界面における
第日本金属学会誌 1 号第 81 巻第 1 号 ( 2017)19-25 希土類磁石における界面および粒界近傍の結晶磁気異方性と保磁力 19 特集 ネオジム磁石の金属組織および粒界近傍の磁性と保磁力機構 レビュー 希土類磁石における界面および粒界近傍の結晶磁気異方性と保磁力 東北大学大学院工学研究科
... Nd イオンの示す磁気異方性はその 5 d, 6 p 軌道における価電 子分布によってほぼ決定される．したがって，Nd の価電子 分布を ab 面方向に広げるような原子配列，例えば（100）面や （110）面に露出した Nd の横に酸素原子が隣接しているような 状況が実現されれば，いつでも面内磁気異方性を発現してし まうことになる．実際の焼結体内でどのような原子配列が多 ...
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MgZnO/ZnO界面における高移動度二次元電子の輸送現象と相関効果
... 論 文 の 内 容 の 要 旨 論文題目: Transport phenomena and correlation effects in MgZnO/ZnO interface confined high mobility two-dimensional electron systems (MgZnO/ZnO界面における高移動度二次元電子の輸送現象と相関効果) ...
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SiC m面におけるNO窒化によるゲート酸化膜界面特性改善に関する研究
... 界面は一反応層しかないという仮説を立てたが、この特殊な繰り返し面をもつ m 面における一反応層を 定義する必要がある。 第１面に存在する炭素の面密度は 6.47E14/cm 2 であり、例えば実験 2-5 で得られた 9.86E14/ cm 2 の約 2/3、逆に言えば m 面の窒素の面密度実測値は第１面の C（カーボン）面密度計算値の約 1.5 倍である。 そこで m 面の面密度を決める反応層の定義として、 ...
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析出強化超合金中における界面転位網の形態変化および形成過程の離散転位動力学シミュレーション
... 第 3 章 界面転位網の形態変化シミュレーション 24 3.2 プリズマティック転位との相互作用 3.2.1 シミュレーション条件 プリズマティック転位ループは転位線方向とバーガースベクトルが垂直である純粋 な刃状転位のループである．ループを形成する刃状転位のすべり面は同一平面でない ために，プリズマティック転位ループはループに垂直な柱状のすべり面に沿って二通 りの運動をする (図 3.9)．図 3.9 の (a) ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... 第 7 章では、本研究で得られた結果をまとめ、本論文の結論とする。 結果のまとめ 本論文では、シリコン（silicon: Si）や炭化ケイ素（silicon carbide: SiC）、窒化ガリウム（garium nitride: GaN）を大きく凌駕するパワーデバイス材料や、ユニークな特性を生かした新しい機能を持った電子デバ イス材料として期待されているダイヤモンド半導体デバイス応用において、重要な課題である「n 型ダイヤ ...
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SiC上グラフェン生成と第一原理計算による界面構造の研究
... 第2章では，第4章でグラフェンの評価に用いた機器（STM，XPS，LEED，ラマン分光法） について説明した．さらに，これらに機器を用いた先行研究・予備実験の例をもとに， SiC 表面やSiC上グラフェンの評価方法について述べた． 第3章では，グラフェン/4H-SiC(0001) の界面構造と，この構造におけるグラフェンの特 ...
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コスメトロジー研究報告 Vol.24, 2016 図 3 界面不活性性 発現機構の模式図 図 5 界面不活性高分子水溶液に対する添加塩の効果 の模式図 図 4 界面不活性高分子の cmc の添加塩濃度依存性 低分子イオン性界面活性剤と真逆に 上昇傾向を示す 図 6 本研究で用いた ３種のイオン性両親
... 例である．試料は，水素化ポリイソプレンを疎水鎖，ポリ スチレンスルホン酸を親水鎖とするジブロックコポリマー である．この水溶液の表面張力は，高分子濃度が増大して も変化せず，純水の値（73 mN/m）のまま一定である．し かし，図に示すように，疎水性色素の可溶化実験により cmcの存在が示され，ある一定以上の濃度で，ミセルが形 成されていることが分かる．我々は，この特性を「界面不 活性性」と名付けた．そして，10 ...
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Conduction Mechanism at Low Temperature of 2-Dimensional Hole Gas at GaN/AlGaN Heterointerface （低温におけるGaN/AlGaN ヘテロ界面の2 次元正孔ガスの伝導機構）
... the sample is rinsed in the ultra-pure water for 1 minute after cooling to room temperature..[r] ...
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Conduction Mechanism at Low Temperature of 2-Dimensional Hole Gas at GaN/AlGaN Heterointerface （低温におけるGaN/AlGaN ヘテロ界面の2 次元正孔ガスの伝導機構）
... ■交流信号に対する応答からトラップ量を 見積もる（コンダクタンス法） ■トラップへの電子捕獲/放出時間を測定 することでトラップの存在位置推定 （トンネル確率） tunneling Gate matel AlGaN AlN GaN 2DEG E fm E C AlGaN/AlN GaN depletion C it R it... コンダクタンス法により、周波数特性では[r] ...
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管内流動抵抗低減用界面活性剤を添加した低温水の曲がり管部における流動抵抗低減効果と熱伝達特性
... The Japan Society of Mechanical Engineers.. NII-Electronic Library Service..[r] ...
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消煙装置における界面活性剤の結果
... 実験装置の概略 実験装置ならびに実験方法は図!と同様のもので あるが、装置中央上部には改良されたスプリンクラ ーが設置されている。またこのスプリンクラーはノ ズル先端部を調整することで噴出水の粒子径を平均 0.[r] ...
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Si基板上HfO2ゲートスタックにおけるSiO2界面層のスカベンジング現象に関する速度論的研究
... The objective of this study is to clarify what really occurs in SiO 2 -IL scavenging in HfO 2 /SiO 2 /Si stacks experimentally and physically.. First, the SiO 2 -IL scavenging has been[r] ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... 図 4.11 に、電極間隔 10 μm を有する MHM 構造における I-V 特性の実験結果と、図 4.9(a)のバンド伝 導および(b)のホッピング伝導を想定したときのショットキー障壁の高さを変数とした I-V 特性の数値計 算結果を示す。ショットキー障壁の高さを 3.3 eV にしたときに、実線で示すホッピング伝導を想定した 計算結果が、実験結果と全電圧領域で一致した。このショットキー障壁の高さ（3.3 ...
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分光・偏光を用いた薄膜・界面解析の実際
... 一方，(b) の反射率スペクトルの d ≦ 5 nm では，シリコン基板のスペクトルからほとんど変化 せず，波長：633 nm，膜厚：2.5 nm における反射率変化は 0.0003 に過ぎない．これは，一般的な 分光光度計の反射率測定精度では測定が困難な変化量である．こうした極薄膜の測定では，エリ プソメトリーの高感度性が必要になる．しかし，逆に，膜厚が 10 nm 程度より厚ければ，測定・ ...
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第69回コロイドおよび界面化学討論会 会告（講演会、講習会、イベント等） | 行事 | 触媒学会
... 卓（ライオン） 界面現象は自然界のあらゆる場面で遭遇する。その中の可逆過程で構成される平衡界面現象は卓越し た発展を遂げてきた。一方、不可逆過程で構成される非平衡界面現象は黎明期であるが近年意義深い成 果が芽生えつつある。両者の相互理解・相互補完は化学・生命・物理など諸分野界面現象の包括的理解 ...
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整合界面の構造安定性ならびにミスフィット転位に関する分子動力学的研究
... 3.2 シミュレーション結果および考察 33 3.2.3 らせん転位シミュレーション 上端面よりらせん転位を導入したシミュレーションにおける転位の挙動を図 3.16 に 示す．これまでと同様，ミスフィット転位に平行に衝突するすべり面の転位を転位 I， 垂直に交差するものを転位 II と称することにする．まず，ミスフィット転位に平行に 衝突する転位 I について説明する．t = 12000 fs の図 (c) において転位 ...
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Th-0, 5:33-5:36 Technical Program Si 上 AlN ダブルバッファ層の界面反応エピタキシャル成長と RF-MBE 法成長 AlN on Si 膜 の XRD 評価 同志社大学界面反応成長研究所, 同志社大学理工学部, 3 アリオス株式会社 大鉢忠,, 佐藤祐喜, 吉
... Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University Zaka Ruhma, Makoto Ohtsuka, Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama Th-05, 15:42 - 15:45 AlN 固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察 ...
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原子弾性剛性係数に基づく局所格子不安定性解析：fcc金属の表面・界面力学特性評価
... ij ＜0 の原子が現れる点より先にあるため，局所不安定の発生がトリガーになっ て系の応力急減を生じたのではない．応力-ひずみのピーク以降は detB α ij の最大・最 小が急激に拡大しているので均一化の限界ともとらえることができるが，応力急減す なわち系の不安定が発生したためにエラーバーが拡大したともみなせ，現段階ではど ちらが先か結論づけられない．図 3.4 に応力ピーク近傍の主要な点における原子配置 ...
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上図 ( 左 ) は, 原子間力顕微鏡 (AFM) による固液界面ナノバブルの計測イメージ図である. 固液界面ナノバブルの計測には AFM が最もよく用いられているが, その理由は液中での走査が可能であ
... の「蚕当計」 2 点ならびに「蚕当計原器」，さらには 『蚕当計秘訣』の真筆と版本は，福島県伊達市霊山 町にある泉原養蚕用具整理室に良好な保存状態で 保管されている．また，岡谷市の蚕糸博物館にも伊 達地方製作であることが確認できる蚕当計が保存 されており，この技術が我が国の近代化の初期に, すでに全国に伝わっていたことがわかる．このよう に「蚕当計」と『蚕当計秘訣』は，かつて我が国を 支えた養蚕という産業技術において，人々が「熱」 ...
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ポリプロピレン－グラファイト界面接着強度に関する分子動力学研究
... 層方向は，分子鎖が面で接する平行配置が当然ながら高い強度を示した．PP/MLG 界面の局所密度を調べたところ，平行配置が最も密度が高く強度の傾向と一致する． しかし，垂直および斜めの「点で接する」MLG では，表面凹凸の大きさで強度と密 度が一致しなかった．これらの配置では凹凸によってグラフェンシートの平面部分 が増加し接する PP 分子鎖の局所密度は上がるものの，引張に対して抵抗力を持た ...
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