特定の欠陥や欠陥につながる
Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... SEM のオートフォーカス処理においては、多種多様な外観を持つ画 像に対応したバンドパスフィルタが必要となる。半導体チップの中には回路パ ターンが形成されていない領域 (回路パターンなし領域) が存在し、回路パター ンなし領域において生じた欠陥を観察する場合もある。図 ...較してエッジ部位のコントラストが不鮮明となる。また、オートフォーカス処理 ...
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4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性への影響に関する研究
... KOH に比べれ ば非常に小さいが水素エッチングによる凹凸は観察されている。 ①～③については ESR,STS,エリプソメーター、ラマン分光等で観察する手法はあるが、今回のよう に局所的な観察は非常に困難である。④については、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等により表面凹凸が ...
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Ⅱ-Ⅵ族ZnSe 系青-緑色LD および白色LED のミクロ点欠陥による劣化機構に関する研究
... 文 の 内 容 の 要 旨 本論文は、Ⅱ-VI族ZnSe系発光デバイス(白色LED、青-緑色LD素子)の実用化において最重要 課題である短い素子寿命を克服するために、ミクロ点欠陥が引起す遅い劣化機構の解明に関 する研究を行った成果をまとめたものである。本研究より、素子寿命を律速する主要因は活 ...
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糖蜜を添加したセメント鋳型による鋳造欠陥について: University of the Ryukyus Repository
... Title 糖蜜を添加したセメント鋳型による鋳造欠陥について Author(s) 平敷, 兼貴; 糸村, 昌祐 Citation 琉球大学理工学部紀要. 工学篇 = Bulletin of Science & Engineering Division, University of the Ryukyus. Engineering(6): 1-5 ...
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レーザー超音波リモートセンシングを用いたコンクリート内部欠陥探傷 レーザー加工計測研究チーム島田義則 オレグコチャエフ 1. はじめに超音波を用いる非破壊検査技術は種々の材料に対して適用できるため その内部欠陥や疲労状態を検出する方法と多くの手法が研究され 実用に供されている その中でレーザー超音波
... 方法と多くの手法が研究され、実用に供されている。そ の中でレーザー超音波法は超音波の励起と検出の両方 をレーザー光を用いて行うもので、非接触探傷、遠隔探 傷が可能であることや、レーザー光をスキャンさせるこ とにより高速で探傷できる利点がある。また、振動の検 ...
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シリコンMOSゲートSiO2膜欠陥の詳細解析および水素による絶縁膜劣化モデリング
... を伴う酸素脱離反応が進み、Si-DB や酸素欠損を生成する。図 5.26 にここまで考察した 描像を図示した。歪んだ Si-O 結合への水素結合により生じた Si-DB 周囲で酸素脱離反応 が起こり、Si-DB や酸素欠損の密集した領域がランダムに生成する。ＳＩＬＣはここで生 ...
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光音響信号と反射光信号の同時測定による 内部欠陥検出に関する研究
... 2 肉部欠陥検出の原理 内部欠陥検出の原理図を図 2に示す。内部欠陥検出は、 超音波探傷法の垂直探傷法と同様の原理で行える。これ は超音波の周波数を持った光音響信号の内面波を用い、 音響インピーダンスの差により、境界面において反射波 と透過波に分離することを利用する。 この現象を利用すると、光音響信号が物質内を伝融し ていく過程で、光音響信号の伝搬は、非欠陥部である[r] ...
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半導体レーザの光音響効果を利用した欠陥検出に関する研究
... 8[mm] の穴 を 2 つあけた。 2 つの欠陥の隙聞は 1.2[mm] となっ ている。この場合、欠陥のないところでの信号の変 動分に対して欠陥信号の大きさが 2倍程度と小さく、 この程度の欠陥を検出するのが限界であった。 そこで、センサ位置を色々と変化させて実験を重 ね、光音響信号が最も大きく得られた位置、即ちセ... が欠陥の存在する試料を用いた場合の測定結果で[r] ...
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光音響効果を用いた内部欠陥検出の自動化に関する研究
... 1 に示す。測定時間も、従来の 30% の時間で、測定の処理も従来の 3％の時間で可能となっ た。トータル時間も従来の 24%の時間でできるようにな り、大幅な時間短縮と精度向上を実現できた。 ...
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SiC MOS構造における欠陥およびMOSFETの移動度支配要因に関する研究
... 与える伝導帯端近傍の界面欠陥密度を求められないという課題があった。本研究において、 極低温におけるMOSFETのサブスレッショルド特性を解析することによって伝導帯端近 傍の界面欠陥密度を正確に求め、この界面欠陥密度とチャネル移動度がSiCのドーピング ...
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Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥 －エッチング法による観測－: University of the Ryukyus Repository
... -rmJll~litJPtJ)t:'Jt;t.;tL-r~,fto LtJ)L.. Si-dopedGaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥一エッチング法による観測一 4８ した。更に，繰り返しエッチング法により矢型エッチ 像の変化を調べ，転位線全体の上昇運動の軌跡を示し た。その結果，試料表面よりも内部で転位の移動距離 が大きくなっていることがわかった。そのことより， [r] ...
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数値シミュレーションを援用した 超音波探傷の欠陥寸法評価精度向上に関する研究 前田正広 2016 年 2 月
... 多くの情報が含まれ，欠陥の検出や長さの評価に留まらず，構造物の余寿命推定に必要な 欠陥高さ測定等が可能となり，TOFD 法の適用拡大が期待されている。この手法では，欠 陥のない健全部では，①表面を伝播するラテラル波と④試験体裏面で反射する反射波が検 ...
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博士学位論文 4H-SiC バイポーラデバイスにおける 結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究 中山浩二 2013 年 1 月 大阪大学大学院工学研究科
... 4H-SiC の電子と正孔の再結合エネルギーは、C(ダイヤモンド)のバンドギャップより小さく、 Si のバンドギャップより大きいため、C コアを活性化することができないが、Si-Si 結合を 切って、Si コアは活性化することができる。このため、C コアを持つショックレー型部分 転位は動かず、Si コアを持つショックレー型部分転位だけが動くことができる。ショック ...
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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究
... Voc に相関があることを示した。また、室温においても同様に相関があることを示した。 最後に低温(77K)と室温において、セル化した場合の変換効率が高い試料と低い試料での PL 寿命の測定エネルギー依存性の検討を行った。低温(77K)では PL 寿命の測定エネルギー 依存性は、In と Ga ...
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報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
... 基板は、短波長発光素子、特にレーザー寿命を飛躍的 に改善する方法として待ち望まれたものです。短波長レーザーは、光ディスクの記 録密度の向上、微細加工装置の小型化・高精度化など様々な工業分野において有望 視されています。低欠陥・高品質の基板を低コスト、かつ生産性良く供給すること ...
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バイアス温度ストレスによる酸窒化SiO2/Si界面欠陥の電荷捕獲挙動-香川大学学術情報リポジトリ
... BTストレスによる信号量の変化には，PBTとNBTの場合でそれぞれ特徴的な違いが見ら れる.PBTストレスの場合は，再酸化後のサンプルで高温になるにつれESR信号の減少が顕 著であった.また，他のサンプルにおいても再酸化後のサンプルほどではないがESR信号量 ...
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消費者政策としての欠陥住宅におけるADRの有効性の検討 ─ 住友不動産との建設工事紛争審査会の事例 ─
... （２）欠陥住宅の発生原因 個人住宅建築では欠陥住宅の発生が後を絶たない。この理由として日弁 連（2005）は，施工者の問題点と建築士制度の問題点，行政の建築確認 及び完了検査の不十分さ，消費者と住宅供給者の間の知識・情報の格差の ...
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SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究
... ドの特性に及ぼす影響を系統的に調べた結果を述べている。まず、エピタキシャル成長時 に生成された {0001}面の積層欠陥を1つでも含むダイオードは耐圧が約20%低下すること を見出し、これが積層欠陥部における局所的な禁制帯幅の低下により解釈できることを述 ...
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低抵抗n型SiC結晶中に発生するダブルショックレー型積層欠陥に関する研究
... 本論文は、広禁制帯幅半導体であるSiC（炭化珪素）単結晶の低抵抗化と高品質 化を目指して、独自手法によるSiCインゴット結晶成長と、低抵抗n型SiCで特異的 に発生する積層欠陥に関する研究をまとめたもので、6章からなる。 第1章では、電力変換機器で用いられる半導体パワーデバイスの重要性とパワーデバイ ...
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疲労に関する重要知識 実機で疲労破壊起点となる鋭い切欠きや微小欠陥の取扱いについて
... この資料は，（一社）日本溶接協会 原子力研究委員会 FQA2小委員会 における講演 資料を掲載したものです．この資料を引用するにあたっては，下記を明記してください． （一社）日本溶接協会原子力研究委員会FQA2小委員会ナレッジプラットフォーム公開 資料(2017年）：「実機で疲労破壊起点となる鋭い切欠きや微小欠陥の取扱いについ ...
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