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導電性高分子の微小結晶内で実現する金属状態を解明 研究活動 | 研究/産学官連携

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Academic year: 2018

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図 3  図 FTS ン さ 高分子薄膜 ESR 信号 ュ ョン 信号分 測定温度: 4 K 磁場 基板 垂直 印 い ESR 信号 異 g 値 共鳴磁場 持 2 成分 分 さ 低磁場側 エ ン配向 高磁場 側 ン配向 領域 生 右図 FTS ン 後 分子配向 模式図 大部分 分子 エ ン配向 保 少数 分子 1% 未満 FTS 分子 作用 分子面 基板 倒 ン配向 図 3  (a)  ESR 信号 得 ン磁化 率 (  ) 温度 ( T ) 依存性 金属状態 ン 磁 化 率 温 度 依 存 い パ ウ

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