(Ph3SiO)sVO PhC02H xylene, reflux
98%
げ つ
M U 1)γESCI,99%
2)笠 き ーTMS FlBuしi,OOC 3) 10% IくOHaq
MeOH 92% for 2 step③
O
り 間
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/ H 9 Y5 03
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︑︑
o
c u
E﹄T
M
J
、/ヘOTBS M = MgBr, Li Table 2・1 1) ==トTMS,nBuしi2) 10% KOHaq 3) TESCI, imidazole
80% for 3 steps
〉ぐ .....0
‑ … AcO、、¥../"り
41 AcOH
pPh3, DIAD THF,33%
〉く ..... 0 HO""¥/,ー
40: ー()‑Actinol
Entry :
i 臥J3Sn~、"""-""OTBS 蜘Li,町78
340 C
Result
no reaction decomposition Scheme 2‑7アルデヒド38の合成
Table 2‑1求核付加による8'位水酸基の導入
2
Condition
Mg, THF, 70 oC Mg, ether, reflux
1 ) 、
/"'‑OTBSアルデヒド38が合成できたので、求 核剤の付加について種々検討した。その 結果を Table2‑1に示す。 Grignard反応 では、基質とマグネシウムが溶解するの を確認、後アノレデヒドを加えたが望む生 成物は得られなかった(Entry1,2)。そこ で、r:BuLiを用いてハロゲンーリチウム交
no reaction 90%
tBu, iLTHF刷,780C tBu, iLether回,780C 3
4 換を行った後 38を加えたところ、 THF
溶媒では反応が進行しなかったものの、 33% (multispots) エーテノレ溶媒で、は高収率で、望む39を得
ることができた(Entry3,4)。一方、 nBuLi
では反応は進行したものの 33%と低収率となり、ピニルスズ 34に対するスズーリチウム交換は起 こらなかった(Entry5, 6)。また、求核剤となる 42の保護基をAcにしたものや保護していない化 合物を用いた場合は、反応は進行しなかった。
no reaction nBu i,Lether崎,780C
5 6
B .
立体選択的エポキシ化反応の検討αmホモアリルアルコールを利用したSharpless不斉エポキシ化反応15について、まずモデル化合 物を用いて検討した。 Scheme2‑8に示すようにアルデヒド38に対し、T M Sアセチリドとの反応、
TBAFによる処理、続く Mn02酸化によりケトン 43を高収率で合成した。
同な f
Table 22問 ヨ f
ηEト TMS nBuしi,0 oC 2)TBAF
'
OC
CHOこ れ に 対 す る エ ポ キ シ 化 反 応 の 検 討 結 果 を
Table 2‑2に示すoEntry 1ではmCPBAを用いたと ころ、定量的に白的物を得ることができたが選択 性は3:1であった。次に、一般的によく用いられ るMoおよびV試薬を用いたが満足な結果は得ら れなかった(Entry2, 3)。そこで、野崎らによって 報告されている Al(Or:Bu)3試 薬16を用いたところ、
OOC
で反応させることで、高収率で単一で生成物Table 2‑2不斉エポキシ化反応の検討
Entry Condition Yield mCPBA (1.3 eq) quant (cis/ trans = 3/ 1) CH2CI2, r.. t
2 MO(CO)6 (0.2 eq), TBHP (2.0 eq) 構造不明 toluene, 60 oC
3 VO(acacb (0.2 eq), TBHP (2.0 eq) 56% (syn only) toluene, 0 oC
4 AI(OtBuh (1.0 eq), TBHP (2.0 eq) 87% (syn only) toluene, 0 oC
を得ることができた。このエポキシドの立体化学はカロテノイドにおける 3位アルコールに対す るcis‑もしくはtrα,ns‑エホ。キシドのNMRのケミカルシフトによる経験則により決定している 1OA70
次に、実際の基質を用いて、基質一般性を検討した。ここではScheme2θに示すように、先に 得たアルコール39から 8'位水酸基に種々の保護基を導入し検討を行った。その結果を Table2‑3 に示す。 Entry1‑4の基質では、先と同様の条件
able 2‑3不斉エポキシ化反応の基質一般性 である
o
oCでは反応は進行しなかったが、室温Entry Fミ Condition Result
綱OAc r. ,.t1.5 h
8840%%1l │全て単ー 2 側OMe r. ,.t30 min
3 ーOAlloc r. ,.t1.5 h 78%
4 =0 r. ,.t45 min 77%
5 幽OTBS r.t.→reflux, 5 h trace
に昇温することで 80%程度の収率で目的物を得 ることができた。また、アルミニウム試薬の等最 も0.5eqまで減らすことができた。しかしながら、
RにTBS基を導入したところ、その嵩高さのた めエポキシ化はほとんど進行しなかった。一方、
mCPBAでは選択性は3:1で望むシス体が優先し た。
6 ・・‑OAc mCPBA, CH2CI2, 0 oC, 1.5 h 83% (cis: trans= 3: 1)
¥ / ー │ ¥ . / ̲. I AI(OtBu) s ¥ . /
〉く/寸ゾ、/へ、 1) protection /く/寸ゾ、/¥ TBHP'~ /くノ¥ノ、/¥
r Y Y' V " 、OTBS,. r Y Y ' V " 、OTBS I L.l1 11 r '(,';,.... Y ' V " 、OTBS
TESOぃ人~\ÓH 2) deprotection 人~\長 toluene
日
011人ノぐ長
〉⑤
9 0 f T E S g r o d。 、 、 〉
4 5 u b i e 23〉 46
Scheme 2θ 不斉エホ。キシ化反応の検討
一方、 Scheme2‑10に示すように 8'イ立を A c基で保護し3'位水酸基をTES墓で保護した基質47 を用いた時には、反応は全く進まなかった。この結果から、予想通り 3'位水酸基にAlが配位し反 応が進行することが理解された。また、 39を用いて 8'位水酸基のα ホモアリルアノレコールを利用 することも試みたが、室温では反応は進行せず、昇温した場合は基質が分解した。
、
/月¥/、寸ン片、/へ‑ e '/ ‑ . '
8'ム 〈
AlTBHP (OtB州、ぐ/血ム〈
. / λ ¥ノ 砕 ¥ / 、 / ¥r〆
¥ 、 ' " (
Eピ/、/
、OTBS r、
イ行f竺弓:苧 ¥ Eピ/、/
、OTBST悶
47: F沢毛=Aβ ; reflex, 4 h, no reaction 39: R = H ; r.t.→45 oC, decomposition
Scheme 2‑10 8'位水酸基を用いた不斉エホ。キシ化反応の検討
以上のことから、この立体選択 的なエポキシ化反応はFig.2‑3に示 す反応機構が考えられる。すなわ ち、 TBHPとAl(O官U)3から調製さ れた錯体が 3'位水酸基に配位し、
この過酸化物の酸素原子によりエ ポキシ化が起こるメカニズムであ る。ここでは一般的によく用いら れる Vや Moではなく、 Al試薬を
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Fig.2‑3エポキシ化の立体制御 用いた場合に最も良い収率で生成 る
物を与えることが分かつた。また 8'位に水酸基が存在する場合は、その水酸基の保護基に関係な く反応が進行することが明らかとなった。古市らが用いた基質は、 8'位に水酸基がなくメチレン となった基質であり、それらは多くの場合で、反応が進行せず基質の分解に終わっている口このこ とから、 8'位水酸基の存在が 6員環骨格のコンブオメーションに何らかの影響を及ぼすことで、
エポキシ化反応を悶滑に進行させるものと考察される。
C . C20
ヒドロキシスルホンセグメントの合成8'位水酸基の導入および 6員環部への立体選択的エポキシ化に成功したので、ハーブセグメン トの合成を行った。これまでの結果をまとめたものを Scheme2‑11に示す。ピニノレヨージド42を ハロゲンーリチウム交換し、これをアルデヒド38に作用させたところ高収率で39を得た口次に生 じた水酸基のAc保護、6員環部のTES基を選択的に除去することで、望むアルコール45とした。
ルホモアリルアルコールを利用した不斉エホ。キシ化反応はAl試薬を用いることで、立体異性体を 生じることなく単一で84%の収率でエポキシ化することができた。続く、 pニトロ安息香駿を用
1 42
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HO、、 ~\OAc
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, P小102B之0' DiAD,70% ' ¥一一 3) 問、~L
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1) 2N KOH 、 、
EtOH, 96% f"/く/¥ノ、/、ノ、/,、マ,:":‑ y C02Et 1) DIBAL, ‑78 oC r>く/¥ノ、/、メ、/¥
いた光延反応により 3'位水酸基を反転させ、 6員環部の立体化学を完全に制御しながら 8'位水酸 基を導入することに成功した。光延反応では、一部
s ‑
脱離体 48'も副生成物として確認した。得 られたジエステル48に対し、 TBSの脱保護、 Mn02酸化、続く HWE反応を行うことで、 13'位の 巳IZ比が 15/1ながらトリエステル49を得た。さらに、種々検討したところ、官能基選択的にp‑ニトロベンゾイル基を除去し、 TES基に付けかえることができた。最後に、アレンセグメントと のカップリングに改良ジュリア反応を用いるため、 DffiAL還元によりジオールとした後、光延反 応により 1級アルコールのみスルフィドへ変換した。還元後のジオールは非常に不安定で、あった ため、精製せずにスルフィド51への置換反応を行った。
最後のスルフィドからスルホンの酸化反応は、限られた基質および条件でのみ反応が進行した。
すなわち、 8'イ立水酸基をアルコーノレやTES基で保護した場合は、良い結果は得られなかつた(σTa油blee 2‑幽幽幽.幽副幽.嗣幽孔
酸基を電子吸引基でで、あるケトンとした後、酸化を行ったところ、酸性条件のためTES基が外れ13' 位のオレブインのE/Z比が511と異性化したものの65%の収率で思的物を得ることができた。 1 章でも述べたが、電子豊富なポリエンのアリルスルフィドの酸化は、基質の不安定性により酸化 の条件に耐えられず分解することが多いため、電子吸引性のカルボニル基を導入することでそれ を抑制し、良い収率で生成物が得られたと考えられる。一方、 50の還元体であるジオールから Wittig塩およびHWE試薬への変換を種々検討したが、望む生成物を得ることはできなかった。
、
/¥S‑BT Table 2‑4H D C C
つ い
02BTTESO〆¥ / ¥ R 52
Table 2‑4スノレフィドの酸化
Entry R Condition Result
帽OH Na2W04, 30% H202aq 16%
2 ‑OTES (NH4)6Mo7024, 30% H202aq trace 3 mCPBA, CH2CI2 multispots
4 輔OAc Na2W04, 30% H202aq 60% sulfoxide: sulfone
= 1 : 1 5 (NH4)6Mo7024, 30% H202aq 32%
6 ロO (NH4)6Mo7024, 30% H202aq 65% (13'E/ 13'Z = 5/1)
以上をScheme2‑12にまとめると、スルフィド51に対しDMP酸化によりケトンとした後、 Mo 試薬を用いた酸化反応によりスルホン 54を得た。先の条件で外れたTES基をかけ直しLuche還 元を行うことで、ヒドロキシスルホンセグメント 8を得ることができた。しかしながらオレブイ
ンの異性化がさらに進行し、 EIZ比は3/1となった。最後の還元では、反応を 3分以上行うと基 質が分解し低収率となった。また、 NaBH4や嵩高い還元剤である DffiALおよびL‑Selectrideを用 いた場合は全く反応が進行せず、 Luche還元より塩基性を示す LiBH4を用いた還元では低収率と
なり再現性も認められなかった。このことから βエポキシケトン部は嵩高い還元剤とはあまり反 応せず、わずかな塩基性の差でも収率に影響を及ぼすことが分かつた。本ルートは、アノレデヒド 385 gからヒドロキシスルホンセグメント 8を 300mg合成することができ、十分に量的な供給を 見込める合成ルートを確立することができたと言える。
、 ノ 、
1) DMP, 70% ( /<¥;¥/、、/、、メ竺:::::"'̲.,rI¥ìィ;ハ[(~ミ/13'、1"- ‑S02BT H O ¥ノ文 O 54 (13'E112ZZ511) S‑BT51
2) H202aq, Mo EtOH,65%
1) TESCI, imida之o l e ¥
CH2C12,74% ... ~、会イ、ヘ小/\S021:ゆえ. BT
刊 : 5 Z 1 ' 符
13 TESO人 ノ , OH 山(13'E/ 13'Z =引)< 3 min, 90% 8: C20聞HydroxySulfone Segment : 300 mg:
Scheme 2‑12ヒドロキシスノレホンセグメントの合成
D .
フコキサンチンの全合成C20ヒドロキシスルホンセグメント 8が合成できたので、既に合成している C20アレンセグメ ント 7との改良ジュリア反応を行った(Scheme2‑13)。種々検討したところ THF溶媒中、塩基に
NaHMDS
を用いOOC
で撹持したところ、反応は直ちに進行し目的物5 5
を56%
の収率で得ること ができた。一方、ケトンを有するスルホン54と改良ジュリア反応も検討した。しかしながら、様々 な条件で反応を試みたものの、基質が分解するのみであった。最後に、弱酸条件であるDMP
酸化 で2級アリルアルコールを酸化し、 PPTSですES基の除去を行うことでC40ブコキサンチンを合 成した。;.、同/'ミト./ミト.....vMU
¥¥./ グノF\、/\、/、/~..~ BT・02S 〆 ¥ ダ 十
AcO
、 べ
OH7:C20・AllenicSegment 8: C20羽ydroxySulfone Segment OTESノいふふ (4w
q F A C O
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OH2)PPTS, MeOH
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<"Aグ~、 .Aot" )争寸
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41
目 . 欄
C40・Fucoxanthin(1)