• 検索結果がありません。

比を以て光学的に読みとる方法と

詳細な観察をおこなった また光学顕微鏡を用いて 米飯粒横断面の特定 5) した部位に番地をつけ 前報と同様の方法によりそれぞれの部位の厚さの測定をおこなった さらに各部位における表層部の損傷状態 ( 破損箇所 ) を記録して 部位ごとにどのような特徴がみられるかについても検討した その結果 加水比と

詳細な観察をおこなった また光学顕微鏡を用いて 米飯粒横断面の特定 5) した部位に番地をつけ 前報と同様の方法によりそれぞれの部位の厚さの測定をおこなった さらに各部位における表層部の損傷状態 ( 破損箇所 ) を記録して 部位ごとにどのような特徴がみられるかについても検討した その結果 加水比と

... 距離を Fig. 2示した。これらの距離は、予め対 物ミクロメーターにより測定しておいた。 米飯粒表面付着層の厚さは、米飯粒横断面の 各番地における付着層の一番外側から元の米粒の 表面までの距離した。測定は、光学顕微鏡の視 野をこまめ上下左右動かすことでファインダ ー内の複数の線で挟まれる空間各部位を当ては めながら、 まず ...

9

目次はじめに よくある問い合わせについて よくある問い合わせと基本的な対処方法 システム環境に関する問い合わせ 機能に関する問い合わせ エラーメッセージについて エラーメッセージと基本的な対処方法

目次はじめに よくある問い合わせについて よくある問い合わせと基本的な対処方法 システム環境に関する問い合わせ 機能に関する問い合わせ エラーメッセージについて エラーメッセージと基本的な対処方法

... ただし、「取消区分」「エラー情報」等の項目の設定有無 が双方のファイルで異なるため、正しい画面にて再度読込 みを実施してください。 11 一括請求結果確認画面にて作成した一括請求結果 確認表の「エラー内容2」の最下行メッセージ 「※エラーが3つ以上存在する可能性があります。 エラー情報(変換前情報)は「 { x } 」です。」 が表示される。 ...

30

光学

光学

... た光通信デバイスの場合,複屈折率や粘度等液晶の物性値 の温度依存性により光学応答は強い温度依存性を示すた め,TEC(thermoelectric cooler)を用いてその依存性を補 償する構造するのが一般であるが,TEC の低い冷却 能力によりデバイス全体の消費電力は 30∼50 W 程度高 くなる傾向ある.本デバイスでは液晶材料 ...

6

触媒的Diels-Alder反応による光学活性ヒドロカルバゾール骨格の立体選択的構築法の開発とその応用

触媒的Diels-Alder反応による光学活性ヒドロカルバゾール骨格の立体選択的構築法の開発とその応用

... 12 これまで報告されている反応例では、いずれの場合においても熱条件にてエンド付加 体もしくはエンド付加体由来の生成物のみが選択得られており、著者の知る限りでは、 ルイス酸触媒条件を検討した例やエキソ付加体が得られたというような報告例はない。その 一方で、反応の面選択性はピログルタミン酸由来の不斉点により完璧制御されていた。す なわち、TS-I ...

79

光学

光学

... 造 よ り,そ の 臨 界 膜 厚 が 8 nm (∼ ...場合,InAs 比べてかなり臨界膜厚が大きいことがわか る.InGaAs 層においても,In 組成を 0.3 以上すること で,InAs 同様 GaAs 上 S-K モードによって量子ドッ トを成長することができる.さらに InGaAs の場合,成長 ...

7

光学遷移の量子論:半古典論的アプローチ

光学遷移の量子論:半古典論的アプローチ

... 1-4. 任意の多重量子井戸系のサブバンド状態に関する計算方法 1-5. 正孔サブバンドに対する厳密な解析(Luttinger ハミルトニアン) 1-6. 格子歪み効果(歪み量子井戸・超格子) 1-7. 電場効果:量子閉じ込め Stark 効果 Wannier-Stark 局在 1-8. 励起子状態 ...

49

目次はじめに よくある問い合わせについて よくある問い合わせと基本的な対処方法 システム環境に関する問い合わせ 機能に関する問い合わせ エラーメッセージについて エラーメッセージと基本的な対処方法

目次はじめに よくある問い合わせについて よくある問い合わせと基本的な対処方法 システム環境に関する問い合わせ 機能に関する問い合わせ エラーメッセージについて エラーメッセージと基本的な対処方法

... 本ソフトを起動し、ご利用ください。 2 有効なライセンスキーではありません。 入力したライセンスキーが正しくありません。以下の点を 確認して再度入力してください。 ・ライセンスキーは半角で入力してください。 ・大文字/小文字は区別して入力してください。 ・「0(ゼロ)」「O(オー)」、「1(イチ)」「I (アイ)」など、読み間違えやすい箇所を確認してくださ い。 ...

24

光学

光学

... 1 示した原子屈折や分子屈折は,比較的高い精度で 屈折率を再現することが可能だが,新規の原子団や官能基 を含む化合物については経験なパラメーターが知られて いないため,計算は一般困難である.そこで,筆者らは 分子屈折のような経験パラメーターを用いず光学ポ リマーの光吸収屈折率の波長依存性(波長分散)を定量 ...

6

光学

光学

... は前述のような単純な低コヒーレンス干渉 基づいており,深さ方向の一次元構造の計測一次元の 機械走査を必要する.しかし,その計測速度は毎秒数 百深さスキャン(A-スキャン)であり,生体眼の二次元ト モグラフィーの取得が可能であった 3) .この第一世代の OCT は,現在ではタイムドメイン OCT(TD-OCT)よば れる.さらに,フーリエドメイン ...

5

空気の屈折率変調を光学的に検出する超指向性マイクロホン

空気の屈折率変調を光学的に検出する超指向性マイクロホン

... 図 4-2 で説明した近似方法より、図 4-6 は、長さ 1530 mm(9 λ)のレーザ光 24 本を 0.3 λ 間隔で平行配置したもの等価見なすことができる。式(2−7)、式(2−8)より、この開口 面の寸法は、半値全幅10°以下の指向性を有するための条件当てはまる。 LDV は、PI-Polytec(株)の CLV-1000(出力モジュール: ...

66

光学

光学

... 1/e なるまでの時間が伝播寿命として 定義される.したがって,ナノフォトダイオードを高効率 化するためは,プラズモンの寿命以下の時間内半導体 内染み出した電場成分がフォトキャリヤーを生成する必 要があり,今回検討した 850 nm の波長においては,表面 プラズモンによるオーミック損失比較して Si 半導体 おける吸収係数が 1 ...

6

光学

光学

... れ,のいずれかを利用している(図 1 参照). ( a )は,対象投影した光が反射して戻ってくる時間 を測定し,光の速度を掛け(て 2 で割)ることで距離を得 るというものであり,飛行時間法(TOF 法,time-of-flight method )よばれている.超音波やマイクロ波を用いた 距離計測同じ原理である.実用化されているセンサーの ...

6

光学

光学

... o 比例した一定値なる.より一般は,この反 射特性は BRDF(双方向性反射率分布関数)によって表現 される.BRDF は,一般,入射方向 l˜ p 放射方向 v˜ の (4 変数)関数として記述される.この 2 つのベクトルは, この面素上とった局所座標系で表す.BRDF を f o 共l˜ p , v˜ 兲 ...

7

光学

光学

... Prince Rogers 8) は,リング状のランダムドット刺激を 用いて,正弦波状の網膜像差変調の閾値を空間周波数 偏心度の関数として測定している.本研究で用いた DoG 関数は ...cpd 空間周波数成分のピークをもつので, Prince Rogers の結果からこの周波数における閾値を読 み取り Fig. 7 ...

7

近接場磁気光学顕微鏡の現状と課題

近接場磁気光学顕微鏡の現状と課題

... 画像化したい表面 図 3 光ファイバープローブを用いた 近接場顕微鏡の原理を示す図 この光を光電検出することによって光 の回折限界よりも小さな領域を見る顕微鏡 ができる。プローブの位置を STM など同 様のマイクロアクチュエーターにより制御 することにより画像化する技術が利用され る。これを走査型近接場顕微鏡(SNOM, また は, NSOM)よぶ。偏光を入射し、磁性体で ...

10

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... タキシャル膜の光学特性変化を評価してきたが、同年度 は、共鳴ラマン散乱法により表面大きな格子歪みが 導入されることを明らかし [1]、翌 30 年度は格子歪 みの導入と共にバンド端発光強度が著しく減衰するこ 、さらにそれらは熱アニール処理により緩和されるこ を明らかした ...

2

資料3-2-5「光学的血糖値測定システムを応用した埋込み型イン…

資料3-2-5「光学的血糖値測定システムを応用した埋込み型イン…

... 一方、本技術開発のためは多大の費用や期間が必要されることから民間 のみでは不可能で、公共性も高いことから国が関与することは妥当である。 ただし現在のインスリン治療という代替手段がある以上、侵襲が少ないか同 等で、かつ予後や QOL の向上つながることが必須である。また生理なル ートでインスリン投与を目指すものでは臓器移植や遺伝子治療の可能性が有 ...

9

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... 加工損傷、加工歪み、PL、ラマン散乱、 光学ホノン散乱 1.研究開始当初の背景 GaN 代表されるワイドギャップ半導体は、青色発 光ダイオードの発明を契機として、照明分野の革新大 きく貢献している。白色 LED の市場は世界な拡大を 見せているがその価格課題が残り、更なる材料作製プ ロセスの低コスト化が望まれている。また、その発光領 ...

2

JMP によるオッズ比 リスク比 ( ハザード比 ) の算出方法と注意点 SAS Institute Japan 株式会社 JMP ジャパン事業部 2008 年 3 月改定 1. はじめに本文書は JMP でオッズ比 リスク比 それぞれに対する信頼区間を求める算出方法と注意点を述べたものです この後

JMP によるオッズ比 リスク比 ( ハザード比 ) の算出方法と注意点 SAS Institute Japan 株式会社 JMP ジャパン事業部 2008 年 3 月改定 1. はじめに本文書は JMP でオッズ比 リスク比 それぞれに対する信頼区間を求める算出方法と注意点を述べたものです この後

... 本文書は、JMP でオッズ、リスク、それぞれに対する信頼区間を求める算出方法注意点を述べたものです。この後の 2 章では、JMP でのオッズ、オッズの信頼区間の算出方法について、サンプルデータを用いて解説しております。3 章では、リ ...

15

光学

光学

...  プロジェクターから投影される画像,実空間で像を結 ぶ画像を結びつける際は,プロジェクターパラメーター を事前キャリブレーションによって求めておく.プロ ジェクターパラメーターは,外部パラメーター内部パラ メーターから構成され,外部パラメーターはオブジェクト 座標系でのプロジェクターの位置,内部パラメーターはプ ロジェクターの画角などを表す.画像平面上における特徴 ...

6

Show all 10000 documents...

関連した話題