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20±2  最高使用温度±3

ドキュメント内 チップ積層セラミックコンデンサ (ページ 54-57)

20±2  最低使用温度±3 

20±2  最高使用温度±3

電圧印加 (Vdc) 印加なし 

*  R7、R6、C8、F5     ( 特性:25±2℃ )  

定格電圧の50%の  直流電圧印加 

 B3、R7、R6、C8、F5     ( 特性は除きます。 )

1  2  3  4  5  6  7  8

形状  a

0.2  0.3  0.4  1.0  1.2  2.2  2.2  3.5  4.5

b 寸法(mm) 

0.56  0.9  1.5  3.0  4.0  5.0  5.0  7.0  8.0

c 0.23 

0.3  0.5  1.2  1.65  2.0  2.9  3.7  5.6

GRM02

GRM03 GRM15 GRM18 GRM21 GRM31 GRM32 GRM43 GRM55

8.11.2項によります。 

試料を図1の試験基板にはんだ付けします。 

加圧力:10N ただし、   GRM02タイプ:1N 

  GRM03タイプ:2N 

  GRM15/18タイプ:5N,  保持時間:10±1秒 

•試験用基板例 

材質:JIS C 6484 

プリント配線板用銅張積層板(ガラス布基材エポキシ樹脂) 

厚さ:1.6mm ただし、GRM02/03/15は0.8mm  銅はく厚さ:0.035mm

図1 10 固着性  端子電極のはく離およびその他の異常はありません。 

7.12項によります。 

各段階での測定は、規定温度に達した後5分値とします。 

ただし、電圧印加の場合は、温度安定後に電圧印加し印加後1 分値とします。 

(1)温度補償用 

試験条件:表12によります。 

段階2の温度:−55±3℃(−25±3℃…∆C以外) 

段階4の温度:+125±3℃(+85±3℃…

C以外) 

(2)高誘電率系  試験条件 

段階2.6の温度: 

 R1, R7, R6, C8:−55±3℃、B1, B3, F1:−25±3℃、F5:−30±3℃ 

段階4.8の温度: 

 R1, R7:+125±3℃、B1, B3, R6, F1, F5:+85±3℃、C8:+105±3℃ 

初期値測定:熱処理 (150+0/−10℃、1時間) 後、 

      室温に24±2時間放置後測定。 

9 静電容量  温度特性 

電圧  印加なし 

静電容量温度係数の公称値は 表Aによります。但し、20℃

以下の静電容量変化率は表Aに 規定の範囲内にあります。 

静電容量のずれ(1) 

±0.2%、±0.05pFのいずれ か大きい値以内 

注(1) 1X/25Vは除きます。 

B1、B3:±10%以内        (−25℃〜+85℃) 

R1, R7:±15%以内        (−55℃〜+125℃) 

R6:±15%以内       (−55℃〜+85℃) 

C8:±22%以内       (−55℃〜+105℃) 

F1:+30/−80%以内       (−25℃〜+85℃) 

F5:+22/−82%以内       (−30℃〜+85℃) 

電圧  印加時 

B1:+10/−30% 

R1:+15/−40% 

F1:+30/−95% 

No. 規格値  試験条件(JIS C 5102-1994)摘要 

温度補償用  高誘電率系 

項目 

a

b

c

焼付電極または銅はく  ソルダレジスト 

ガラスエポキシ基板 

GRMシリーズ 性能・試験方法 (1) (注1)代表仕様を掲載しています  GRMシリーズ 性能・試験方法(1) (注1)代表仕様を掲載しています 

1

(注1)この性能・試験方法は、代表的な仕様を記載しています。詳細は個別の仕様書(納入仕様書または承認図)をご確認ください。 

品番表に"*"のない品番は、GRMシリーズ性能・試験方法(1)をご参照ください。 

品番表に"*"のある品番は、GRMシリーズ性能・試験方法(2)をご参照ください。 

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次ページに続く  8.13項によります。 

試験条件:はんだ槽法、方法1 

はんだ種類:Sn-3.0Ag-0.5Cu(無鉛はんだ) 、  またはH60A/H63A(共晶はんだ) 

はんだ温度:245±5℃(Sn-3.0Ag-0.5Cu) 

230±5℃(H60A/H63A) 

浸せき時間:2±0.5秒 

浸せき位置:端子電極が隠れるところまで。 

13 はんだ付け性  端子電極の3/4以上に切れ目なくはんだが付着しています。 

8.11.1項によります。 

試験方法:取付状態は図2によります。試験状態は図3によりま す。試験用基板は図4によります。 

取付方法:リフローはんだ付け  たわみ量:1mm 

保持時間:5±1秒 

•試験用基板 

材質:JIS C 6484 

プリント配線板用銅張積層板(ガラス布基材エポキシ樹脂) 

厚さ:1.6mm ただし、GRM02/03/15は0.8mm  銅はく厚さ:0.035mm 

図の斜線部分:ソルダレジスト(はんだ耐熱性樹脂を塗布) 

図4 12 耐基板曲げ性 

外観  著しい異常はありません。 

静電容量 変化率 

±5%、±0.5pF 

いずれか大きい値以内  ±10%以内 

•取付状態 

図2

•試験状態 

図3

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40

ランド  φ4.5

(単位:mm) コンデンサ 

支持台  (in mm)

45 45

容量計 

たわみ量  (in mm) 20 50

R230

加 圧

 

加圧速度  1.0mm/秒 

形状  a

0.2  0.3  0.4  1.0  1.2  2.2  2.2  3.5  4.5

b 寸法(mm) 

0.56  0.9  1.5  3.0  4.0  5.0  5.0  7.0  8.0

c 0.23 

0.3  0.5  1.2  1.65  2.0  2.9  3.7  5.6

GRM02

GRM03 GRM15 GRM18 GRM21 GRM31 GRM32 GRM43 GRM55

GRMシリーズ 性能・試験方法 (1) (注1)代表仕様を掲載しています 

8.2項によります。 

試料を図1の試験基板にはんだ付けします。 

振動の種類:A 10〜55〜10Hz(1分間) 

全振幅:1.5mm 

互いに垂直なる3方向に2時間ずつ(計6時間)行います。 

11 耐振性 

外観  著しい異常はありません。 

静電容量  規定の許容差内にあります。 

Qおよび  誘電正接 

30pF以上:Q≧1000  30pF未満:Q≧400+20C  C:公称静電容量(pF) 

【B1、B3、R1、R6、R7、C8特性】 

定格電圧100V 

  :0.025以下 (C<0.068μF)    :0.05以下 (C≧0.068μF)  定格電圧50V/35V/25V    :0.025以下* 

*GRM32D R7/B3/C8 1E106のみ:0.035以下  定格電圧16V/10V:0.035以下  定格電圧6.3V以下 

  :0.05以下 (C<3.3μF)    :0.1以下 (C≧3.3μF) 

【F1、F5特性】 

定格電圧25V以上 

  :0.05以下 (C<0.10μF)    :0.09以下 (C≧0.10μF)  定格電圧16V/10V:0.125以下  定格電圧6.3V以下:0.15以下 

No. 規格値  試験条件(JIS C 5102-1994)摘要 

温度補償用  高誘電率系 

項目 

GRMシリーズ 性能・試験方法(1) (注1)代表仕様を掲載しています  1

(注1)この性能・試験方法は、代表的な仕様を記載しています。詳細は個別の仕様書(納入仕様書または承認図)をご確認ください。 

品番表に"*"のない品番は、GRMシリーズ性能・試験方法(1)をご参照ください。 

品番表に"*"のある品番は、GRMシリーズ性能・試験方法(2)をご参照ください。 

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段階 

最低使用温度 +0/−3  常温  最高使用温度 +3/−0 

常温 

時間 (分) 30±3 

2〜3  30±3 

2〜3 1 

2  3  4

9.5項によります。 

試験温度:40±2℃ 

試験湿度:90〜95%RH  試験時間:500±12時間  放置時間:24±2時間 

ただし、槽より取り出した直後の定格電圧の印加は 適用しません。 

16 耐湿性 

外観  著しい異常はありません。 

静電容量  変化率 

±5%、±0.5pF  いずれか大きい値以内 

B1、B3、R1、R6、R7、C8:±12.5%以内  F1、F5:±30%以内 

Qおよび  誘電正接 

30pF以上:Q≧350  10pF以上30pF未満    :Q≧275+5C/2  10pF未満 :Q≧200+10C  C:公称静電容量(pF) 

【B1、B3、R1、R6、R7、C8特性】 

定格電圧100V 

  :0.05以下 (C<0.068μF)    :0.075以下 (C≧0.068μF)  定格電圧50V/35V/25V/16V/10V    :0.05以下 

定格電圧6.3V 

  :0.075以下 (C<3.3μF)    :0.125以下 (C≧3.3μF) 

【F1、F5特性】 

定格電圧25V以上      :0.075以下 (C<0.10μF)    :0.125以下 (C≧0.10μF)  定格電圧16V/10V:0.15以下  定格電圧6.3V以下:0.2以下  絶縁抵抗  1000MΩ、50ΩFのいずれか小さい値以上 

9.3項によります。 

試料を図1の試験基板にはんだ付けします。 

温度サイクル:5回 

放置時間:24±2時間 

初期値測定:高誘電率系のみ適用します。 

熱処理(150+0/−10℃、1時間)後、室温に 24±2時間放置し測定。 

15 温度  サイクル 

外観  著しい異常はありません。 

静電容量  変化率 

±2.5%、±0.25pF  いずれか大きい値以内 

B1、B3、R1、R6、R7、C8:±7.5%以内  F1、F5:±20%以内 

Qおよび  誘電正接 

30pF以上:Q≧1000  30pF未満:Q≧400+20C  C:公称静電容量(pF) 

【B1、B3、R1、R6、R7、C8特性】 

定格電圧100V 

  :0.025以下 (C<0.068μF)    :0.05以下 (C≧0.068μF)  定格電圧50V/35V/25V    :0.025以下* 

*GRM32D R7/B3/C8 1E106のみ:0.035以下  定格電圧16V/10V:0.035以下  定格電圧6.3V/4V 

  :0.05以下 (C<3.3μF)    :0.1以下 (C≧3.3μF) 

【F1、F5特性】 

定格電圧25V以上      :0.05以下 (C<0.10μF)    :0.09以下 (C≧0.10μF)  定格電圧16V/10V:0.125以下  定格電圧6.3V以下:0.15以下  絶縁抵抗  10000MΩ、500ΩFのいずれか小さい値以上 

耐電圧  異常ありません。 

GRMシリーズ 性能・試験方法 (1) (注1)代表仕様を掲載しています 

8.14項によります。 

試験条件:はんだ槽法、方法1(GRM02のみ:リフロー法) 

はんだ種類:Sn-3.0Ag-0.5Cu(無鉛はんだ) 、  またはH60A/H63A(共晶はんだ)* 

* GRM02は除きます。 

はんだ温度:270±5℃ 

浸せき時間:10±0.5秒 

浸せき位置:端子電極が隠れるところまで。 

放置時間:24±2時間 

予熱条件:浸せき前に下記の条件の予熱を1分間行います。 

3.2×1.6以下:120〜150℃ 

3.2×2.5以上:100〜120℃、 170〜200℃各々  初期値測定:高誘電率系のみ適用します。 

熱処理(150+0/−10℃、1時間)後、室温に 24±2時間放置し測定。 

14 はんだ  耐熱性 

外観  著しい異常はありません。 

静電容量  変化率 

±2.5%、±0.25pF  いずれか大きい値以内  GRM02: 10pF以下のみ    ±0.04pF以内 

B1、B3、R1、R6、R7、C8:±7.5%以内  F1、F5:±20%以内 

Qおよび  誘電正接 

30pF以上:Q≧1000  30pF未満:Q≧400+20C  C:公称静電容量(pF) 

【B1、B3、R1、R6、R7、C8特性】 

定格電圧100V 

  :0.025以下 (C<0.068μF)    :0.05以下 (C≧0.068μF)  定格電圧50V/35V/25V    :0.025以下* 

*GRM32D R7/B3/C8 1E106のみ:0.035以下  定格電圧16V/10V:0.035以下  定格電圧6.3/4V 

  :0.05以下 (C<3.3μF)    :0.1以下 (C≧3.3μF) 

【F1、F5特性】 

定格電圧25V以上 

  :0.05以下 (C<0.10μF)    :0.09以下 (C≧0.10μF)  定格電圧16V/10V:0.125以下  定格電圧6.3V以下:0.15以下  絶縁抵抗  10000MΩ、500ΩFのいずれか小さい値以上 

耐電圧  異常ありません。 

No. 規格値  試験条件(JIS C 5102-1994)摘要 

温度補償用  高誘電率系 

項目 

GRMシリーズ 性能・試験方法(1) (注1)代表仕様を掲載しています 

1

(注1)この性能・試験方法は、代表的な仕様を記載しています。詳細は個別の仕様書(納入仕様書または承認図)をご確認ください。 

品番表に"*"のない品番は、GRMシリーズ性能・試験方法(1)をご参照ください。 

品番表に"*"のある品番は、GRMシリーズ性能・試験方法(2)をご参照ください。 

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9.10項によります。 

試験温度:最高使用温度±3℃ 

試験時間:1000±12時間  印加電圧:定格電圧×200%* 

充放電電流:50mA以下  放置時間:24±2時間 

初期値測定:高誘電率系のみ適用します。 

電圧処理 〔最高使用温度±3℃、 定格電圧の200%*、 

1時間〕 後、室温に24±2時間放置し測定。 

*GRM155C81E683/104、GRM21B B3/R7 1H105、 

 GRM21BR72A474、GRM21BR71C225、 

ドキュメント内 チップ積層セラミックコンデンサ (ページ 54-57)