13.1 絶対最大定格
13.2 推奨動作条件
Vdd 3.6 V
VddIO 3.6 V
AVdd 3.6 V
ピンの最大電流(全GPIOピン電流の合計) 60 mA
全ピンの電圧 –0.3 V〜Vdd/VddIO/AVdd + 0.3 V 設定パラメータの最大書き込み回数 10,000
最高接合部温度 125 ℃
注意! ここに記載した「絶対最大定格」を超える条件は、デバイスに恒久的な損傷を生じさせる可能性があり ます。これはストレス定格です。本書の動作表に示す条件外でのデバイスの運用は想定していません。
絶対最大定格条件を超えて長期間曝露させるとデバイスの信頼性に影響が及ぶ可能性があります。
動作温度 mXT641TD-AT: –40〜+85℃ (グレード3)
mXT641TD-AB: –40〜+105℃ (グレード2)
保管温度 –60〜+150℃
Vdd 3.3 V ±5%
VddIO 1.8〜3.3 V
AVdd 3.3 V ±5%
内蔵昇圧回路使用時のXVdd Vdd〜2 × Vdd
温度変化率 10 ℃/min
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.2.1 DC
特性13.2.1.1
アナログ電圧電源 – AVdd13.2.1.2
デジタル電圧電源 – Vdd、VddIO13.2.1.3 XVdd
電源 – XVdd13.2.2
電源リップル/
ノイズパラメータ Min. Typ. Max. 単位 備考
AVdd
電圧 3.14 3.3 3.47 V
電圧立ち上がり速度 – – 0.036 V/µs 例: 3.3 Vレールの場合、電圧の 立ち上がり時間は92µs以上で ある事が必要です。
パラメータ Min. Typ. Max. 単位 備考
VddIO
電圧 1.71 3.3 3.47 V I2C
電圧立ち上がり速度 – – 0.036 V/µs 例: 3.3 Vレールの場合、電圧の 立ち上がり時間は92µs以上で ある事が必要です。
Vdd
電圧 3.14 3.3 3.47 V
電圧立ち上がり速度 – – 0.036 V/µs 例: 3.3 Vレールの場合、電圧の 立ち上がり時間は92µs以上で ある事が必要です。
電圧立ち下がり速度 – – 0.05 V/µs 例: 3.3 Vレールの場合、電圧の 立ち下がり時間は66µs以上で ある事が必要です。
パラメータ Min. Typ. Max. 単位 備考
XVdd
電圧 Vdd – 2 × Vdd V 内蔵昇圧回路使用時の最大値
パラメータ Min. Typ. Max. 単位 備考
Vdd – – ±50 mV 周波数レンジ: 1 Hz〜1 MHz AVdd – – ±40 mV 周波数レンジ: 1 Hz〜1 MHz、
ノイズ抑制有効時
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.3 試験条件
この後に記載するインターフェイスおよび駆動特性データは、下表に示す条件で検証されました。
表
13-1: 試験条件
オブジェクト/パラメータ 概要/設定(数値は10進数) アクイジションコンフィグレーション
T8
CHRGTIME 48
MEASALLOW
タッチ計測: 11
ホバー計測
: 15
MEASIDLEDEF
タッチ計測: 1
ホバー計測
: 4
MEASACTVDEF 1
1
点タッチ ジェスチャ プロセッサT24
有効2
点タッチ ジェスチャ プロセッサT27
有効タッチ抑制
T42
有効CTE
コンフィグレーションT46
IDLESYNCSPERX 12
ACTVSYNCSPERX 12
Lens Bending T65
のインスタンス0
有効ノイズ抑制
T72
有効手袋検出
T78
有効Retransmission
補償T80
有効マルチタッチ タッチスクリーン
T100
有効XSIZE 30
YSIZE 19
タッチスクリーン ホバー コンフィグレーション
T101
有効
(
ホバーのみ)
補助タッチ コンフィグレーション
T104
有効 自己容量式コンフィグレーションT111
のインスタンス
0
INTTIME 50
IDLESYNCSPERL
タッチ/
ホバー計測: 16
ACTVSYNCSPERL
タッチ/
ホバー計測: 16
自己容量式コンフィグレーション
T111
の インスタンス1
ホバーのみ
INTTIME 80 (
ホバーのみ)
IDLESYNCSPERL 64 (
ホバーのみ)
ACTVSYNCSPERL 64 (
ホバーのみ)
自己容量式コンフィグレーション
T111
の インスタンス2
INTTIME 50
IDLESYNCSPERL
タッチ/
ホバー計測: 22
ACTVSYNCSPERL
タッチ/
ホバー計測:22
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.4 消費電流 – I
2C インターフェイス
13.4.1 AVdd
Note: 以下の特性グラフは、相互容量式シングルエンド計測に基づきます。P2P 相互容量式計測を有効にした
場合、消費電流は最大で
8 % (typ.)
増加します。特性グラフは、表13-1の条件に基づく代表値を示しています。 実際の消費電流は、 ユーザ アプリケー ションに固有の条件によって左右され、 記載した特性グラフとは異なる可能性があります。 最適性能を 達成するには調整が必要です。
Acquisition Rate (ms) 0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
Free-run 12 11 11 11 9 11
10 9 8 8 8 8 11
16 6 5 5 5 5 9
32 3 3 3 3 3 5
64 1 1 1 1 1 3
Current Consumption (mA)
0 2 4 6 8 10 12 14
Free-run 10 16 32 64
Current Consumption (mA)
Acquisition Rate (ms)
0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.4.2 Vdd
Acquisition Rate (ms) 0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
Free-run 8 10 11 13 12 9
10 7 7 8 10 12 9
16 4 5 5 6 9 8
32 2 2 3 3 5 4
64 1 1 1 2 3 2
Current Consumption (mA)
0 2 4 6 8 10 12 14
Free-run 10 16 32 64
Current Consumption (mA)
Acquisition Rate (ms)
0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.4.3 VddIO
Acquisition Rate (ms) 0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
Free-run 0.21 0.20 0.21 0.29 0.28 0.20
10 0.21 0.20 0.20 0.23 0.28 0.20
16 0.21 0.20 0.20 0.21 0.23 0.20
32 0.21 0.20 0.20 0.20 0.21 0.20
64 0.21 0.21 0.20 0.20 0.22 0.21
Current Consumption (mA)
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
Free-run 10 16 32 64
Current Consumption (mA)
Acquisition Rate (ms)
0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.5 消費電流 – SPI インターフェイス
13.5.1 AVdd
Note: 以下の特性グラフは、相互容量式シングルエンド計測に基づきます。P2P 相互容量式計測を有効にした
場合、消費電流は最大で
8 % (typ.)
増加します。特性グラフは、表13-1の条件に基づく代表値を示しています。 実際の消費電流は、 ユーザ アプリケー ションに固有の条件によって左右され、 記載した特性グラフとは異なる可能性があります。 最適性能を 達成するには調整が必要です。
Acquisition Rate (ms) 0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
Free-run 12 11 11 10 8 11
10 9 8 8 8 8 11
16 6 5 5 5 5 9
32 3 3 3 3 3 5
64 1 1 1 1 1 3
Current Consumption (mA)
0 2 4 6 8 10 12 14
Free-run 10 16 32 64
Current Consumption (mA)
Acquisition Rate (ms)
0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.5.2 Vdd
Acquisition Rate (ms) 0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
Free-run 8 10 11 12 13 9
10 8 8 9 11 13 9
16 7 7 7 8 10 8
32 6 6 6 7 8 7
64 5 5 5 6 6 6
Current Consumption (mA)
0 2 4 6 8 10 12 14
Free-run 10 16 32 64
Current Consumption (mA)
Acquisition Rate (ms)
0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.5.3 VddIO
Acquisition Rate (ms) 0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
Free-run 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30 0.24
10 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30 0.24
16 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30 0.25
32 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30 0.25
64 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30 0.26
Current Consumption (mA)
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
Free-run 10 16 32 64
Current Consumption (mA)
Acquisition Rate (ms)
0 Touches 1 Touch 2 Touches 5 Touches 10 Touches 1 Hover
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.6 タイミング仕様
13.6.1
タッチレイテンシ条件
: XSIZE = 30
、YSIZE = 19
、CHRGTIME = 48
、IDLE/ACTVSYNCSPERX = 12
、T = –40 °C
、25 °C
、85°C
下の表は、工程能力指数Cpk = 1.66
での値を示しています。13.6.2
レポート レートアイドル時
=
相互容量式、アクティブ時=
相互容量式T100 TCHDIDOWN パイプラインOFF パイプラインON
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. 単位
3 27.9 31.9 35.7 29.8 33.6 37.5 ms
2 19.9 23.7 27.5 21.7 25.0 28.9 ms
1 11.6 16.0 19.3 11.6 15.3 19.3 ms
アイドル時
=
自己容量式、アクティブ時=
相互容量式T100 TCHDIDOWN パイプラインOFF パイプラインON
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. 単位
3 27.7 30.4 35.4 29.5 32.2 35.5 ms
2 19.8 21.9 24.4 21.2 23.9 28.0 ms
1 11.2 13.7 16.5 11.2 13.8 16.4 ms
アイドル時
=
自己容量式、アクティブ時=
自己容量式T100 TCHDIDOWN パイプラインOFF パイプラインON
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. 単位
3 21.9 24.2 26.5 23.6 26.2 29.7 ms
2 16.6 18.9 22.2 18.6 20.6 25.8 ms
1 11.6 14.2 20.0 11.3 13.7 19.9 ms
50 100 150 200 250 300
Refresh Rate [Hz]
Pipelining ON Pipelining OFF
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.6.3
バースト周波数の許容誤差バースト周波数は、システムクロックに直接関係します。バースト周波数の許容誤差は、システムオシレータの許容 誤差によって決まります
(
表13-2参照)。
13.6.4
リセット タイミング13.7 タッチスクリーン センサの特性
13.8 入出力特性
表
13-2: オシレータの許容誤差 – DFLL48
条件: T = –40 °C、25 °C、85°C
Min. ドリフト Typ. Max. ドリフト 注釈
–5% 55 MHz +5% Min./Max.ドリフトは、目標周波数に対する±%で示されま
す。
パラメータ Min. Typ. Max. 単位 注釈
電源投入からCHGラインがLOWに遷移す るまでの時間
91 91 92 ms Vdd電源: POR用
VddIO電源: 外部リセット用
ハードウェア リセットからCHGラインが LOWに遷移するまでの時間
90 90 91 ms
ソフトウェア リセットからCHGラインが LOWに遷移するまでの時間
107 110 115 ms
Note 1: 電源投入またはリセット期間が終了する前の
CHG
ラインの動作は、ホストによって無視されます。電源投入
/
リセット期間が終了する前のこの信号の動作は保証できません。パラメータ 概要
Cm 相互容量 1ノードにおいて一般的に0.15 pF〜10 pF
Cpx Xラインに対する相互容量負荷 Microchip社は、各XまたはYラインに対して300 pF以下の負荷 を推奨します。(1)
Cpy Yラインに対する相互容量負荷
Cpx Xラインに対する自己容量負荷 Microchip社は、各XまたはYラインに対して100 pF以下の負荷 を推奨します。(1)
Cpy Yラインに対する自己容量負荷
Cpx Xラインでの自己容量アンバランス 公称値は9.7 pFです。この値は、Cpx/Cpyが45 pF減少するごと に1 pF増加します(100 pF負荷に基づく)
Cpy Yラインでの自己容量アンバランス
Note 1: これよりも大きな値を使う場合、Microchip社販売担当者にお問い合わせください。
パラメータ 概要 Min. Typ. Max. 単位 注釈 入力(全入力ピンをVddIO電源レールに接続)
Vil 入力LOW電圧 –0.3 – 0.3 ×
VddIO
V VddIO = 1.8 V〜Vdd
Vih 入力HIGH電圧 0.7 ×
VddIO
– VddIO V VddIO = 1.8 V〜Vdd
Iil 入力リーク電流 – – 0.5 µA
RESETピン 内部プルアップ抵抗 20 40 60 k
GPIOピン 内部プルアップ/プルダウン抵抗 出力(全出力ピンをVddIO電源レールに接続)
Vol 出力LOW電圧 0 – 0.2 ×
VddIO
V VddIO = 1.8 V〜Vdd
Iol = –2 mA
Voh 出力HIGH電圧 0.8 × – VddIO V VddIO = 1.8 V〜Vdd
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.9 I
2C の仕様
13.10 SPI バスの仕様
[
13.11 タッチの精度と再現性
1
13.12 パッケージ熱特性
13.12.1
熱特性データパラメータ 値
アドレス 0x4Aまたは0x4B
I2C仕様 リビジョン6.0 最大バス速度(SCL)(1) 3.4 MHz
標準モード (2) 100 kHz ファストモード(2) 400 kHz ファストモード プラス(2) 1 MHz ハイスピード モード (2) 3.4 MHz
Note 1: プルアップ抵抗の値は、SCLおよび
SDA
の立ち上がり/
立ち下がり時間がI
2C
仕様に適合するように選 定する必要があります。必要な値は、ラインの静電容量負荷の大きさによって決まります。2:
I
2C
ラインの負荷が大きなシステムでは、たとえ最小のプルアップ抵抗値を使っても、バス速度は理論 的最大値を達成できない可能性があります。3:
I
2C
動作の詳細は、www.nxp.com/documents/user_manual/UM10204.pdfから入手できます。パラメータ 仕様
モード モード3 (CPOL = 1、CPHA = 1)
クロックのアイドルステート HIGH
セットアップ リーディング(立ち下がり)エッジ サンプリング トレーリング(立ち上がり)エッジ
ワードサイズ 8ビット
最大クロックレート 8 MHz
パラメータ Min. Typ. Max. 単位 注釈
直線性
(タッチのみ、電極ピッチは5.4 mm)
– ±1 – mm φ8 mm以上の指
直線性
(タッチのみ、電極ピッチは4.2 mm)
– ±0.5 – mm φ4 mm以上の指
精度 – ±1 – mm
エッジでの精度 – ±2 – mm
再現性 – ±0.25 – % X軸は12ビット分解能
パラメータ 概要 Typ. 単位 条件 パッケージ
JA 接合部から周囲への熱抵抗 51.4 C/W 無風状態 100ピンTQFP 14 × 14 × 1 mm
JC 接合部からパッケージへの 熱抵抗
9.1 C/W 100ピンTQFP 14 × 14 × 1 mm
MXT641TD-AT/MXT641TD-AB 1.0
13.12.2
接合部温度本デバイスが許容する最高接合部温度は
125
℃です。デバイスの平均接合部温度
(T
J)
は、下式により求まります(
単位は℃)。
ヒートシンクを使う場合、下式を使います。
•
JA= 接合部から周囲への熱抵抗 (
℃/W) (13.12.1「熱特性データ」参照 )
•
JC=
接合部からパッケージへの熱抵抗(
℃/W) (13.12.1
「熱特性データ」参照)
• q
HEATSINK= ヒートシンクの熱抵抗 (
℃/W)、ヒートシンクのデータシートに記載
• P
D= デバイス消費電力 (W)
• T
A= 周囲温度 (
℃)
13.13 ESD 情報
13.14 はんだ付けプロファイル
13.15 MSL (Moisture Sensitivity Level)
パラメータ 値 準拠規格 注釈
人体モデル(HBM) ±2000 V AEC–Q100
デバイス帯電モデル(CDM) ±500 V AEC–Q100 コーナーピンを除く
±750 V AEC–Q100 コーナーピンのみ
プロファイル グリーン パッケージ
平均温度上昇率(217 ℃→ピーク温度) 最大3 ℃/s
予熱温度 175±25 ℃ 150〜200 ℃
217 ℃以上を保つ時間 60〜150 s
実際のピーク温度から5℃以内を保つ時間 30 s
ピーク温度レンジ 260 ℃
温度降下率 最大6 ℃/s
25 ℃からピーク温度までの時間 最大8 min
MSL等級 パッケージタイプ 最高パッケージ温度 仕様
MSL3 QFP 260 ℃ AEC–Q100
TJ T A P
DJA
+
=
TJ = TA+PDHEATSINK+JC