次世代大型低消費電力
スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... スピンMOSトランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、不揮発の次世代半導体 ― 本資料は、本年米国ボルチモアで開催のIEDM（International Electron Devices Meeting 2009）における当社講演 “Read/Write Operation of Spin-Based MOSFET Using Highly Spin-Polarized ...
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次世代電力プラットホームと家庭分野DER活用のフロンティア
... 〇欧州での蓄電池やDRの容量はC&Iユーザーを中心に劇的に増えている。導入ユーザー は大型・製造業から小さなアセットへと広がっている。フレキシビリティ(需給調整/配電線 安定化)の世界は大きく火力⇒非火力へと変わり、すべての建物はフレキシビリティ供給 者としていわばプロシューマ化する。 ...
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FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性
... IGLOO リプログラマブルおよびフラッシュFPGA ファミリは、今日の携帯型電子機器の低消費電力およびサイズ要件を満たすように設計されて います。本ファミリは不揮発性フラッシュ技術を採用しており、動作電圧 1.2～1.5 V で、非常に低消費電力 (最小 5 µW) です。IGLOO ファミリ は最大 35K 個のロジック エレメント、504 Kb ...
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目次 1. 自動車 WGの概要 2. 自動車分野を取り巻く環境変化 3. 目指す低炭素社会像 4. 中長期のエネルギー消費量削減の可能性 次世代車普及台数予測 技術予測 施策の設定と定量化 エネルギー消費量の試算結果 施策の方向性について 5. 低炭素社会がもたらすQOLの向上 6. 低炭素社会実現
... • 貨物輸送の効率化等の物流対策も、CO2削減に大きな役割を果たしてきてお り、渋滞改善やモーダルシフト等の交通流対策と併せて、先進的なITS技術の 活用を図りつつ総合的な取組を推進することが必要。 • 自動車分野の施策は、電気自動車の超小型モビリティや福祉車両への活用や、 燃料としての電力、水素、バイオ燃料、天然ガスなどエネルギー分野との関係 に加え、これらの供給インフラの整備やカーシェアリングの普及などは、地域づ ...
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公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中
... 全世界の情報創出量推計から、2020年代にはデータ伝送 電力1mW/ Gbps以下、配線ピッチ0.1mm以下のサーバボー ドが必要と推定。 プロジェクト終了4年後に複数のＬＳＩが搭載された上記光電 子集積サーバボードを実現するには、プロジェクト期間中に 要素技術の確立が必要。 ...
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電力と電力量とは? 電力 ( 単位 :W) とは? ある瞬間に発電 消費する電気の 大きさ 1,000W=1kW( キロワット ) kwのイメージ 電力量 ( 単位 :Wh) とは? 一定時間に発電 消費する電気の 総量 1,000Wh=1kWh( キロワットアワー ) kwhのイメージ kw 電力
... 5-24 低需要時期における太陽光発電出力比率の状況（九州エリア） 電力の安定供給には、電力の需要と供給のバランスをとることが必要ですが、電力需要の少ない時期に、時間や天候によって 発電電力が大きく変化する太陽光・風力の出力割合が高まると、電力の需給バランスの維持が難しくなります ...
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グリーンコンピューティングのための低消費電力マルチコア技術 「特技懇」誌のページ（特許庁技術懇話会 会員サイト）
... OSCAR APIの特徴は、各プロセッサ毎に別々のスレッ ドを用意し、各スレッドに埋め込まれたディレクティブは 早大が無料配布するAPI解釈系により各プロセッサ用のラ イブラリコール（プロセッサ企業側で DMA、電力制御な どのライブラリを用意することが前提）に変換されるの で、プロセッサメーカ側は通常の逐次Cあるいは Fortran コンパイラのみを用意すれば、並列バイナリが簡単に手に 入る。これにより ...
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一般社団法人電子情報通信学会 THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS 信学技報 IEICE Technical Report アスペクト指向プログラミングによる高性能 低消費電力化 鷲崎弘宜 大河原洸
... る 低 消 費 電 力 化 戦 略 実 現 コ ー ド の 散 ら ば り 3.2. 低 消 費 電 力 化 効 果 の評 価 低 消 費 電 力 化 の 効 果 に つ い て 、プ ロ グ ラ ム 実 行 中 の バ ッ テ リ 電 圧 の 推 移 を も っ て 代 替 的 に 評 価 す る こ と と し た 。 放 電 特 性 に 伴 い 、 電 力 消 費 に 応 じ て バ ッ ...
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AD8515: 1.8 V 低電力 CMOS レール to レール入力／出力オペアンプ
... 利点があります。この利点は、消費電力が重大なバッテリ駆動 のアプリケーションにとって、特に重要なポイントとなります。 式を簡単にするため、抵抗器とコンデンサには、常に同じ値を 使用します。発振が生じるためには、次の 2 つの条件を満たす ...
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水素社会へ向けた次世代大型燃料電池SOFCの展開,三菱重工技報 Vol.52 No.2(2015)
... という位置付けで，先行的に市場へ投入しお客様の評価を受けていきたいと考えている。そして， 2017 年以降の本格的な市場投入に向けて，サンプル機で得られた評価・知見を活かして耐久性 及び可搬性等の向上に取組み，より商品力を持つシステム仕様へ改良し，更に低コスト化を図っ ていく。 ...
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反強磁性体で世界最大の自発磁気効果をもつ低消費電力磁気メモリ材料：反強磁性体におけるワイル粒子の発見
... ① 研究の背景 スマートフォンやタブレットなどのモバイル端末のメインメモリとして主に利用されている 揮発性メモリは、 CPU から直接アクセスできる記憶素子で、記憶保持に大きな電力を消費しま す。近年、次世代メモリとしてより高速で記憶保持に電力を消耗しない不揮発性メモリの開発 が盛んに行われています。なかでも、強磁性体材料を用いた不揮発性メモリは磁気の方向を記 ...
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AD9833: 低消費電力 20 mW 2.3 〜 5.5 V プログラマブル波形発生器
... 次のセクションで、これらのサブサーキットについて説明しま す。 回路の説明 AD9833 は、完全統合型のダイレクト・デジタル・シンセシス （ DDS ）チップです。最高 12.5MHz のデジタル作成されたサイ ン波を提供するために、リファレンス・クロックが 1 つ、低精 度抵抗が 1 つ、デカップリング・コンデンサが複数必要です。 RF 信号を生成するほか、簡単な変調方式から複雑な変調方式ま ...
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俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ
... ポーザにおいて 30 Tbps/㎠の世界最高の伝送密度を実証し、この技術を 2012 年から開始 された NEDO の超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発（光エレ実装） プロジェクトに引き継ぎ、事業化に向けた活動が継続されている。 ナノフォトニクス技術における発光デバイスでは、ミクロンスケールまたはそれ以下の ...
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代センサーネットワーク モバイル情報機器 サーバー等から研究開発実施者が想定するアプリケーションにおいて 劇的な低消費電力化を志向する新しいメモリアーキテクチャ 基本ソフトウェア アルゴリズムのデザインを提示するとともに 必要に応じて間歇動作等に求められる次世代不揮発性素子の性能を提示し システムと
... ・集中研用のノーマリーオフ評価基盤として評価ボードとメモリ拡張ボードの設計 / 試作/評価を開始する。また、電力効率１０倍の見通しを立てるため、評価用にシミ ュレーション環境の開発を行う。 ・ベンチマーク評価のシミュレーション環境を使って、シングル /マルチコアのプロセ ッサでのベンチマークによるシミュレーション環境の改良を行い、ヘテロ構造をも つより複雑なプロセッサ構造とメモリ階層に向けた評価を開始する。 ...
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ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU
... 9 9 MPPT 最大電力点追従の設定。このピンは抵抗分圧器を使用し、様々なエネルギー・ハーベスタ向けの最大電 力点比を設定します。非センシング・モードの場合、 AGND を経由して抵抗を接続し、MPPT 電圧を設 定します。電流の代表値は 2.0 µA です。 10 10 VIN エネルギー・ハーベスタ・ソースからの入力電源。 VIN と PGND の間に、最小 10 µF のコンデンサをで ...
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Zynq UltraScale+ MPSoC で圧倒的な低消費電力と柔軟性を実現 (WP470)
... x86 ベー ス の Memcached イ ン プ リ メ ン テーシ ョ ン は CPU 集約型です。 キー幅が無作為かつ さ ま ざ ま で あ る ため、 割 り 込みや キ ャ ッ シ ュ ミ ス が頻繁に生 じ 、 その結果 と し て分岐予測の精度低下、 要求パ イ プ ラ イ ンの停止、 性能低下、 無駄な電力消費な ど を招 き ます。 ま た、 ネ ッ ト ワ ー ク アダプ タ ー レ ...
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ガスセンシング用低消費電力型（＜ 1 W）中赤外量子カスケードレーザ
... そこでまず活性層としては、高利得が期待できる、上記 垂直遷移型活性層構造を用いた。次にデバイス構造として は、我々は従来、メサ導波路をドライエッチングで形成し、 その側面上に誘電体絶縁膜を成膜して電流狭窄したダブル チャンネル（Double Channel: DC）構造 （14） を用いてきた。 本構造は、半導体層成長が1回で済み、作製が容易である反 面、絶縁膜狭窄のため放熱性が悪く、さらに導波損が大き ...
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1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)
... 定されています。動作電圧または温度によって大きく異なるパ ラメータについては、代表的特性に示します。 入力保護 OPA211の入力端子は、図45に示すように、双方向接続のダ イオード･ペアによって過度の差動電圧から保護されています。 ほとんどの回路アプリケーションでは、入力保護回路は出力に 影響を及ぼしません。ただし、低ゲイン、またはG = 1の回路 では、アンプの出力が入力ランプに対して高速に応答できない ...
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LSI間を高速･高密度･低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー
... を採用した。 （7） Geは広い吸収帯域を有し，Si上にエ （注2） p型半導体とn型半導体でi型半導体を挟んだ接合構造。 者らが提案するブリッジ構造では，上述のとおり 電子回路チップと高速信号・電源の供給源となる パッケージ基板をバンプにより面同士で接続して いるため，二次元的な高密度接続が可能となる。 また，ワイヤ（1 ∼数mm長）に比べてバンプ（数 10 µm長）と短距離での接続が可能となるため，良 ...
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LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ
... Note 3: 周囲温度上昇時に連続短絡状態になると、150 ℃の最大接合部温度を超える可能性があります。 Note 4: 最大消費電力は最大接合部温度 T J (max) 、θ JA 、および周囲温度 T A によって決まります。 最大許容消費電力は、任意の周囲温度で P D ＝ (T J (max) − T A ) / θ JA から求められます。 ...
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