• 検索結果がありません。

極端紫外光を使って半導体に集積

極端紫外光研究施設 分子研リポート2006 | 分子科学研究所

極端紫外光研究施設 分子研リポート2006 | 分子科学研究所

... 7U に直入射領域（ h ν = 7~40 eV ）の高分解能・高フラックス分光器を使った角度分解光電子分光ビー ムラインを建設 ・ 評価を行った。このビームラインは， UV SOR -II の高輝度性を使って入射スリットをなくしたため， ...

10

極端紫外光科学研究系 分子研リポート1999 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート1999 | 分子科学研究所

... 内殻を励起できる光） を使っ て固体物性の研究を展開している。中心金属としてニッケルを含む一連の分子錯体の単結晶試料に対して，放射 光の直線偏光性を利用した偏光吸収スペクトルを測定し， 金属 2p 内殻から配位子 π * 空軌道への一電子遷移 （ML C T ...

23

The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 Vol. 41, No. 3 (2014) 解説 昇華法 AlN ウェハー上 HVPE ホモエピタキシャル成長と深紫外

The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 Vol. 41, No. 3 (2014) 解説 昇華法 AlN ウェハー上 HVPE ホモエピタキシャル成長と深紫外

... LED を試作したと ころ，転位を発生させることなく LED 構造を成長でき， HVPE-AlN ウェハーを通して活性層からの光を取り出せ ることを実証できた．フリップチップマウントした LED の 250 mA の電流注入時の出力および EQE はそれぞれ 28 ...LED を安価に供給できるようになれば ...

7

極端紫外光研究施設 分子研リポート2004 | 分子科学研究所

極端紫外光研究施設 分子研リポート2004 | 分子科学研究所

... ト を放出する過程が起こる と は考え難いので， 多電子励起状態の崩壊 で特徴的に生成される負イ オンフ ラ グメ ン ト を積極的に検出すれば， 多電子励起状態を高感度に検出でき る可能性がある。 我々 は， 先述 したE UV 発光や中性種の検出と共に， この負イ オンフ ラ グメ ン ト の検出に着目 している 。 負イ ...

10

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2001 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2001 | 分子科学研究所

... ら に， フ ラー レン薄膜を用いたpn接合系の実現に向けた研究を行っている。 ナノ メ ー タサイズでの物 性発現という とナノ チューブが大き な役割を果たすと信 じられているが， フ ラー レン系は， それ自身がナノ メ ータサイズを有 してお り ， ナノ メ ー タサイ ズでの科学の主役の一つ と な ...

26

中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

... IC にフォーカ スしたファウンドリとして地位を固めている。なお表 19 の F 社は同じ企業グループに所 属するファブレスで，8 インチプロセス以外では，H 社の顧客となっている。企業グルー プ全体としては IDM 型だが，H 社自体は専業ファウンドリである。顧客には，地場ファブ レスに加え，フェアチャイルドなどのグローバル IDM ...

34

極端紫外光研究施設 分子研リポート2005 | 分子科学研究所

極端紫外光研究施設 分子研リポート2005 | 分子科学研究所

... b) 高度化された光源加速器UV SOR -IIの高品質電子ビームを自由電子レーザーに用いることで従来よりも短波長域で の大強度発振が可能となった。 高度化以前には発振可能波長限界に近かった250 nm付近で数100ミリワットの高い 平均出力を得， 生体物質への照射実験に供した。 またフランスの研究グループと協力し， 蓄積リング自由電子レー ...

9

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2002 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2002 | 分子科学研究所

... 我々 を含む生き物においてはそのよ う な も のがいっ さい装備されていないに もかかわらず， 振動や電気誘導雑音の影響を全 く 受けないで， 生命機能維持に必要 な信号伝達が常時行われている。 この違いはなぜか ？ この素朴な疑問について私は， 生物においては， 信号伝達を電気 信号と化学物質信号と ...

14

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2002 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2002 | 分子科学研究所

... 極端紫外光科学研究系の各グループは，以前から指摘されているようにごく限られた人数であるという問題を有す る。しかしながら，この系は世界的に高い競争力を発揮し維持している。理論研究の面では，スピン軌道相互作用を とりいれた内殻の ab initio ...

9

極端紫外光科学研究系 分子研リポート1998 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート1998 | 分子科学研究所

... 内殻を励起できる光） を使って固体物性の研究を展 開している。これまで，中心金属としてニッケルを含む分子錯体の単結晶試料に対して，放射光の直線偏光性を 利用した偏光吸収スペクトルを測定し，金属 2p 内殻から配位子 π * 空軌道への ML C T ...

20

深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究

深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究

... 率 を 向 上 さ せ る た め の ア プ ロ ー チ と し て ， 発 光 再 結 合 寿 命 の 高 速 化 が 有 効 で あ り ， そ の た め に AlGaN QW の 内 部 電 界 が 低 減 で き る 半 極 性 面 の 利 用 が 有 効 で あ る こ と を 指 摘 し て い る ． つ ぎ に ， 有 ...

4

極端紫外光実験施設（UVSOR） 分子研リポート2001 | 分子科学研究所

極端紫外光実験施設（UVSOR） 分子研リポート2001 | 分子科学研究所

... すでに併用実験は無機系の 光誘起相転移や半導体の表面光電位効果 （S PV ） の時間依存性の研究で行われている。 例えば， GaA s(100) 表面と GaA s- GaA sP 超格子の両方でレーザー誘起光電子内殻準位シフトが S PV によること， その緩和時間がマイクロ秒のスケール であることが見つかっている。 ...

6

極端紫外光科学研究系 分子研リポート1999 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート1999 | 分子科学研究所

... 1. 極端紫外光科学研究系について。 分子科学研究所における研究活動の柱を担う部門として尚所内外から大いに期待されている部門であると思います。 その期待の中で研究する研究者の使命は重大です。そもそも研究所設立は日本における分子科学を先導する中核的な ...

10

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2000 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2000 | 分子科学研究所

... b) 半導体表面構造を原子レベルで観測し、 放射光照射による構造変化を観測すべく、 ＢＬ−４Ａ２ビームラインの立 ち上げ、 およびその場観察を可能にする走査型トンネル顕微鏡を設置、 整備した。 シリコンだけでなく、 InP、 GaA s， S iC などの化合物半導体における表面励起反応を観測対象んいして、 ...

19

極端紫外光研究施設（UVSOR）（1ページ） 分子研リポート2010 | 分子科学研究所

極端紫外光研究施設（UVSOR）（1ページ） 分子研リポート2010 | 分子科学研究所

... 施設の将来像については， (a). 既存施設の更なる高度化 (b). 新しい施設の建設 の２つの方向で考えてきたが，幸い，前者について予算化され２ ０ １ １−２ ０ １ ２年に実現できる見通しとなった。その 具体的な内容は，U V S O R - I I 蓄積リングで唯一建設以来手つかずであった偏向電磁石を，ビーム収束作用を持つ複合 ...

1

極端紫外光実験施設の将来計画 分子研リポート1998 | 分子科学研究所

極端紫外光実験施設の将来計画 分子研リポート1998 | 分子科学研究所

... 今，小さな光源サイズ，高い光量で 6 eV ∼ 1 keV の光エネルギー域の挿入光源を有する蓄積リング（10 ∼ 20 keV のエネルギーも可能な超伝導磁石列もたぶん備えることのできる）を「応用分子科学」 ， 「分子ミクロ科学」 ，あるいは 「分子材料科学」 ...

7

極端紫外光実験施設 分子研リポート1998 | 分子科学研究所

極端紫外光実験施設 分子研リポート1998 | 分子科学研究所

... ト を用いた赤外領域での高磁場 下での磁気円偏光二色性測定装置を昨年度までに建設した。 この装置を使う こ と によ って， 光のエネルギー範囲: 1 meV ∼ 2 eV ， 温度範囲: 6∼300 K ， 磁場範囲: 0∼8 T の各パラメ ータ を3次元的に変え， ...

12

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2005 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2005 | 分子科学研究所

... b) 脂質二重膜／膜タンパク集積系は， 脂質−タンパクやタンパク−タンパク相互作用を調べる興味深い反応場と言え る。 この構造と機能の研究は分子科学の新分野であるとともに， 上記の素子構造形成にも重要である。 ２ ０ ０ ５ 年度は ①シリコン基板表面に共有結合で固定したアビジン分子の配向を B ML -IR R A S と A F M で解明， ②ベシクルフュー ...

15

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2006 | 分子科学研究所

極端紫外光科学研究系 分子研リポート2006 | 分子科学研究所

... 基板に貫通穴を形成し，そこに脂質二重膜／イオンチャンネル集積構造を形成しチャンネル前後に電極 を取り付けた構造 （イオンチャンネル電流記録素子） を作成する。２ ０ ０ ６年度も分子研装置開発の多大な協力を得て， ...

16

極端紫外光研究施設（UVSOR） 分子研リポート2004 | 分子科学研究所

極端紫外光研究施設（UVSOR） 分子研リポート2004 | 分子科学研究所

... 最新鋭のシンクロトロン放射施設は第３世代と呼ばれている光源加速器を擁しており，第１世代（高エネルギー物 理のためのシンクロトロン加速器を放射光源としても併用）を専用化した第２世代（放射光源専用電子蓄積型シンク ロトロン加速器）の光源加速器では使っていなかった直線部分にアンジュレータなどの挿入光源を挿入し，高輝度な ...

4

Show all 10000 documents...

関連した話題