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超高電圧装置・高圧パルストランス

立石科学技術振興財団 図 1 超高感度 MI センサの基本電子回路 図 3 超高感度 MI センサによるグラジオメータの構成 正パルス電圧に変換するために微分回路を R と C により構成している 微分回路により整形されたパルス電圧は C-MOS インバーターを介すことにより電流に変換され, パルス

立石科学技術振興財団 図 1 超高感度 MI センサの基本電子回路 図 3 超高感度 MI センサによるグラジオメータの構成 正パルス電圧に変換するために微分回路を R と C により構成している 微分回路により整形されたパルス電圧は C-MOS インバーターを介すことにより電流に変換され, パルス

... は,計測した後頭部磁場の時系列をバックグラ ンドノイズと比較して示している。後頭部磁場 は,前半の 8 秒間は眼を空けた状態での計測を 行い,その後の 8 秒間は眼を閉じた状態での計 測を行った。後頭部磁場信号の大きさは,バッ クグランドノイズに比べて 10 倍以上大きいこ とが分かる。また,開眼時と閉眼時の後頭部磁 場波形の比較から,閉眼による α 波 (8-13 Hz) の増加が示唆される。閉眼による α 波の増加 ...

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Midsun高電圧絶縁物コーティング

Midsun高電圧絶縁物コーティング

... Midsun Silprocoat TM RTV Coating 空前の長期腐食防止サービス どうして Midsun なのでしょう? シリコンエラストマーは、その優れた薬品耐性で 広く知られています。良好な粘着特性と組み合わ せ、電力システム装置、メタルハードウェアおよ びその構造物、オイルおよびガス貯蔵タンク、パ イプラインおよび輸送システム、線路橋および車 両橋、橋脚歯、屋根およびメタル防壁の含鉛ペイ ...

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Keysight Technologies 高精度動特性評価・パルスIV評価に対応

Keysight Technologies 高精度動特性評価・パルスIV評価に対応

... この結果が示すように、さまざまなバイアス条件、電流レンジ、サンプリングレートの組み合わ せで RTN を測定する必要があります。このようにして、測定データから、粒界トラップの分布と 時定数に関する正確な情報が得られます。 RTN は、絶縁体サブストレート上に作られた単層カーボン・ナノチューブ・トランジスタ( CNT )、 ナノワイヤートランジスタ( NWT )などのナノスケールデバイスでも観察されます。ナノチューブ ...

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カスカーダ超純水_純粋製造装置

カスカーダ超純水_純粋製造装置

... 純水アプリケーション ・ 分析用途: HPLC 、 UHPLC 、 AA 、 ICP 、 LC-MS 、 GC-MS 、 ICP-MS 、 イオンクロマトグラフィ、電気化学、液中微粒子測定器、 TOC 分析 ・ ライフサイエンス用途: PCR 、 DNA シークエンス、電気泳動、細胞培養液調製、分子生物・モノクローナル抗体調製 ...

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超音波反応装置の新展開

超音波反応装置の新展開

... 音波メーターSM1000 はコンパクトに設計されており、本体重量約 480g、携帯便利、 あらゆる場所での測定が可能です。 LCD ディスプレイにより測定値を表示するため、直読可能にしています。 本器はリアルタイムで音波洗浄機の洗浄力(音圧)を測定でき、また、音波洗浄機 の洗浄力(音圧)の平均値も測定できます(測定値単位:psi ポンド/平方インチ)。周波数 範囲は0∼500kHz です。 ...

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1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

... 3 格子膜の電子注入 による動作の機構を見出しました。さらに、ばらつきの少ない GeTe/Sb 2 Te 3 格子結晶膜を得るこ とで、従来の相変化デバイスと比較して 1/2 以下の電圧と 1/3 以下の電流での動作が可能となりま した。開発した相変化デバイスを適用することで、これまでにない高速、低電力、信頼などの 特性を SSD ...

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手作り箔検電器と高電圧、高抵抗の測定

手作り箔検電器と高電圧、高抵抗の測定

... インスタントコーヒーの空瓶を使ったが、ペットボトル などのプラスチックは帯電しやすく好ましくない。また、 高級なパイレックスガラス瓶なども帯電しやすい。しかし これらは、帯電防止のスプレー(エレキガードなど)を吹 きかけるとよい。スチロールフォームは極めて絶縁性が く、かつ加工がしやすいので電極支持の絶縁体には好適で ある。しかし、長く放置しておくと、ほこりが付いて漏洩 ...

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第 1 章製品の概要 1.1 MOSFET 超小型 DIPIPM の特長 MOSFET 超小型 DIPIPM は パワー素子 及び駆動 保護回路をトランスファーモールド方式により 1 パッケージに集積した入力電圧 AC100V~240V の小容量モータ制御用インバータに最適なインテリジェントパワーモ

第 1 章製品の概要 1.1 MOSFET 超小型 DIPIPM の特長 MOSFET 超小型 DIPIPM は パワー素子 及び駆動 保護回路をトランスファーモールド方式により 1 パッケージに集積した入力電圧 AC100V~240V の小容量モータ制御用インバータに最適なインテリジェントパワーモ

... MOSFET 小型DIPIPMの取り付け方法と注意点 モジュールをヒートシンクなどに取り付ける際、過剰なトルクでの締め付けや、片締めを行うと、パッケージに応力が加 わりモジュール内パワー素子などのチップまたは、パッケージ破壊(絶縁劣化)を招くことになります。推奨する締め付け順 序例を図2-4-1に示します。締め付け時にはトルクドライバーを使用し、所定のトルクで締めつけてください。また、DIPIPM ...

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ADR01/ADR02/ADR03/ADR06: 超小型高精度 10.0 V / 5.0 V / 2.5 V / 3.0 V リファレンス電圧

ADR01/ADR02/ADR03/ADR06: 超小型高精度 10.0 V / 5.0 V / 2.5 V / 3.0 V リファレンス電圧

... 図 2.8 ピン SOIC 表面実装パッケージ 概要 ADR01、ADR02、ADR03、ADR06 は、精度、高安定性、 低消費電力の 10.0 V、5.0 V、2.5 V、3.0 V バンド・ギャッ プ・リファレンス電圧です。小型の 5 ピン SC70 または TSOT パッケージ、または 8 ピンの SOIC パッケージを採用してい ます。ADR01、ADR02、ADR03 の SOIC ...

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LTC6992-1/LTC6992-2/LTC6992-3/LTC TimerBlox電圧制御パルス幅変調器(PWM)

LTC6992-1/LTC6992-2/LTC6992-3/LTC TimerBlox電圧制御パルス幅変調器(PWM)

... LTC6991 TimerBlox、リセット付き低周波数クロック サイクル時間:2ms∼9.5時間、コンデンサ不要、精度:2.2% LTC6993 TimerBlox単安定パルス発生器 抵抗によって設定されるパルス幅:1マイクロ秒∼34秒、コンデンサ不要、精 度:3% LTC6994 TimerBlox遅延ブロック/デバウンサ ...

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Last Saved: 2010/04/24 22:17 / Edit: 1 特長 低入力オフセット電圧 : 50 µv max 低入力オフセット電圧ドリフト : 0.6 µv/ C max 超低バイアス電流 : 100 pa max 超高オープンループゲイン : 2000 V/mV min 低電源

Last Saved: 2010/04/24 22:17 / Edit: 1 特長 低入力オフセット電圧 : 50 µv max 低入力オフセット電圧ドリフト : 0.6 µv/ C max 超低バイアス電流 : 100 pa max 超高オープンループゲイン : 2000 V/mV min 低電源

... 図 28. 大信号過度応答(A VCL = +1) ガードとシールド OP297 の入力インピーダンスを維持するためには、回路基 板設計、製造において十分な注意が必要です。基板表面を十分 に清潔にし、湿気がない状態にしなければなりません。湿気が 入らないように適切なコーテング処理することを推奨します。 ...

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超高圧焼結体工具の開発の歴史

超高圧焼結体工具の開発の歴史

... そもそもHPHTプロセスを用いてCBN砥粒を再度、焼結体 とする製造法を始めたパイオニアは、世界で初めてダイヤモ ンド合成に成功した当時のGE社(現在は欧州工具メーカーの グループ)である。GE社が開発した“BZN”というCBN焼結 体はCo金属を結合材として焼結した材料であり、用途は耐 熱合金の切削加工であった。図2に示すように、CBN焼結体 は大きく2種類に分類できる。上記のCoを結合材として用 ...

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低出力超音波パルス照射における仮骨形成への影響の形態的比較に関する研究

低出力超音波パルス照射における仮骨形成への影響の形態的比較に関する研究

... 5 音波はその非侵襲性に注目が集まり,様々な治療に用いられるようになってきた.中でも低出力音波パルス (Low Intensity Pulsed Ultra-Sound:LIPUS)による骨癒合促進効果が広く利用されている.しかしながら LIPUS 照射期間と時期の仮骨形成に関する研究では,骨の機械的強度や X 線画像による評価が主であり,骨組織の 3 次元的な形態評価は少ない.本研究は ...

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ユニット ZWS-BP SERIES 単出力 150W, 240W UL CSA EN 低電圧 電気用品安全法入力電圧 100VAC のみ準拠 特長 2 倍ピーク負荷対応 従来品比 全負荷時 5% 以上アップの高効率エネルギーロスの低減で 装置の省エネルギー

ユニット ZWS-BP SERIES 単出力 150W, 240W UL CSA EN 低電圧 電気用品安全法入力電圧 100VAC のみ準拠 特長 2 倍ピーク負荷対応 従来品比 全負荷時 5% 以上アップの高効率エネルギーロスの低減で 装置の省エネルギー

... ZWS-BP (*1) ピーク出力時の稼働時間は5秒以下、Duty40%以下。詳細はP14の取扱説明(2 出力ピーク電力)ご参照ください。 ピーク出力が5秒以上続いた場合、出力は遮断されます。手動リセット型です。 (*2) 100VAC/200VAC, Ta=25℃、定格出力電圧、平均出力電力時の値です。 ...

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矯正学的歯の移動後の歯槽骨再形成に対する低出力超音波パルスの効果

矯正学的歯の移動後の歯槽骨再形成に対する低出力超音波パルスの効果

... 3.観察試料の採得と組織学的観察および三次元形態計測 設定した保定0日群,ならびに保定期間の7日間を経過 した対照群とLIPUS照射群それぞれの実験終了後に8%抱 水クロラール腹腔内投与による深麻酔を施し,4%パラフ ォルムアルデヒド固定液(pH7.2,4℃)を用いて,心尖 部より注射針を挿入し,針先が上行大動脈内に達している ことを確認した後,灌流固定を行った.固定後に頚部より 断頭し,上顎骨を摘出したのち,同固定液にて浸漬固定 ...

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高記録密度ハードディスク装置

高記録密度ハードディスク装置

...  しかし、 その後の M R ヘッドと薄膜磁気ディスクの採用による記録密度の著しい進展時期に おいては、政策的には H D D の研究を促す大きな施策はなかった。 1990 年代半ばになると、 マルチメディア時代の中核技術としての磁気ストレージにかかわ る日本企業活性化のために国家的な戦略研究開発が急務とされた。通商産業省は 1996 年 、 電 子技術の中核を成す半導体、半導体製造装置、磁気記録、ディスプレイ、電子 SI ...

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TUV Rheinland Product Safety gepruite Sicherheit Z+ Series 200W ~ 800W 33 機種 Z+ SERIES 5 特長 超小型高電力密度 高さ 2U ベンチトップタイプ (19インチ専用ケースでラック搭載可能 ) 出力電圧 / 電流プロ

TUV Rheinland Product Safety gepruite Sicherheit Z+ Series 200W ~ 800W 33 機種 Z+ SERIES 5 特長 超小型高電力密度 高さ 2U ベンチトップタイプ (19インチ専用ケースでラック搭載可能 ) 出力電圧 / 電流プロ

... 18. プログラム信号出力 2 — オープンコレクタ出力、最大印加電圧 25V、最大シンク電流 100mA プログラミング及びリードバック(USB/RS232/RS485 は標準搭載、GPIB(IEEE) と LAN はオプション) 1. 出力電圧プログラミング精度 — 定格出力電圧の 0.05% 2. 出力電流プログラミング精度 (*13) — 出力電流の 0.1% + 定格出力電流の ...

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電子デバイス検査工程の除電装置の特性に及ぼす動作電圧の効果(PDF)

電子デバイス検査工程の除電装置の特性に及ぼす動作電圧の効果(PDF)

... 2.1.3 チャージドプレートモニタ [25] 除電特性の測定は CPM(トレック・ジャパン株式会社 Model 156)を用いて行った.CPM はイオナイザの除電 速度を測定する装置であり,図 2 に示すように,金属プ レート,電界センサ,および電圧電源で構成されてい る.金属プレートの寸法は 150 mm×150 mm,金属プレ ートの静電容量 C P は 20pF ...

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形式 :RPPD 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 ロータリエンコーダ用 ) 主な機能と特長 ロータリエンコーダの 2 相パルス入力信号を絶縁して各種の 2 相パルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス パワーフォト MOS リレー R

形式 :RPPD 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 ロータリエンコーダ用 ) 主な機能と特長 ロータリエンコーダの 2 相パルス入力信号を絶縁して各種の 2 相パルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス パワーフォト MOS リレー R

... J:RS-422ラインドライバ・パルス(100kHz) ( )内は最大出力周波数 ■コード組合わせ表 下記は第1・第2出力信号の形式コードの組合わせを示してい ます。第2出力信号にM、N、P、J を選択した場合、第1出力信号 は同じコードしか選択できません。 ...

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LTC 高電圧同期整流式NチャネルMOSFETドライバ

LTC 高電圧同期整流式NチャネルMOSFETドライバ

... オンするとき、TSピンの電圧はV IN まで急上昇します。この 周波数の正電圧過渡は、ローサイド・パワーMOSFETのC GD 容量を介してBGピンに結合します。BGピンのプルダウンが不 十分な場合、BGピンの電圧がローサイド・パワーMOSFETの スレッショルド電圧を上回り、一時的にオンに戻す可能性が ...

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