平成17年9月15日
I
L S T S
LSI
テスティングシンポジウム
/2005
開催通知
LSIテスティングシンポジウム企画運営委員長 中前幸治(大阪大学 大学院情報科学研究科) 協賛 (社)電子情報通信学会 (社)応用物理学会 日本信頼性学会 1. 日 時 平成17年11月 9 日(水) 9:00∼17:40 講演 11月10日(木) 9:00∼20:00 講演、商業展示、インフォーマル・ミーティング 11月11日(金) 9:00∼16:55 講演、商業展示 2. 会 場 《講 演》 千里ライフサイエンスセンター5F ライフホール 豊中市新千里東町1-4-2 Tel. 06-6873-2010 地下鉄千里中央駅前北出口すぐ 《商業展示》 千里ライフサイエンスセンター6F 千里ルーム 《インフォーマル・ミーティング》 千里阪急ホテル 豊中市新千里東町2-1-D-1 Tel. 06-6872-2211 3. 参加申込要領 平成17年10月28日(金) までに、下記[1]の要領で、Webにてお申込下さい。 Webでのお申し込みができない場合には、[2]、[3]の方法でお申し込み頂いても結 構です。 [1] Web http://www-LSITS.ist.osaka-u.ac.jp/の「参加申し込み」のペー ジよりお申し込み下さい。 [2] E-mail 参加申込書に記載の事項を、判り易いテキスト形式で入力し、 下記連絡先へお送り下さい。 [3]郵送・FAX 同封の参加申込書に御記入（参加者１名につき１部）の上、下 記連絡先へお送り下さい。 詳しくは、上記[1]の本シンポジウムWeb、または同封の「参加申込要領」を御 覧下さい。 連絡先 大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻 LSIテスティングシンポジウム事務局 三浦克介 〒565-0871 吹田市山田丘2-1 Tel: 06-6879-7813 Fax: 06-6879-78124.プログラム 11月9日(水) 一般講演 I：プロセス内計測・試験 座長 中前幸治 (1)キャラクタプロジェクション方式電子ビーム直接描画システムにおけるニューラ ルネットワークに基づく動的スケジューリング 冨永達朗,中前幸治,藤岡 弘†,中杉哲郎†† 大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学 経営情報学科,††東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
Dynamic scheduling based on ANN for electron-beam direct writing system employing character projection exposure
T. Tominaga, K. Nakamae, H. Fujioka†, and T. Nakasugi††
Dept. Information Systems Eng., Graduate School of Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. of Management and Information Science, Fukui University of Technology,††Process & Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corp.
9:00∼9:15
(2) LSI断面SEM画像における多重ガウシアンフィルタリングによる境界抽出(II) 御堂義博,中前幸治,藤岡 弘†
大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学
経営情報学科
Boundary extraction in the SEM cross section of LSI by multiple Gaussian filtering (II)
Y. Midoh, K. Nakamae, and H. Fujioka†
Dept. Information Systems Eng., Graduate School of Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. of Management and Information Science, Fukui University of Technology
9:15∼9:30
(3) SEM観測画像におけるウェーブレット多重解像度解析による形状計測 今田次郎,中前幸治,藤岡 弘†
大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学
経営情報学科
Application of wavelet analysis to lithography metrology J. Imada, K. Nakamae, and H. Fujioka†
Dept. Information Systems Eng., Graduate School of Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. of Management and Information Science, Fukui University of Technology
9:30∼9:45
(4)トップダウンSEM像からのレジストパタン膜厚推定
長友 渉,宮本 敦,諸熊秀俊†
日立製作所 生産技術研究所,†日立ハイテクノロジーズ
Estimation of photoresist pattern thickness using top-down SEM image W. Nagatomo, A. Miyamoto, and H. Morokuma†
Production Engineering Research Lab., Hitachi, Ltd.,†Hitachi High-Technologies Corp.
9:45∼10:05
(5) CD-SEMを用いたコンタクトホール底の寸法測定精度
阿部秀昭,山崎裕一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
Measurement accuracy of bottom CD of contact hole using CD-SEM H. Abe and Y. Yamazaki
Process & Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corp.
10:05∼10:25
一般講演 I：プロセス内計測・試験 (続き) 座長 中前幸治
(6)帯電のある試料の高精度測長値補正の高スループット化
池上 明,那須 修
日立ハイテクノロジーズ
High-throughput correction method for high-precision CD-measurement on electron charged wafers
A. Ikegami and O. Nasu
Hitachi High-Technologies Corp.
10:40∼11:00
(7) Automated semiconductor circuit pattern evaluation based on tolerance inspection T. Mitsui and Y. Yamazaki
Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corp.
11:00∼11:20
(8) Introduction of a die-to-database verification tool for the entire printed geometry of a die — geometry verification system NGR2100
T. Kitamura, K. Kubota, T. Hasebe, F. Sakai, S. Nakazawa, M. Yamamoto, and M. Inoue†
NanoGeometry Research Inc.,†Topcon Corp.
11:20∼11:40
(9)帯電制御による半導体電気特性欠陥の顕在化
牧野浩士,程 朝暉,品田博之,谷本憲史†,片根純一††,伊東祐博††,戸所秀男
日立製作所 中央研究所,†日立ハイテクノロジーズ,††日立サイエンスシ
ステムズ
Sensitivity improvement for inspecting electrical defects by controlling surface charge H. Makino, Z. H. Cheng, H. Shinada, K. Tanimoto†, J. Katane††, S. Ito††, and H. Todokoro
Central Research Lab., Hitachi, Ltd.,†Hitachi High-Technologies Corp.,
††Hitachi Science Systems, Ltd.
11:40∼12:00
(10)遠隔検査環境下での画像ベース検査手法の検討
中野賢司,三浦克介,中前幸治,藤岡 弘†
大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学
経営情報学科
Study on image-based inspection method under remote inspection environment K. Nakano, K. Miura, K. Nakamae, and H. Fujioka†
Dept. Information Systems Eng., Graduate School of Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. of Management and Information Science, Fukui University of Technology
12:00∼12:15 《 12:15∼13:15 昼食・休憩 》 一般講演 I：プロセス内計測・試験 (続き) 座長 益子洋治 (11)次世代高感度検査技術の開発 金子 誠,芳野公則,山崎裕一郎,香月勇三†,田村宗明†,山崎祥平†,黒澤俊郎†, 中田匡彦† 東芝 セミコンダクター社,†アクレーテク・マイクロテクノロジ
Development of the next generation high sensitivity inspection technology
M. Kaneko, K. Yoshino, Y. Yamazaki, Y. Katsuki†, M. Tamura†, S. Yamazaki†, T. Kurosawa†, and M. Nakada†
Semiconductor Company, Toshiba Corp.,†Accretech Micro Technologies Co., Ltd.
(12)写像投影型EB検査装置によるマスク検査手法
大西篤志,長濱一郎太,山崎裕一郎,野路伸治†,加賀 徹†,寺尾健二†
東芝 セミコンダクター社,†荏原製作所 精密・電子事業本部
Mask inspection method using the electron beam inspection system based on projection electron microscopy
A. Onishi, I. Nagahama, Y. Yamazaki, N. Noji†, T. Kaga†, and K. Terao†
Semiconductor Company, Toshiba Corp.,†Precision Machinery Group, Ebara Corp.
13:35∼13:55
(13) EBI-PEMによるサブ50nm形状欠陥とVC欠陥の検出性能
畠山雅規,村上武司,寺尾健二,野路伸治,山崎裕一郎†,長浜一郎太†,大西篤志†
荏原製作所 精密・電子事業カンパニー,†東芝 セミコンダクター社
Capturing performance on sub-50nm pattern and VC defects by EBI-PEM
M. Hatakeyama, T. Murakami, K. Terao, N. Noji, Y. Yamazaki, I. Nagahama, and A. Ohnishi
Precision Machinery Group, Ebara Corp.,†Semiconductor Company, Toshiba Corp., 13:55∼14:15 《 14:15∼14:30 休憩 》 一般講演 I：プロセス内計測・試験 (続き) 座長 益子洋治 (14)局所ガス導入によるReview SEMのチャージ低減 須賀三雄,外谷場純 日本電子 半導体機器本部
Charging reduction in review SEM by local gas injection M. Suga and J. Toyaba
Semiconductor Equipment Div., JEOL Ltd.
14:30∼14:50
(15) Defect Review SEMによるWafer Edge解析の紹介 三平智宏
日本電子 半導体機器事業部
The introduction of wafer edge analysis by defect review SEM. T. Mihira
Semiconductor Equipment Business Operations, JEOL Ltd.
14:50∼15:10
(16)歩留管理システムAPEXによる歩留管理の実際
東 幸弘,吉野 孝,荻原靖彦,岡部良二,猪口正幸 日本電子システムテクノロジー
Practical yield management by yield management system APEX Y. Higashi, T. Yoshino, Y. Ogiwara, R. Okabe, and M. Inokuchi
JEOL System Technology Co., Ltd.
15:10∼15:30 (17) CAA歩留り予測技術を用いた多品種半導体製造ライン対応歩留りマネジメント システムの開発 松本千鶴,加茂田浩司,角田義幸†,小鹿藤彦††,濱村有一,小野 眞,岩田義雄†, 金光賢司†,藤木大輔†,西内浩世†,藤田浩美††† 日立製作所 生産技術研究所,†ルネサステクノロジ 生産本部,††日立製 作所 モノづくり技術事業部,†††日立ハイテクノロジーズ ソフトウエア 設計部
Development of yield management system for multi-product semiconductor manufacturing using critical area analysis
C. Matsumoto, K. Kamoda, Y. Tsunoda†, F. Kojika††, Y. Hamamura, M. Ono, Y. Iwata†, K. Kanamitsu†, D. Fujiki†, H. Nishiuchi†, and H. Fujita†††
Production Engineering Research Lab., Hitachi, Ltd.,†Production and
Technology Unit, Renesas Technology Corp.,††Monozukuri Engineering Div., Hitachi, Ltd.,†††Software Design Dept., Hitachi High-Technologies Corp.
(18)タグチ法によるインラインウェーハ検査最適サンプリングプランのロバストネス 評価
鈴木 良,中前幸治,藤岡 弘†
大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学
経営情報学科
Robustness evaluation of cost-optimum sampling plan for in-line wafer inspection by using Taguchi methods
R. Suzuki, K. Nakamae, and H. Fujioka†
Dept. Information Systems Eng., Graduate School of Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. of Management and Information Science, Fukui University of Technology
15:50∼16:05 《 16:05∼16:20 休憩 》 一般講演 I：プロセス内計測・試験 (続き) 座長 三好元介 (19)カソードルミネッセンス法およびラマン分光法を用いたLSIデバイスの結晶欠 陥・応力評価 杉江隆一,松田景子,味岡恒夫,吉川正信,水越俊和†,渋沢勝彦†,葉 章二†† 東レリサーチセンター,†宮城沖電気,††沖電気工業
Characterization of crystalline defects and stress in LSI devices by cathodoluminescence and Raman spectroscopies
R. Sugie, K. Matsuda, T. Ajioka, M. Yoshikawa, T. Mizukoshi†, K. Shibusawa†, and S. Yo††
Toray Research Center Inc.,†Miyagi Oki Electric Co., Ltd.,††Oki Electric Industry Co., Ltd. 16:20∼16:40 (20)カソードルミネッセンス分光法を用いたCu配線間ILD膜のナノスケール応力 解析 青山淳一,西方健太郎,柿沼 繁,西條 豊,小寺雅子†, G. Pezzotti†† 堀場製作所 開発センター 光フロンティアプロジェクト,†東芝 セミコ ンダクター社 プロセス技術推進センター,††京都工芸繊維大学 工芸学 部 物質工学科
Nano-scale stress analysis in dielectric films with Cu interconnects using cathodoluminescence spectroscopy
J. Aoyama, K. Nishikata, S. Kakinuma, Y. Saijo, M. Kodera†, and G. Pezzotti†† Photonic Frontier Project, R&D Center, Horiba, Ltd.,†Process &
Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corp.,
††Dept. of Chemistry and Material Engineering, Kyoto Institute of Technology
16:40∼17:00 (21)放射光光電子分光による不揮発メモリ用トンネル酸窒化膜界面窒素結合状態の 評価 劉 紫園,真壁昌里子,長谷川英司,林 文彦,豊田智史†,岡林 潤†, 組頭広志†,尾嶋正治† NECエレクトロニクス,†東京大学 大学院工学系研究科
Evaluation of chemical states of nitrogen incorporated in tunneling oxide films by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy
Z. Liu, M. Makabe, E. Hasegawa, F. Hayashi, S. Toyoda†, J. Okabayashi†, H. Kumigashira†, and M. Oshima†
NEC Electronics Corp.,†Dept. of Applied Chemistry, The University of Tokyo
17:00∼17:20
(22) Low-k材構造解析法の開発
今野 充,黒田 靖,矢口紀恵,上野武夫,大西 毅 日立ハイテクノロジーズ
Development of a method for structural characterization of low-k dielectrics. M. Konno, Y. Kuroda, T. Yaguchi, T. Kamino, and T. Oonishi
Hitachi High-Technologies Corp.
11月10日(木)
一般講演 II：故障診断・解析装置 座長 佐藤 貢
(23)非蒸発ゲッターポンプを用いた高分解能な小型SEM
片桐創一,大嶋 卓
日立製作所 中央研究所 先端技術研究部
Miniaturized high-resolution SEM using non-evaporable getter pump S. Katagiri and T. Ohshima
Advanced Technology Research Dept., Central Research Lab., Hitachi, Ltd.
9:00∼9:20
(24)合金シードを用いためっきCu膜の物性評価とその信頼性
本田和仁,廣瀬幸範,前川和義,宮崎博史,福本晃二,前川繁登,上殿明良†
ルネサステクノロジ 生産本部 ウエハプロセス技術統括部,†筑波大学
物理工学系
Characterization of the electroplated copper films on copper-alloy seed layer
K. Honda, Y. Hirose, K. Maekawa, H. Miyazaki, K. Fukumoto, S. Maegawa, and A. Uedono†
Process Technology Development Div., Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp.,†Institute of Applied Physics, University of Tsukuba 9:20∼9:40 (25) HD-2300形走査透過電子顕微鏡における高精度倍率校正機能の開発 寺内大輔,稲田博実,小沢 賢†,常田るり子††,田中弘之,今野 充,渡辺俊一, 会沢真二,中村邦康††,高根 淳†† 日立ハイテクノロジーズ ナノテクノロジー製品事業部,†日立サイエンス システムズ 設計開発センター,††日立製作所 中央研究所
Development of high accuracy automatic magnification calibration function for scanning transmission electron microscope HD-2300
D. Terauchi, H. Inada, M. Ozawa†, R. Tsuneta††, H. Tanaka, M. Konno, S. Watanabe, S. Aizawa, K. Nakamura††, and A. Takane††
Hitachi High-Technologies Corp.,†Hitachi Science Systems,††Central Research Lab., Hitachi, Ltd.
9:40∼10:00
(26) 30nm解像度X線顕微鏡 B. Diamond, W. Yun†
Xradia Inc.,†ノア
30nm resolution X-ray microscope B. Diamond and W. Yun†
Xradia Inc.,†Noah Corp.
10:00∼10:20 《 10:20∼10:35 休憩・商業展示 》 新製品紹介 座長 三浦克介(事務局) (27)最新の試料作成研磨技術—多層膜LSIの各層研磨(Delayering/Deprocessing) E. Raz,有路二朗† Sagitta Inc.,†ダイトエレクトロン
Center frontier — the new generation of computer controlled polishing system with mechanical delayering/deprocessing capabilities
E. Raz and J. Ariji†
Sagitta Inc.,†Daito Electron Co., Ltd.
(28) EvactronアンチコンタミネーターによるSEM試料室内のIn-situ RFプラズマク リーニング
宇佐美和宏, Ronald Vane†
テクノラボ,†XEI Scientific, Inc.
Evactron cleaning of SEM specimens using an in-situ RF plasma on the SEM chamber K. Usami and R. Vane†
TechnoLab. Company,†XEI Scientific, Inc.
10:42∼10:49
(29)インレンズ形超高分解能走査電子顕微鏡S-5500形の機能と特徴
神谷知里,高橋 要,赤津昌弘
日立ハイテクノロジーズ
Function and feature of inlens type ultra-high resolution FE-SEM S-5500 C. Kamiya, K. Takahashi, and M. Akatsu
Hitachi High-Technologies Corp.
10:49∼10:56 (30)トリプルビーム装置SMI3000TBシリーズの紹介 神田 健,柳原佐知子,李晋ミン,中谷郁子,完山正林,山本 洋†,高橋春男, 岩崎浩二†,篠原正至††,荷田昌克††,松村 浩††,一宮 豊††,鈴木勝美††, 藤井利昭††,八坂行人††† エスアイアイ・ナノテクノロジー 応用技術部,†技術部,††設計部,†††技術 総括部
An introduction of new triple beam system SMI3000TB series
K. Kanda, S. Yanagihara, J. Li, I. Nakatani, S. Sadayama, Y. Yamamoto†, H. Takahashi, K. Iwasaki†, S. Shinohara††, S. Hasuda††, H. Matsumura††, Y. Ikku††, K. Suzuki††, T. Fujii††, and A. Yasaka†††
Application Engineering Dept.,†Engineering Dept.,††Design Dept.,
†††General Engineerring Dept., SII NanoTechnology Inc.
10:56∼11:03
(31) FEI社 世界最速欠陥観察/解析コンセプトUltra-Viewのご紹介 久徳浩一
東京エレクトロン AIM部
Ultra view of FEI K. Kyutoku
Tokyo Electron Ltd.
11:03∼11:10
(32) Innovative multiperspective imaging as an enabling technology for next generation yield limiting defects — “Applied Materials UVision Inspection”
R. Kipper and L. Yerushalmi Applied Materials
11:10∼11:17
(33)装置ログデータマイニング結果の絞込み(AnalysisForce/MMの機能ご紹介)
白井英大,津田英隆
富士通エルエスアイテクノロジ ISソリューション統括部
Log data mining for manufacture equipment: AnalysisForce/MM H. Shirai and H. Tsuda
Information System Solution Div., Fujitsu LSI Technology Ltd.
11:17∼11:24
(34)コンパクトLSIテスターの新機能追加のご紹介
松井信近
阪和電子工業 技術部 開発課
Introduction of new function addition of compact LSI tester N. Matui
Technical Dept., Hanwa Electronic Ind. Co., Ltd.
(35)故障解析・観察装置用CADナビゲーションシステム「NASFA (NAvigation System for Failure Analysis)」のご紹介
中島義弘,伊佐 敏†
アストロン 開発部,†営業部
Introduction of the CAD navigation system “NASFA (NAvigation System for Failure Analysis)” for failure analysis / observation equipments.
Y. Nakajima and S. Isa†
Development Dept.,†Sales Dept., Astron, Inc.
11:31∼11:38
(36)最新のカレントマッピング機能付き原子間力ナノプローピングシステムを使用し
た半導体の故障解析
A. Erickson, R. Alvis,古屋正幸†,山下泰久†,大八木敏夫† Multiprobe Inc.,†東陽テクニカ
Latest semiconductor failure analysis using atomic force nano probing system A. Erickson, R. Alvis, M. Furuya†, Y. Yamashita†, and T. Ohyagi†
Multiprobe Inc.,†Toyo Corp.
11:38∼11:45
(37) Zyvex社製ICナノプロービングシステムのご紹介 大里一徳,内山正敏, T. Cavanah†
ケースレー・インスツルメンツ,†Zyvex Corp. An introduction of Zyvex IC nanoprobing system
K. Osato, M. Uchiyama, and T. Cavanah† Keithley Instruments, KK,†Zyvex Corp.
11:45∼11:52
(38)メカニカルプローブを用いた半導体不良解析装置のご紹介
野久尾毅,外谷場純,関根 賢,毛利忠晴,秋本秀儀,菅原禎之,内田邦彦 日本電子
Development of semiconductor failure analysis system with mechanical probes T. Nokuo, J. Toyaba, M. Sekine, T. Mouri, H. Akimoto, Y. Sugawara, and K. Uchida
JEOL Ltd.
11:52∼11:59
(39) Neocera社SQUID顕微鏡Magma C30のご紹介 J. Gaudestad, A. Gilbertson, L. Knauss,竹口俊行†
Neocera Inc.,†セキテクノトロン
Scanning SQUID microscopy (SSM) Magma C30
J. Gaudestad, A. Gilbertson, L. Knauss, and T. Takegichi† Neocera Inc.,†Seki Technotron Corp.
11:59∼12:06
(40) X線CTによるスタックドパッケージ・CSPなどの半田ボール接合内部不良解析 B. Diamond, W. Yun†
Xradia Inc.,†ノア
Stacked device, CSP inside failure analysis with X-ray CT scan B. Diamond and W. Yun†
Xradia Inc.,†Noah Corp.
12:06∼12:13 《 12:13∼13:40 昼食・休憩・商業展示 》 一般講演 III：故障診断アルゴリズム/システム 座長 佐藤 貢 (41)故障診断のための観測性の定量化について 豊田直哉,温 暁青,梶原誠司,真田 克† 九州工業大学 情報工学研究科,†高知工科大学 工学部電子・光システム 工学科
On quantifying observability for fault diagnosis of VLSI circuits N. Toyota, X. Wen, S. Kajihara, and M. Sanada†
Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology,
†Dept. of Electronic and Photonic Systems Engineering, Kochi University of
Technology
(42)テストポイント挿入ロジックBIST設計回路の故障診断容易性評価 四之宮傑,三浦克介,中前幸治,藤岡 弘†
大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学
経営情報学科
Evaluation of diagnosability in test point inserted logic BIST circuit S. Shinomiya, K. Miura, K. Nakamae, and H. Fujioka†
Dept. Information Systems Eng., Graduate School of Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. of Management and Information Science, Fukui University of Technology
14:00∼14:15
(43) BIST環境を考慮した多重縮退故障診断の高精度化について 八木啓仁,東脇正倫,高橋 寛,樋上喜信,山崎浩二†,高松雄三
愛媛大学，†明治大学
Improving accuracy of multiple stuck-at fault diagnosis under BIST environment Y. Yagi, M. Higashiwaki, H. Takahashi, Y. Higami, K. Yamazaki†, and Y. Takamatsu
Ehime University,†Meiji University
14:15∼14:35
(44)経路追跡による多重故障診断システム
船津幸永,重田一樹,石山敏夫
NECエレクトロニクス テスト評価技術開発事業部
Multiple fault diagnosis system based on path-tracing for logic LSIs Y. Funatsu, K. Shigeta, and T. Ishiyama
Test Analysis Technology Development Div., NEC Electronics Corp.
14:35∼14:55 《 14:55∼15:10 休憩・商業展示 》 一般講演 III：故障診断アルゴリズム/システム (続き) 座長 真島敏幸 (45)スイッチング・レベル・シミュレーションを用いたセル内故障診断技術 —リー ク故障が論理動作に与える影響— 真田 克,吉澤 豊†,則松研二† 高知工科大学 工学部電子・光システム工学科,†半導体理工学研究セン ター 開発第一部
Fault diagnosis technology in cell circuit using switching level simulation —influence of logic operation on leakage fault—
M. Sanada, Y. Yoshizawa, and K. Norimatu
Dept. of Electronic and Photonic Systems Engineering, Kochi University of Technology,†Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC)
15:10∼15:30 (46)スイッチング・レベル・シミュレーションを用いたセル内故障診断技術 —故障 動作と診断精度の検証— 吉澤 豊,則松研二,佐藤康夫,二階堂正人†,真田 克†† 半導体理工学研究センター 開発第一部,†NECエレクトロニクス テス ト評価技術開発事業部,††高知工科大学 工学部電子・光システム工学科
Fault diagnosis technology in the cell circuit using a switching level simulation —verification result of failure circuit function and diagnosis precision—
Y. Yoshizawa, K. Norimatsu, Y. Satoh, M. Nikaido†, and M. Sanada†† Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC),†Test Analysis Technology Development Div., NEC Electronics Corp.,††Dept. of Electronic and Photonic Systems Engineering, Kochi University of Technology
(47) CADレイアウト抽出ネットリストを用いたLSI故障診断システム —レイアウ
ト情報の活用—
三浦克介,中前幸治,藤岡 弘†
大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻,†福井工業大学
経営情報学科
LSI fault diagnostic system by using extracted netlist from CAD layout data —utilization of layout information—
K. Miura, K. Nakamae, and H. Fujioka†
Dept. Information Systems Eng., Graduate School of Information Science and Technology, Osaka University,†Dept. of Management and Information Science, Fukui University of Technology
15:50∼16:05
(48)アナログ回路の故障経路追跡法の検討
久慈憲夫,北村政嗣
八戸工業高等専門学校 電気情報工学科
Investigation on a faulty-path tracing method for analog circuits N. Kuji and S. Kitamura
Dept. of Electrical and Computer Engineering, Hachinohe National College of Technology 16:05∼16:25 《 16:25∼16:40 休憩・商業展示 》 一般講演 IV：故障診断アルゴリズム/システム/装置 座長 真島敏幸 (49) IDDQテストを用いた故障診断から故障原因究明までの解析TAT/成功率向上手法 内角哲人,大久保忠之,山橋秀司,小山田太郎†,川鍋伸二†,嶋瀬 朗† ルネサステクノロジ 品質保証統括部,ウェハプロセス技術統括部†
Rate of analysis TAT/success improvement technique from failure diagnosis to breakdown cause investigation that uses IDDQtest
A. Uchikado, T. Okubo, S. Yamahashi, T. Oyamada†, S. Kawanabe†, and A. Shimase†
Quality Assurance Div.,†Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
16:40∼17:00
(50)発光/OBIRCH解析とCADツールとの連動による不良位置特定の効率向上 嶋瀬 朗,真島敏幸,渡會慎一,川鍋伸二,松本賢和,内角哲人†
ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部,品質保証統括部†
Improvement of fault localization technique using emission or OBIRCH analysis supported by CAD tool
A. Shimase, T. Majima, S. Watarai, S. Kawanabe, Y. Matsumoto, and A. Uchikado†
Process Technology Development Div.,†Quality Assurance Div., Renesas Technology Corp.
17:00∼17:20
(51) EBTによるチップ裏面からの波形観測手法
則松研二,神山 裕,佐野哲也
東芝 セミコンダクター社 システムLSI第一事業部
Measuring waveforms from backside using e-beam tester K. Norimatsu, H. Kamiyama, and T. Sano
System LSI Div. 1, Semiconductor Company, Toshiba Corp.
17:20∼17:40
インフォーマルミーティング 18:00∼20:00
11月11日(金)
一般講演 V：故障診断・解析装置／手法 座長 二川 清
(52)最近のLSI故障解析技術動向
益子洋治
大分大学 工学部 電気電子工学科
The recent technology trends in ULSI failure analysis Y. Mashiko
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Oita University
9:00∼9:30
(53) LSIオンチップ配線修正のためのCu配線形成技術の開発 水越克郎,嶋瀬 朗,本郷幹雄†
ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部,†日立製作所 生産技術
研究所
Development of Cu conductors forming technology for a LSI on-chip wiring modification
K. Mizukoshi, A. Shimase, and M. Hongo†
Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.,
†Production Engineering Research Lab., Hitachi, Ltd.
9:30∼9:50
(54) The voidless via filling
T. Ohuchi, R. Jain, S. Motegi, T. Lundquist, and V. Makarov Credence Systems Corp.
9:50∼10:10 《 10:10∼10:25 休憩・商業展示 》 一般講演 V：故障診断・解析装置／手法 (続き) 座長 二川 清 (55)電子ビーム吸収電流像を用いたCu/Low-k配線の不良解析 水島賢子,木村孝浩,佐藤正美†,中村友二 富士通研究所 C2プロジェクト デバイス材料開発部,†富士通 デバイ ス開発統括部 第1プロセス開発部
Failure analysis of Cu/low-k interconnects using electron beam absorbed current image
Y. Mizushima, T. Kimura, M. Sato†, and T. Nakamura
LSI Materials Lab., C2 Project Div., Fujitsu Laboratories Ltd.,†Process Development Dept., Device Development Div., Fujitsu Ltd.
10:25∼10:45
(56)電子ビーム吸収電流法による65nmデバイスの配線不良解析
今永保昭,長峰真嗣,栗原美智男,留目 誠†
東芝 セミコンダクター社 大分工場,†東芝マイクロエレクトロニクス
Failure analysis of interconnects in 65nm node device using electron beam absorbed current method
Y. Imanaga, S. Nagamine, M. Kurihara, and M. Todome†
Oita Operations, Semiconductor Company, Toshiba Corp.,†Toshiba Microelectronics Corp. 10:45∼11:05 (57)高感度裏面エミッション解析システムの構築 留目 誠,長峰真嗣†,栗原美智男†,若林政史†† 東芝マイクロエレクトロニクス,†東芝 セミコンダクター社 大分工場, ††東芝情報システム
Developing the highly sensitive backside emission analysis system M. Todome, S. Nagamine†, M. Kurihara†, and M. Wakabayashi††
Toshiba Microelectronics Corp.,†Oita Operations, Semiconductor Company, Toshiba Corp.,††Toshiba Information Systems Japan Corp.
11:05∼11:25
(58) Advanced IC debug ysing backside light emission microscopy - a case study S. Bianic, S. Allemand, P. Scafidi, S. Desai†, H. Deslandes†, and J. P. Roux†
ST Microelectronics,†Diagnostics and Characterization Group, Credence Systems Corp.
11:25∼11:45
一般講演 VI：故障診断・解析装置／事例 座長 山崎裕一郎 (59) SELBIC装置を用いた欠陥解析
高洲信一,野久尾毅†,箕田政顕††,崔 雲†††,友景 肇††††
日本電子 開発本部,†半導体機器事業部,††電子光学機器本部,†††財団法人
福岡県産業・科学技術振興財団,††††福岡大学 工学部 電子情報工学科
Defect analysis with scanning electron & laser beams induced current (SELBIC) method
S. Takasu, T. Nokuo†, M. Mita††, W. Choi†††, and H. Tomokage††††
Advanced Technology Div.,†Semiconductor Equipment Div.,††Electron Optics Div., JEOL Ltd.,†††Science and Technology Foundation., Fukuoka Industry,††††Dept. of Electronics Engineering and Computer Science., Fukuoka University
12:45∼13:05
(60)レーザビーム光を用いたLSIのダイナミック故障解析事例
伊藤誠吾,丹藤安彦
富士通 電子デバイス事業本部 デバイス技術統括部,
Failure analysis method of dynamic functionally circuit using by SDL S. Ito and Y. Tando
Product Technology Div., LSI Group, Fujitsu Ltd.
13:05∼13:25
(61) SQUID顕微鏡のデバイス解析における可能性
河村俊夫,波多野正勝,藤 司,鷲尾大輔
ソニーセミコンダクタ九州 LSI第一製品部門 LSI第一品質保証部
LSI解析技術課
Possibility in device analysis of SQUID microscope T. Kawamura, M. Hatano, T. Tou, and D. Washio
LSI Device Analysis Engineering Section, Quality Assurance Dept., System LSI Products Div. 1, Sony Semiconductor Kyusyu Corp.
13:25∼13:45
(62)走査レーザSQUID顕微鏡を用いた故障箇所絞込み位置精度向上法の検討
酒井哲哉,二川 清,三浦克介†,中前幸治†
NECエレクトロニクス 基盤技術事業本部 テスト評価技術開発事業部,
†大阪大学 大学院情報科学研究科 情報システム工学専攻
Precise defect localization on LSI chips using laser-SQUID microscopy T. Sakai, K. Nikawa, K. Miura†, and K. Nakamae†
Test Analysis Technology Development Div., Technology Foundation
Development Operations Unit, NEC Electronics Corp.,†Dept. of Information Systems Engineering, Graduate School of Information Science and
Technology, Osaka University
13:45∼14:05
《 14:05∼14:20 休憩・商業展示 》
一般講演 VI：故障診断・解析装置／事例 (続き) 座長 山崎裕一郎
(63)三次元アトムプローブ装置LEAP3000の半導体プロセス開発における応用
The application for the semiconductor process development of 3DAP type LEAP3000. D. Larson
Application Dept., Imago Scientific Instruments Corp.
14:20∼14:40
(64)レーザー3次元アトムプローブによるナノ組織解析
大久保忠勝, I. Martin,宝野和博, B. Deconihout
物質・材料研究機構,†French National Center for Scientific Research Nanoscale characterization by laser 3D atom probe technique
T. Ohkubo, I. Martin, K. Hono, and B. Deconihout
National Institute for Materials Science,†French National Center for Scientific Research
(65) LSIにおけるドーパントプロファイル異常の不良解析 国宗依信
NECエレクトロニクス テスト評価技術開発事業部
Failure analysis of LSI with abnormal dopant profile Y. Kunimune
Test Analysis Technology Development Div., NEC Electronics Corp.
15:00∼15:20 《 15:20∼15:35 休憩・商業展示 》 一般講演 VII：故障診断・解析装置／システム／事例 座長 小山 浩 (66) SEM式ナノプロービングシステムの開発 三井泰裕,奈良安彦,澤畠哲哉,斎藤 勉,砂押毅志,羽崎栄一,高内幸一, 矢野史子†,柳田博史†,水野貴之†,山田 理††,古川貴史†††,渡辺 修††† 日立ハイテクノロジーズ,†ルネサステクノロジ,††日立サイエンスシステ ムズ,†††日立製作所 中央研究所
Development of mechanical probing system with SEM
Y. Mitsui, Y. Nara, T. Sawahata, T. Saito, T. Sunaoshi, E. Hazaki, K. Takauchi, F. Yano†, H. Yanagita†, T. Mizuno†, O. Yamada††, T. Furukawa†††, and
O. Watanabe†††
Hitachi High-Technologies Corp.,†Renesas Technology Corp.,††Hitachi Science Systems, Ltd.,†††Central Research Lab., Hitachi, Ltd.
15:35∼15:55
(67) SEM式ナノプロービング装置におけるUV照射機能の効果
柳田博史,高橋美帆,水野貴之,矢野史子,朝山匡一郎
ルネサステクノロジ 生産本部 ウエハプロセス技術統括部 解析技術開
発部
New application of a SEM based nano-probing system utilizing UV radiation H. Yanagita, M. Takahashi, T. Mizuno, F. Yano, and K. Asayama
Process Technology Development Div., Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp.
15:55∼16:15
(68)ナノ・プローバを用いた裏面からの不良解析
今井ゆかり,片山俊治,福本晃二,水野貴之,高橋美帆,矢野史子,前川繁登
ルネサステクノロジ 生産本部 ウエハプロセス技術統括部 解析技術開
発部
Failure analysis from backside using nano prober
Y. Imai, T. Katayama, K. Fukumoto, T. Mizuno, M. Takahashi, F. Yano, and S. Maegawa
Process & Device Analysis Engineering Development Dept., Process Technology Development Div., Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp. 16:15∼16:35 (69)ナノ・プローバと発光解析装置を用いた不良解析事例 水野貴之,柳田博史,矢野史子,朝山匡一郎 ルネサステクノロジ 生産本部 ウエハプロセス技術統括部 解析技術開 発部
Failure analysis using nano prober and emission microscope T. Mizuno, H. Yanagita, F. Yano, and K. Asayama
Process Technology Development Div., Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp.
16:35∼16:55
(70) AFM式ナノプローブAFP (Atomic Force Probe)の故障解析への適用 龍 康夫,留目 誠†
東芝ナノアナリシス 半導体評価解析センター,†東芝マイクロエレクトロ
ニクス 評価システム開発部
Application of AFP to failure analysis for LSI devices Y. Ryu and M. Todome†
Semiconductor Analysis and Evaluation Center, Toshiba Nanoanalysis Corp.,
†Test System Development Dept., Toshiba Microerectronics Corp.
5.商業展示
日時： 11月10日(木) 10:00∼17:00、11日(金) 10:00∼17:00
場所： 6F 千里ルーム
企業名 展示内容 講演
ダイトエレクトロン(株)
Daito Electron Co., LTD.
自動試料作成研磨機(サギータ)実機展示、サーマルマ
イクロスコープ(ベテル)パネル展示、3次元X線CT装
置(名古屋電機工業)パネル展示
Auto Polisher (Sagitta), Thermal Micro Scope (Bethel), 3D X-ray CT Inspection Machine (Nagoya Electric Works)
有 テクノラボ TechnoLab Company Evactronアンチコンタミネーター Evactron Anti-contaminator 有 エスアイアイ・ナノテクノロジー 株式会社
SII NanoTechnology Inc.
トリプルビーム装置 SMI3000TB
Triple Beam System SMI3000TB 有
東京エレクトロン株式会社 Tokyo Electron Ltd
米国FEI社 Ultra - Viewコンセプト
FEI Company Ultra - View Concept 有
富士通エルエスアイテクノロジ株 式会社
FUJITSU LSI Technology Limited
新製品AnalysisForce/MMのご紹介 Log data mining for manufacture equipment: AnalysisForce/MM
有
阪和電子工業株式会社
HANWA ELECTRONIC IND. CO., LTD.
コンパクトLSIテスタ
Compact LSI Tester 有
株式会社アストロン Astron, Inc.
故障解析・観察装置用CADナビゲーションシステム
「NASFA (NAvigation System for Failure Analysis)」 Introduction of the CAD navigation system “NASFA (NAvigation System for Failure Analysis)” for failure analysis / observation equipments.
有
株式会社東陽テクニカ Toyo Corporation
米国マルチプローブ社製XシリーズAFPナノプローバ
システム
X Series AFP NanoProber System (Multi Probe, USA)
有
ケースレー・インスツルメンツ(株)
Keithley Instruments, KK
Zyvex社製ICナノプロービングシステム
Zyvex IC Nanoprobing System 有
日本電子株式会社 JEOL Ltd.
メカニカルプローブを用いた半導体不良解析装置のご 紹介
Development of semiconductor failure analysis system with mechanical probes
有
セキテクノトロン株式会社 SEKI TECHNOTRON CORP.
Neocera社SQUID顕微鏡Magma C30
企業名 展示内容 講演 株式会社ノア Noah Corp. マイクロXCT MicroXCT 有 日本アールソフトデザイングルー プ株式会社
RSoft Design Group, Inc
RCWA法のDiffractMODによるtanψ、cosΔ解析 The metrology of tanψ、cosΔby DiffrcatMOD based RCWA
無
日本サイエンティフィック株式会社 Nippon Scientific Co., Ltd.
新製品マイクロシャイナー(IC裏面研磨装置)のパネル
展示
New Product MICRO SHINER (IC Backside Polishing System) Panel Display
無
日本バーンズ株式会社 Nippon Barnes Company, Ltd.
1.赤外線微小部分発熱解析装置, 2.次世代レーザーイン
ジェクションシステム
1. Infrared Microscopy, 2. XIVA System
無
日本電子株式会社 JEOL Ltd.
ウエハエッジSEM観察機能
Wafer Edge SEM Review 無
日本電子システムテクノロジー株 式会社
JEOL System Technology Co., Ltd.
歩留管理システム、ADCソフトウェア、測長ソフト
ウェア、WEEE&RoHS有害物質管理システム Yield Management System, ADC Software, CD Measurement Software, WEEE&RoHS Hazardous Material Management System
無
みずほ情報総研株式会社 Mizuho Information&Research Institute
電子線散乱シミュレータ
Electron Beam Scattaring Simulator 無
クリーデンスシステムズ株式会社 Credence Systems K.K.
ダイアグノスティックキャラクタライゼーション
Diagnostic & Characterization 無
日立ハイテクノロジーズ Hitachi High-Technolosies Corporation
N-6000ナノ・プローバS-5500、超高分解能電界放出走 査電子顕微鏡
N-6000 Fine-structured Device Characteristic Evaluation System, S-5500 UHR Field Emission SEM
無 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. 故障解析支援ソフトウエア FA-Navigation 無 丸文株式会社 MARUBUN CORPORATION ユニハイトシステム社マイクロフォーカス3次元X線 装置「XVA-160&Noix」、コアーズ社平坦度測定モ ジュール「core9030c」「core9035a」
UNI-HITE SYSTEM Corporation Micro Focus X-ray 3D Imaging System “XVA-160&NOIX”, Cores Corporation Coplanarity Measuring Module “core 9030c”, “core9035a”
無
賛助会員一覧(平成 17 年 10 月 15 日現在, 50 音順) • (株)アクレーテク・マイクロテクノロジ • (株)アストロン • (株)アドバンテスト • (株)アルデート • エー・テイー・イー・サービス(株) • エクセルテクノロジー(株) • エスアイアイ・ナノテクノロジー(株) • クリーデンス・システムズ(株) • ケーエルエー・テンコール(株) • ケースレーインスツルメンツ(株) • 情報技術開発(株） • セキテクノトロン(株) • ダイトエレクトロン(株) • テクノラボ • 東京エレクトロン(株) • (株)東陽テクニカ • (株)トプコン • 日本アールソフトデザイングループ(株) • 日本アイビーエム インダストリアル ソリューション(株) • 日本サイエンティフィック(株) • 日本電子(株) • 日本電子システムテクノロジー(株) • 日本バーンズ(株) • (株)ノア • 浜松ホトニクス(株) • 阪和電子工業(株) • (株)日立ハイテクノロジーズ • 富士通LSIテクノロジ(株） • 丸文(株) • みずほ情報総研(株) • ヤーマン(株)
• The Micromanipulator Co., Inc. (代理店：
雄山商事(株)) シンポジウム 企画運営委員会 名誉委員長 藤岡 弘 (大阪大学名誉教授、福井工業大学) 委 員 長 中前 幸治 (大阪大学) 委 員 小山 浩 (日本電子) , 佐藤 貢 ( 日立ハイテク ノロジーズ ) 二川 清 ( NECエレク トロニクス ) , 益子 洋治 (大分大学) 真島 敏幸 ( ルネサス テクノロジ ) , 三好 元介 (東京大学) 山崎裕一郎 ( 東 芝 )
