PiNダイオード、IGBT、サイリスタなど
CONTENTS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード サイリスタ ディスクリート ディスクリート製品の特長 品名のつけ方 トライアック サイリスタ 10
... ■ ダイオード／高速ダイオード／ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード ･･･････････････････････････････････････････････････ ５ 高速ダイオード ･･････････････････････････････････････････････････････････････････････････ ５ ...
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ダイオード中小型編 応用上の注意
... 誘導負荷の場合は電源の開閉時などに過渡的に高い電圧がかかるため、 一般に、 AC100 V ラインでは 400 V 耐圧、AC200~240 V ラインでは 600~800 V 耐圧のものが必要です。また外来サージ、負荷回路からの サージにより過大な逆電圧が印加されますと、アバランシェ領域での逆損失が過大となり素子を劣化また は破壊することがありますので、サージ吸収回路を付加して保護する必要があります。特に、サージ電圧 ...
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LTC4225-1/LTC デュアル理想ダイオードおよびHot Swapコントローラ
... その他のアプリケーション ほとんどのアプリケーションでは、バック・トゥ・バック MOSFETは、電源側のMOSFETが理想ダイオードとして構 成され、負荷側のMOSFETがHot Swap制御として構成され ます。ただし、アプリケーションによっては、理想ダイオードの MOSFETとHot Swap制御のMOSFETが、図9に示されてい るように、入れ替わることがあります。Hot Swap MOSFETが ...
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ラジオで学ぶ電子回路 - 第5章 ダイオード検波ラジオ
... 次に、シリコンダイオードが使えないか検討します。 図5-18 のままで、ゲルマニウムダイオー ドをシリコンダイオードに置きかえると、全く音が出なくなります。これは第2章AM検波のダイオ ード検波の項で説明しました。そこで、バイアスをかけることにします。その回路を 図5-26 に示 します。1S2076Aは小信号用のシリコンダイオードとして、最も一般的なものです。ダイオードの ...
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H-NET DE-SWA DE-IF2 530 DE-VIEW 1 10 Web DE-WEB CO2 DE-R2 D-sub 25pin D-sub 9pin DE-IF2 DE-SWA Ver.4.00 LAN RS-485LAN H-NETUDS R RS-485 AUD
... RS-485伝送線 （ツイストペアケーブル） ◇ 使用電線はシールド付ツイストペアケーブルを使用してください。ほかの線種の場合は静電ノイズ，電磁ノイズなどの影響により、通信に障害が 発生する恐れがあります。 ◇ 盤内を含め、同一系統内での異なった線種，線径の混在は避けてください。反射などの影響により、通信に障害が発生する場合があります。 ...
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第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン
... pn接合ダイオードの順方向（p型側をプラス、n型側をマイナス）電流は、電圧と ともに指数関数的に増加します。その理由をバンド図を使って説明しましょう。 図1 の（a）のようなpn接合をつくると、境界面において拡散電流と逆流させるド リフト電流がバランスするよう、内蔵電位差 V d が生じます。順方向電圧（p型側がプ ラスの電圧） V を加えると、電子のエネルギーは e ・ V だけ下がるので、バンド構造 ...
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LTC 電源ダイオードOR電流平衡コントローラ
... EN1 、EN2：イネーブル入力。対応する電源のシェアリングおよ びダイオード制御を有効にするには、このピンを0.6Vより低い 電圧に保持します。このピンをHighに駆動すると、MOSFET のゲートが遮断されます（遮断後もMOSFETのボディ・ダイ オードを通して電流が流れる可能性があります）。コンパレー タには8mVのヒステリシスが組み込まれています。両方のEN ...
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RFN5TF8S : ダイオード
... 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
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RFN5TF6S : ダイオード
... CLASSⅣ CLASSⅢ 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や 故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
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RFN1LAM6S : ダイオード
... CLASSⅣ CLASSⅢ 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や 故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
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RR264MM-400TF : ダイオード
... 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、誤動作や故障が生じた場合であっても、本 製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示す ようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
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1-1. OmniSCSI One-to-One: SCSI ドライブ 1 台 SCSI ドライブ 1 台の copy 特徴 : Master(copy 元 ) と Target(copy 先 ) の容量 メーカ モデルなどが異なっても cloning 可能 標準 68pin SCSI-3(HD68
... ・Mac,Linux,Unix,SUN,OS2 などの OS 用に MirrorCopy があり、sector 単位で copy します ・すべての partition タイプの verify は、UDMA 転送を選択した場合、CRC16 で行われます ・64MBCompactFlash カードによって、OmniClone に内蔵されているソフトウエアの更新を簡単にできます ・オプションの CleverCopy ...
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SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究
... 第 5章では、SiC成長層表面のラフネスがショットキー障壁ダイオードの特性に及ぼす影 響を調べた結果を述べている。前章で述べたように、貫通転位の箇所におけるナノピット の形成を抑制すれば、 SiCショットキー障壁ダイオードのリーク電流は大幅に低減される が、成長層表面に基板オフ角に由来するマクロステップが存在すると、やはり局所的な電 ...
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電界のみによるスピン分離観察を目指したInSb系共鳴トンネルダイオード設計に関する研究
... 半導体デバイスは 1947 年にトランジスタが発明されて以来、開発技術の向上に合わせて、 応用分野の拡大に伴い、自動車や電気製品のほとんどに内蔵されるようになり、現在では 私たちの生活に欠かせない存在になっている。 半導体デバイスの性能向上の上で、重要な技術となるのは「微細化(スケーリング)」であ った。 1965 年に Gordon Moore 氏によって発表されたスケーリング則に則った微細化に伴い、 ...
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実習 K: ダイオード 1. 目的 pn 接合半導体整流器の電圧電流特性を測定し 半導体の物理的性質および整流器としての整流作用を理解する 2. ダイオード ダイオードとは二つの電極 ( アノード (A) とカソード (K)) を持った半導体の総称で 最も基本的な非 線形素子である 図 K1 に今回
... ２．バイポーラトランジスタ トランジスタにはバイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ（ FET ）などがあり、バイポーラト ランジスタには npn 型と pnp 型トランジスタがある。今回はこのなかで、 npn 型トランジスタ、 2SC1815 を使用し、トランジスタの基本的な利用形態の一つである増幅器を学習する。 ...
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JIS C8152 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法
... 標準仕様書（TS）とは日本工業標準調査会（JISC）の審議において、市場適合性が確認できない、 又は技術的に開発途上にあるなど、JIS 制定へのコンセンサスが得られませんでしたが、将来 JIS 制定 の可能性があると判断され、公表される標準文書です。 この標準仕様書の中で、照明用白色 LED の寿命は以下のように定義されています。 ・ LED の寿命 ...
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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... SiC などの既存の大電力用途のデバ イスは縦型が主である。これは、配線、パッケージングの 容易さ、高い面積効率を有するなどの理由から横型に比べ 縦型が大電流・高電圧デバイスに有利なためである。GaN 系で縦型構造を作製する場合には、1）転位と呼ばれる結 晶性の乱れが電流リークの原因となるため GaN 基板の低 転位化、2）GaN ...
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第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン
... pn接合ダイオードの順方向（p型側にプラス、n型側にマイナス）電流は電圧とと もに指数関数的に増します。この理由を説明しましょう。 図1 の（a）のようなpn接合をつくると、境界面において拡散電流と逆流させるド リフト電流がバランスするよう、内蔵電位差 V d が生じます。順方向電圧（p型側がプ ラスの電圧） V を加えると、電子にとってはeVだけエネルギーが下がるので、バンド ...
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RR1LAM4S : ダイオード
... CLASSⅣ CLASSⅢ 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や 故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
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RB160MM-60TR : ダイオード
... CLASSⅣ CLASSⅢ 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や 故障が生じた場合で あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において 次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。 ①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。 ...
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