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光弾性実験装置の自動化に関する研究

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Academic year: 2021

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(1)

光弾性実験装置の自動化に関する研究

一光造形法で作製した光弾性モデ、ルの応力解析一

山川目文ヘ森祐輔付

Study on Automated Photoelasticity 

‑Stress Analysis of Photoelastic Model Fabricated by Stereolithography ‑

Masafumi YAMAKAWA

YuusukeMORI** 

The experimental results for a photoelastic model fabricated by stereolithography are presented.  The stereolithograhy is  possible to automate production of the photoelastic model.  It is  desirable  to use stereolithograhy for the automation of the photoelasticity. The fabricated models have many  concavities on their surfaces. The influence of surface, residual sessesin the model and applied  strasses  were quantitatively  examined by experiments using  a conventional  method and an  immersion method 1 Stressanalysis  is  possible in  the  conventional experiment, despite the  intensity  varying egularlyin  the  measured images.  In  the  immersion  experiment1),ベ the intensity in the measured images is  uniform so that the images of the analysis results are clearer  than those obtained in the conventional experiment. 

In  this  paper  it  is  demonstrated  by a conventional  method that  models  fabricated  by  stereolithography are useful for photoelastic models. 

Keywords: Residual Stress Model, SessAnalysis, Stereolithography, Digital Photoelasticity,  Automated Photoelasticity 

1.緒言

従来の光弾性実験法による応力解析は多大 な時間と慎重な実験を必要とするため,光弾 性実験法の自動化に関する研究がなされてき

1)2) 光弾性実験法は,モデ、ルの主応力方向 [ , /jI Ij/ + 

( π 1 2 ) J

や相対位相差pに対応する主 応力差を視覚的に測定することができる.し かし一方で,光弾性モデルの自動作製の研究 はあまり見当たらず,熟練と精度が必要とな るモデルづくりの手間や困難さは未だ変わっ ていない.

本論文では,光弾性実験法での光造形法で 作製したモデ、ノレの有用性を検討するために

①光造形法で作製した基本的な形状のモ デルを用いて,その残留応力とモデル

*近畿大学工業高等専門学校

総合システム工学科 電気電子コース

**近畿大学大学院 総合理工学研究科

に負荷を作用させた時の負荷応力を 測定し,その基本的特性を調べた.

②光造形法でレーザ樹脂溶着した試験片 と同形状の実用モデ、ルを作製し,その 基本特性と負荷を作用させたときの応 力状態を調べた.

2. 実験および解析方法

本実験は,直線偏光入射光を利用して 114 波長板(Ql,Q2)と偏光板(Pl,P2)の組み合わ せで, 12枚の画像を取り込み,.the judicious  choice of azimuthal settings of a quarter 

waveplate and a linear polarizer (JCAQP)  法で解析を行った.

実験装置の概略図をFig.1に示す.光源は3 波長(λ1=0.6360pm,λ2 = 0.5378 pm, λ3 

=0.4416pm)を使用して図中のCCDカメラで 得られたデジタル画像を解析し,

‑59‑

(2)

Q1  P1  CCD  CAIIERA 

Fig.l  Schematic  diagram  of  an  automatic  whole‑tield  measurement  system  using  incident  linearly polarized light :Pl and P2, linear polarizers;  Ql and Q2, quarter‑wave plates; D, diflser

モデ、ノレの応力状態

( σ ' x ‑ d y )

と ら を 調 べ る モデ、ルに直線偏光を入射させ,モデルからの 射出光は114波長板。および偏光板乃から構 成される検光子系により観測する.観測され る光強度

K α

1,jh,a2)ρ は,.Eq.(l)で、表される.

1(α1,β2,α2)λ1 

=0.5ん{12sin2(pλ/2)sin2(α1‑'I/)x[(1 +sindpλi)  xcos2伊2・!のsin2(β2‑α2)+sin2(α2・的]ー(1+

sindp A.i)sin2(β2‑α2)sin2(s2α1)+cos2(α2‑α1) +COSdpλisin2(β2α2)sinpλisin2(α1‑的}+1N, (1) 

1 0

 

=入射光強度

1N=  背景光強度

α1 =  Plの透過軸の方位角 的 = 乃の透過軸の方位角

今,入射光に方位角α1=0。の直線偏光を使用 するとモデルからのストークスベクトル{SI0, SII, S12, S13}λ1は,Q2, P2の方位角設定により 測定されるEq.(1)の強度1(α1,β2,α2)λiから次 式で計算できる.

Eq.(1)をEq.(2)に代入することにより 00方 向の入射直線偏光を使用するストークスベク

トルは ,Eq.(3)に示すように

v

と仇iで、関係づ けられ,

S10 

(判12+判22+九

γ 5

Sll 

= )  1(0,0,0)λi -1(0刈90)λ~ (2)  九 1(0,45,4分λi‑1(0,135,135)λi 

九│λl[1(0,‑45,0)λi‑1(0,45,0)ij]1 COSdPAi 

SlO 

Sl1 

I I 

[12sin2(ρ/2)sin22IjJ]

I  = i ト

(3) S12 

I I 

[2sin2 (PAi /2) sin2lf/cos2lf/] 

S13 

I

slnpλisin2lf/ 

となる.また,主応力方向

v

および相対位相 差pλiの値は, Eq.(3)式から,位相ジャンプを 伴うアークタンジェント関数の形でそれぞれ Eq.(4)およびEq.(5)から計算でき,

'1/= 0.25tan‑1 [(SI2 + S21)λ/(Sl1S22)λi] 

=0.25tan‑1 {[2sin2

λ/2)sin4'I/]/[2sin2(p.λ/2) 

cos4 '1/ ]} , P:;t:0 (4)  pA.i=tan‑1 [(S13isin2 'I/S23λicos2的I(Sl1+S221)λi]

=tan ‑1 [sinpA.i (sin22 'I/+cos22的Icospλd(5) 

となる.Eq.(5)により

v

は,絶対的相対位相差 Pi=2πNぷ(Nλj.整数)の位置以外の測定範囲 π18‑‑π18)で、得られる.この方法で三波長入射 光を使用することにより ,Nλi=0以外の位置 で

、Pλitot= 2πNぷの影響を補正し,

'I/=0.25tan‑1 {[(SI2+S21)λ1+( )λ2+( )λ

3 ] 1  

[(Sl1S22)λ1+( )λ2+( )λ3]} 

=0.25tan‑1 {[(2sin2(pλi2)sin4ψλ1+( )λ2  +(  )泊]/[(2sin2(;

〆 フ

2)cos4'1/)λ1+(  )λ2  +()λ3]}  (6)  となる.以上より,アンラップされた

v

pを 使 っ て 負 荷 の か か っ た 応 力 状 態 の 負 荷 応 力

(

σら σ ;

v F )

は , 合 成 応 力 と し て 主 応 カ

ヤ ; 0 4 0 )

と主応力方向lf/'Oから初期応力の

U

ρh u 

(3)

Load 

主応力 (σf , σ~) と主応力方向fj/O を差し引き, y 

次式で表される.

~ -~ : : = ( d o x  ̲d

O

y ) ̲ ( σ O x ‑ d y )  

=

01

‑d

0

)CO均ベσ~\ ーσ02)cゆ。

ら = 7 3 ‑ 4

  . o S ( a i   _~O ) s i n 2 f j / '   O . S ( σ f ‑ σ g ) 叫 。

3. 解析結果と考察

光造形法で作製した基本的な形状モデ、ルと して φ40mm,厚さ 6mmの円板モデルを用 い,アンラップされた

v

とpを求めてモデ、ノレの 応力状態を示す(σx一σJとτxyが測定で、き

ることを確認した.これにより光弾性モデ、ル として使用可能であることが示された.次に 光造形法でレーザ樹脂溶着した試験片と同形 状の実用モデ、ルについて,その基本特性と負 荷を作用させたときの応力状態を調べた.

無負荷モデ、ルおよび、負荷モデ、ルの解析にお いて,各波長のストークスパラメータは原画像 1 (αb jh,α2)λl/).pλiから

E q . ( 2 )

( 3 )

を使用し

て計算し,主応力方向

v

は波長λiの単色光入射 で、はpi刷 =2:rN;.iの近傍で、測定で、きないため,三 波長入射を使用して

E q . ( 6 )

から計算した.なお,

光造形法によって作製されたモデル表面には 凹凸が存在し,光弾性感度はエポキシモデルに 比べ115程度で低い値を示した.

Fig.2および、Fig.3にアンラップした主応力方 向

v

を示す.またFig.4および、Fig.5にはアンラッ プした主応力差ρを示す.その範囲は ‑π/2

"'‑'+π/2である.モデルの凹凸によるノイ ズは位相接続の際に障害となるが,その影響 は荷重モデ、ルで、は右上のみ,無荷重モデ、ルで、

Fig.2 Ij/for the loaded model 

Fig.3 Ij/for the unloaded model 

Fig.4ρfor the loaded model 

ぅ 4

-~

ぅ 4

一 労

π 

ρ 

‑1( 

‑1( 

はモデル上部の両端付近に限定されている.

このノイズは反射率の違いによるもので,反 射率マッチング液に浸液することでこのノイ ズを抑制することができる.

Fig.2‑Fig.5は,位相接続された主応力方 向

v

と主応力差pを求めることができたこ

とを示している.この結果を用いて負荷が加

1 ρn v 

(4)

わったモデ、ルに分布する応力(ax一 σy)とτ xyを求めた.Fig.6に負荷応力(σx σy)を, Fig.7に負荷応力 τxyを示す.単位はそれぞれ kgf/mm2である.

Fig.4の左上部の圧縮応力は右上から荷重 を加えているため,左の固定部との聞に発生 したものである.右下の圧縮応力は,モデル の固定のため加えたものである.またFig.6 の(σxσy)で、は,モデ、ル接続部右の切り欠き 部で引張応力が生じ,左では圧縮応力が生じ ていることがわかる.Fig.7のτxyで、は,モデ ル接続部を中心に強くせん断応力が生じてい る.特に切り欠き部では大きくなっているこ とが見て取れる.荷重モデ、ルにおける 0次の 縞の位置は, Fig.4,  6のモデ、ルの右上(図中 a) ,応力が生じていない部分に存在している

ことが解析結果から明らかになった.

4. 結 言

本研究の結果により以下のことが示された.

1.  光造形法で作製されたモデルは,光弾性 実験法に使用可能である.

2.  光造形法で作製されたモデ、ルの光弾性感 度は,エポキシモデルの 115程度で低い.

モデ、ル表面の凹凸による解析への影響は,

同じ屈折率の溶液に浸液することで抑制 できる.

3.  光弾性縞次数ゼロの位置を推定した.

参 考 文 献

1)  森祐輔,山川昌文,木原利喜;光造形法に より作製した光弾性モデ、ルの応力解析の 研究 実験力学会講演論文集 (2010) 2)  森祐輔,山川昌文,木原利喜;Stress 

Analysis of Photoelastic Model 

Fabricated by Stereolithography  実験 力学 Vo1.11(2011) No.2 pp.132""'136 

‑;r 

一一一一一一一一一一一一一…一一一… ‑;r Fig.5ρfor the unloaded model 

h H  

0.5 

σx 

σy 

Fig.6σx一σy of the stressed model  0.2 

P

‑0.2  0.2 

‑0.2  Fig.7 

r

ofthe stressed model 

‑62‑

参照

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