Th-0, 5:33-5:36 Technical Program Si 上 AlN ダブルバッファ層の界面反応エピタキシャル成長と RF-MBE 法成長 AlN on Si 膜 の XRD 評価 同志社大学界面反応成長研究所, 同志社大学理工学部, 3 アリオス株式会社 大鉢忠,, 佐藤祐喜, 吉

Technical Program

7th May, 2015 Thursday

東北大学片平さくらホール 2F

Opening (13:00 - 13:10)

三宅 秀人（三重大学）

Session I: 基調講演

座長： 三宅 秀人（三重大学） P-1, 13:10 - 14:00（基調講演） 窒化物半導体の開発経緯とその将来 東北大学金属材料研究所 松岡隆志

Session II: チュートリアル講演

座長： 福山 博之（東北大学） T-Th-1, 14:00 - 14:45（チュートリアル講演） ワイドギャップ半導体電子デバイス 京都大学大学院工学研究科 須田 淳

Coffee break (14:45 - 15:00)

Session III: 招待講演

座長： 福山 博之（東北大学） I-Th-1, 15:00 - 15:30（招待講演）

MOVPE 法による InGaN 加圧成長と RAS 法によるその場観察

名古屋大学大学院工学研究科・赤﨑記念研究センター 本田善央，田村 彰，山本哲也，久志本真希，天野 浩

Session IV: 一般講演

座長： 片山 竜二（東北大学） Th-01, 15:30 - 15:33 PAMBE 窒素プラズマ点灯直後成長における成長寄与窒素量の過渡特性による V/III 比の変化 と AlN 成長層の結晶性への影響 京都大学大学院 金子光顕，木本恒暢， 須田 淳

Technical Program

Th-02, 15:33 - 15:36

Si 上 AlN ダブルバッファ層の界面反応エピタキシャル成長と RF-MBE 法成長 AlN on Si 膜

の XRD 評価 1_{同志社大学 界面反応成長研究所，}2_{同志社大学 理工学部，}3_{アリオス株式会社} 大鉢 忠1,2_{，佐藤祐喜}2_{，吉門進三}2_，和田元2_{，竹本菊郞}1_{，有屋田修}3 Th-03, 15:36 - 15:39 r 面サファイア上への a 面 AlN 成長における基板の前処理効果 1_{三重大学大学院工学研究科，}2_{三重大学大学院地域イノベーション学研究科} 林 家弘1_{，安井大貴}1_{，玉置真哉}1_{，三宅秀人}1,2_{，平松和政}1 Th-04, 15:39 - 15:42

Effect of Misorientation Angles of a-Plane Sapphire Substrates on Crystal Quality and Surface Morphology of AlN Films Grown by Nitridation Method

Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University Zaka Ruhma, Makoto Ohtsuka, Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama

Th-05, 15:42 - 15:45 AlN 固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察 1_{九州大学大学院工学府，}2_{九州大学応用力学研究所，}3_{三重大学大学院工学研究院} 草場彰1_{，住吉央朗}1_{，寒川義裕}1,2_{，三宅秀人}3_{，柿本浩一}1,2 Th-06, 15:45 - 15:48 Na-Ga 融液中の CN イオンの状態密度解析 1_{三重大学大学院工学研究科，}2_{大阪大学大学院工学系研究科} 河村貴宏1,2_{，今林弘毅}2_{，丸山美帆子}2_{，今出 完}2_{，吉村政志}2_，森勇介2_{，森川良忠}2 Th-07, 15:48 - 15:51 Na-Flux 法における窒化ガリウム単結晶成長のための数値解析 1

STR Japan株式会社，2STR Group - Soft Impact Ltd. 飯塚将也1_{，向山裕次}1_{，A.N. Vorobiev}2

Technical Program

Th-08, 15:51 - 15:54 Na フラックス法における GaN 結晶モルフォロジーのポイントシードパターン依存性 大阪大学大学院工学系研究科 今西正幸，村上航介，今林弘毅，松尾大輔，高澤秀生，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森 勇 介 Th-09, 15:54 - 15:57 Na フラックス法による選択的転位伝播制御 大阪大学大学院工学研究科 山田拓海，今西正幸，村上航介，今林弘毅，松尾大輔，高澤秀生，丸山美帆子，今出 完，吉 村政志，森 勇介 Th-10, 15:57 - 16:00

Growth of InN and InGaN on glass and polymer substrates by pulsed sputtering deposition

1

Institute of Industrial Science，The University of Tokyo，2JST-ACCEL

Lye Khe Shin1, Takeki Itoh1, Atsushi Kobayashi1, Kohei Ueno1, Jitsuo Ohta1, Hiroshi Fujioka1,2

Th-11, 16:00 - 16:03

MOVPE 成長した ScAlMgO4基板上 GaN の構造特性

1_{東北大学金属材料研究所，}2_{福田結晶技術研究所} 岩渕拓也1_{，窪谷茂幸}1_{，矢原弘崇}1_{，谷川智之}1_{，花田 貴}1_{，片山竜二}1_{，福田承生}2_，松岡隆 志1 Th-12, 16:03 - 16:06 Si 基板上 GaN 結晶成長における AlN 中間層を用いた応力制御のメカニズム 東京大学大学院工学系研究科 鈴木道洋，中村亮裕，杉山正和，中野義昭 Th-13, 16:06 - 16:09

200 mm 枚葉式高速回転 MOCVD 装置による高品質 GaN on Si 成膜とその HEMT 特性

(株)ニューフレアテクノロジー

Technical Program

Th-14, 16:09 - 16:12

Semi-polar GaN (10¯13) grown on sputtered AlN/Si (001) substrate by MOVPE

Department of Electrical Engineering & Computer Science, Nagoya University Lee Hojun, Tadashi Mitsunari, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

Th-15, 16:12 - 16:15 Si 基板上(1¯101)InGaN ストライプレーザー作製に向けた共振器構造 1_{名古屋大学大学院工学研究科，} 2赤﨑記念研究センター 久志本真希1_{，本田善央}1_，天野浩1,2 Th-16, 16:15 - 16:18 MBE 法による Si 基板上への GaN ナノウォール構造の成長及び光学特性 東北大学大学院工学研究科 田村洋典，鐘愛華，羽根一博 Th-17, 16:18 - 16:21 InN の結晶特性と硬度・ヤング率の相関 1_{東北大学金属材料研究所，}2_{東京大学生産技術研究所} 出浦桃子1_{，大久保泰}1_{，徳本有紀}2_{，沓掛健太朗}1_{，大野 裕}1_{，米永一郎}1 Th-18, 16:21 - 16:24

RF-MBE 法を用いた-In2O3/Sapphire 基板上 InN の成長と構造評価

1_{立命館大学大学院理工学研究科，}2 FLOSFIA 武馬 輝1_{，増田 直}1_{，荒木 努}1_{，名西憓之}1_{，織田真也}2_{，人羅俊実}2 Th-19, 16:24 - 16:27 アンモニア分解触媒援用 MOVPE 法による InN の低温成長 1_{福井大学産学官連携本部，}2 JST-CREST，3福井大学大学院工学系研究科 山本暠勇1,2_{，児玉和樹}2,3_{，野村裕之}2,3_{，葛原正明}3 Th-20, 16:27 - 16:30 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによる InN エッチング 1_{工学院大学，}2_{立命館大学} 鳴谷建人1_{，山口智広}1_{，荒木 努}2_{，名西憓之}2_{，尾沼猛儀}1_{，本田 徹}1

Technical Program

Th-21, 16:30 - 16:33 THz エリプソメトリーによる GaN 単結晶の評価 1_{立命館大学大学院理工学研究科，}2_{摂南大学，}3_{日邦プレシジョン，}4_{東レリサーチセンター，} 5_名城大学 達 紘平1_{，藤井高志}1,3_{，荒木 努}1_{，名西憓之}1_{，長島 健}2_{，岩本敏志}3_{，佐藤幸徳}3_，森田直 威4_{，杉江隆一}4_{，上山 智}5 Th-22, 16:33 - 16:36 赤外反射分光による GaN の電子密度深さ不均一性評価手法 千葉大学大学院工学研究科 上條隆明，馬 ベイ，森田 健，石谷善博 Th-23, 16:36 - 16:39 GaN における非熱平衡系励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算 千葉大学大学院工学系研究科 岩堀友洋，馬 ベイ，森田 健，石谷善博 Th-24, 16:39 - 16:42 カーボンナノチューブ電極・GaN-(0001)面界面における電子状態 1_{物質・材料研究機構，}2_{筑波大学 数理物質科学研究科} 屋山 巴1_{，岡田 晋}2_{，知京豊裕}1 Th-25, 16:42 - 16:45 Eu 添加 GaN の面内圧縮ひずみ制御による Eu 発光の高輝度化 大阪大学大学院工学研究科 稲葉智宏，小泉 淳，藤原康文

一般講演（Poster Presentation I）+ Exhibition (16:45 - 18:15)

片平さくらホール 1F

意見交換会 (18:30 - 19:45)

片平さくらホール 1F

Technical Program

8th May, 2015 Thursday

東北大学 片平さくらホール 2F

Session V: チュートリアル講演

座長： 荒木 努（立命館大学） T-Fr-1, 9:00 - 9:45（チュートリアル講演） MOVPE のメカニズム：リアクタスケールから基板表面までのマルチスケールな輸送・反応 における窒化物の特異性 東京大学大学院工学系研究科 杉山正和 T-Fr-2, 9:45 - 10:30（チュートリアル講演） 半極性自立 GaN 基板の作製 1_{山口大学理工学研究科，}2_{豊橋技術科学大学，}3_{株式会社 トクヤマ} 只友一行1_{，山根啓輔}2_{，古谷大士}3_{，橋本健宏}3

Coffee break (10:30 - 10:45)

Session VI: 一般講演

座長： 大塚 誠（東北大学） Fr-01, 10:45 - 10:48 N 極性(000¯1)GaN の選択 MOVPE 成長における横方向成長の促進 1_{東北大学金属材料研究所，}2_{三重大学大学院地域イノベーション学研究科} 谷川智之1_，逢坂崇1_{，正直花奈子}1_{，窪谷茂幸}1_{，片山竜二}1_{，松岡隆志}1_{，三宅秀人}2 Fr-02, 10:48 - 10:51

MOVPE 成長 N 極性(000¯1)p 型 GaN の正孔濃度に与える V/III 原料比の影響

東北大学金属材料研究所

野々田良平，正直花奈子，谷川智之，窪谷茂幸，片山竜二，松岡隆志 Fr-03, 10:51 - 10:54

MOVPE 法を用いた GaN 両極性同時成長における V/III 比依存性の検討

1_{静岡大学大学院工学研究科，}2_{静岡大学大学院総合科学技術研究科}

Technical Program

Fr-04, 10:54 - 10:57

Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates

Institute for Materials Research, Tohoku University

J.H. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka

Fr-05, 10:57 - 11:00 OVPE 法を用いた−c 面 GaN 結晶成長における極性反転の抑制 1_{大阪大学大学院工学研究科，}2_{伊藤忠プラスチックス（株）} 谷山雄紀1_{，高津啓彰}1_{，隅 智亮}1_{，北本 啓}1_{，今出 完}1_{，吉村政志}1_{，伊瀬村雅士}2_{，森 勇} 介1 Fr-06, 11:00 - 11:03 InN 加圧 MOVPE 成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析 1_{九州大学工学府航空宇宙工学専攻，}2_{九州大学応用力学研究所} 草場 彰1_{，寒川義裕}1,2_{，柿本浩一}1,2 Fr-07, 11:03 - 11:06 横型疑似位相整合 AlN 導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計 東北大学金属材料研究所 三谷悠貴，片山竜二，劉 陳燁，正直花奈子，谷川智之，窪谷茂幸，松岡隆志 Fr-08, 11:06 - 11:09 青色面発光レーザに向けた GaInN 活性層に関する研究 1_{名城大学理工学研究科，}2_{名古屋大・赤﨑記念研究センター} 古田貴士1 , 松井健城1，堀川航佑1，小塚祐吾1，池山和樹1，岩山 章1，赤木孝信1，竹内哲 也1_{，上山 智}1_{，岩谷素顕}1_{，赤﨑 勇}1,2 Fr-09, 11:09 - 11:12 3C-SiC/Si 基板上 InGaN/GaN 縦型発光ダイオード 1_{東北大学金属材料研究所，}2_{エア・ウォーター総合開発研究所} 谷川智之1_{，生川満久}2_{，窪谷茂幸}1_{，片山竜二}1_{，松岡隆志}1_{，川村啓介}2 Fr-10, 11:12 - 11:15

歪補償 AlGaN 障壁層を用いた高 In 組成 InGaN LED の作製

1_{東京理科大学応用物理学科，}2_{名城大学理工学研究科}

Technical Program

Fr-11, 11:15 - 11:18 AlInN 膜および AlInN/GaN 多層膜反射鏡の電気的特性 1_{名城大学大学院理工学研究科，}2_{名古屋大・赤﨑記念研究センター} 吉田翔太朗1_{，池山和希}1_{，竹内哲也}1_{，上山 智}1_{，岩谷素顕}1_{，赤﨑 勇}1,2 Fr-12, 11:18 - 11:21 全 In 組成域で動作可能な+c 面上 InGaN 太陽電池構造の提案 1_{東京大学大学院工学系研究科，} 2

Global Solar+ Initiative, 東京大学

中村亮裕1_{，藤井克司}2_{，杉山正和}1_{，中野義昭}1 Fr-13, 11:21 - 11:24 GaN 半導体材料における放射線検出特性評価 1_{静岡大学大学院工学研究科，}2_{名古屋大学大学院工学研究科，}3_{赤﨑記念研究センター，}4_静 岡大学電子研究所，5_{静岡大学大学院総合科学技術研究科} 杉浦睦仁1_{，久志本真希}2_{，光成 正}2_{，山下康平}2_{，本田善央}2_{，天野 浩}2,3_{，三村秀典}4_，井上 翼5_{，青木 徹}2_{，中野貴之}5 Fr-14, 11:24 - 11:27 GaN 系半導体を用いた NEA 半導体フォトカソードの開発 1_{名古屋大学大学院工学研究科，}2_{赤﨑記念研究センター，}3_{名古屋大学シンクロトロン光研究} センター 佐藤大樹1_{，西谷智博}3_{，本田善央}1_，天野浩1,2 Fr-15, 11:27 - 11:30 窒化物半導体結晶成長の放射光その場 X 線回折 日本原子力研究開発機構 佐々木拓生，高橋 正光 Fr-16, 11:30 - 11:33

その場観察 X 線回折法を用いた GaN 上の GaInN 単膜および GaInN/GaN 超格子の評価

1_{名城大学大学院理工学研究科，}2_{名古屋大・赤﨑記念研究センター}

Technical Program

Fr-17, 11:33 - 11:36

トリハライド気相成長法を用いた InGaN 成長における NH3供給分圧の影響

1 _{東京農工大学大学院工学府，}2 _{東京農工大学 グローバルイノベーション研究機構，}

3

Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linköping University

平崎貴英1_{，長谷川智康}1_{，目黒美佐稀}1_{，村上 尚}1_{，熊谷義直}1_{，Bo Monemar}2,3_{，纐纈明伯}1 Fr-18, 11:36 - 11:39 歪の異なる GaN 下地層上の InGaN 薄膜成長 1 (研）物質・材料研究機構，2工学院大学，3法政大学，3中部大学 角谷正友1_{， 豊満直樹}1,2_{， 原田善之}3_{， J. Wang}1_{， L. Sang}1_{， 本田徹}2 Fr-19, 11:39 - 11:42 分光エリプソメトリーによる m 面 AlInN 薄膜の光学特性評価 1_{東北大学多元物質科学研究所，}2_{三菱化学株式会社} 小島一信1_{，加賀谷大樹}1_{，山崎芳樹}1_{，池田宏隆}2_{，藤戸健史}2_{，秩父重英}1 Fr-20, 11:42 - 11:45 AlGaN/AlN 量子井戸構造の臨界膜厚と再結合寿命の変化 京都大学大学院工学研究科 市川修平，岩田佳也，船戸 充，川上 養一

Lunch (11:45 - 12:30)

片平さくらホール 1F

一般講演（Poster Presentation II）+ Exhibition (12:30 - 14:00)

片平さくらホール 1F

Technical Program

Session VII: 招待講演

座長： 小島 一信（東北大学） I-Fr-1, 14:15 - 14:45（招待講演） 超高キャリア密度 n 型 AlGaN の結晶成長と電気伝導特性 1_{名城大学理工学部，}2_{名古屋大学・赤﨑記念研究センター} 岩谷素顕1_{，武田邦宏}1_{，飯田大輔}1_{，杉山 徹}1_{，竹内哲也}1_{，上山 智}1_{，赤﨑 勇}1,2 I-Fr-2, 14:45 - 15:15（招待講演） 非極性面 AlN 系深紫外 LED 日本電信電話株式会社 NTT物性基礎研究所 谷保芳孝，奥村宏典，Ryan Banal，熊倉一英，山本秀樹 I-Fr-3, 15:15 - 15:45（招待講演） Ga-Al 液相成長法により成長した AlN の極性反転構造 東北大学多元物質科学研究所 安達正芳，福山博之

Closing (15:45 - 16:10)

片平さくらホール 2F 藤岡 洋（東京大学）