[PDF] Top 20 homework medicine 120626 最近の更新履歴 Dr Hishiki's classroom (日紫喜研究室)

... 共集極(CC)式電路具有大電流增益、高輸入阻抗及低 輸出阻抗的特性 36.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... (B) 二極體在順偏時，主要之電容效應為擴散電容， 其值隨通過電流的增加而變大 29.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... I = + + = 6. (A) 迴路電流法是利用 K.V.L.於封閉路徑寫出迴路方 程式 (B) 節點電壓法是利用 K.C.L.於節點寫出節點方程式 (D) 在線性電路中，任意兩端點間之網路可用一等效 電流源和並聯一等效電阻取代之，稱為諾頓定理 7. 4 6 A ... 完全なドキュメントを参照

... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 C D B C D A D B B D D C D C D A C B D D C D B C B 第一部份：基本電學 1. 溫度上升主因是電流與溫度之效應，況且一般用電採 並聯接法，電壓應為固定值 ... 完全なドキュメントを参照

... 電力線上任一點切線的方向，即代表該點電場之方 向，而電力線較密處，即為電場強度較大處 22.. 在積體電路製程中，最常使用的是「電晶體」，儘量 避免使用的是「電感」 27.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 30. 外加電場時，形成電子流與電洞流，其兩者方向相反 32. 純半導體經摻雜後，其電性為電中性 33. PN 摻雜濃度增加，其障壁電位亦受影響 34. PN 接面之空乏區電場強度之最大值出現在 P 區域與 N 區域的接面上 ... 完全なドキュメントを参照

... (D) 佛萊明右手定則大姆指為導體運動方向，而非受 力方向 14.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 31. 電感濾波器是屬於重負載電路，適用於大電流負荷 32. (A) BJT 有兩個 PN 接面，分別是基極－集極接面 J C 與基極－射極接面 J E (B) 功率增益最大的是共射極 CE 組態電路 (C) 共基極 CB 組態電路之輸出阻抗最高 ... 完全なドキュメントを参照

... 通常以禁止帶的寬度，決定物質為 導體、半導體或絕緣體 27.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 正弦波波幅為時間之正弦函數，方波(脈波)只有兩種 狀態，三角波波幅與時間成正比 (正斜率)或反比(負斜 率)變化 27.. 電容愈大；頻率愈高(全波整流)；負載電阻愈大(電流 愈小 )濾波效果愈好 34..[r] ... 完全なドキュメントを参照

... I 1 + 2 + 3 = + + = 第二部份：電子學 28. 二極體加逆偏後，空乏區內電場方向由 N 指向 P 側， 且漏電流大小不隨逆向偏壓大小改變 29. D 1 → ON ， D 2 → OFF ，故 V o = − 2 . 5 V 30. 當輸入 V i = 30 V ~ 70 V 時輸出隨輸入變化 ... 完全なドキュメントを参照

... 42. 最小動作電流為額定電流之 50% 43. PVC 管散熱較差，故安全電流會降低 44. 轉速太快會使電壓及電流同時增加，故電阻不變 45. 接地的目的在於將漏電流導入大地，防止人員感電 46. A 管：需一條火線、一條地線及兩條控制線 ... 完全なドキュメントを参照

... V CE = − × = 第三部份：基本電學實習 35. (A) 水：A 類 (B) 泡沫滅火器：A、B 類 (C) 乾粉滅火器：A、B、C 類 (D) 二氧化碳滅火器：B、C 類 鹵化烷(海龍)滅火器：A、B、C、D 類 36. 在滿刻度的情形下，電流愈低者，靈敏度愈高 37. 分別計算各別滿載電流 ... 完全なドキュメントを参照

... B C C C C D D D D C D C B D D C A B A B A C A C B 第一部份：電工機械 1. (A)、(B) 可變電阻由 A 移到 B，電阻由小變大， 電 流由大變小，故向左之磁通變小，右側的螺旋管反 抗左側螺旋管之磁通變化，產生相同方向的磁通， ... 完全なドキュメントを参照

... CE + CB 適合用於高頻放大 ∵CB 具有良好之高頻響應，但因輸入阻抗低，易造 成輸入信號衰減，可由 CE 當輸入級形成疊接放大器 改善此一缺點 29... 如下圖，未放置啟動器時，因電壓表內阻為高電阻 分壓得高電壓 49.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... MOSFET 為電壓控制元件 29... RLC 並聯諧振阻抗為最大，電路電流最小 45.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 半導體作成的電阻其工作環境溫度上升時，其導電率 增加 27.. 空乏區內無電子與電洞存在，而障壁電位主要為施體 與受體離子的作用 28..[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 為輸出的正端 20. 稽納二極體使用時大多是使用逆向偏壓，當逆向崩 潰發生時才會具有穩壓的功能，通常應用於穩壓電 路或提供電路參考電壓之用，而摻雜濃度越高逆向 崩潰電壓越低 (即逆向崩潰電壓的大小與摻雜濃度成 反比) ... 完全なドキュメントを参照

... 增加同容量之變壓器一具，改為 Δ-Δ 接線時： kVA 4.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 負載不平衡時，且中性線斷，則負載小的兩端端電壓 較大 第二部份：電子學 26.[r] ... 完全なドキュメントを参照