注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください 最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います MCP6001/1R/1U/2/4 1MHz 低消費電力オペアンプ 特長 SC-70-5 および SOT-23-5 パッケージで提供 利得帯域幅積 : 1 MHz (typical) レールツ
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(2) MCP6001/1R/1U/2/4 NOTE:. DS21733J_JP - p. 2. © 2012 Microchip Technology Inc..
(3) MCP6001/1R/1U/2/4 1.0. 電気的特性. 絶対最大定格† VDD – VSS .......................................................................7.0 V アナログ入力ピンでの電流 (VIN+, VIN–) .......................±2 mA アナログ入力 (VIN+, VIN–) †† ... VSS – 1.0 V ～ VDD + 1.0 V. † 注 : 左記の「絶対最大定格」を超える条件は、デバイスに 恒久的な損傷を生じる可能性があります。これはストレス定 格です。本書の動作表に示す条件または上記から外れた条件 でのデバイスの運用は想定していません。長期間にわたる最 大定格条件での動作や保管は、デバイスの信頼性に影響する 可能性があります。 †† セクション 4.1.2「入力電圧と電流制限」を参照してく ださい。. その他の入出力 ........................... VSS – 0.3 V ～ VDD + 0.3 V 差動入力電圧 .......................................................|VDD – VSS| 出力短絡電流 ................................................................. 連続 出力および電源ピンでの電流 ....................................±30 mA 保管温度.......................................................... –65 ～ +150 ℃ 最高接合部温度 (TJ) ....................................................+150 ℃ 全ピンの EDS 保護 (HBM; MM) .......................... ≥ 4 kV; 200 V. DC 特性 電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、 VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、VOUT ≈ VDD/2 ( 図 1-1 参照 ) パラメータ. 記号. Min. Typ. Max. 単位. VOS. -4.5. —. +4.5. mV. VCM = VSS (Note 1). ΔVOS/ΔTA. —. ±2.0. —. µV/ ℃. TA= -40 ～ +125 ℃ VCM = VSS. PSRR. —. 86. —. dB. 条件. 入力オフセット 入力オフセット電圧 入力オフセットの温度ドリフト 電源電圧除去比. VCM = VSS. 入力のバイアス電流とインピーダンス IB. —. ±1.0. —. PA. 産業用温度レンジ品. IB. —. 19. —. PA. TA = +85 ℃. 拡張温度レンジ品. IB. —. 1100. —. PA. TA = +125 ℃. 入力オフセット電流. IOS. —. ±1.0. —. PA. コモンモード入力インピーダンス. ZCM. —. 1013||6. —. Ω||pF. 差動入力インピーダンス. ZDIFF. —. 1013||3. —. Ω||pF. コモンモード入力レンジ. VCMR. VSS − 0.3. —. VDD + 0.3. V. コモンモード除去比. CMRR. 60. 76. —. dB. VCM = -0.3 ～ 5.3 V VDD = 5 V. AOL. 88. 112. —. dB. VOUT = 0.3 ～ VDD – 0.3 V VCM = VSS. VOL、VOH. VSS + 25. —. VDD – 25. mV. ISC. —. ±6. —. mA. VDD = 5.5 V 0.5 V 入力オーバードライブ VDD = 1.8 V. —. ±23. —. mA. VDD = 5.5 V. VDD. 1.8. —. 6.0. V. Note 2. IQ. 50. 100. 170. µA. IO = 0、VDD = 5.5 V VCM = 5 V. 入力バイアス電流 :. コモンモード. 開ループゲイン DC 開ループゲイン ( 大信号時 ) 出力 最大出力電圧振幅 出力短絡電流 電源 電源電圧 オペアンプ 1 回路あたりの無負荷時電流 Note 1: 2:. 日付コードが 2004 年 12 月 ( 週コード = 49) 以前の MCP6001/1R/1U/2/4 製品は、± 7 mV を最小 / 最大電圧の仕様と して試験しています。 日付コードが 2007 年 11 月以降の全ての製品の場合、検査では VDD = 6.0 V での動作を確認しています。しかし、そ の他の最小および最大仕様値は、1.8 V と 5.5 V で計測しています。. © 2012 Microchip Technology Inc.. DS21733J_JP - p. 3.
(4) MCP6001/1R/1U/2/4 AC 特性 電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 ℃、VDD = +1.8 ～ 5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/ 2、VL = VDD/2、VOUT ≈ VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF ( 図 1-1 参照 ) 記号. Min. Typ. Max. 単位. 利得帯域幅積. GBWP. —. 1.0. —. MHz. 位相マージン. PM. —. 90. —. °. スルーレート. SR. —. 0.6. —. V/µs. 入力ノイズ電圧. Eni. —. 6.1. —. µVp-p. 入力ノイズ電圧密度. eni. —. 28. —. nV/√Hz. f = 0.1 ～ 10 Hz f = 1 kHz. 入力ノイズ電流密度. ini. —. 0.6. —. fA/√Hz. f = 1 kHz. パラメータ. 条件. AC 応答 G = +1 V/V. ノイズ. 温度仕様 電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS = GND 記号. Min. Typ. Max. 単位. 産業用温度レンジ品. TA. -40. ～. +85. ℃. 拡張温度レンジ品. TA. -40. ～. +125. ℃. 動作温度レンジ. TA. -40. ～. +125. ℃. 保管温度レンジ. TA. -65. ～. +150. ℃. 熱抵抗、5 ピン SC70. θJA. —. 331. —. ℃ /W. 熱抵抗、5 ピン SOT-23. θJA. —. 256. —. ℃ /W. 熱抵抗、8 ピン PDIP. θJA. —. 85. —. ℃ /W. 熱抵抗、8 ピン SOIC (150 mil). θJA. —. 163. —. ℃ /W. 熱抵抗、8 ピン MSOP. θJA. —. 206. —. ℃ /W. 熱抵抗、8 ピン DFN (2x3). θJA. —. 68. —. ℃ /W. 熱抵抗、14 ピン PDIP. θJA. —. 70. —. ℃ /W. 熱抵抗、14 ピン SOIC. θJA. —. 120. —. ℃ /W. 熱抵抗、14 ピン TSSOP. θJA. —. 100. —. ℃ /W. パラメータ. 条件. 温度レンジ. Note. パッケージ熱抵抗. Note:. 産業用温度レンジ品は拡張温度レンジでも動作しますが、性能は低下します。いかなる場合も、内部の接 合部温度 (TJ) が最大絶対定格温度 (+150 ℃ ) を超えない事が必要です。. DS21733J_JP - p. 4. © 2012 Microchip Technology Inc..
(5) MCP6001/1R/1U/2/4 1.1. 試験回路. 大部分の AC および DC 特性試験に使った回路を 図 1-1 に示します。この回路では、VCM と VOUT を別々 に設定できます ( 式 1-1 参照 )。VCM は回路のコモン モード電圧 ((VP + VM)/2) ではない事に注意してくださ い。また、VOST は VOS に温度、CMRR、PSRR、AOL による入力オフセットエラー VOST への影響を加味し た電圧である事にも注意してください。. 式 1-1:. CF 6.8 pF RG 100kΩ VP VIN+ CB1 100 nF. VDD/2. CB2 1 µF. VIN–. V CM = ( V P + V DD ⁄ 2 ) ⁄ 2 VM. V OST = V IN– – V IN+ V OUT = ( V DD ⁄ 2 ) + ( V P – V M ) + V OST ( 1 + G DM ). © 2012 Microchip Technology Inc.. VDD. MCP600X. G DM = R F ⁄ R G. GDM = 差動モードゲイン VCM = オペアンプのコモンモード 入力電圧 VOST = オペアンプの総入力オフセッ ト電圧. RF 100kΩ. (V/V) (V) (mV). RG 100kΩ. RL 10kΩ. RF 100kΩ CF 6.8 pF. VOUT CL 60 pF. VL. 図 1-1: 主な仕様値の評価に使った AC および DC 試験回路. DS21733J_JP - p. 5.
(6) MCP6001/1R/1U/2/4 NOTE:. DS21733J_JP - p. 6. © 2012 Microchip Technology Inc..
(7) MCP6001/1R/1U/2/4 2.0. 代表的な性能データ. Note:. 以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、情報の提供のみを目的とします。ここ に記載する性能特性は検証されておらず、保証されません。これらの図表の一部には、仕様動作レンジ 外で計測されたデータも含まれます ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 )。従ってこれらのデータは保証範 囲外です。. Input Offset Voltage (µV). -400. TA = -40°C TA = +25°C TA = +85°C TA = +125°C. -500 -600. Input Offset Voltage (µV). 0.05. 0.04. 0.03. 0.02. 0.01. 2.2. 2.0. 1.8. 1.6. 1.4. 1.2. 1.0. 0.8. -200 -300 -400. TA = -40°C TA = +25°C TA = +85°C TA = +125°C. -500 -600. 6.0. 5.5. 5.0. 4.5. 4.0. 3.5. 3.0. 2.5. 2.0. 1.5. 1.0. 0.5. -700. 10 12. Common Mode Input Voltage (V). 2453 Samples TA = -40°C to +125°C VCM = VSS. 0.00. VDD = 5.5V. -100. -0.5. 8. 入力オフセット電圧の温度ドリフト. -0.01. 0.6. 図 2-4: コモンモード入力電圧と入力オフセッ ト電圧の関係 (VDD = 1.8 V) 0. Input Offset Quadratic Temp. Co.; TC2 (µV/°C2). 図 2-3: 入 力 オ フ セ ッ ト 電 圧 の 温 度 ド リ フ ト ( 温度の 2 乗値あたりのドリフト ) Co. © 2012 Microchip Technology Inc.. 0.4. Common Mode Input Voltage (V). 2453 Samples TA = -40°C to +125°C VCM = VSS. 45% 40% 35% 30% 25% 20% 15% 10% 5% 0%. 0.2. 5. 0.0. 4. -0.2. -2 -1 0 1 2 3 Input Offset Voltage (mV). 入力オフセット電圧. -0.02. Percentage of Occurrences. -300. -0.4. -3. -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 Input Offset Voltage Drift; TC1 (µV/°C). 図 2-2:. -200. 0.0. -4. 図 2-5: コモンモード入力電圧と入力オフセッ ト電圧の関係 (VDD = 5.5 V) 200 Input Offset Voltage (µV). Percentage of Occurrences. 18% 16% 14% 12% 10% 8% 6% 4% 2% 0%. VDD = 1.8V. -100. -700 5. 図 2-1:. 0. 64,695 Samples VCM = VSS. 0.07. 20% 18% 16% 14% 12% 10% 8% 6% 4% 2% 0%. 0.06. Percentage of Occurrences. Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、 VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF. 150 100 50 0 -50. VDD = 5.5V VDD = 1.8V. -100 -150. VCM = VSS. -200 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 Output Voltage (V). 図 2-6:. 出力電圧と入力オフセット電圧の関係. DS21733J_JP - p. 7.
(8) MCP6001/1R/1U/2/4 Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、 VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF. 10% 8% 6% 4% 2%. 6. 9 12 15 18 21 24 Input Bias Current (pA). 27. Open-Loop Gain (dB). 1500. 1350. 1200. 1050. 900. 750. 600. 450. 300. 605 Samples VDD = 5.5V VCM = VDD TA = +125°C. 0. 50. CMRR. 40. +125 ℃での入力バイアス電流. PSRR (VCM = VSS). 80 CMRR (VCM = -0.3V to +5.3V). 70 -50. -25. 0 25 50 75 Ambient Temperature (°C). 100. 周囲温度と CMRR、PSRR の関係. DS21733J_JP - p. 8. 100k 1.E+05. 0. 100. -30. 80. Phase. 60. -90. 40. Gain. 20 0. -60. -120 -150. VCM = VSS. -20 0.1 1.E+ 1 1.E+ 10 1.E01 00 01. -180 -210 100 1.E+ 1k 1.E+ 10k 100k 1M 10M 1.E+ 1.E+ 1.E+ 1.E+ Frequency (Hz) 05 06 07 02 03 04. 1,000. 90. 75. 1k 10k 1.E+03 1.E+04 Frequency (Hz). 図 2-11: 周波数と開ループゲイン、位相の関係. VDD = 5.0V. 85. 100 1.E+02. 120. Input Noise Voltage Density (nV/√Hz). PSRR, CMRR (dB). PSRR+. 図 2-10: 周波数と PSRR、CMRR の関係. 95. 図 2-9:. PSRR–. 60. 20 10 1.E+01. 30. Input Bias Current (pA). 100. 70. Open-Loop Phase (°). 3. +85 ℃での入力バイアス電流. 55% 50% 45% 40% 35% 30% 25% 20% 15% 10% 5% 0%. 図 2-8:. 80. 30. 0%. 図 2-7:. VCM = VSS. 90 PSRR, CMRR (dB). 12%. 0. Percentage of Occurrences. 100. 1230 Samples VDD = 5.5V VCM = VDD TA = +85°C. 150. Percentage of Occurrences. 14%. 125. 100. 10 0.1 1 10 100 1.E+0 1k 10k 1.E+0 100k 1.E-01 1.E+0 1.E+0 1.E+0 1.E+0 0 1Frequency 2 (Hz)3 4 5. 図 2-12: 周波数と入力ノイズ電圧密度の関係. © 2012 Microchip Technology Inc..
(9) MCP6001/1R/1U/2/4 Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、 VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF 0.08. G = +1 V/V. 25. Output Voltage (20 mV/div). Short Circuit Current Magnitude (mA). 30 TA = -40°C TA = +25°C TA = +85°C TA = +125°C. 20 15 10 5 0. 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 Power Supply Voltage (V). 0.02. 0.00. -0.02. -0.04. -0.06. -0.08 0.E+00. 1.E-06. 2.E-06. 3.E-06. 4.E-06. 5.E-06. 6.E-06. 7.E-06. 8.E-06. 5.0. VOL – VSS. 10. 10m 1.E-02. 120 100 80 40 20. 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0. TA = +125°C TA = +85°C TA = +25°C TA = -40°C. 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 Power Supply Voltage (V). 図 2-15: 電源電圧と無負荷時電流の関係. © 2012 Microchip Technology Inc.. 0.E+00. 1.E-05. 2.E-05. 3.E-05. 4.E-05. 5.E-05. 6.E-05. 7.E-05. 8.E-05. 9.E-05. 1.E-04. Time (10 µs/div). 図 2-17: 大信号の非反転パルス応答. VCM = VDD - 0.5V. 140. 60. 3.5. 0.0. Slew Rate (V/µs). 160. 4.0. 0.5 100µ 1m 1.E-04 1.E-03 Output Current Magnitude (A). 図 2-14: 出力電流振幅と出力電圧ヘッドルーム の関係 180. Output Voltage (V). VDD – VOH. 1 10µ 1.E-05. 1.E-05. G = +1 V/V VDD = 5.0V. 4.5 100. 9.E-06. Time (1 µs/div). 1,000 Output Voltage Headroom (mV). 0.04. 図 2-16: 小信号の非反転パルス応答. 図 2-13: 電源電圧と出力短絡電流の関係. Quiescent Current per amplifier (µA). 0.06. 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0. VDD = 5.5V Falling Edge. VDD = 1.8V Rising Edge. -50. -25. 0. 25. 50. 75. 100. 125. Ambient Temperature (°C). 図 2-18: 周囲温度とスルーレートの関係. DS21733J_JP - p. 9.
(10) MCP6001/1R/1U/2/4. 6. 10 Input, Output Voltages (V). Output Voltage Swing (V. P-P ). Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : TA = +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/2、 VOUT ≈ VDD/2、VL = VDD/2、RL = 10 kΩ (VL に対して )、CL = 60 pF. VDD = 5.5V. VDD = 1.8V. 1. 0.1 1k 1.E+03. 10k 100k 1.E+04 1.E+05 Frequency (Hz). 1M 1.E+06. 図 2-19: 周波数と出力電圧振幅の関係. Input Current Magnitude (A). 1.E-02 10m 1m 1.E-03 100µ 1.E-04 10µ 1.E-05 1µ 1.E-06 100n 1.E-07 10n 1.E-08 1n 1.E-09 100p 1.E-10 10p 1.E-11 1p 1.E-12. VIN. 5. VDD = 5.0V G = +2 V/V. VOUT. 4 3 2 1 0 -1. 0.E+00. 1.E-05. 2.E-05. 3.E-05. 4.E-05. 5.E-05. 6.E-05. 7.E-05. 8.E-05. 9.E-05. 1.E-04. Time (10 µs/div). 図 2-21: MCP6001/2/4 では入力電圧が VDD を超 えても位相反転しない事を示すグラフ. +125°C +85°C +25°C -40°C. -1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0 Input Voltage (V). 図 2-20: VSS 以下の入力電圧と入力電流の関係. DS21733J_JP - p. 10. © 2012 Microchip Technology Inc..
(11) MCP6001/1R/1U/2/4 3.0. ピンの説明. デバイスのピン機能の一覧を表 3-1 に示します。. 表 3-1:. ピン機能. MCP6001 MCP6001R MCP6001U. MCP6002. MCP600. SC70-5 SOT-23-5. SOT-23-5. SOT-23-5. MSOP PDIP SOIC. DFN 2x3. PDIP SOIC TSSOP. 1. 1. 4. 1. 1. 1. 4. 4. 3. 2. 2. 2. VIN–、VINA– 反転入力 ( オペアンプ A). 3. 3. 1. 3. 3. 3. VIN+、VINA+ 非反転入力 ( オペアンプ A) VDD 正極性電源 VINB+ 非反転入力 ( オペアンプ B). 3.1. 5. 2. 5. 8. 8. 4. —. —. —. 5. 5. 5. —. —. —. 6. 6. 6. —. —. —. 7. 7. —. —. —. —. —. 概要. VOUT、VOUTA アナログ出力 ( オペアンプ A). VINB–. 反転入力 ( オペアンプ B). 7. VOUTB. アナログ出力 ( オペアンプ B). 8. VOUTC. アナログ出力 ( オペアンプ C). —. —. —. —. —. 9. VINC–. 反転入力 ( オペアンプ C). —. —. —. —. —. 10. VINC+. 非反転入力 ( オペアンプ C). 2. 5. 2. 4. 4. 11. VSS. —. —. —. —. —. 12. VIND+. 非反転入力 ( オペアンプ D). 負極性電源. —. —. —. —. —. 13. VIND–. 反転入力 ( オペアンプ D). —. —. —. —. —. 14. VOUTD. アナログ出力 ( オペアンプ D). —. —. —. —. 9. —. EP. アナログ出力. 出力ピンは低インピーダンス電圧源です。. 3.2. 記号. アナログ入力. 3.4. 露出サーマルパッド (EP); VSS に接続の事. 露出サーマルパッド (EP). 露出サーマル パッド (EP) と VSS ピンは内部で電気的 に接続しています。これらはプリント基板上の同一電 位部に接続する必要があります。. 非反転および反転入力は、低バイアス電流の高イン ピーダンス CMOS 入力です。. 3.3. 電源ピン. 正極性電源電圧 (VDD) のレンジは 1.8 ～ 6.0 V です ( 負 極性電源電圧 VSS を基準とする )。通常動作時のその 他のピンの電圧レンジは VSS ～ VDD です。 一般的に、このようなオペアンプは単電源 ( 正極性 ) 回路構成で使います。この場合、VSS をグランドに接 続し、VDD を電源に接続します。VDD にはバイパス コ ンデンサが必要です。. © 2012 Microchip Technology Inc.. DS21733J_JP - p. 11.
(12) MCP6001/1R/1U/2/4 NOTE:. DS21733J_JP - p. 12. © 2012 Microchip Technology Inc..
(13) MCP6001/1R/1U/2/4 4.0. アプリケーション情報. MCP6001/2/4 オペアンプ ファミリは、マイクロチッ プ社の最先端 CMOS プロセスを使って製造され、特に 低コスト / 低消費電力 / 汎用アプリケーション向けに 設計されています。電源電圧と無負荷時電流が低く、 帯域幅が広い MCP6001/2/4 は、バッテリ駆動アプリ ケーションに最適です。また、位相マージンが高いた め、容量性負荷の大きなアプリケーションに適してい ます。. 4.1. レールツーレール入力. 4.1.1. 位相反転. の電圧が VDD よりも過大に超える事を防ぎ、電流を VDD へダンプします。図の回路では、R1 と R2 は D1 と D2 に流れる電流も制限します。 VDD D1 R1 R2. R1>. 4.1.2. R2>. R3. 入力電圧と電流制限. 入力の ESD 保護の概略図を図 4-1 に示します。入力ト ランジスタを保護し、入力バイアス電流 (IB) を最小限 に抑えるために、このような回路構成を採用しました。 入力電圧が [VSS - ダイオード順方向降下電圧 ] よりも 低下する事を防ぐために、入力 ESD ダイオードは入 力電圧をクランプします。入力 ESD ダイオードは、 VDD を過大に超える電圧も全てクランプします。これ らのダイオードの降伏電圧は、通常動作を可能にする には十分に高い一方、ESD イベントを仕様制限内で素 早くバイパスするには十分に低く抑えられています。 VDD Bond Pad. 図 4-2:. Input Stage. Bond VIN– Pad. VSS Bond Pad. アナログ入力 ESD の概略構造図. オペアンプの損傷や不適正な動作を防ぐために、関連 する回路は VIN+ および VIN– ピンの電流と電圧を制限 する必要があります ( セクション 1.0「電気的特性」冒 頭の絶対最大定格†参照 )。図 4-2 に、これらの入力 を保護するための推奨回路例を示します。内部 ESD ダ イオードは、入力ピン (VIN+、VIN–) の電圧がグランド よりも過大に低下する事を防ぎます。抵抗 R1 と R2 は、 入力ピンから外部へ向けての電流の引き込みを制限し ます。ダイオード D1 と D2 は、入力ピン (VIN+、VIN–). © 2012 Microchip Technology Inc.. VSS – ( 予測最小 V1) 2mA VSS – ( 予測最小 V2) 2mA. アナログ入力の保護. ダイオードを R1 と R2 の左側に接続する事も可能で す。この場合、ダイオード D1 と D2 に流れる電流を制 限するための別の措置が必要です。これらの抵抗は突 入電流リミッタとして機能し、入力ピン (VIN+、VIN–) に流れ込む DC 電流を非常に低く抑えます。 コモンモード電圧 (VCM) がグランド (VSS) よりも低下 すると、入力から大電流が流れる可能性があります ( 図 2-20 参照 )。高インピーダンスのアプリケーショ ンでは、使用可能電圧レンジを制限する事が必要とな る場合があります。. 4.1.3. 図 4-1:. MCP600X. V2. MCP6001/1R/1U/2/4 オペアンプは、入力ピン電圧が電 源電圧を超えた時に位相が反転しないように設計され ています。図 2-21 に示すように、入力電圧が電源電圧 を超えても出力の位相は反転しません。. VIN+ Bond Pad. D2. V1. 標準的な動作. MCP6001/1R/1U/2/4 オペアンプの入力段は、2 個の差 動 CMOS 入力段を並列に使います。一方は低いコモン モード入力電圧 (VCM) で動作し、他方は高い VCM で動 作します。このようなトポロジにより、本オペアンプ は、VSS - 0.3 V ～ VDD+ 0.3 V の VCM で動作します。 2 つの入力段の間の切り換えは、VCM = VDD – 1.1 V の 時に発生します。歪みとゲイン直線性 ( 非反転ゲイン ) を良好に保つために、この領域での動作を避ける必要 があります。. 4.2. レールツーレール出力. MCP6001/2/4 オペアンプの出力電圧レンジは VDD 25 mV ( 最大値 ) ～ VSS + 25 mV ( 最小値 ) です ( 条件 : RL = 10 kΩ を VDD/2 に接続、VDD = 5.5 V)。詳細は 図 2-14 を参照してください。. DS21733J_JP - p. 13.
(14) MCP6001/1R/1U/2/4 4.3. 4.4. 容量性負荷. 電源バイパス. 大きな容量性負荷を駆動すると、電圧フィードバック オペアンプの安定性に問題が生じる可能性がありま す。負荷容量が増えるにつれて、フィードバック ルー プの位相マージンが減少し、閉ループ帯域幅が低下し ます。これにより、周波数応答にゲインのピークが生 じ、ステップ応答でオーバーシュートとリンギングが 発生します。ユニティゲイン バッファ(G = +1) が容量 性負荷に対して最も敏感ですが、全てのゲインも同様 の一般的挙動を示します。. 良好な高周波性能を得るために、本オペアンプ ファミ リの電源ピン ( 単電源の場合 VDD) には、ローカルなバ イパス コンデンサ (0.01 ～ 0.1 µF) を 2 mm 以内の距 離で取り付ける必要があります。また、低周波の時に 必要な大電流を供給するために、バルク コンデンサ (1 µF 以上 ) を 100 mm 以内の距離で取り付ける必要 もあります。このバルク コンデンサは、他のアナログ デバイスと共有できます。. これらのオペアンプで大きな容量性負荷 ( 例 : G = + 1 で 100 pF 以上 ) を駆動する場合、値の小さな直列抵抗 (RISO、図 4-3 参照 ) を出力に接続して抵抗性出力負荷 とする事により、高周波におけるフィードバック ルー プの位相マージン ( 安定性 ) を改善できます。一般的 に帯域幅は、容量性負荷の存在によって低下します。. 4.5. – MCP600X +. VIN. RISO VOUT CL. 未使用オペアンプ. 4 回路入りパッケージ (MCP6004) では、一部のオペア ンプを使わない場合があります。そのような場合、未 使用のオペアンプを図 4-5 のように構成する必要があ ります。これらの回路は、出力のトグリングとクロス トークの発生を防ぎます。図中左側の回路 A は、オペ アンプのノイズゲインを最小限に抑えます。抵抗分圧 器は、オペアンプの出力電圧レンジ内で必要な参照電 圧を生成します。オペアンプはこの参照電圧をバッ ファリングします。図中右側の回路 B は最小限の部品 点数でコンパレータとして動作しますが、消費電流は 増加する可能性があります。 ¼ MCP6004 (A). 図 4-3: 容 量 性 負 荷 が 大 き い 場 合 の 出 力 抵 抗 RISO による安定性の改善. R1. 図 4-4 に、ゲインをパラメータとして、容量性負荷に 対する推奨 RISO 値の関係を示します。X 軸は正規化し た負荷容量 (CL/GN) です (GN は回路のノイズゲイン )。 非反転ゲインの場合、GN と信号ゲインは同じです。 反転ゲインの場合、GN は 1 + | 信号ゲイン | です ( 例 : -1 V/V の場合、GN = +2 V/V)。. Recommended RISO (Ω). 1000. 100. VDD = 5.0V RL = 100 kٛ. 10 10p 1.E-11. 図 4-4:. R2. 100p 1n 10n 1.E-10 1.E-09 1.E-08 Normalized Load Capacitance; CL/GN (F). 容量性負荷と推奨 RISO 値の関係. 上記に従って選択した RISO を実際の回路に取り付け て、周波数応答のピークとステップ応答のオーバー シュートを確認します。結果が好ましくない場合、妥 当な挙動が得られるまで RISO の値を変更します。こ の よ う な ベ ン チ 評 価 と シ ミ ュ レ ー シ ョ ン に は、 MCP6001/1R/1U/2/4 SPICE マクロモデルが非常に役 立ちます。. DS21733J_JP - p. 14. VDD VDD VREF. R2 V REF = V DD • -----------------R1 + R2. 図 4-5:. 4.6 GN = 1 GN ≥ 2. ¼ MCP6004 (B). VDD. 未使用オペアンプ. プリント基板の表面リーク電流. 入力バイアス電流を低く抑える事が重要となるアプリ ケーションでは、プリント基板 (PCB) の表面リーク電 流の影響を考慮する必要があります。表面リーク電流 は湿度やほこり等の汚れによって発生します。低湿度 条 件 にお け る 隣 接ト レ ー ス 間の 抵 抗 は、一般 的 に 1012Ω 程度です。この場合、5 V の電圧差によって 5 pA の電流が流れ、これは MCP6001/1R/1U/2/4 ファミリ のバイアス電流 (25 ℃で 1 pA、typical) を上回ります。 表面リーク電流を低減するには、敏感なピン ( または トレース ) の周囲にガードリングを設ける方法が最も 容易です。この場合、ガードリングを敏感なピンと同 電位にバイアスします。図 4-6 にガードリングのレイ アウト例を示します。. © 2012 Microchip Technology Inc..
(15) MCP6001/1R/1U/2/4 VIN-. VIN+. VSS. – 1/2 MCP6002. VIN1. R1. R2. + –. VOUT. MCP6001 +. ガードリング. 図 4-6: ト例 1.. 2.. – 1/2 MCP6002. VIN2. R2. +. R1 = 20kΩ. R1. 反転ゲイン用のガードリング レイアウ. R2 = 10kΩ. VREF. 非反転ゲインおよびユニティゲイン バッファの 場合 : a.プリント基板に接触しないジャンパ線を使っ て、非反転ピン (VIN+) を入力に接続します。 b.ガードリングを反転入力ピン (VIN–) に接続しま す。これにより、ガードリングをコモンモード 入力電圧までバイアスします。 非反転ゲインおよびトランス インピーダンス ゲ インアンプ ( 光検出器等、電流を電圧に変換する ) 場合 : a.ガードリングを非反転入力ピン (VIN+) に接続し ます。これにより、ガードリングをオペアンプ と同じ参照電圧 ( 例 : VDD/2 またはグランド ) ま でバイアスします。 b.プリント基板に接触しないジャンパ線を使っ て、反転ピン (VIN-) を入力に接続します。. 4.7. アプリケーション回路. 4.7.1. ユニティゲイン バッファ. MCP6001/2/4 オペアンプのレールツーレール入力お よび出力の能力は、ユニティゲイン バッファ アプリ ケーションに最適です。本オペアンプは無負荷時電流 が低く、帯域幅が広いため、図 4-7 に示す計装アンプ 回路のバッファ構成に適しています。. R1 V OUT = ( V IN2 – V IN1 ) • ------ + V REF R2. 図 4-7: ユニティゲイン バッファ入力を備えた 計装アンプ 4.7.2. アクティブ ローパスフィルタ. MCP6001/2/4 オペアンプの入力バイアス電流は低い ため、アクティブ ローパスフィルタ アプリケーショ ンでは、抵抗を大きくして、コンデンサ容量を小さく できます。ただし、抵抗の増加にともなって、発生す るノイズも増加します。寄生容量と大きな抵抗値は、 周波数応答にも影響する可能性があります。回路の素 子を選択する際に、これらのトレードオフを考慮する 必要があります。 通常、良好な性能を得るには、オペアンプの帯域幅を フィルタ カットオフ周波数の100倍以上にする必要が あります。オペアンプの帯域幅がカットオフ周波数の 10 倍以上あれば動作は可能ですが、その場合、回路は 部品の許容差に対してより敏感となります。 図 4-8 に、2 次バタワース フィルタ ( カットオフ周波 数 = 100 kHz、ゲイン = +1 V/V) を示します。この場 合、オペアンプの帯域幅は、カットオフ周波数の 10 倍 しかありません。各部品の値は、マイクロチップ社の FilterLab® ソフトウェアを使って選択しました。 100pF. VIN 14.3kΩ. 53.6kΩ + MCP6002 33pF. 図 4-8:. © 2012 Microchip Technology Inc.. –. VOUT. アクティブ 2 次ローパスフィルタ. DS21733J_JP - p. 15.
(16) MCP6001/1R/1U/2/4 4.7.3. 式 4-1:. ピーク検出器. dV C1 I SC = C 1 ------------dt I SC dV C1 ------------- = -------dt C1. MCP6001/2/4 オペアンプは、高い入力インピーダン ス、レールツーレール入力 / 出力、低い入力バイアス 電流といった特長を備えるため、ピーク検出器アプリ ケーションに適しています。図 4-9 に、クリアスイッ チとサンプルスイッチを使うピーク検出器回路を示し ます。ピーク検出サイクルには、図 4-9 に示すように クロック (CLK) を使います。. 25mA= -------------0.1μF dV C1 ------------ = 250mV ⁄ μs dt. CLK の立ち上がりエッジで、サンプルスイッチを閉じ てサンプリングを始めます。C1 がホールドしている ピーク電圧を、C2 でサンプリングします ( このサンプ リング時間は tSAMP で定義 )。サンプリング時間の終 了時に ( サンプル信号の立ち下がりエッジで )、クリア 信号が HIGH に遷移し、クリアスイッチが閉じます。 クリアスイッチが閉じると、C1 は R1 を介して放電し ます ( 放電時間は tCLEAR で定義 )。クリア時間の終了 時に ( クリア信号の立ち下がりエッジで )、オペアンプ A は C1 で VIN のピーク値のサンプリングを始めます ( このサンプリング時間は tDETECT で定義 )。. 電圧の変化レートは MCP6001/2/4 のスルーレート (0.6 V/µs) よりも小さくなります。入力電圧が C1 の電 圧よりも低下すると、D1 は逆バイアスとなります。こ れはフィードバック ループを開き、オペアンプをレー ルします。入力電圧が増加すると、オペアンプは本来 のスルーレートに戻ります。上式の電圧変化レートに 基づき、0.1 µF のコンデンサを充電するには、もっと 長い時間が必要です。回路がオペアンプのスルーレー トによって制限されないようにコンデンサを選択する 必要があります。従って、コンデンサを 40 µF 以下と し、安定化抵抗 (RISO) を適切に選択する必要がありま す ( セクション 4.3「容量性負荷」参照 )。. tSAMP と tCLEAR を定義するには、コンデンサの充電時 間と放電時間を求める必要があります。コンデンサの 充電時間はアンプのソース電流によって制限され、放 電時間(τ)はR1を使って設定します(τ = R1C1)。tDETECT は、入力信号を C1 でサンプリングする時間です。こ の時間は入力電圧の変化周波数によって決まります。 オペアンプ出力の電流制限と、サンプル コンデンサの サイズ (C1 と C2 の両方 ) の影響により、入力電圧 (VIN) が高くなるにつれてスルーレートが制限されます。コ ンデンサに流れる電流は、コンデンサの容量と電圧の 変化レートによって決まります。この関係に基づいて、 電圧の変化レートまたはスルーレートを決める事がで きます。例えば、オペアンプの短絡電流 ISC = 25 mA、 負荷容量 C1 = 0.1 µF とする場合、 VIN +. 1/2 MCP6002 –. D1. Op Amp A. RISO VC1 C1. R1. + 1/2 MCP6002 –. RISO VC2 C2. Op Amp B. + MCP6001 –. VOUT. Op Amp C Sample Switch Clear Switch. tSAMP. Sample Signal tCLEAR. Clear Signal tDETECT. CLK. 図 4-9:. クリアおよびサンプル CMOS アナログスイッチを使うピーク検出器. DS21733J_JP - p. 16. © 2012 Microchip Technology Inc..
(17) MCP6001/1R/1U/2/4 5.0. 設計支援. マイクロチップ社は、MCP6001/1R/1U/2/4 ファミリの オペアンプ用に基本的な設計ツールを提供していま す。. 5.1. SPICE マクロモデル. MCP6001/1R/1U/2/4 オペアンプ用の最新の SPICE マ ク ロモ デ ル は、マ イク ロ チ ッ プ社 の ウ ェ ブサ イ ト (www.microchip.com) で入手できます。このマクロモ デルは、Orcad (Cadence) が保有する PSPICE を使っ て作成および検証されています。その他のシミュレー ションには変換が必要な場合があります。 このモデルは、オペアンプの各種電気的仕様に幅広く 対応し、オペアンプの電圧、電流、抵抗だけでなく、 オペアンプの挙動に対する温度とノイズの影響も考慮 します。このモデルは、オペアンプのデータシートに 記載した仕様レンジ外では検証されていません。仕様 レンジ外の条件におけるモデル挙動と実際のオペアン プ動作の一致は保証できません。 さらに、このモデルは、初期段階の設計ツールとして の使用を目的としています。どのような設計であれ、 ベンチ試験は非常に重要であり、シミュレーションで 置き換える事はできません。また、このマクロモデル から得られたシミュレーション結果は、データシート の仕様値および特性曲線と比較検証する必要がありま す。. 5.2. FilterLab® ソフトウェア. マイクロチップ社の FilterLab® ソフトウェアは、オペ アンプを使ったアナログ アクティブ フィルタの設計 を簡略化する革新的なソフトウェア ツールです。この ツールはマイクロチップ社のウェブサイト (www.microchip.com/filterlab) から無償で入手できま す。FilterLab 設計ツールは、各部品の特性値を含む フィルタ回路の完全な回路図を提供します。さらに、 このフィルタ回路をSPICEフォーマットで出力してマ クロモデルで使う事により、フィルタの性能をシミュ レートできます。. 5.3. 5.4. Microchip Advanced Part Selector (MAPS). MAPS は、特定の設計要件に適したマイクロチップ社 製デバイスを効率良く見つけ出す事ができるソフト ウェア ツールです。このツールはマイクロチップ社の ウェブサイト (www.microchip.com/maps) から無償で 入手できます。MAPS はアナログ、メモリ、MCU、 DSC を含むマイクロチップ社製品の全ポートフォリ オを対象とする選択ツールです。このツールを使うと、 ソーティング機能にフィルタを定義してデバイスをパ ラメータ検索し、それらのデバイスを横並びの一覧に した技術対照レポートをエクスポートできます。マイ クロチップ社製品のデータシート、購入サイト、関連 情報への便利なリンクも利用できます。. 5.5. アナログ デモボードおよび評価用 ボード. マイクロチップ社は、お客様の開発期間の短縮を支援 するために、アナログ開発 / 評価用ボードを豊富に取 り揃えています。これらのボードの一覧と、関連ユー ザガイドおよび技術情報は、マイクロチップ社ウェブ サイト(www.microchip.com/analogtools)でご覧になれ ます。 特に下記のボードをお薦めします。 • • • • • • •. MCP6XXX アンプ評価用ボード 1 MCP6XXX アンプ評価用ボード 2 MCP6XXX アンプ評価用ボード 3 MCP6XXX アンプ評価用ボード 4 アクティブ フィルタ デモボードキット 5/6 ピン SOT-23 評価用ボード、P/N VSUPEV2 8 ピン SOIC/MSOP/TSSOP/DIP 評価用ボード、 P/N SOIC8EV. • 14 ピン SOIC/TSSOP/DIP 評価用ボード、 P/N SOIC14EV. Mindi™ サーキット デザイナおよび シミュレータ. マイクロチップ社の Mindi™ サーキットデバッガおよ びシミュレータは、アクティブフィルタ、アンプ、電 源管理アプリケーションに役立つ各種回路の設計を支 援します。このオンラインツールは、マイクロチップ 社のウェブサイト (www.microchip.com/mindi) から無 償で入手できます。このインタラクティブなソフト ウェア ツールを使うと、回路図を素早く生成してシ ミュレートできます。Mindi サーキット デザイナおよ びシミュレータを使って開発した回路は、PC または ワークステーションにダウンロードできます。. © 2012 Microchip Technology Inc.. DS21733J_JP - p. 17.
(18) MCP6001/1R/1U/2/4 5.6. アプリケーション ノート. 補足資料として、マイクロチップ社が提供する下記の アナログ デザインノートとアプリケーションノート を推奨します。これらはマイクロチップ社のウェブサ イト (www.microchip.com/appnotes) で入手できます。 • ADN003: フィルタ回路用オペアンプの選択、 DS21821 • AN722: オペアンプ トポロジと DC 仕様、DS00722 • AN723: オペアンプの AC 仕様とアプリケーション、 DS00723 • AN884: オペアンプによる容量性負荷の駆動、 DS00884 • AN990: アナログセンサ コンディショニング回路の 概要、DS00990 • AN1177: オペアンプを使用したデザインの精度 : DC 誤差、DS01177 • AN1228: オペアンプを使用したデザインの精度 : ランダムノイズ、DS01228 • AN1297: マイクロチップ社製オペアンプ用 SPICE マクロモデル これらのアプリケーション ノートを含む各種アプリ ケーション ノートの一覧を下記の設計ガイドに記載 しています。 • 信号チェーン設計ガイド、DS21825. DS21733J_JP - p. 18. © 2012 Microchip Technology Inc..
(19) MCP6001/1R/1U/2/4 6.0. パッケージ情報. 6.1. パッケージのマーキング情報 5 ピン SC-70 (MCP6001). XXN (Front) YWW (Back). 例 : ( 産業用温度レンジ ). デバイス. 産業用温度 コード. 拡張温度 コード. MCP6001. AAN. CDN. AA7 (Front) 432 (Back). Note: 5 ピン SC-70 に適用. または. または. XXNN. デバイス. 産業用温度 コード. 拡張温度 コード. MCP6001. AANN. CDNN. AA74. Note: 5 ピン SC-70 に適用. 例 :( 拡張温度レンジ ). 5 ピン SOT-23 (MCP6001/1R/1U) 4. 5. デバイス. XXNN 1. 2. 3. 産業用温度 コード. 拡張温度 コード. MCP6001. AANN. CDNN. MCP6001R. ADNN. CENN. MCP6001U. AFNN. CFNN. 4. 5. CD25 1. 2. 3. Note: 5 ピン SOT-23 に適用. 8 ピン PDIP (300 mil). 例:. XXXXXXXX XXXXXNNN YYWW. MCP6002 I/P256 または 0432. 例:. 8 ピン DFN (2x3) XXX YWW NN. 凡例 :. ABY 944 25. XX...X Y YY WW NNN. e3. * Note:. MCP6002 e3 I/P^^256 0746. お客様固有情報 年コード ( 西暦の下 1 桁 ) 年コード ( 西暦の下 2 桁 ) 週コード (1 月の第 1 週を「01」とする ) 英数字のトレーサビリティ コード つや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリー JEDEC マーク このパッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDC マーク ( e3 は外箱に表記しています。. ). マイクロチップ社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合、複数行を使いま す。この場合、お客様固有情報に使える文字数が制限されます。. © 2012 Microchip Technology Inc.. DS21733J_JP - p. 19.
(20) MCP6001/1R/1U/2/4 パッケージ マーキング情報 ( 続き ) 8 ピン SOIC (150 mil). 例:. XXXXXXXX XXXXYYWW NNN. MCP6002I または SN0432 256. MCP6002I e3 SN^^0746 256. 例:. 8 ピン MSOP XXXXXX. 6002I. YWWNNN. 432256. 14 ピン PDIP (300 mil) (MCP6004). 例:. XXXXXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXXXXX YYWWNNN. MCP6004 e3 I/P^^ 0432256. または. MCP6004 e3 E/P^^ 0746256. 14 ピン SOIC (150 mil) (MCP6004). XXXXXXXXXX XXXXXXXXXX YYWWNNN. 14 ピン TSSOP (MCP6004). 例:. または 0432256. 例:. XXXXXX YYWW. 6004ST 0432. NNN. 256. DS21733J_JP - p. 20. MCP6004 e3 E/SL^^ 0746256. MCP6004ISL. または. 6004STE 0432 256. © 2012 Microchip Technology Inc..
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(246) MCP6001/1R/1U/2/4 NOTE:. DS21733J_JP - p. 36. © 2012 Microchip Technology Inc..
(247) MCP6001/1R/1U/2/4 補遺 A: 改訂履歴 リビジョン J (2009 年 11 月 ) 変更内容 1.. 1 ページめに新しい 2x3 DFN 8 ピンパッケージ を追加 2. 温度仕様テーブルを更新 (2x3 DFN の熱抵抗に 関する情報を記載 ) 3. 1.1「試験回路」を更新 4. 図 2-15 を更新 5. 表 3-1 に 2x3 DFN の列を追加 6. 3.4「露出サーマルパッド (EP)」を追加 7. 5.1「SPICE マクロモデル」を更新 8. 5.5「アナログ デモボードおよび評価用ボード」 を更新 9. 5.6「アプリケーション ノート」を更新 10. 6.1「パッケージのマーキング情報」を更新 ( 新 しい2x3 DFNパッケージのマーキングに関する 情報を記載 ) 11. パッケージの図を更新 12. 「製品識別システム」セクションを更新 ( 新しい 2x3 DFN パッケージに関する情報を記載 ). リビジョン H (2008 年 5 月 ) 変更内容 1. 2. 3.. 4. 5.. 設計支援 : Mindi シミュレーション ツールの名 称を変更 パッケージタイプ : デバイスの表記の誤りを訂 正 1.0「電気的特性」、DC 特性 : 「最大出力電圧振 幅」条件を 0.9 V 入力オーバーライドから 0.5 V 入力オーバーライドに変更 1.0「電気的特性」、AC 特性 : 位相マージン条件 を G = +1 から G= +1 V/V に変更 5.0「設計支援」: Mindi シミュレーション ツー ルの名称を変更. リビジョン G (2007 年 11 月 ) 変更内容 1. 2. 3. 4. 5. 6.. 7. 8. 9.. 1.0「電気的特性」の Note を更新 入力ピンの絶対最大電圧レンジを拡大 最大動作電源電圧 (VDD) を拡大 試験回路を追加 図 2-3 と図 2-20 を追加 4.1.1「位相反転」、4.1.2「入力電圧と電流制限」、 4.1.3「標準的な動作」、4.5「未使用オペアンプ」 を追加 5.0「設計支援」を更新 6.0「パッケージ情報」を更新 パッケージの概要図を更新. リビジョン F (2005 年 3 月 ) 変更内容 1.. 6.0「パッケージ情報」を更新 ( 新旧のパッケー ジ例を記載 ). リビジョン E (2004 年 12 月 ) 変更内容 1.. 日付コード YYWW = 0449 以降の製品の VOS 仕 様値を± 7.0 mV から± 4.5 mV に低減. 2.. 6.0「パッケージ情報」内のパッケージのマーキ ングを訂正 補遺 A: 改訂履歴を追加. 3.. リビジョン D (2003 年 5 月 ) • 履歴なし. リビジョン C (2002 年 12 月 ) • 履歴なし. リビジョン B (2002 年 10 月 ) • 履歴なし. リビジョン A (2002 年 6 月 ) • 本書の初版. © 2012 Microchip Technology Inc.. DS21733J_JP - p. 37.
(248) MCP6001/1R/1U/2/4 NOTE:. DS21733J_JP - p. 38. © 2012 Microchip Technology Inc..
(249) マイクロチップ社製デバイスのコード保護機能に関して次の点にご注意ください。 •. マイクロチップ社製品は、該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。. •. マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、マイクロチップ社製品のセキュリティ レベルは、現 在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています。. •. しかし、コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解ではこうした手法は、 マイクロチップ社データシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ社製品を使用する事になります。このような行 為は知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。. •. マイクロチップ社は、コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。. •. マイクロチップ社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コー ド保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。. コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。マイクロ チップ社のコード保護機能の侵害は、デジタル ミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはそ の他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタル ミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利が あります。. 本書に記載されているデバイス アプリケーション等に関する 情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプ リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に あります。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口 頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている 情報に関して、状態、品質、性能、品性、特定目的への適合 性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マ イクロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一 切の責任を否認します。マイクロチップ社の明示的な書面に よる承認なしに、生命維持装置あるいは生命安全用途にマイ クロチップ社の製品を使用する事は全て購入者のリスクと し、また購入者はこれによって発生したあらゆる損害、クレー ム、訴訟、費用に関して、マイクロチップ社は擁護され、免 責され、損害うけない事に同意するものとします。暗黙的あ るいは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保 有しているライセンスは一切譲渡されません。. 商標 マイクロチップ社の名称と Microchip ロゴ、dsPIC、KEELOQ、 KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、rfPIC、 UNI/O は、米国およびその他の国におけるマイクロチップ・ テクノロジー社の登録商標です。 FilterLab、Hampshire、HI-TECH C、Linear Active Thermistor、 MXDEV、MXLAB、SEEVAL、Embedded Control Solutions Company は、米国におけるマイクロチップ・テクノロジー 社の登録商標です。 Analog-for-the-Digital Age,Application Maestro、chipKIT、 chipKIT logo、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、 dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、ECONOMONITOR、 FanSense、HI-TIDE、In-Circuit Serial Programming、ICSP、 Mindi、MiWi、MPASM、MPLAB Certifiedr ロ ゴ、MPLIB、 MPLINK、mTouch、Omniscient Code Generation、PICC、 PICC-18、PICDEM、PICDEM.net、PICkit、PICtail、REAL ICE、 rfLAB、Select Mode、Total Endurance、TSHARC、 UniWinDriver、WiperLock、ZENA は、米国およびその他の 国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の登録商標です。 SQTP は、米国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の サービスマークです。 その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。 © 2011, Microchip Technology Incorporated, All Rights Reserved. ISBN: 978-1-61341-987-8. マイクロチップ社では、 Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、 Gresham ( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォ ルニア州とイドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2009 認証を取得 しています。マイクロチップ社の品質システム プロセスおよび手順は、 PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コード ホッピング デバイス、 シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナロ グ製品に採用されています。さらに、開発システムの設計と製造に関 するマイクロチップ社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得し ています。. © 2012 Microchip Technology Inc.. DS21733J_JP - p. 39.
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関連したドキュメント
必要に応じて、「タイムゾーンの設定(p5)」「McAfee Endpoint Security
注意： 操作の詳細は、 「BD マックス ユーザーズマニュ アル」 3） を参照してください。. 注意：
症状 推定原因 処置.
問題集については P28 をご参照ください。 （P28 以外は発行されておりませんので、ご了承く ださい。）
それでは資料 2 ご覧いただきまして、1 の要旨でございます。前回皆様にお集まりいただ きました、昨年 11
高圧の場合、平均 3.81 円/kWh であり、送配電設備関連のコストダウン等により、それぞれ 0.29 円/kWh（12.95％）
注１） 本は再版にあたって新たに写本を参照してはいないが、
※お寄せいた だいた個人情 報は、企 画の 参考およびプ レゼントの 発 送に利用し、そ れ以外では利
