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分子キ 検出感度 関する考察

sin 2θ 比例 変 い 。 ,+θ, -θ 配置 い Cave

転 , ,右 優勢 電場 発生 い 意味 い

。 ,入射直線偏 偏 面 調整 , 構 合わ

系全体 対称性 , 構 近傍 電場 学特性

制御 示 い 。

定 方 ,g値 Cave 間 比例関係 あ 行研究 予測 い ,

6.7(e) 結果 , 予測 Cave い値 示 時 大 g値 示

,Cave 大 い値 示 時 g 値 示 。 う g値 振 舞い 明 ,FDTD計算結果 章 研究 用い 計測 交差

偏 射 計測 効果 入 。通常 射 計測 ,

検出 偏 択 い , 照射 構 全領域 応答 検出

。 方,交差偏 射 計測 場合, 構 い 入射偏 電

場Einc 垂直 交差偏 電場Ecross 発生 部 領域 応答 検出

。 6.8(a-d) ,金 長方形格子構 周辺 計算 規格

交差電場強 E r =Ecross r Einc 空間 示 。 E r

構 全体 均Caveweighted= dS C r E r S2

計算 , Caveweightedθ = +15° い 正 大 い ,θ = +45°

近 減少 , 符 転 いう状況 観測

6.8(e) 。 結果 ,実験的 得 gθ依 性 性的 。

6.8: (a-d)金 長方形格子構 2 直線偏 (θ = 0° (a), +15° (b),

+30° (c), +45° (d)) 共鳴励起 時 規格 交差電場強 E$(r) 空間

。(e) 交差電場強 E$(r) 付 構 全体 均Caveweighted θ依 性。

, 構 近傍 子 検出感 間

, 行研究 予測 通 比例関係 あ 示唆 。 計算結 果 , 金 長方形格子構 用い 大 g値 実測

性的 説明 。

第 章

まとめと社会的意義

まとめ

定 研究 い , 筆者 金 長方形 用い ,高い感 測 簡便性 兼 備え 物質検出手法 開発 いう研究仮説

立 。 研究 目的 実験 検証 。

定 筆者 ,巨視的 完全 CD 金 長方

形 い 局所的 あ ,CD あ 実験的 示 第 章 。次 ,金 長方形 直線偏 励起 場合 い , 局所的 電場 発生 実験的 示 第 章 。 後 , 金 長方形 直線偏 手 組 合わ , 電場 掌性 能動的 制御 , 子 高感 検出 実験的 示 第 章 。 う ,筆者 自 立 研究仮説 実験 検証 成 。 定 以 ,各章 述 。

定 第 章 ,所属研究室 開発 , 筆者 改良 え CD

ン 装置 用い ,対称性 高い 長方形金 構 体 強い局所

CD 実測 。作製 金 長方形 , 販 CD 散計 用い 巨視的

偏 測 ,作製 金 長方形試料 CD 観測

わ ,局所的 型的 子 CD 桁程 強いCD 実験的 観測 。FDTD法 用い 電磁場 解析 ,局所的 CD 発現

物質 幾何構 必須 , 物質 相互作用 時

形成 電磁場 又 非対称性 要 あ 明

定 第 章 ,筆者 独自 開発 偏 解析 ン 手法 用い , 金 長方形 び 近傍 電場 偏 状態 可視 。

結果,入射 構 体共 い わ ,局所的

偏 電場 発生 実験的 示 。

入射 直線偏 向 回転 , 電場 空間 制

御 成 。実験結果 計算結果 比較 , 電場 発生 入射 電場 ン誘起電場 相関係 要 あ 明

。 , 電場 発生 ン 共鳴励起 質的

あ 意味 い 。

定 第 章 ,直線偏 金 長方形格子構 組 合わ 幾何構

形成 ,長方形近傍 電場 掌性 制御

実証 。長方形 創 電場 用い 超 子 検出 試

,従来 手法 3桁程 高感 検出 成

。 金属 構 体 高感 物質検出

手法 創出 点 , 手法 革新的 あ 。 定

社会的意義

定 研究 筆者 開発 金 長方形 直線偏 用

い 子 高感 検出 手法 ,原理的 構 基 2

直線偏 子, 源, 検出器 あ 実施 ,測 簡 便 あ ,測 学系 簡単 あ 。従 , 手法 物質検 出装置 型 自動 可能 。 医療処置等 必要 場

迅 簡便 生体 子 析 拓 あ 。近 ,世界的 社 会 高齢 問題視 中,日常的 生体計測 注目 集

,筆者 開発 手法 要 役割 担う 期 。

定 , 研究成果 成果 , 掌性 操作 新

い手法 基礎 確立 置 。 型例 あ

偏 ,既 3D 用い い , 子 ン ュ

情報担体 や次世代 省電力 あ ン

効 ン注入源 応用 期 い 。 研究 , 筆者 確立 空間 掌性 制御 手法 応用 , 記 関連

型 集積 貢献 期 。 う 研究成果

,様々 研究 波及効果 及 あ 。

付録 A

キ 媒質中 波動方程式 導出

Maxwell方程式(2.3b) 磁場 対 構成方程式(2.14b) 用い

∇×E = -∂B

∂t = -�0�∂H

∂t - c

∂E

∂t (A.1)

,従

∇×∇×E = -�0�∂×H

∂t - c

×E

∂t = -�0�∂2D

∂t2 - c

×E

∂t (A.2)

。 ,Maxwell方程式(2.3d) 用い い 。 電場 対 構成方

程式(2.14a) 用い ,式(A.2)

∇××E = - n2 c2

2E

∂t2 +�0 c

2H

∂t2 - c

×E

∂t (A.3)

書 。 ,

2H

∂t2 = 1

0

∂t

∂B

∂t - c

∂E

∂t = 1

0

∂t -∂×E

∂t - c

∂E

∂t (A.4)

用い 終的

∇××E = - n2- κ2 c2

2E

∂t2 -2 c

×E

∂t (A.5)

得 。

付録 B

偏光変調法 おける検出信号 導出

Jones法 用い CD測 偏 解析過程 偏 状態 変 調 ,

検出器 用い 検出 強 Idet 計算 。

定 以 ,計算 用い Jones行列 示 。

PEM 1 0

0 e (B.1a)

透過軸 x

+45º傾い 偏 子

1 2

1 1

1 1 (B.1b)

透過軸 x

-45º傾い 偏 子

1 2

1 -1

-1 1 (B.1c)

偏 基底 標 回転 θ

e-iθ 0

0 e (B.1d)

直線偏 基底 偏 基底 変換

1 2

1 i

1 -i (B.1e)

偏 基底

直線偏 基底 変換

1 2

1 1

-i i (B.1f)

B.1 等方性キ 媒質 CD, CB 効果

定 3.4 学系 い ,LD LB 示 い等方性 媒質試料 透過 偏 状態P

P = 1 2

1 1

-i i

EL 0 0 ER

1 2

1 i 1 -i

1 0

0 e 1

2 1 1 1 1

1

0 (B.2a)

P = 1 2

EL 1-ie +ER 1+ie

iEL 1-ie -iER 1+ie = a+

a- (B.2b)

。式(B.2a) 各行列 右 入射 ,透過軸 x軸 +45º傾い 偏 子,

PEM,直線偏 基底 偏 基底 変換,試料 相互作用 CD,CB ,

偏 基底 直線偏 基底 変換, 意味 。通常 CD測 ,偏 状 態P 検出器 検出 。 状況 模擬 ,偏 状態

P 透過軸 xψ傾い 偏 子 通 検出 , 検出強 変数

ψ い 積 いう操作 。積 後 検出強 Idet

Idet = 1

cosψ sinψ P '

0

(B.3a)

Idet = a+ '+ a- '

2 (B.3b)

IdetIL+IR + IL-IR sinδ (B.3c)

B.2 異方性キ 媒質 CD, CB, LD, LB 効果

定 3.4 学系 い ,x軸 θ傾い 向 異方軸 あ 異方性 媒質試料 透過 偏 状態P

P = 1 2

1 1

-i i

EL 0 0 ER

1 2

1 i 1 -i

E 0

0 E

cosθ sinθ -sinθ cosθ

1 0

0 e 1

2 1 1 1 1

1 2

1 1

(B.4a)

P = 1 2

EL+ER i EL-ER - i EL-ER EL+ER

E cosθ+esinθ

E -sinθ+ecosθ = b+

b- (B.4b)

。式(B.4a) 各行列 右 入射 ,透過軸 x軸 +45º傾い 偏 子,PEM, 標 回転,試料 相互作用 LD,LB ,直線偏 基底 偏 基底 変換,試料 相互作用 CD,CB , 偏 基底 直線偏 基底 変換, 意味 。式(B.3a) 用い 計算 検出強 Idet

Idet = b+ '+b- '

2 (B.5a)

IdetIL+IR I+I + I-I sin 2θcosδ

- IL-IR 2Im E* E cos 2θcosδ+2Re E* E sinδ (B.5b)