TEM による半導体デバイス解析技術
Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... (3)数Ω程度の抵抗上昇を示すコンタクトホールの解析 W プラグ構造のコンタクト抵抗は通常、2～4Ω/個とされている。この抵抗の数倍～十倍程度 の高抵抗は一般的にはプロセスの不安定性に由来するものとされ、回路的にも動作マージン を見込んで設計されている。しかしながら長期にわたる使用条件や一定の信頼性加速試験環 境においては、初期には検出されない高抵抗原因となることが懸念される。よってこれらの数 ...
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半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... 3．研究の方法 (1)ウエットプロセスにおける磁場の純水帯電の影響評価 実際の製造現場での現象を再現させるために、図 1 のよ うな実験システムを構築し、純水が帯電するか確認実験を 行った。市販の電磁石（ギガデコ TMS302）の磁界発生部 の間に純水を通して、その純水をファラデーケージで受け、 電荷を測定した。実験条件は噴射圧力 0.2 MPa、純水の比 抵抗値を 17.0 MΩ･cm、磁場：0, 55, 110 mT の 3 ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 現状では、 CVD プロセスを利用する気相成長法（HVPE 法）、超臨界アンモニアを利用するア モノサーマル法、 Na 融液を利用する Na フラックス法などが研究されている。 GaN は結晶成長時の晶癖のため、特に+C 軸方向に成長させると円錐型に直径がどんどん減少 し、長い単結晶が取れないという問題もある。このため、単結晶から数枚～ 10 枚程度の基板しか ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 製造歩留り向上のためには製造工程で生じる欠陥の発生を把握し、対策する ことが重要となる。半導体では、製造プロセスの微細化に伴い致命となる欠陥 サイズも微小化しており、欠陥検査・観察がますます重要となっている。製造工 程で生じた欠陥を把握するため、インラインウェハ検査システムが導入されて いる [15]。インラインウェハ検査システムはデバイスの製造工程間でウェハを検 ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 1） レシピ特許を含むプログラム特許では、日米での出願人分布は大きな違いがある。米国登録特許では、アプライドマ テリアルズ社（AM AT）、アドバンストマイクロデバイセズ社（AM D ）の上位2社でプログラム特許全体の55. 2％を占め ており、この2社は明らかに戦略的に特許を取得していると見られるのに対して、日本は大手半導体メーカや製造装 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... しかし、こうしたソフトワイアド型の半導体においても、設計と製造が完全に分離され るわけではなく、むしろ設計段階で製造段階の問題がわかるため、インターフェイス調整 が抽象化され、設計段階で行われるようになる（徳丸 2002）。多くの製造業で採用されて いる 3 次元 CAD でも、設計と製造の調整が「前倒し」になる現象が観察されている（竹田 2000） ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... 書き込み面での技術的課題はより困難なものである。現在の MRAM では MTJ 素子近くに配 置した配線に電流を流して磁化反転を起こすことにより情報の書き込みを行っている。この方 式ではもともと磁化反転に利用されるエネルギー効率が非常に低いが、その他にも素子サイズ の微細化に伴い書き込み電力が急激に増加する、素子サイズのバラつきに対して脆弱などの本 ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... これらのワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの 実用化に向けての最大の課題は、如何にして Si パワーデバ イス並の製造コストで生産できるかであり、その鍵は高品 質、低コストの大口径基板の実現だと思われる。基板結晶 の成長が難しく、未だ低コスト、大口径の基板が得られて いないのが実情である。この課題へのソルーションを見い 出したものが市場参入の一番乗りになるものと予想され、 ...
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GaAs デバイス技術のミリ波応用
... 三つ目には、実装形態およびコストの優位性である。3-D WLCSP技術はRadio Link（13/15GHz、18/23GHz、 24/30GHz、32GHz帯、38GHz帯）にも適用して製品化 している。つまり、この水平展開の内にミリ波製品が位置 づけられるわけである。百数十ミクロン程度の微小な半田 ボールを介してチップと回路基板（PCB）を接続するた め、ミリ波でも性能変動が少ない。導電性のSi基板を用い るSiGe ...
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2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
... Ref2:https://www.semicon.sanken-ele.co.jp/guide/GaNSiC.html Ref1:コロナ社 ワイドギャップ半導体パワーデバイス 山本秀和著 1.1 はじめに パワーデバイスは、電力変換用のスイッチング素子として使用されている ...
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低炭素社会の実現に向けた技術および経済 社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書 技術開発編 GaN 系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 平成 29 年 3 月 Technological Issues and Future Prospects of GaN
... ップを持ち、そこからの発光は紫外光となる。ところが、 GaN の結晶格子の一部を他の元素で置 換することで得られる InGaN 及び InGaAlN まで含めた GaN 系化合物半導体は、組成の変化に応 じて連続的にバンドギャップが変化し、 InN の 0.7～0.8 eV から、AlN の 6.2 eV まで制御し得るこ とが大きな特徴である。格子定数もまた組成に応じて連続的に変化するが、エピタキシャル成長 ...
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半導体前工程 （ウェハ加工工程）の課題とＩＴ技術
... バラツキ制御要求の増大を解決するためには、装置メーカとデバイスメーカ間の 情報交換の重要性増大（品質制御と装置制御の融合） AEC：装置内部のFB/FF制御 APC：装置間を跨るFB/FF制御 ...
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第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように 多くの要素技術が使われています 太陽電池は半導体デバイスですから まず半導体材料作製
... ●シリコンは反射率が高く、そのままでは入射光の35％が利用できない ●膜の前面と背面の反射光が打ち消し合って光を有効に結晶に導く 図 1 反射防止膜の働き 反射防止膜の前面（空気側）と背面（シリコン側）の反射光の波の位相が打ち消し合うようにす ると、反射が抑えられ、光を有効に結晶中に導くことができる。同様の技術はメガネのレン ズにも使われている。シリコンの反射を最小にする干渉条件を満たす膜は、青色に見える ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... Sony Corporation Investor Relations このスライドに記載されている、ソニーの現在の計画、見通し、戦略、確信などのうち、歴史的事実でないも のは、将来の業績に関する見通しです。将来の業績に関する見通しは、将来の営業活動や業績、出来事・ 状況に関する説明における「確信」、「期待」、「計画」、「戦略」、「見込み」、「想定」、「予測」、「予想」、「目 ...
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超音波スプレー技術を用いた次世代半導体洗浄技術に関する研究
... 本研究の目的は、周波数 5MHｚ～10MHz の超音波振動 体技術を用いて、次世代の半導体デバイス洗浄技術を目指 すことである。本年度においては、フィジビリティスタデ ィーとして、直径 1µm のポリエスチレンラテックス(PSL) 粒子をシリコンウェハ上に塗布したサンプル基板を用い て、超音波振動体型洗浄装置の洗浄能力を確認した。 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 図 2 超音波スプレー型洗浄の様子 PSL 粒子 0.03µm から 1µm を散布したサンプル基板を 周波数 1MHz の超音スプレーと周波数 3MHz で洗浄した 場合、出力に対する PSL 粒子の除去率をそれぞれ図 3 と 図 4 に示す。1 MHz 時も 3 MHz 時も超音波スプレー洗浄 装置の出力（振幅）が大きくなるにつれて除去率が高くな った。当然ではあるが、超音波スプレー洗浄装置の出力が ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 晶は、得られていなかった。バンドギャップも大きく、光 デバイスとしては、可視光から紫外光をカバーする事が出 来る。このように異質な窒化物系化合物半導体は、従来の 化合物半導体のようなバルク結晶が得られないため、その デバイスは、サファイアなどの全く異なる異種材料からな る異種基板上へのヘテロエピによって登場した。1993 年 にサファイア基板上のダブルヘテロ型エピ構造を有した青 色 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 当社は、1960 年代より、化合物半導体材料の開発を開 始し、1980 年代より、それらの材料技術を活用し、光通 信用デバイスの開発、事業化に取り組んできた （8）、 （9） 。その Development of Various Semiconductor Quantum Devices ─ by Tsukuru Katsuyama ─ Semiconductor quantum ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 以上の様な経時劣化の対策として、回路設計技術者は経験的なマージンを取って設計を 行う。そして、集積回路の信頼性を検証するにあたり信頼性試験 (表 1.1) を行うのだが、 この信頼性試験は、膨大な試験時間や費用が掛かってしまう問題がある。また、試験の結果 が設計規格通りにならなかった場合に、再度設計を行わなければならないが、故障の原因が ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... にある。図 5 に PSL 粒子 0.2µm を散布したサンプル基板 を周波数 1MHz と 3MHz の超音波洗浄装置で洗浄した場 合の出力に対する PSL 粒子の除去率を示す。図 4 と同様、 洗浄装置の出力が大きくなるにつれて、洗浄力は高くなる が、 1µm 時よりも除去率が低くなっている。これは、PSL 粒子が受ける超音波洗浄による流体抗力が小さくなるた めと推測している。また PSL 粒子 1µm ...
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