高出力窒化ガリウムHEMT（GaN-HEMT）
窒化ガリウム基板の開発
... 定され、さらなる転位低減がなされたことが確認された （9） 。 ２）A-DEEP の具体例（ストライプ型コア） 当社では、同様にしてドット型以外のコア形状も検討を 行った。レーザへの応用を考えるとレーザ素子の細長い キャビティを考慮した構造が好ましい。そこで下地異種基 板上に形成するパターン層をストライプ状の形状とした。 ストライプ状パターンの間隔を 400µm としストライプの 方向を GaN の＜ 1-100 ＞とした。HVPE ...
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日本金属学会誌第 76 巻第 7 号 (2012) AIH FPP/ ガス窒化複合表面処理による S45C 鋼表面の高硬さ化 福岡隆弘 1, 菊池将一 2 小茂鳥潤 3 深沢剣吾 4 三阪佳孝 4 川嵜一博 4 1 慶應義塾大学大学院理工学研究科総合デザイン工学専攻 2 立命館大学理工
... 加熱保持時間あるいは投射圧力などの処理条件を変化させる ことにより移着・拡散挙動が変化し，被処理面に特徴の異な る複数の表面改質層が形成されることを報告 10) している． 本研究は，この AIHFPP を窒化の前処理として用いる新 しいハイブリッド表面改質プロセスを提案することを目的と して実施する．具体的には，Cr 粒子を用いた AIHFPP を ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN 結晶膜を作製した．スパッタ法やアニール法にも取り組み，結晶品質を高める ...
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SiC m面におけるNO窒化によるゲート酸化膜界面特性改善に関する研究
... 図 1-1-9 は燃費向上効果が大きくトヨタをはじめとして市販車で広く採用されているシリースパラ レルハイブリッドシステムにおける燃費向上の原理を示している 12) 。以降本論文においてはハイブリッ ドシステムやそれを搭載する車両を述べる場合、すべてこのシリースパラレルハイブリッドシステムや それを搭載した車両を対象とする。車両が停止しているときはエンジンが停止し燃料を消費しない（ア ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かしながら、C 面の場合、この内部電界の為に、活性層内 で電子とホールの存在場所が分離され、結合する確率が大 きく低下する。特に、長い波長の光を得ようとすると、活 性層中の InGaN 層の In 組成比率を上げる必要があるため、 結晶格子が大きくなり、内部応力が増大し、この内部電界 も大きくなる。このため発光効率が低下し、長波長の光デ バイスの実現が困難であった（図 6、図 7）。これに対する ...
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高性能・高信頼性InGaP/GaAs HBTおよびIC化技術の開発
... イオン注入する。エミッタメサの周辺にリッジを残すパターンをマスク とし，選択ウェットエッチングでベース層を露出させ，ベース電極を 形成する。ベースメサエッチングはベース電極をマスクとして行い， コレクタ電極を形成し，素子部を平坦化するためにベンゾシクロブ テン（ BCB）膜を塗布する。抵抗や金属/絶縁体/金属（MIM）容量 のパッシブ素子を形成し，エミッタ，ベース，コレクタ電極および抵 抗や MIM ...
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( ア ) 窒化ガリウム系化合物半導体を有するLEDチップと, 該 LEDチップを直接覆うコーティング樹脂であって, 該 LEDチップからの第 1の光の少なくとも一部を吸収し波長変換して前記第 1の光とは波長の異なる第 2の光を発光するフォトルミネセンス蛍光体が含有されたコーティング樹脂を有し, 前
... 9 が具体的な製品として特定された本件製品を輸入，販売し，又は，本件製品 の譲渡を申し出ることによって本件特許権を侵害していることを窺わせる事 情は見当たらず，本件プレスリリースに記載された事実は虚偽であると認め られる。 (3) 故意・過失の有無 ア プレスリリースにおける注意義務 特許権侵害を理由に提訴した際，提訴の事実を公表するにとどまらず，前[r] ...
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高出力・高効率純緑色レーザ
... ライド気相成長（HVPE ※4 ）法により作製した。伝導性は n 型で、転位密度は 1 ×10 6 cm -2 以下である （12） 。この基板 上に有機金属気相成長（OMVPE ※5 ）法によりレーザ構造 のエピタキシャル層を成長した。まず、n-GaN バッファ層 を成長した後、n-InAlGaN クラッド層、n-InGaN ガイド 層、InGaN 量子井戸発光層、p-AlGaN 電子ブロック層、 p-InGaN ...
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1.(1)-3) J. Am. Chem. Soc., 129, 3084 (2007). 物性化学研究室 研究ハイライト (1) イプシロン型 ガリウム酸化鉄からなるミリ波吸吸体イプシロン型 酸化鉄という特殊なナノ磁性体の鉄イオンの一部をガリウムイオンで置換した イプシロン型 ガリウム酸化鉄 (
... 1) 朝日新聞 （2007 年 10 月 26 日） （37 面）“「次世代通信の要」電磁波さえぎる新素材” 2) 毎日新聞 （2007 年 11 月 4 日） （25 面） “ 「ミリ波」高周波の波吸収する新材料開発 東大・大越教授ら” 3) 日経産業新聞 （2007 年 10 月 26 日） （8 面）“150 ギガヘルツ超の電波に対応” 4) 日刊工業新聞 （2007 年 10 月 26 日） （26 面）“150 ...
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Hf箔上に成長した窒化物の評価と応用
... 第1章では、窒化ガリウム(GaN)系窒化物半導体の基本的な物性、及び薄膜成長技術の 現状が述べられた後に、本研究において金属Hfを基板として用いる利点と、Hf上へのGaN 系発光ダイオード(LED)作製に向けた課題とその解決にむけたアプローチが論じられて いる。また、これらの背景を踏まえた上で、本研究の目的が述べられている。 ...
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レーザー点火向け808 nm帯高出力VCSELファイバー結合型モジュールの開発 | Ricoh Technical Report No.42
... アレイの発光領域径を大きくすることでアレイを高 出力化することができるが，ファイバー入射面への ビーム収束は困難になる．また，高出力化のために はアレイを構成する単素子の発光面積も大きいこと が望ましいが，この場合も同様にアレイ全体の収束 ビームスポット径を大きくする要因となる．このよ ...
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JT-60ジャイロトロンで高出力運転の世界最長記録（1
... ［研究の背景と目的］ 飛散した放射性物質の汚染分布を測定するための技術として、放射性物質の分布を可視化で きるガンマカメラという放射線測定器が有望視されています。しかし、従来のガンマカメラは数 kg から数 10kg と重いため、高線量率で狭隘な場所が少なくない廃炉現場での測定が容易ではあ りませんでした。原子力機構では、早稲田大学（片岡教授ら）と浜松ホトニクス株式会社が開発し ...
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NJM45001 電力線通信用アナログフロントエンド IC 特長 高機能 高温検出及び保護 出力電流制限機能付き 送信ドライバアンプと低ノイズ受信アンプを内蔵 高性能送信ドライバアンプ 高出力電流 : 3A typ. 電力線が低インピーダンス ( 例 :1Ω) においても高出力が得られます 低歪み
... ４． このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことが ありますので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的 な損害等を生じた場合、当社は一切その責任を負いません。 ５． ガリウムヒ素（GaAs）の安全性について 対象製品：GaAs MMIC、フォトリフレクタ ...
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020105．メモリの高機能化
... アの仮想記憶は、主記憶の実容量を超える記憶領域を確保する手法で、補助記憶を利用し て、情報が存在するアドレスと処理装置が呼び出すアドレスとを分離して使えるようにする 仕組みである。 イのパイプライン処理は、１つの処理を複数のステップに分割し、それぞれのステップを 独立させて、同時に並行して処理を進める方式で、ＣＰＵの処理速度の高速化を実現する。 ...
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In situウエハ曲率解析によるシリコン上窒化ガリウム成長における応力・結晶品位の制御
... This work has been devoted to the clarification of basic growth mechanism of GaN on Si employing AlN buffer layer and AlN interlayers, including the stress behavior of both GaN and AlN[r] ...
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直動ガイドの数値シミュレーション ANSYS & Optimus による “高精度化” “自動化” “最適化”
... 3.3 ウェービングの発生原理とその予測方法 “転動体配列 (転動体座標) を連続的に変化させながら負荷分布解析を実施” 出力変位の軌跡 ⇒ ウェービングの予測が可能 図11 なぜウェービングは生じるのか ? ...
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アルミニウム合金のイオン窒化
... 改善効果を上げるためには窒化層をより厚くするか， 窒化後T6処理を行うなどの対策が必要な場合がある。 6．3 耐食性 窒化された工業用純アルミニウム ( 1050 ) と無処理 材を1Nの水酸化ナトリウム水溶液および塩酸水溶液へ 浸漬し，それらの耐食性を比較した。水酸化ナトリウ ム水溶液に対する窒化材の溶解速度は，無処理材とほ ...
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窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの 光応答とその応用に関する研究
... まとめ 光照射や温度変化による AlGaN/GaN HFETしきい値電 圧の変動は基板ポテンシャルの変動により起きる 深い準位による補償を行った高抵抗 GaNバッファ層上の AlGaN/GaN HFETはしきい値電圧の光応答が顕著とな る ...
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報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
... が残留することが多くあり、それらを低減することは非常に困難です。そのため、 高品質なデバイス作製には結晶欠陥（転位）が低減された部位（マスク上部で中央 の合わせ目を外した両翼部）を選別する必要がありました。また、結晶欠陥（転位） 低減部位の占有度を増やすために、さらに複雑なプロセスを組み合わせる試みもな されています。しかし、そうしたプロセスの精度、ステップ数を増やすことは、そ ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... きるため、電界効果トランジスタ（FET）等の電子デバイ スにおいて、ノーマリ・オフ動作が可能であり、省電力化 が期待できる。また、紫外 LED 等の発光デバイスにおいて も、この無極性面上にデバイス作製することで、高効率な 特性が得られることが示唆されている （10）、 （11） 。これらは SiC 基板上に作製されたものであり、同研究グループから、c 面 SiC 基板上 AlN エピ層の転位密度 ※3 は ...
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