(Molecularbeamepitaxy,InAIAs/AIAsSbtypeH quantumwellstructure,Photoluminescence,Current‑
voltagecharacteristics)
■ 過 渡光 電流測 定 に よる光 伝導 性 ポ リマ ー薄膜 の局 在準 位 評
価
(DeterminationofLocalized‑stateDistributionsin PhotoconductivePolymersfrOmTransient PhotocurrentsMeasuredwiththeTime‑of・flight method)
永 瀬 隆,内 藤 裕 義
電 気 学 会 論 文 誌,A118,14451453(1998).
(局 在 準 位 分 布,非 晶 質 半 導 体,Time‑of‑flight過 渡 光 電 流, Tikhonov正 則 化 法,poly(phenylenevinylene),poly
(methylphenylsilane))
■MicroscopicFreeSpacesinPolysilanesFilms MeasuredbyPositronAnnihilation
(ポ ジ ト ロ ン 消 滅 に よ る ポ リ シ ラ ン 薄 膜 中 の 自 由 体 積 の 測 定)
T.Kasai,T.Nakamura,K.Oka,F,Hori,F.Oshima,H.
NaitoandT.Dohmaru
ProceedingsofPan‑PacificImagingConference/Japan Hardcopy'98,156160(1998).
(Freespaces,Polysilanes,Positronannihilation)
圏PolysilaneLEDsEmittingUltravioletLightatRoom Temperature
(室 温 に お け る ポ リ シ ラ ン 紫 外 光LED) Y,Xu,T.Fujino,H.Naito,K.OkaandT.Dohmaru ExtendedAbstractsofthe19981nternational ConferenceonSolidStateDevicesandMaterials'98, 366‑367(1998).
(Polysilane,LED,Ultravioletlight)
■ThermalHyteresisinUVAbsorptioninPoly (methylphenylsilane)
(ポ リ メ チ ル フ ェ ニ ル シ ラ ン の 紫 外 光 吸 収 に お け る 熱 履 歴) T.Nakamura,H.Nakagawa,K.Oka,H,Naito,1.Mogi,
K.WatanabeandT.Dohmaru,
ProceedingsofNIP15:InternationalConferenceon DigitalPrintingTechnologies(1998).
(Poly(methylphenylsilane),UVabsorption,TherInal hyteresis)
■HydrideVapor‑PhaseEpitaxyGrowthofHigh‑
QualityGaNBulkSingleCrystalbyEpitaxial LateralOvergrowth
(選 択 横 方 向 成 長 法 に よ る 高 品 質GaNバ ル ク 単 結 晶 の 気 相 成 長)
T.Shibata,H.Sone,K.Yahashi,M.Yamaguchi,K.
Hiramatsu,N.Sawaki,N.Itoh
JournalofCrystalGrowth,189/190,67‑71(1998).
(GaN,Lateralovergrowth,Bulksinglecrystal,HVPE, XRC)
■StructuralAnalysisofPorousSiliconMultilayer usingX‑RayDiffraction
(X線 回 折 に よ る ポ ー ラ ス シ リ コ ン 多 層 膜 の 構 造 解 析) T.Maehama,C.AfusoandN.Itoh
JapaneseJournalofApPliedPhysics,37(3A),998‑1005 (1998).
(Poroussilicon,Multilayer,X‑raydiffraction,XRC,X‑ray topography)
iGraphogroWthofCarbonNanotubesbyChemical VaporDeposition
(化 学 気 相 堆 積 法 に よ る 炭 素 ナ ノ チ ュ ー ブ の グ ラ フ ォ 成 長) T.Arie,S.AkitaandY.Nakayama
J.SurfaceAnalysis,3,277‑279(1998).
(Graphogrowth,Carbonnanotubes,Chemicalvapor deposition)
■ElectronFieldEmissionfromCarbonNanotube ArrayAlignedbyElectroPhoresis
(電 気 泳 動 に よ り 配 列 し た 炭 素 ナ ノ チ ュ ー プ ア レ イ か ら の 電 子 電 界 放 出)
S.AkitaK.Yamamoto,Y.YamaguchiandY.Nakayama Proc.ofIUMRS‑ICA‑97"SuperCarbon",81‑84(1998).
(Fieldemission,Carbonnanotube,Electrophoresis)
■OrientaionandPurificationofCarbonNanotubes UsingACEIectricField
(AC電 界 を 用 い た 炭 素 ナ ノ チ ュ ー ブ の 配 向 と 純 化) K.Yamamoto,S.AkitaandY.Nakayama
J.Phys.D:App1.Phys.,31,L34‑L36(1998).
(Orientaio鶏Purification,Carbonnanotube,Dielectrophores給)
●GrowthofTungstenCarbideNano‑Needleandlts ApplicationasaScanningTunnellingMicroscope Tip
(炭 化 タ ン グ ス デ ン ナ ノ ニ ー ド ル の 成 長 と 走 査 型 ト ン ネ ル 顕 微 鏡 探 針 へ の 応 用)
T.Arie,S.AkitaandY.Nakayama J.Phys.D:AppLPhys.,31,L49‑L51(1998).
(Tungstencarbide,Nano‑needle,Scanningtunnelling microscope)
■MassSpectroscopyStudyonPyrolysisof Polysilanes
(ポ リ シ ラ ン の 熱 分 解 の マ ス ス ペ ク トル に 関 す る 研 究) L.Pan,M.Zhang,K.OkaR.WestandY.Nakayama
J.PhotopolymerScienceandTechnology,11,133‑138 (1998).
(Polysilane,Pyrolysis,Activationenergy,Thermal decomposition)
■UltravioletElectroluminescentDeviceUtilizing Poly(methylphenylsilane)‑RoleofCarbon NitrideFilmsasBufferLayer
(PMPSを 用 い た 超 紫 外 発 光EL素 子 一 バ ッ フ ァ 層 と す る CN薄 膜 の 役 割)
M.Zhang,A.Ito,M。KumeandY.Nakayama
Proc。ofInt.Pan‑PacificImagingConf.,237・240(1998).
(Electroluminescentdevice,Polysilane,Carbonnitride film)
■ElectrodeDeviCeusingCarbonNanOtubeSfor
Display
(炭 素 ナ ノ チ ュ ー ブ を 用 い た デ ィ ス プ レ イ 用 電 極 デ バ イ ス) Y.NakayamaandS.Akita
Proc.ofInt.Pan・Paci五cImagingConf.,313‑316(1998).
(Carbonnanotube,Flatpaneldisplay,Polysilane,Field emission)
■EffectofBufferLayeronLifetimeof ElectroluminescentDevice
(バ ッ フ ァ 層 の 電 界 発 光 素 子 の 寿 命 へ の 効 果) MZhang,S.Ninomiya,A.ItoandY.Nakayama
Proc.ofthe3rdInt.Con￡onImagingScienceand Hardcopy,67‑70(1998).
(Electroluminescentdevice,Carbonnitridefilm, Polysilane,Lifetime)
■HoleDriftMobilityAlongSiliconChainsin PolysilaneFilms
(ポ リ シ ラ ン に お け る シ リ コ ン 主 鎖 に 沿 っ た 正 孔 移 動 度) Y.Nakayama,A.Saito,S.Ninomiya,S。Akita,M.
AramataandR.West
Proc。3rdInt.Conf.onIrnagingScienceandHardcopy, 47‑50(1998)
(Polysilane,poly(cyclohexlys{lane),poly(n‑di‑
pentylsilane),Holedriftmobility,Timeイ)f‑Flight)
■PhotocunductioninPolysilaneRlm
(ポ リ シ ラ ン の 光 電 導)
Y.Nakayama,A.SaitoandS.Akita Proc.IS&T'sNIP14,494‑497(1998).
(Polysilane,Photoconduction,poly(methylphenylsilane), Fullerene,Photoconduction)
■ReductionofPhotoscissionofσBondsin PolysilanesbyFullereneDoping
(ポ リ シ ラ ン に お け る フ ラ ー レ ン の ド ー プ に よ る σ 結 合 の 開 裂 の 減 少)
S.Ninomiya,Y.AshiharaandY.Nakayama J.Appl.Phys.,8,3652‑3655(1998).
(Polysilane,poly(methylphenylsilane),Fullerene, Photoscission,'‑conjugatedsegment)
■ANewBroadbandBufferCircuitTechniqueand ItsApplicationtoaIO‑Gbit/sDcisionCircuit UsingProduction‑LevelO.5μGaAsMESFETs
(0.5μmレ ベ ル のGaAsMESFETを 用 い た 新 し い 広 帯 域
バ ッ フ ァ 回 路 技 術 と10Gbit/s識 別 回 路 へ の 応 用) M.Miyashita,N.Andoh,K.Yalnamoto,J.Nakagawa,E.
OmuraMAigaandY.Nakayama
IEICETRANS,ELECTRON.,81‑C,1627・1638(1998).
(GaAsMESFET,Buffercircuit,Decisioncircuit,Peaking inductor,Source‑follower)
■ManipulationofCarbonNanotubesusingScanning EleCtrOnMicroscopy
(走 資 型 電 子 顕 微 鏡 を 用 い た 炭 素 ナ ノ チ ュ ー ブ の 操 作)
S.Akita,H.Nishij量maandY.Nakayama Proc。oflstIntSymp.onAtomicScaleProcessingand NovelPropertiesinNanoscopicMaterials,41(1998).
(Carbonnanotube,Sca皿ingElectronMicroscop亨, ScanningProbeMicroscope)
■ASimulationofElectronScatteringinMagnetic Materials
(磁 性 体 中 に お け る 電 子 散 乱 の シ ミ ュ レ ー シ ョ ン) K.Tamura,M.Yasuda,K.MurataandM.Kotera
Jpn.J,AppLPhys.,37,702&7031(1998).
(Spin‑SEM,MonteCarlosimulation,Densityofstates, Exchangescattering)
■ASimulationof日ectronScatteringinMagnetic Materials
(磁 性 体 中 に お け る 電 子 散 乱 の シ ミ ュ レ ー シ ョ ン) K.Tamura,M.KoteraandK.Murata
DigestofPapersMicroprocessesandNanotechnology' 98,271‑272(1998).
(Spin‑SEM,MonteCarlosimulation,Densityofstates, Exchangescattering)
■ 新 型 マ グ ネ ト ロ ン プ ラ ズ マ に よ る レ ジ ス トエ ッ チ ン グ (ResistEtchingwithNewDevelopedMagnetron
Plasmas)
川 田 博 昭,松 永 崇,久 保 隆,村 田 顕 二
真 空,41,311‑314(1998).
(Magnetronplasmas,02plasma,Resistetching)
■PowerMeasurementsforRadio‑Frequency DischargeswithaParajlel‑Plate‑TypeReactor (平 行 平 板 型 高 周 波 放 電 の 電 力 測 定)
H.KawataT.Kubo,M.YasudaandK.Murata J.Electrochem.Soc.,145,1701‑1708(1998).
(Radio‑Frequencydischarges,Parallel‑plate‑type reactor,Impedancemeasurements,Poweref且ciency)
■PlasmaMeasurementswithTripleandSingle ProbesinanAsymmetricalParallelPlateRF PIasmaReactor
(非 対 称 平 行 平 板 型 高 周 波 プ ラ ズ マ 反 応 器 に お け る ト リ プ ル お よ び シ ン グ ル プ ロ ー ブ に よ る プ ラ ズ マ 計 測)
T.Kubo,H.KawataandK.Murata Rev.Sci.Instrum.,69,2681・2684(1998).
(RFplasma,Asymmetricalparallelplatereactor,Ar plasma,Singleprobe,Tripleprobe)
■jnsituMeasurementsofResistEtchRatewith SubmicronPattern
(サ ブ ミ ク ロ ン パ タ ー ン を 持 つ レ ジ ス トエ ッ チ ン グ 速 度 の そ の 場 測 定)
H,Kawata,H.Fukuda,T.Matsunaga,M.YasudaandK.
Murata
ExtendedAbstractsofthe4thInternationalConference onReactivePlasmasandthe16thSymposiumon
PlasmaProcessing,245‑246(1998).
(02plasmaReslstetching,Submicronpattern,Etching monitor)
■SpinDependentLuminescenceofGaAsThin layersunderTensileStrainandCompressive StrainlnducedbylnterfaceStress
(界 面 応 力 に よ り 誘 起 さ れ た 引 っ 張 り 歪 み と 圧 縮 歪 み を う け た ガ リ ウ ム 砒 素 薄 膜 の ス ピ ン 依 存 性 発 光)
W,Zhen,H.Horinaka,K.Wada,T.Nakanishi,S.Okumi, T。SakaandT.Kato
Jpn.J.App正,Phys.,37,854‑857(1998).
(StrainedGaAs,Luminescencepolarization,Spin polarizedelectron,Circularlypolarizedlight)
■SurfaceChargeLimitinNEASuperlattice PhotocathodsOfPolarizedElectronSource
(偏 極 電 子 源 のNEA超 格 子 光 電 陰 極 に お け る 表 面 電 荷 制 限) K.Togawa,T.Nakanishi,T.Baba,F.Furuta,H.
Horinaka,T.Ida,Y.Kurihara,H.Matsumoto,T.
Matsuyama,M。Mizuta,S.Okumi,T.Omori,C.Suzuki, Y.Takeuchi,K、WadaK.Wada,M.Yoshioka NuclearInstrumentsandMethodsinPhysicsResearch A414,431‑445(1998).
(Surfacechargelimit,NEAsuperlatticephotocathods, Polarizedelectronsource)
層DisappearanceofChaosonaO.8μmAIGaAs Fabry‑PerotSemiconductorLaserModulated neartheRelaxationOscillationFrequency
(緩 和 振 動 周 波 数 近 傍 で 変 調 さ れ たO.8ミ ク ロ ン フ ァ ブ リ ー ペ ロ ー 型 半 導 体 レ ー ザ ー に お け る カ オ ス の 消 滅)
K.Wada,H.Marui,H.Horinaka,Y。Cho OpしCommun.,155,301‑306(1998).
(Chaos,Semiconductorlaser,Fabry‑Perot,Gain switching,Relaxaionoscillationfrequency)
■ 新 し い ス ピ ン 偏 極 電 子 線 源 と そ の 応 用 (NewSpinPolarizedElectronSourceandlts Application)
坂 貴,加 藤 俊 宏,中 西 彊,奥 見 正 治,堀 中 博 道
ま て り あ,37,694696(1998).
(Spinpolarizedelectron,Electronprobe,Photocathod, StrainedGaAs,Negativeelectronaf丘nity)
o/o
4.国 際 会 議 発 表
,.一 ♪.一タ.,。̲ρ.ノ.,.ノ ・ノ 。ノ ・̲ノ・一ρ・ノ 。一 ρ 。ノ ・一ρ。ノ ・̲♂・'・'・'・ 一ノ・一'。'・'・‑9。'.一 ρ5"一 ク●一"■ ㌧'● 」.一"一■3rdInternationalSymposiumofAdvancedPhysical Fields(APF‑3)FabricationofNanostructures (Tsukuba,Japan,February,1998)
T.Arie,S.Akita,andY.Nakayama
GraphogrowthofCarbonNanotubesbyChemicalVapor Deposition.
■The1998MarchMeetingoftheAmericanPhysical Society(LosAngeles,Ca踊fornia,USA,March16‑
20,1998)
T.Ishida,K.Okuda,A。1.Rykov,S.Tajima,1.Terasaki ThreeDimesionalityofVortexLatticeMeltingand WeaklyPinnedLiqu重dinUntwinnedYBa2Cu307Single Crystals.
■The3rdlnternaionalConferenceonlmaging ScienceandHardcopy(Chongqing,China,May, 1998)
M.Zhang,S.Ninomiya,A.Ito,andY.Nakayama EffectofBu[fferLayeronLifetimeofElectroluminescent
Device.
Y.Nakayama,A.Saito,S.Ninomiya,S.Akita,M, Aramata,andR.West
HoleDriftMobi正ityAlongSiliconChainsinPolysilane Fnms.
■lnternationalWorkshoponVortexDynamicsin HTSC(lwate,Japan,June,1998)
T,Ishida,K.Okuda,A.1.Rykov,S.Tajima Anisotropicvortexlatticemeltingoftheuntwinned YBa2Cu307.6crystals.
■The15thConferenceofPhotopolymerScience andTechnologywithlnternationalSymposiumon Materials&ProcessesforGiga‑bitLithography
1998(Chiba,Japan,June,1998)
L.Pan,M,Zhang,K.Oka,R.WestandY.Nakayama MassSpectroscopyStudyonPyrolysisofPo}ysilanes、
釧ntemationalConferenceonScienceandTechnology ofSyntheticMetals(Montpellier,France,July, 1998)
H.Uozaki,S.Kawamata,K.Okuda,K.Ueda,T.
Sugimoto,N.Toyota
Magnetictorquemeasurementsonsuperconductingλ ・
(BETS)2GaC14
■Pan‑PacificlmagingConference/JapanHradcopy '98(Tokyo
,Japan,July,1998) T.Kasai,T.Nakamura,K.Oka,F.Hori,F.Oshima,H.
Naito,andT.Dohmaru
Microscopicfreespacesinpolysilanesfilmsmeasured
bypositronannihilation.
M.Zhang,A。Ito,M.Kume,andY.Nakayama
UltravioletElectrolurninescentDeviceUtil孟zingPoly (methylphenylsilane)‑Roleofcarbonnltridefilmsas bufferlayer.
Y.NakayamaandS.Akita
ElectrodeDeviceusingCarbonNanotubesf6rDisplay.
■17thlnternationalLiquidCrystalConference (Strasbourg,France,July,1998)
K.Ochi,H.NaitoandA.Sugimura
Observationoflightscatteringinducedbyionic conductioninnematicliquidcrystalcells.
A.Nabeshima,M.Todorokihara,H.Nalto,Z.Ou‑Yang Polygonaldef6rmationofsmectic‑Adomainsinisotropic phaseinducedbyelectric圃 丘eldapplication.
MTodorokihara,H.NaitoandZ.Ou・Yang Patternformationsofsmectic‑Adomainsgrownfroman isotropicphaseinCanowedges.
H.Naito,M.TodorokiharaandZ.Ou‑Yang
Shapeequationsfbrone‑dimensionalmembranes:their applicationtothestudyofsmectic‑Afilamentsin isotropicphase.
■19981nternationalMicroprocessesand NanotechnologyConference(Kyungju,Korea,July,
1998)
KTamura,M,KoteraandK.Murata
ASimulationofElectronScatteringinMagnetic Materials.
■10thlnternationalSchoolofCondensedMatter Physics(Varna,Bulgaria,September,1998)
H.Naito,T.DohmaruandS.Satoh
Visiblephotoluminescenceandelectron童ctransportin organicpolysilanescontaininganthraceneunits.
(INVITED)
■19981nternationalConferenceonSolidStateDevices andMaterials'98(Hiroshima,Japan,September, 1998)
Y,Xu,T.Fujino,H.Na三to,K.OkaandT.Dohmaru PolysilaneLEDsemittingultraviolethghtatroom temperature.
■IS&T'sNIP14:lnternatioRalConferenceonDigital PrintingTechnoligies(Toronto,Ontario,Canada, October,1998)
Y.Nakayam&A.SaitoandS.Akita PhotocunductioninPolysilaneFi㎞.
■The51stAnnualGaseousElectroniCsConferenCe andthe4thlnternationalConferenceonReactive Plasmas(Hawaii,USA,October,1998)
H.Kawata,H,Fukuda,T。Matsunaga,M.YasudaandK.
Murata
InsituMeasurementsofResistEtchRatewith SubmicronPattern.
■ThellthlnternationalSymposiumon SuperconductMty(Fukuoka,Japan,November,
1998)
TJshida,K.Kitamura,K.Okuda,AI.Rykov,S.Tajima AnisotropyofUndopedYBa2Cu306sSingleCryst謡.
T.Ishida,K.Inoue,K.Okuda,Z.Hiroi,M.Izumi,1.
Chong,M.Takano
AnisotropyofBii5Pb。.7SrisCaCu208.6SingleCrystaL
T.Ishida,K.Kitamura,K.Okuda,H.Asaoka,A.1.
Rykov,S.Tajima
RoleofIntrinsicPinningforMeltingTransitionof YBa2Cu306.g3intheParallelFieldtoCuO2Layers,
■IS&T'sNIP15:lnternationalConferenceonDigital PrintingTechnologies(USA,November,1998)
T.Nakamura,H.Nakagawa,K.Oka,H.Naito,1.Mogi, K.WatanabeandT.Dohmaru
ThermalhyteresisinUVabsorptioninpoly (methylphenylsilane).
■1stlnternationalSymposiumonAtomicScale ProcessingandNovelPropertiesinNanoscopic Materials(Osaka,Japan,November,1998)
S.Akita,H.NishijimaandY.Nakayama ManipulationofCarbonNanotubesusingScanning ElectronMicroscopy.
■MaterialResearchSocietyFallMeeting(Boston ,
USA,November‑December,1998)
S.Mimura,H.Naito,T.Dohmaru,M.Aramata,andY.
Kanemitsu
Photoelectricpropertiesoforganicpolysilanecontaining carbazoil‑propanesidegroups.
'・ 一…5
.学 術 講 演 発 表'・ 一・ ・‑t・‑i‑一 一 ・一 ・一一一 ・一 ・一一p・一 ・一 ・一 ・一一i・一 ・一 ・一… 一 ・一・ ・一一.‑i.‑t・ 一・ ・一一 ・一… 一一一 ・一 ・一一 ・‑t.‑t‑‑t・ 一 ・一 ・一一.一 一 ・
■ 第7回 有 機 ポ リ シ ラ ン ・フ ォ ー ラ ム 講 演 会(1月,埼 玉) 三 村 晋 也,内 藤 裕 義,佐 藤 伸
分 岐 を含 む 有 機 ポ リ シ ラ ン に お け る 光 電 特 性(H) 講 演 予 稿 集,7,22.
■ 第15回 プ ラ ズ マ プ ロ セ シ ン グ 研 究 会(1月,浜 松) 宮 崎 努,張 梅,中 山 喜 萬
RFプ ラ ズ マCVDに よ るCNx膜 の 合 成 プ ロ シー デ ィ ン グ ス,100‑103.
久 保 隆,川 田 博 昭,村 田 顕 二 EffectsofCathodeMaterialsonParametersof
AsymmetricalPlanarTypeRFPIasmas(陰 極 材 料 の 及 ぼ す 非 対 称 平 行 平 板 型RFプ ラズ マ パ ラ メ ー タへ の 影 響) プ ロ シー デ ィ ン グ ス,326‑329.
■大 学 院 高 度 化 推 進(文 部 省)招 膀(2鳳 岐 阜) 内 藤 裕 義
ス メ ク テ ィ ッ ク液 晶 の パ タ ー ン形 成:高 次 構 造 の 解 明 を め ざ して
凹 文 部 省 科 学 研 究 費 補 助 金 重 点 領 域 研 究 「ス ピ ン 制 御 に よ る 半 導 体 超 構 造 の 新 展 開 」 「ス ピ ン 制 御 半 導 体 」 平 成9年 成 果 報 告 研 究 会(2月,大 阪)
中 西 彊,渡 川 和 晃,堀 中博 道,馬 場 寿 央
超 格 子 フ ォ トカ ソ ー ド を 用 い た 高 密 度 ・ナ ノ秒 マ ル チ バ ンチ ・偏 極 電 子 ビー ム の 生 成
平 成9年 度 研 究 成 果 報 告 書,181‑188.
■ 日 本 物 理 学 会 第53回 年 会(3〜4月 ,千 葉)
野 口 悟,奥 田 喜 一,左 近 拓 男,野 尻 浩 之,本 河 光 博 二 次 元 サ イ トラ ン ダ ム ス ピ ン系R、。Fe、Si、、(R=Er,Gd)の 磁 性
講 演 概 要 集,3,443.
井 上 和 朗,野 口 悟,奥 田 喜 一,芳 賀 芳 範,山 本 悦 嗣,大 貫 惇 睦
U、2Fe、Sig.・の ス ピ ン グ ラ ス 転 移 の 異 常 な 静 磁 場 効 果 講 演 概 要 集,3,458.
石 田 武 和,奥 田 喜 一,朝 岡 秀 人,A,LRykov,田 島 節 子, 寺 崎 一 郎
YBa・Cu,O・ の 異 方 的 磁 束 格 子 融 解 講 演 概 要 集,3,524.
北 村 健 太 郎,石 田 武 和,奥 田喜 一,A.1.Rykov,田 島 節 子,寺 崎 一 郎
YBa2Cu,07引 き上 げ 単 結 晶 の 磁 気 トル クn 講 演 概 要 集,3,633.
川 又 修 一,井 上 和 朗,奥 田 喜 一,菊 地 昌 枝,庄 野 安 彦, 毛 塚 博 史
YBCO衝 撃 圧 縮 試 料 の 磁 気 トル ク
講 演 概 要 集,3,627.
轟 原 正 義,内 藤 裕 義,欧 陽 鐘 燦
電 界 印 加 に と も な う 等 方 相 か ら成 長 した ス メ ク テ ィ ッ ク A相 の 形 態 変 化H
講 演 概 要 集,31pYC4.
■第45回 応 用 物 理 学 関 連 連 合 講 演 会(3月,東 京) 山 本 信 行,菊 野 泰 宏,堀 川 修 一,脇 田 和 樹,
In溶 媒 お よ びBN保 護 管 を 用 い たCuAISe2のTHM成 長(2) 講 演 予 稿 集,3,135&
永 瀬 隆,内 藤 裕 義
a‑As、Se3の 自 由 キ ャ リ ア寿 命 に お け る光 照 射 効 果 講 演 予 稿 集,2,928.
越 智 和 宏,内 藤 裕 義,杉 村 明 彦
ネ マ テ ィ ッ ク 液 晶 に お け る イ オ ン伝 導 に と も な う 光 散 乱 の 観 察
講 演 予 稿 集,3,1209.
岸 本 康 平,小 川 喜 之,永 瀬 隆,内 藤 裕 義
フ タ ロ シ ァ ニ ン 薄 膜 の 指 数 関 数 型 局 在 準 位 に つ い て(2) 講 演 予 稿 集,3,1240.
徐 永 華,藤 野 隆 弘,内 藤 裕 義,岡 邦 雄,堂 丸 隆 祥 ポ リ メ チ ル フ ェ ニ ル シ ラ ンLEDに お け る正 孔 輸 送 機 構 講 演 予 稿 集,3,1229.
中 村 知 己,葛 西 正,岡 邦 雄,内 藤 裕 義,堂 丸 隆 祥 ポ リ シ ラ ンの 紫 外 吸 収 特 性 の 熱 的 挙 動
講 演 予 稿 集,3,1267.
伊 藤 進 夫,二 宮 秀 之,前 濱 剛 廣,石 川 光 貴 X線 全 反 射 法 に よ る ポ ー ラ ス ・シ リ コ ン の 評 価(2) 講 演 予 稿 集,2,745.
前 濱 剛 廣,與 那 嶺 淳,石 川 光 貴,曽 根 川 富 博,比 嘉 勝 也, 伊 藤 進 夫,浅 野 種 正
x線2結 晶 法 とFESEMに よ る多 層 ポ ー ラ スSiの 構 造 評 価 講 演 予 稿 集,2,746.
二 宮 秀 之,大 西 満 輝,伊 藤 進 夫,佐 藤 井 一,野 崎 真 次, 森 崎 弘
Ge超 微 粒 子 薄 膜 のX線 回 折 と全 反 射 法 に よ る 評 価(2) 講 演 予 稿 集,3,1378.
播 路 軍,張 梅,中 山 喜 萬
ポ リ シ ラ ン の 粉 末,薄 膜 及 び 光 酸 化 膜 の 熱 分 解 過 程 講 演 予 稿 集,3,1265.
中 山 喜 萬,二 宮 伸 介
ポ リ シ ラ ン薄 膜 に お け るPL減 衰 の 温 度 特 性
講 演 予 稿 集,3,1266,
川 田 博 昭,福 田 浩 昌,久 保 隆,村 田 顕 二
微 細 誘 電 体 パ ター ン エ ッ チ ン グ に お け る エ ッチ ン グ 深 さ モ ニ ター
講 演 予 稿 集,2,705.
■ 電 子 情 報 通 信 学 会 「有 機 エ レ ク トロ=ク ス 研 究 会 」(5月, 東 京)
三 村 晋 也,内 藤 裕 義
正 孔 輸 送 能 を 有 す る側 鎖 基 を持 つ ポ リ シ ラ ン の 光 電 特 性 信 学 技 報,98,38,0ME98‑8.
凹 ニ ュー フ ロ ン テ ィ ア 材 料 研 究 会 第126回 誇演会(5月,大 阪) 中 山 喜 萬
炭 素 ナ ノ チ ュ ー ブ の ハ ン ドリ ン グ と電 子 エ ミ ッ タ ー へ の 応 用
■ 文 部 省 科 学 研 究 費 補 助 金 重 点 領 域 研 究 「ス ピ ン制 御 に よ る 半 導 体 超 構 造 の 新 展 開 」 「ス ピ ン 制 御 半 導 体 」 平 成10年 度 第1回 研 究 会(6月,静 岡)
堀 中 博 道,和 田 健 司,松 山 哲 也,中 西 彊,渡 川 和 晃, 馬 場 寿 夫
超 格 子 構 造 中 の 偏 極 電 子 に よ る ピ コ 秒 ・フ ォ トル ミ ネ セ ンス の 観 測
予 稿 集,29‑30.
中 西 彊,奥 見 正 治,渡 川 和 晃,堀 中 博 道,馬 場 寿 夫,K.
AulenbachertE.Reichert,J.Schuler
超 格 子 構 造 か ら引 き 出 し た ピ コ秒 偏 極 電 子 ビー ム の 偏 極 度 測 定 計 画
予 稿 集,55‑56,
■ 日本 物 理 学 会 秋 の 分 科 会(9月,沖 縄)
野 口悟,奥 田喜 一,芳 賀 芳 範,山 本 悦 嗣,大 貫 惇 睦 U12Fe、Sigアの 非 フ ェ ル ミ流 体 性
講 演 概 要 集,3,511.
野 口 悟,松 下 寿 雄,奥 田 喜 一 CeSiの ス ピ ン揺 動 効 果
講 演 概 要 集,3,564,
奥 田 喜 一,川 又 修 一,野 尻 浩 之,本 河 光 博,有 本 英 生, 三 浦 登
LaCoO3の 強 磁 場ESR 講 演 概 要 集,3,586.
野 尻 浩 之,本 河 光 博,川 又 修 一,奥 田 喜 一 Cd(Fe)P&の サ ブ ミ リ波ESR
講 演 概 要 集,3,589.
石 田 武 和,井 上 和 朗,奥 田 喜 一,広 井 善 二,和 泉 真, 鄭 益 秀,高 野 幹 夫
Pb置 換Bi2212単 結 晶 の 超 伝 導 異 方 性 講 演 概 要 集,3,626.
石 田 武 和,奥 田 喜 一,朝 岡 秀 人,A.1.Rykov,田 島 節 子,寺 崎 一 郎
YBa、Cu、0,の 異 方 的 磁 束 格 子 融 解H 講 演 概 要 集3,635。
川 又 修 一,奥 田 喜 一,遠 藤 聡,豊 田 直 樹 α 一(BEDT‑TTF)2NH4Hg(SCN)4のESR
講 演 概 要 集,2,308.
轟 原 正 義,内 藤 裕 義
く さ び 型 セ ル 中 の ス メ ク テ ィ ッ クA相 の パ タ ー ン 形 成 と 電 界 印 加 効 果
講 演 概 要 集,25pR4.
■ 電 子 情 報 通 信 学 会 「有 機 エ レ ク トロ ニ ク ス 研 究 会 」(9月, 兵 庫)
小 川 喜 之,内 藤 裕 義
ラ プ ラ ス 変 換 法 を用 い た 局 在 準 位 測 定 の 高 分 解 能 化 信 学 技 報98,267,0ME98‑60.
■ 第9回 有 機 ポ リ シ ラ ン ・フ ォー ラ ム(9月,大 阪) 大 澤 芳 和,三 村 晋 也,内 藤 裕 義
ジ フ ェ ノ キ ノ ン添 加 有 機 ポ リ シ ラ ン の 光 電 物 性 講 演 予 稿 集,11‑13.
齋 藤 哲,藤 井 達 雄,秋 田 成 司,中 山 喜 萬 ポ リ シ ラ ン の 光 導 電 特 性
講 演 予 稿 集,7‑10.
■ 第59回 応 用 物 理 学 会 学 術 講 演 会(9月,広 島) 沈 用 球,木 村 浩 晶,山 本 信 行
逆 分 光 器 の 構 成 とそ のCuAISe、 の ラ マ ン 散 乱 へ の 応 用 講 演 予 稿 集,3,1219.
須 崎 昌 已,脇 田和 樹,山 本 信 行 CuGaS、 の 励 起 子 ポ ラ リ ト ン発 光
講i演予 稿 集,3,1220.
三 村 晋 也,内 藤 裕 義,堂 丸 隆 祥,金 光 義 彦,荒 又 幹 夫 カ ル バ ゾ イ ル 基 を 側 鎖 に 持 つ 有 機 ポ リ シ ラ ン の 光 電 特 性 講 演 予 稿 集,3,1098.
松 末 哲 征,宮 本 誉,三 村 晋 也,内 藤 裕 義,竹 嶋 基 浩, 川 上 春 雄
ビ ス ス チ リ ル ベ ン ゼ ン分 子 分 散 ポ リ マ ー の 過 渡 電 荷 輸 送 と発 光 特 性
講 演 予 稿 集,3,109L
越 智 和 宏,内 藤 裕 義,杉 村 明 彦
ネ マ テ ィ ッ ク 液 晶 に お け る イ オ ン伝 導 に と も な う 過 渡 回 折 光 の 観 察
講 演 予 稿 集,3,1125.
徐 永 華,藤 野 隆 弘,内 藤 裕 義,岡 邦 雄,堂 丸 隆 祥 有 機 ポ リ シ ラ ンLEDに お け るSiOxバ ッ フ ァ 層 の 導 入 効 果 講 演 予 稿 集,3,1085.
大 西 満 輝,二 宮 秀 之,伊 藤 進 夫,與 那 嶺 淳,前 濱 剛 廣 X線 全 反 射 法 に よ る2層 構 造 を もつ ポ ー ラ ス シ リ コ ンの 評 価
講 演 予 稿 集,2,668.
稲 葉 宏 和,片 山 貴 寛,濱 田 英 希,内 藤 裕 義,井 上 直 久 界 面 に 周 期 的 な 凹 凸 を 持 つ 二 重 障 壁 構 造 に お け る 共 鳴 ト
ン ネ ル 効 果(皿) 講 演 予 稿 集,3,1150.
飯 田 美 和,張 梅,中 山 喜 萬
大 気 圧 誘 電 体 バ リア 放 電 に よ る フ ロ ン ガ ス の 分 解 講 演 予 稿 集,1,400。
張 梅,久 米 雅 人,中 山 喜 萬
CNx薄 膜 か らの エ レ ク トロ ル ミネ ッセ ン ス 講 演 予 稿 集,2,473.
久 米 雅 人,宮 崎 努,張 梅,中 山 喜 萬
高 周 波CH、/N、 プ ラ ズ マ に お け る カ ー ボ ンナ イ トラ イ ド膜 の 成 長
講 演 予 稿 集,2,499.
伊 藤 歩,張 梅,中 山 喜 萬
ロ ー ダ ミ ン を添 加 し た ポ リ シ ラ ンの エ レ ク ト ロ ル ミネ ッ セ ンス
講 演 予 稿 集,3,1087.
藤 井 達 雄,播 路 軍,中 山 喜 萬 ポ リ シ ラ ン の バ ン ド裾 状 態 講 演 予 稿 集,3,1099.
稲 木 洋 行,中 山 喜 萬
ポ リ シ ラ ン 薄 膜 の プ レ フ ォ トブ リ ー チ ン グ に お け る 活 性 化 エ ネ ル ギ ー
講 演 予 稿 集,3,1100.
播 路 軍,張 梅,岡 邦 雄,R.West,中 山喜 萬 側 鎖 基 の 異 な る ポ リ シ ラ ン の 熱 分 解 過 程
講 演 予 稿 集,3,1100.
齋 藤 哲,秋 田 成 司,中 山 喜 萬 ポ リ シ ラ ン に お け る 光 伝 導 の 分 光 特 性 講 演 予 稿 集,3,1100。
秋 田 成 司,村 山 勝 利,中 山 喜 萬
カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ を用 い た 平 面 型 電 界 放 出 源 講 演 予 稿 集,3,ユ104.
安 田 雅 昭,宇 根 岳 史,川 田博 昭,村 田 顕 二 GaAl/Al、Ga、‑xAs超 格 子 か らの 反 射 電 子 信 号 の 解 析 講 演 予 稿 集,2,581.
倉 橋 直也,和 田健 司,堀 中博 道,張 吉夫
発 光 ダイ オ ー ドの 二 光子 吸 収 を利 用 した ピコ秒 光パ ルス の高 速掃 引 自己相 関測 定
講 演 予 稿 集,3,95&
松 山 哲 也,向 井 将 泰,堀 中 博 道,和 田 健 司,中 西 彊, 奥 見 正 治,渡 川 和 晃,馬 場 寿 夫
InGaAs‑AIGaAs歪 み 超 格 子 を 用 い た ス ピ ン 偏 極 電 子 源 の 時 間 分 解 フ ォ トル ミ ネ セ ン ス に よ る 評 価
講 演 予 稿 集,3,1223.
■OpticsJapan'98(日 本 光 学 会)(9月,岡 山) 沈 用 球,山 本 信 行,木 村 浩 晶
逆 分 光 器 の構 成 と そ の 特 性 講 演 予 稿 集,111‑112.
岡 田 洋,堀 中 博 道,和 田 健 司,張 吉 夫,松 中 敏 行, 細 美 昌 平
超 音 波 ラ ベ リ ン グ に よ る 散 乱 媒 質 に お け る 光 情 報 収 集 講 演 予 稿 集265‑266.
里 村 泰 光,和 田 健 司,堀 中 博 道,張 吉 夫,梅 田徳 男 和 周 波 混 合 お よ び 光 子 計 測 法 を 用 い た 散 乱 媒 質 透 過 光 か
らの コ ヒ ー レ ン ト光 成 分 の 抽 出 講 演 予 稿 集,271‑272.
圏 電 気 学 会 誘 電 ・絶 縁 材 料 研 究 会(10月,東 京) 越 智 和 宏,内 藤 裕 義
ネ マ テ ィ ッ ク 液 晶 に お け る イ オ ン伝 導 に と も な う 過 渡 光 回 折
電 気 学 会 研 究 会 資 料,DEI‑98‑63.
■1998年 日 本 液 晶 学 会 討 論 会(10月,大 阪) 鍋 嶋 厚 志,轟 原 正 義,内 藤 裕 義,欧 陽 鐘 燦
電 界 印 加 に と も な う等 方 相 中 の ス メ ク テ ィ ッ クA相 の 形 態 変 化
講 演 予 稿 集,1‑4a.
轟 原 正 義,内 藤 裕 義,欧 陽 鐘 燦 ス メ ク テ ィ ッ クA相 の パ タ ー ン形 成 講 演 予 稿 集,3C14.
セ ル厚依 存性
■平成10年 電気 関係 学 会 関西 支部 連合 大会(11月 ,大 阪) 内藤裕義
有 機ポ リシラ ンに おけ る電 子 ・正孔 輸 送 講 演論 文集,S4‑2.
小 川喜 之,内 藤裕 義
ラプ ラス変換 法 を用 い た局在 準 位測 定 の高 分解 能化 講 演論 文集,G9‑3.
大 澤 芳 和,三 村 晋 也,内 藤 裕 義
ジ フ ェ ノ キ ノ ン添 加 有 機 ポ リ シ ラ ンの 光 電 物 性 講 演 論 文 集,G9‑1.