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CeO2薄膜の製造方法、CeO2薄膜お

有機薄膜太陽電池用材料の新しい合成法を開発

有機薄膜太陽電池用材料の新しい合成法を開発

... 有機薄膜太陽電池材料であるπ共役系高分子は、これまで主にクロスカップリング反応を用いて合成されてき ました。この手法は適応範囲が広く様々な高分子合成が可能であるため、有機薄膜太陽電池発展に欠かせな い技術です。しかしその一方で、スズやホウ素、リンなどを含む不純物が副生するため、反応後にそれらを除去する ...

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欠陥修復した酸化グラフェンから優れた電気特性をもつバンド伝導の観察に成功 ~高結晶性グラフェン薄膜のスケーラブル製造への道筋を開拓~

欠陥修復した酸化グラフェンから優れた電気特性をもつバンド伝導の観察に成功 ~高結晶性グラフェン薄膜のスケーラブル製造への道筋を開拓~

... AS242Z03214M, 大阪大学フォトニクス先端融合研究センター、「低炭素研究ネットワーク」京都大学ナノテクノロジー ハブ拠点、北陸先端科学技術大学院大学ナノテクノロジープラットフォーム事業一環として行われ、京都大学 大学 院理学研究科 倉田博基教授、大阪工業大学教育センター 山田省二教授、大阪大学大学院理学研究科 髙城 大輔助教、あいち SR センター 仲武昌史氏、北陸先端科学技術大学院大学 ...

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有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価

有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価

... 実験手順図を図 2 に示す.フェムト秒レーザとして THALES LASER 社製 Ti:sapphire レーザ発振システム ALPHA10 を使用した.発振波長は 800nm、レーザパル ス幅は<300fs である.ナノ秒レーザとして LOTIS 社製 YAG(Yittrium Alminum Garnet) レ ー ザ 発 振 シ ス テ ム LOTIS TII LS-2135 ...

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Microsoft Word - ミストを利用した薄膜成長技術の開発5.docx

Microsoft Word - ミストを利用した薄膜成長技術の開発5.docx

... とが可能になる(図 6) 7) 。その為、ミスト法では搬送が可能となり、整流することにより均質な薄膜を作製す る事ができるようになる。つまりスプレー法よりも原料取扱について一つ自由度が高いわけである。この 自由度高さは、単にそれだけでは終わらない。スプレー法では一般に、原料液を基板上に直接塗布させた ...

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Gd-Coアモルファス薄膜の磁気光学カー効果

Gd-Coアモルファス薄膜の磁気光学カー効果

... Gd-Co の寄与の推定 に大きな誤差が含まれることが分かつた。(この方 法はカ 回転角の大きな MnBi の場合には困難でな かったものである) また.保護膜側からの測定で は.図7に例を示すように,多重反射によるカー効 果増強が行われ.これを解析して Gd-Co 膜の特性 を推定するととも厄介な仕事であることが分かつ た。そこで,表面の酸化効果は避け難いものとし て[r] ...

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2. スパッタ法を用いた Nb ドープ PZT 薄膜 1-12) 2.1 Nb ドープ PZT 薄膜 PZT はペロブスカイト型構造を持つ複合酸化物であり Pb(Zr xti 1-x)O 3 の化学式で表わされ Fig. 1 に示す構造で ある A サイトに Pb 2+ イオン B サイトに Zr

2. スパッタ法を用いた Nb ドープ PZT 薄膜 1-12) 2.1 Nb ドープ PZT 薄膜 PZT はペロブスカイト型構造を持つ複合酸化物であり Pb(Zr xti 1-x)O 3 の化学式で表わされ Fig. 1 に示す構造で ある A サイトに Pb 2+ イオン B サイトに Zr

... 行なった。 2.2 スパッタPNZT薄膜成膜条件および評価方法 PNZT成膜用基板として,(100)面Si基板を用いた。 PNZT薄膜は独自に開発した6インチ成膜が可能なRFマ グネトロンスパッタ装置によって形成した。まず,Si基板 上にスパッタリング法によって20nmTi系密着層を形 ...

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RFマグネトロンスパッタリング法によるYBaCuO超伝導薄膜の作製: University of the Ryukyus Repository

RFマグネトロンスパッタリング法によるYBaCuO超伝導薄膜の作製: University of the Ryukyus Repository

... High Te superconducting YBaCuO thin film have been prepared on MgO (100) substrate by R~ magnetron sputtering using single target under sputtering gas pressures ranging from 5 mTorr to 1[r] ...

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薄膜結晶成長の基礎4.dvi

薄膜結晶成長の基礎4.dvi

... 一般に,拡散場中で成長パターンは開いた構造を持つ.等方的な界面成長パター ンはランダムなフラクタルとなるが,結晶場合には雪に見られるような規則性を持っ たものとなる.この原因は結晶規則的な原子配列にある.結晶格子構造が,巨視 的には表面スティフネスやカイネティク係数異方性として現れるである.この ...

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電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立

電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立

... 一般に,電子部品として使用される無機粒子焼結体 性能は無機粒子配列均一性が高いほど高くなる ことが知られている.無機粒子を均一に配列させる方法 としては,無機粒子をポリマーに分散させたグリーンシ ートを焼成する手法がある.分散性指標として,引張 ...

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2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

... ・ 高 (111)配向Pt下地(電極)層作製 ⇒ シード層材料、シード層膜厚、 Pt成膜温度 ・ (Bi 1-x Ba x )FeO 3 薄膜低温結晶化 ⇒ スパッタリング成膜中 VHFプラズマ照射 スパッタリング成膜中酸素分圧 ...

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分光・偏光を用いた薄膜・界面解析の実際

分光・偏光を用いた薄膜・界面解析の実際

... クトルから直接求まる訳ではなく,図 2 に示 す手順を踏むことにより,知りたいサンプル 情報を得る.まず,誘電関数組み合わせで 各層光学定数スペクトルを表し,サンプル 膜構造を記述して,知りたい未知数を含ん だサンプル光学モデルを構築する.この光 学モデルにより,ある条件で光が入射された 際反射率スペクトル,透過率スペクトル, ...

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ナノ構造熱電材料開発 -多重薄膜によるナノ構造制御の検討-

ナノ構造熱電材料開発 -多重薄膜によるナノ構造制御の検討-

... 率が支配的であると見なせる。そのため、図5に示す熱伝 導率は、ナノ粒子粒径により格子熱伝導率が制御された 結果であると理解される。 最後に、本研究開発で作製した試料ゼーベック係数 導電率依存性について言及する(図6)。キャリヤ輸送に関 する原理式によれば、フェルミ準位近傍電子構造に著し い変化がなければ、ゼーベック係数が大きいほど導電率 ...

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単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板

... 問題が発生した場合は、弊社はその責を負うも ではありません。また、これら権利実施 権許諾を行うものではありません。 当カタログに記載製品うち、「外国為替及 び外国貿易法」に定める規制貨物等に該当する ものについては、輸出する場合、同法に基づく ...

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有機薄膜太陽電池の材料の違いと素子作製

有機薄膜太陽電池の材料の違いと素子作製

... 換効率は 2-3 %程度なので、 残念ながら現在ドナー 材料としては主ではなくなっている。しかしながら、他 材料に比べて安価であること、作製手法としてそれほ ど癖がないので本研究では利用した。用いた試薬は、中 国・吉林奥来徳光電材料株式会社 Lot#20121010 と 201501001、東京化成工業株式会社 Lot#FAPMH-NE ...

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a-C:H薄膜のプラズマ処理による構造変化: University of the Ryukyus Repository

a-C:H薄膜のプラズマ処理による構造変化: University of the Ryukyus Repository

... 勢理客・山下・比嘉・渡久地:a-C:H薄膜のプラズマ処理による構造変化 100 2-匹プラズマ処理法 プラズマ処理のためのプラズマは,誘導結合型プラ ズマ(InductivelyCoupledPlasma:ICP)を利用して行っ た.ICPはガラス製放電管の外部にコイルを巻きつけ, コイルに高周波電流を流し,磁束の時間変化により生 ずる誘導電界によりプラズマを保持する方[r] ...

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新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価

新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価

... SiC 薄膜評価 [研究代表者]竹内和歌奈(工学部電気学科) 研究成果概要 本研究では真にクリーンな水素製造が可能な水電解電極を安価で普及しやすくするためコーティング技術に 関する研究である。安価な卑金属等に導電性を持たせた化学的安定なシリコンカーバイド( SiC)膜を耐腐食半導体 ...

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第2章 スパッタ堆積条件と薄膜微細構造

第2章 スパッタ堆積条件と薄膜微細構造

... 2.6 結言 本章においては、Co-Cr 系グラニュラ型垂直磁気記録媒体薄膜微細粒子構造制御について、媒体 ノイズ低減観点から、その作製条件であるプロセスパラメータを検討し、室温作製でも従来と同程度磁 気特性が得られる高ガス圧スパッタリング膜特性、ならびに従来型高温スパッタにおいて第 3 元素、第 4 ...

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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

... であるバンドギャップが存在する。このバンド中で最大エネルギーをもつ電子 入っているものを価電子帯、価電子帯よりも 1 つ準位高い電子が空バンドを 伝導帯と呼ぶ。金属などでは、価電子帯中に電子が一部のみ存在するため、電子は このバンド中を自由に動くことができる。すなわち導体となる。一方価電子帯に最 ...

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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究

Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究

... 半導体技術を基盤とする電子・光デバイスは 20 世紀後半から、大きく発展し我々生活に より便利に快適に変えてきた。これら電子・光デバイスは、現在ではその恩恵を受けずに生活 することが困難な状況であり、我々生活スタイルをも変えてきている。また、近年、地球環境 問題高まりにより、製造業では省エネルギー・創エネルギー・リサイクルといったテーマで製品 ...

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Bi2Se3薄膜における量子干渉効果の研究

Bi2Se3薄膜における量子干渉効果の研究

... ぎから導出された結果を比較することで、信頼性高いBi 2 Se 3 電子位相コヒーレンスに 関する情報を得ることができる。これら2種類方法を用いて導出されたコヒーレンス長を 比較した結果、コヒーレンス長は導出方法によらずほぼ一致することがわかった。同一試 ...

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