大学名誉教授、福井工業大学

)

委 員 長 中前 幸治

(

大阪大学

)

委 員 佐藤 貢 ( 日立ハイテク ノロジーズ )

,

須賀 三雄

(

日本電子

)

二川 清 (NEC_{トロニクス}エレク)

,

前川 繁登 (ルネサス_{テクノロジ}) 益子 洋治

(

大分大学

) ,

真島 敏幸 ( ルネサス テクノロジ ) 三好 元介

(

東京大学

) ,

山崎裕一郎

(

東 芝

)