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計測器、その他超小型/薄型機器

ドキュメント内 チップ積層セラミックコンデンサ (ページ 127-133)

15 耐湿性

3.  計測器、その他超小型/薄型機器

Part Number

L W T

Dimensions (mm)

0.5 ±0.05 0.5 ±0.05 0.35 ±0.05 0.8 ±0.05 0.8 ±0.05 0.5 ±0.1 GMA05X

0.38 ±0.05 0.38 ±0.05 0.3 ±0.05 GMA0D3

GMA085

L

Outer electrode: Au plated W

T

静電容量表 

8

高誘電率系 R(R1)/X7R(R7)特性 

LxW寸法  [mm]

0.38x0.38  (0D)

R  (R1)

10  (1A)

定格電圧 

[Vdc]

静電容量  温度特性 

100pF(101)  150pF(151)  220pF(221)  330pF(331)  470pF(471)  680pF(681)  1000pF(102)  1500pF(152)  2200pF(222)  3300pF(332)  4700pF(472)  6800pF(682)  10000pF(103)  15000pF(153)  22000pF(223)  33000pF(333)  47000pF(473)  68000pF(683)  0.10μF(104)

0.5x0.5  (05)

X7R  (R7)

100  (2A)

0.8x0.8  (08)

R  (R1)

10  (1A)

X7R  (R7)

100  (2A)

R  (R1)

10  (1A) X

例 X:T寸法の品番コード 

( )内は品番コードを、[ ]内は単位を示します。 

3

X X X X X X X

X X X X

5 5 5 5 5

5 5 5 5

高誘電率系 B(B1/B3)特性 

LxW寸法  [mm]

0.38x0.38  (0D)

B  (B1)

B  (B3)

B  (B1)

B  (B3)

B  (B3)

B  (B1)

B  (B3) 10 

(1A)

定格電圧 

[Vdc]

静電容量  温度特性 

1500pF(152)  2200pF(222)  3300pF(332)  4700pF(472)  6800pF(682)  10000pF(103)  15000pF(153)  22000pF(223)  33000pF(333)  47000pF(473)  68000pF(683)  0.10μF(104)  0.47μF(474)

0.5x0.5  (05) 25 

(1E)

0.8x0.8  (08) 10 

(1A)

6.3  (0J)

25  (1E) X

例 X:T寸法の品番コード 

( )内は品番コードを、[ ]内は単位を示します。 

3

X X X X

X X X X

X

5 5 5

10  (1A)

5 5 5 5

6.3  (0J)

5

8

高誘電率系 R(R1)/X7R(R7)特性 

( )内は品番コードを、[ ]内は単位を示します。 

LxW寸法 [mm]

定格電圧 [Vdc]

静電容量  許容差  品番 

10(1A)

GMA0D3R11A103MA01T

100(2A)

GMA05XR72A101MA01T GMA05XR72A151MA01T GMA05XR72A221MA01T GMA05XR72A331MA01T GMA05XR72A471MA01T GMA05XR72A681MA01T GMA05XR72A102MA01T

10(1A)

GMA05XR11A682MA01T GMA05XR11A103MA01T GMA05XR11A153MA01T GMA05XR11A223MA01T 0.5x0.5(05)

0.38x0.38(0D)

100pF(101)  150pF(151)  220pF(

221

)  330pF(

331

)  470pF(

471

)  680pF(

681

)  1000pF(

102

)  1500pF(152)  2200pF(222)  3300pF(

332

)  4700pF(

472

)  6800pF(

682

)  10000pF(

103

)  15000pF(

153

)  22000pF(223)

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(M)

LxW寸法 [mm]

定格電圧 [Vdc]

静電容量  許容差  品番 

100(2A)

GMA085R72A152MA01T GMA085R72A222MA01T GMA085R72A332MA01T GMA085R72A472MA01T GMA085R72A682MA01T

10(1A)

GMA085R11A333MA01T GMA085R11A473MA01T GMA085R11A683MA01T GMA085R11A104MA01T 0.8x0.8(08)

1500pF(

152

)  2200pF(

222

)  3300pF(332)  4700pF(472)  6800pF(682)  10000pF(

103

)  15000pF(

153

)  22000pF(

223

)  33000pF(

333

)  47000pF(473)  68000pF(683)  0.10μF(104)

±20%(

M

±20%(

M

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(M)

8

高誘電率系 B(B1/B3)特性 

( )内は品番コードを、[ ]内は単位を示します。 

*のある品番はGMAシリーズ性能・試験方法(2)をご覧ください。 

LxW寸法 [mm]

定格電圧 [Vdc]

静電容量  許容差  品番 

10(1A)

GMA0D3B11A103MA01T

25(1E)

GMA05XB31E152MA11T GMA05XB31E222MA11T GMA05XB31E332MA11T GMA05XB31E472MA11T

10(1A)

GMA05XB11A682MA01T GMA05XB11A103MA01T GMA05XB11A153MA01T GMA05XB11A223MA01T

6.3(0J)

GMA05XB30J104ME12T*

0.5x0.5(05) 0.38x0.38(0D)

1500pF(152)  2200pF(222)  3300pF(

332

)  4700pF(

472

)  6800pF(

682

)  10000pF(

103

)  15000pF(

153

)  22000pF(223)  33000pF(333)  47000pF(

473

)  68000pF(

683

)  0.10μF(

104

)

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(

M

±20%(

M

)

LxW寸法 [mm]

定格電圧 [Vdc]

静電容量  許容差  品番 

25(1E)

GMA085B31E103MA11T GMA085B31E153MA11T GMA085B31E223MA11T

10(1A)

GMA085B11A333MA01T GMA085B11A473MA01T GMA085B11A683MA01T GMA085B11A104MA01T

6.3(0J)

GMA085B30J474ME12T*

0.8x0.8(08)

10000pF(103)  15000pF(

153

)  22000pF(

223

)  33000pF(

333

)  47000pF(

473

)  68000pF(683)  0.10μF(104)  0.47μF(474)

±20%(M) 

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(

M

±20%(M) 

±20%(M) 

±20%(M)

(品番例)  

品番表における包装は、標準トレイのコードを示します。 

q w e r t y u i o !0

q識別記号  wシリーズ  e寸法 (LxW)  r寸法 (T)  t

温度特性 

y定格電圧  u静電容量  i静電容量許容差  o個別仕様  !0包装仕様コード  GM A 0D 3 B1 1A 103 M A01 T

品番表に"*"のない品番は、GMAシリーズ性能・試験方法(1)をご参照ください。 

品番表に"*"のある品番は、GMAシリーズ性能・試験方法(2)をご参照ください。 

MIL-STD-883 Method 2011条件Dによります。

Auめっきされたアルミナ基板上にAu-Sn(20%)によりコンデン サを取り付け、25μmφAuワイヤーをボールボンディングした後、

引張り強度を測定します。

MIL-STD-883 Method 2019によります。

Auめっきされたアルミナ基板上にAu-Sn(20%)によりコンデン サを取り付け、水平方向に力を加えます。

No. 項目 規格値 試験条件(JIS C 5102-1994)摘要

個別指定によります。

個別指定によります。

異常なく耐えます。

C≦0.047μF:10000MΩ以上 C>0.047μF:500ΩF以上 C:公称静電容量

B1、B3:±10%以内 R1、R7:±15%以内

B1:+10/−30%以内 R1:+15/−40%以内 B1、B3、R1、R7:

定格電圧25V以上:0.025以下 定格電圧16/10V:0.035以下 規定の許容差内にあります。

異常ありません。

B1、B3:−25〜+85℃

R1、R7:−55〜+125℃

使用温度範囲

定格電圧

外観 寸法

耐電圧

(端子または電極間)

絶縁抵抗

(端子または電極間)

静電容量

誘電正接

静電容量 温度特性 1

2

3 4

5

6

7

8

9

ノギスによります。

7.6項によります。

測定電圧:定格電圧 測定時間:2分間 充放電電流:50mA以下 7.8項によります。

測定条件:表10の2、3によります。

測定周波数:1±0.1kHz 測定電圧:1±0.2Vrms 7.9項によります。

測定条件:表10の2、3によります。

測定周波数:1±0.1kHz 測定電圧:1±0.2Vrms 7.12項によります。

各段階での測定は、規定温度に達した後5分値とします。

ただし、電圧印加の場合は、温度安定後に電圧印加し印加後1 分値とします。

7.1項によります。

試験電圧:定格電圧×250%

印加時間:1〜5秒間 充放電電流:50mA以下 目視によります。

連続して使用できる最大印加電圧

ただし、交流と直流が重畳される場合は、ピークツーピークまた はゼロツーピークの大きい方の値が定格電圧以内となるように使 用してください。

基準温度:20℃

(ただし、R7特性は、25℃)

GMAシリーズ 性能・試験方法 (1)

電圧 印加なし

電圧 印加時

ワイヤー ボンディング

ダイ ボンディング

段階 1 2 3 4 5 6 7 8

20±2*

最低使用温度±3 20±2*

最高使用温度±3 20±2 最低使用温度±3

20±2 最高使用温度±3

印加なし

(*R7:25±2)

定格電圧の50%の 直流電圧印加

(B1, R1特性のみ)

温度(℃) 電圧印加(Vdc)

垂直破断強度0.03N以上

ダイシェア強度2N以上 電極

10 固着力

B1、B3、R1、R7:

定格電圧25V以上:0.025以下 定格電圧16/10V:0.035以下 著しい異常はありません。

規定の許容差内にあります。

著しい異常はありません。

B1、B3、R1、R7:±7.5%以内 耐振性

11

8.2項によります。

振動の種類:A 10〜55〜10Hz(1分間)

全振幅:1.5mm

互いに垂直なる3方向に2時間ずつ(計6時間)行います。

外観 静電容量

誘電正接

9.3項によります。

温度サイクル:5回 外観

静電容量

変化率 段階

1 最低使用温度 +0/−3 30±3

温度(℃) 時間(分)

段階2, 6の温度:R1, R7:−55±3℃、B1, B3:−25±3℃

段階4, 8の温度:R1, R7:125±3℃

B1, B3:85±3℃

初期値測定:熱処理(150+0/−10℃、1時間)後、室 温に24±2時間放置後測定

GMAシリーズ 性能・試験方法(1)

8

品番表に"*"のない品番は、GMAシリーズ性能・試験方法(1)をご参照ください。 

品番表に"*"のある品番は、GMAシリーズ性能・試験方法(2)をご参照ください。 

GMAシリーズ 性能・試験方法 (1)

No. 項目 規格値 試験条件(JIS C 5102-1994)摘要

15

9.10項によります。

試験温度:最高使用温度±3℃

試験時間:1000±12時間 印加電圧:定格電圧×200%

充放電電流:50mA以下 放置時間:24±2時間

初期値測定:電 圧 処 理 (最 高 使 用 温 度 ± 3 ℃ 、定 格 電 圧 の 200%、1時間)後、室温に24±2時間放置後 測定。

著しい異常はありません。

B1、B3、R1、R7:±12.5%以内

耐湿負荷

14

外観

1000MΩ、50ΩFのいずれか小さい値以上 絶縁抵抗

静電容量 変化率

誘電正接

B1、B3、R1、R7:

定格電圧25V以上:0.05以下 定格電圧16/10V:0.05以下

著しい異常はありません。

B1、B3、R1、R7:±12.5%以内 外観

500MΩ、25ΩFのいずれか小さい値以上 絶縁抵抗

静電容量 変化率

誘電正接

B1、B3、R1、R7:

定格電圧25V以上:0.05以下 定格電圧16/10V:0.05以下

高温負荷

著しい異常はありません。

B1、B3、R1、R7:±12.5%以内 外観

1000MΩ、50ΩFのいずれか小さい値以上 絶縁抵抗

静電容量 変化率

誘電正接

B1、B3、R1、R7:

定格電圧25V以上:0.05以下 定格電圧16/10V:0.05以下 耐湿性

(定常状態)

13

9.5項によります。

試験温度:40±2℃

試験湿度:90〜95%RH 試験時間:500±12時間 放置時間:24±2時間

ただし、槽より取り出した直後の定格電圧の印加は適用しませ ん。

9.9項によります。

試験温度:40±2℃

試験湿度:90〜95%RH 試験時間:500±12時間 印加電圧:定格電圧 充放電電流:50mA以下 放置時間:24±2時間

※試料の組立:No.11〜No.15の試験については、試料を下図の試験基板にダイボンディングおよびワイヤーボンディングにて取り付けた後、試験を行います。

前ページより続く 

アルミナ基板  Auメタライズ 

試料  ダイボンド 

Auワイヤー 

Auメタライズ 

アルミナ基板 

GMAシリーズ 性能・試験方法(1)

8

品番表に"*"のない品番は、GMAシリーズ性能・試験方法(1)をご参照ください。 

品番表に"*"のある品番は、GMAシリーズ性能・試験方法(2)をご参照ください。 

GMAシリーズ 性能・試験方法 (2)

4.7項によります。

測定条件

公称静電容量 C≦10μF

(6.3V以下) 1±0.1kHz 測定周波数

0.5±0.1Vr.m.s.

測定電圧

公称静電容量 C≦10μF

(6.3V以下) 1±0.1kHz 測定周波数

0.5±0.1Vr.m.s.

測定電圧

4.24項によります。

各段階での測定は、規定温度に達した後5分値とします。

試験条件:

段階2の温度:B3:−25±3℃

段階4の温度:B3:+85±3℃

初期値測定:熱処理(150+0/−10℃、1時間)後、

室温に24±2時間放置後測定 MIL-STD-883 Method 2011 条件Dによります。

Auメッキされたアルミナ基板上にAu-Sn(20%)によりコンデン サを取り付け、25μmφAuワイヤーをボールボンディングした後、

引張り強度を測定します。

No. 項目 規格値 試験条件(JIS C 5101-1998)摘要

個別指定によります。

寸法表によります。

異常なく耐えます。

50ΩF以上

B3:±10%以内

(−25〜+85℃)

垂直破断強度0.03N以上 B3:0.1以下

異常ありません。

B3:−25〜+85℃

使用温度範囲

定格電圧

外観 寸法

耐電圧

(端子または電極間)

絶縁抵抗

(端子または電極間)

誘電正接(DF)

静電容量 温度特性

固着性

ワイヤー ボンディ ング

MIL-STD-883 Method 2019によります。

Auメッキされたアルミナ基板上にAu-Sn(20%)によりコンデン サを取り付け、水平方向に力を加えます。

ダイシェア強度2N以上 ダイボン

ディング 1

2

3 4

5

6

規定の許容差内にあります。

静電容量 7

8

9

10

ノギスまたはマイクロメータによります。

4.5項によります。

測定電圧:定格電圧 充電時間:1分間 充放電電流:50mA以下

4.8項によります。

測定条件 4.6項によります。

試験電圧:定格電圧×250%

印加時間:1〜5秒間 充放電電流:50mA以下 目視によります。

連続して使用できる最大印加電圧

ただし、交流と直流が重畳される場合は、ピークツーピークまた はゼロツーピークの大きい方の値が定格電圧以内となるように使 用してください。

基準温度:20℃

電圧 印加なし

段階 1 2 3 4

20±2

ドキュメント内 チップ積層セラミックコンデンサ (ページ 127-133)