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高集積・高性能・低コスト・低消費電力LSIの実現

FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性

FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性

... デバイスはフラッシュを採用し、330~35K ロジック エレメントと 620 高性能 I/O をサポートしています。一部 ProASIC3 デバイスは車載向けに AEC-Q100 認定を取得しています。これらデバイスは AEC T1 スクリーニングを行い PPAP 文書付きで提供 ...

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高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト

... 4 電子キャリア密度や電子構造を変化させ、それに伴って磁 気抵抗効果 (4) や磁化率 (5) など磁気特性を制御することに成功しました。今回開発した技術では、従来型 スピントロニクス素子と比較して、イオン移動を利用することで電流で磁性制御が可能であり、構造 ...

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OP1177/OP2177/OP4177: 低ノイズ、低入力バイアス電流の高精度オペアンプ

OP1177/OP2177/OP4177: 低ノイズ、低入力バイアス電流の高精度オペアンプ

... OP177 1/4 に減少し、帯域幅とスルーレートは 2 倍になりました。消費 電力と温度に対して非常に安定な性能も、ウォームアップ・ド リフト誤差を小さいレベルにすることに役立っています。 重い負荷時オープン・ループ・ゲイン直線性は、OPA277 な どの競合デバイスより優れているため、DC 精度が改善され、 ...

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公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中

公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中

... ■個々民間企業では技術開発は困難 ■我が国エレクトロニクス産業を支える 技術国際競争力強化 国民生活中に浸透しつつあるクラウドコンピューティング、 ライフラインとなっているデータセンタ、ネットワーク等に係る 情報通信機器消費電力量を削減し、CO 2 排出量を削減する ことは、地球温暖化対策として非常に重要。 公益性 高い取り ...

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俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ

俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ

... NEDO 消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発(光エレ実装) プロジェクトに引き継ぎ、事業化に向けた活動が継続されている。 ナノフォトニクス技術における発光デバイスでは、ミクロンスケールまたはそれ以下 超小型レーザーが、化合物半導体フォトニック結晶によるナノ共振器構造、プラズモニク ...

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グリーンコンピューティングのための低消費電力マルチコア技術 「特技懇」誌のページ(特許庁技術懇話会 会員サイト)

グリーンコンピューティングのための低消費電力マルチコア技術 「特技懇」誌のページ(特許庁技術懇話会 会員サイト)

... キャッシュメモリソフトウェアコヒーレント制御ため 拡張を検討し、第三期委員会(2011−)早大、名大、 東邦大、日立、ガイオ・テクノロジー、三菱スペース・ソ フトウェア、NEC、イーソル、ルネサスソリューションズ、 東芝、三菱電機、オリンパス、富士通研、ルネサスエレク トロニクス、キャッツ、東芝、セミコンダクター、デンソー で、 上記拡張を含めた OSCAR API V ...

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ADXL354/ADXL355: 低ノイズ、低ドリフト、低電力 3 軸 MEMS 加速度センサー

ADXL354/ADXL355: 低ノイズ、低ドリフト、低電力 3 軸 MEMS 加速度センサー

... kHz カットオフ周波数を使用した内部アンチエイリアス・フィ ルタ処理と外部フィルタ処理です。外部フィルタ処理では、各出 力に直列接続したオンチップ 32 kΩ 固定抵抗に、外部コンデン サを組み合わせることで、外部 ADC 前段にローパス・フィル タ・アンチエイリアシングとノイズ削減を実装しています。アン ...

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ADV7613: 低消費電力 HDMI / LVDS ディスプレイ・ブリッジ

ADV7613: 低消費電力 HDMI / LVDS ディスプレイ・ブリッジ

... 1080p HDTV フォーマットに対応し ます。HDMI 互換レシーバは、HDMI データ信号アクティブ・ イコライゼーション機能を提供します。このイコライゼーション 機能は、HDMI および DVI ケーブル配線(特に、ケーブルが長い 場合や周波数が高い場合)に固有周波損失を補償します。 HDMI 互換レシーバは、最大 20 ...

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超低消費電力、レール・ツー・レール出力、完全差動アンプ

超低消費電力、レール・ツー・レール出力、完全差動アンプ

... オーディオ性能 THS4531Aは、非常に低い静止電力で優れたオーディオ性能を 発揮します。オーディオ帯域で性能を示すため、オーディオ・ア ナライザを使用してデバイスをテストしました。THD+NおよびFFT 試験を1Vrms出力電圧で実行しました。2.7Vと5Vどちら電 源でも性能は同じです。使用した測定回路を図82に示し、アナラ ...

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スピントランジスタの基本技術を開発   ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―

スピントランジスタの基本技術を開発   ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―

... 将来展望 Reconfigurability (再構成可能機能)を有する不揮発性MOSトランジスタ ⇒ 配線遅延時間削減・高速化,チップ面積削減,クイックオン, 不揮発、同一チップで多彩な機能を実現, パワーゲーティングによる消費電力化 ...

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ガスセンシング用低消費電力型(< 1 W)中赤外量子カスケードレーザ

ガスセンシング用低消費電力型(< 1 W)中赤外量子カスケードレーザ

... 上記アルミナ/Au HR コーティング膜に関し、波長 7 µm帯におけるAu膜厚に対する端面反射率計算結果を 図 2 に示す。図2から明らかなように、Au膜厚が50 nm程 度以上で端面反射率は100%近くにまで達し、飽和する。 従って、まず後端面側としては、100%近傍反射を得る ために充分な膜厚として、100 nm程度厚膜を用いるこ ...

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1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

... 本技術を適用した超電力 LSI は、機器組み込み用や自動車用など様々な用途に使われるマイコ ン、超電力動作を活かしたユビキタスセンサネットワークなどへ応用が期待されます。今後も 実用化を目指して、研究開発を進めてまいります。 本研究は、平成 22 年度経済産業省産業技術研究開発委託費「炭素社会を実現する超電圧デ ...

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1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)

1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)

... 定されています。動作電圧または温度によって大きく異なるパ ラメータについては、代表的特性に示します。 入力保護 OPA211入力端子は、図45に示すように、双方向接続ダ イオード・ペアによって過度差動電圧から保護されています。 ほとんど回路アプリケーションでは、入力保護回路は出力に 影響を及ぼしません。ただし、ゲイン、またはG = 1回路 ...

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一般社団法人電子情報通信学会 THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS 信学技報 IEICE Technical Report アスペクト指向プログラミングによる高性能 低消費電力化 鷲崎弘宜 大河原洸

一般社団法人電子情報通信学会 THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS 信学技報 IEICE Technical Report アスペクト指向プログラミングによる高性能 低消費電力化 鷲崎弘宜 大河原洸

... と プ ロ グ ラ ム に 対 す る 消 費 電 力 化 戦 略 実 現 コ ー ド 散 ら ば り ...3.2. 消 費 電 力 化 効 果 評 価 消 費 電 力 化 効 果 に つ い て 、プ ロ グ ラ ム 実 行 中 バ ッ テ リ 電 圧 推 移 を も っ て ...

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高性能・低価格のIP-PBXのご提案

高性能・低価格のIP-PBXのご提案

... IPネットワーク内で、IP電話端末回線交換を行なう装置およびソフトウェア機器です。 企業など組織内LANにおいて、IP電話による内線電話網を実現。通常外線網とIP電話による内線網間中継もIP-PBX ...

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最近の CPU (ARM の一種 ) Nvidia 社製 Tegra 3 の省電力技術 4-PLUS-1 メインである 4 つのコアに加え 低性能 低消費電力のコンパニオンコアを状況に応じて活用する技術 端末のパフォーマンスが必要なときは 4 つのコアから必要な数のコアを使い 不要なときは低消費電力

最近の CPU (ARM の一種 ) Nvidia 社製 Tegra 3 の省電力技術 4-PLUS-1 メインである 4 つのコアに加え 低性能 低消費電力のコンパニオンコアを状況に応じて活用する技術 端末のパフォーマンスが必要なときは 4 つのコアから必要な数のコアを使い 不要なときは低消費電力

... 7. 演習問題 8. プログラミングシステム概要,文法とそのクラス,字句解析と正規文法 9. 正規表現から非決定性オートマトン生成、決定性オートマトンへ変換 10. 字句解析用オートマトン生成ソフトウエア実際 ...

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Zynq UltraScale+ MPSoC で圧倒的な低消費電力と柔軟性を実現 (WP470)

Zynq UltraScale+ MPSoC で圧倒的な低消費電力と柔軟性を実現 (WP470)

... ス 製品を選択およ び使用する こ と ためにのみ提供 さ れます。 適用 さ れ る法律が許容す る 最大限範囲で、 (1) 本情報は 「現状有姿」 、 およ びすべて受領者責任で (with all faults) と い う 状態で提供 さ れ、 ザ イ リ ン ク ス は、 本通知 を も っ て、 明示、 黙示、 法定を問わず (商品性、 非侵害、 ...

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LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

... 部品選択と帰還抵抗 ワイヤは周波環境で誘導性を持つため、高速アプリケーション ではすべて部品リードを短めにとります。ディスクリート部品に はカーボンタイプ抵抗、およびマイカタイプコンデンサを選びま す。表面実装部品は、誘導効果を最小限に抑えるため、ディス クリート部品より好ましいです。 高速アンプでは、大きな値帰還 ...

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LSI間を高速・高密度・低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー

LSI間を高速・高密度・低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー

... トニクスにおけるPD受光部材料として有望であ る。PDには,小型で抵抗・容量(周波応答 特性),高い受光感度,広い応答波長帯域が求めら れる。一般に,PD素子サイズを大きくすれば感 度は改善するが,フットプリントや素子容量面 で不利になり,トレードオフ関係にある。また, ...

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ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU

ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU

... レータは、出力電圧を自らプリセット出力電圧よりわずかに い値まで充電します。出力検知信号がヒステリシス・コンパレー タ上側閾値(スリープ閾値)を上回るまで出力電圧が上昇した 場合、レギュレータはスリープ・モードに移行します。スリープ・ モードでは、静止電流と高い効率性能を実現できるように、下 ...

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