第 4 章 の参考文献
5.3.3. プロセスフロー
5.32 MPa 16.6 MPa
(a) 条件1のモデルにおける主応力解析結果
9.88 MPa 16.8 MPa
(b) 条件2のモデルにおける主応力解析結果
25.2 MPa 16.7 MPa
(c) 条件3のモデルにおける主応力解析結果
Figure 5-18 2次元走査型ポリマーMEMSミラーの主応力解析結果
5.3 2次元走査型ポリマーMEMSミラー 127
をスピン塗布，ソフトベースする。ソフトベーク後はフォトマスクを介してフォトレジ
ストs1805をミラー形状へパターニングする。ミラー形状へパターニングしたフォトレ
ジストs1805を保護膜としたウェットエッチングによってCr層をミラー形状へエッチ
ングする。Cr エッチング後，基板をピラニア洗浄することでミラー領域が完成する。
二つ目の工程はアクチュエータ層の形成である。磁気アクチュエータとなる磁気ポリ マーコンポジットを Si 基板の裏面へスピン塗布，ソフトベークによって堆積させる。
堆積後はフォトマスクを介して，トーションバーを含むアクチュエータ形状へパター ニングさせる。最後の工程はミラーのリリースとなる。Si を基板としている 2 次元走 査型ポリマーMEMSミラーは D-RIEによって基板をエッチングし，ミラーをリリース する。このとき，表面のCrミラー層がD-RIE時の保護膜となり，Siのエッチングを行 う。基板を貫通するまでD-RIEを行うことでミラーがリリースされ，2次元走査型ポリ マーMEMSミラーは完成する。具体的な2次元走査型ポリマーMEMSミラーのプロセ スフローをTable 5-5に示す。
Figure 5-20 2次元走査型ポリマーMEMSミラーのプロセスフロー
Table 5-5 2次元走査型ポリマーMEMSミラーのプロセスフロー
手順 工程 条件等
1 シリコン基板の洗浄 アンモニア過水 10 min 2 Crミラー面の形成
（Crスパッタ）
Cr 500 nm 3 Crミラー面の形成
（保護膜s1805）
塗布 3000rpm 30 sec
ソフトベーク 90 deg. 2 min 露光 40 mJ/cm2
現像 1～2 min
純水オーバーフロー3回 4 Crミラー面の形成
（Crエッチング）
Crエッチング 5 min ピラニア洗浄 5 min 5 基板の水分除去 100 deg. 5 min 6 アクチュエータ層の形成
（HMDS処理）
塗布 3000rpm 30sec
ソフトベーク 90 deg. 5 min 7 アクチュエータ層の形成
（コンポジット塗布，
パターン形成）
塗布：3000 rpm 30 sec
ソフトベーク：60 deg. 10 min 90 deg. 2 h Relax 1 h
露光：1800 mJ/cm2（3回に分ける）
P.E.B.：60 deg. 3 min 90 deg. 5 min Relax. 1 h SU-8現像：10 min
（最後に超音波で整える）
IPA洗浄：1 min 純水洗浄：20 sec 8 ミラーのリリース
（D-RIE）
基板を貫通するまで行う。
（Cr 面を保護膜とし，アクチュエータ 面へDPオイルを塗り，冷却を行う。エ ッチング中は50 cycle毎に様子を見る）
5.3 2次元走査型ポリマーMEMSミラー 129