導体や光半導体の接合
ナノテクノロジーの応用 カーボンナノチューブ、光半導体、走査型プローブ顕微鏡
... （１）出願企業の研究開発の選択・集中度 日米とも光半導体分野に参入している電気機器企業は、ナノテクノロジーの応用としての カーボンナノチューブ、光半導体、走査型プローブ顕微鏡の 3 技術分野に関わりが見られる ...
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太陽電池と半導体ｐｎ接合
... CZTSって何？ • クラーク数を30位まで掲げます。クラーク数から見るかぎり、次世代においてもシリ コンが最重要な太陽電池材料であり続けることは間違いないでしょう。 • CIGSについても、かろうじて銅（Cu）が25位に入っているだけなので、インジウム（In ）に代えてスズ（Sn、30位）と亜鉛（Zn、31位）を使うCu 2 ZnSnS 4 という4元化合物に置 き換える研究が始まっています。Copper zinc tin ...
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実習 K: ダイオード 1. 目的 pn 接合半導体整流器の電圧電流特性を測定し 半導体の物理的性質および整流器としての整流作用を理解する 2. ダイオード ダイオードとは二つの電極 ( アノード (A) とカソード (K)) を持った半導体の総称で 最も基本的な非 線形素子である 図 K1 に今回
... （２）次にベース電流（ Ib ）を 0.01mA（10μA） にし、同様に、コレクタ・エミッタ電圧（ Vce ）を 0～10V 変化させ、コレクタ電流（ Ic ）を測定する。この際、一度 Ib を設定しても Vce を変えると Ib の値 が変化する。このように Ib と Vce の調整はお互いに影響するので、両方の値が測定の目的に 叶う様、その都度調整・設定して実験を続ける。 ...
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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... • 特に高電子移動度トランジスタ(HEMT)や ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)などの 超高速素子や、これらを基礎とした将来デ バイスである、量子効果・ナノデバイスとそ の応用について学ぶ。 ...
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自己伝播発熱素材と光技術によるウェハ接合技術開発とその応用
... 2．研究の目的 愛工大生津研究室では， Al/Ni 発熱素材をハンダ溶融 の熱源として利用し， Si ウェハ等の瞬間接合技術への 応用を提案してきた．これにより，数 cm 角の Si チッ プを 0.1秒以内に瞬間的にハンダ接合できることを実証 した（図 1）．一方，浜松ホトニクスはレーザーを利用 ...
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半導体工学の試験範囲
... ｐｎ 接合と垂直で ｐ 領域の方向を正とする。また、n(0)<< p p とする。 （５）順バイアスの場合の ｐ 領域中の電子濃度 n(x)を（４）の拡散方程式から導出せよ。 問 42 拡散電位が V d の pn 接合を考える。p 層と n 層が接合したところを x = 0 とし、 n ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... 光電子集積回路(OEIC) • 光半導体素子と電気的な半導体素子とを同一半 導体基板上に集積し，関連付けた集積回路。半 導体レーザーなどの発光素子とそれを駆動する 電界効果トラシジスタを集積化したものと，フォト ダイオードなどの受光素子と増幅・信号処理用の 電界効果トランジスタを集積化したものとに大別 ...
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自己伝播発熱素材と光技術によるウェハ接合技術開発とその応用
... 2．研究の目的 愛工大生津研究室では， Al/Ni 発熱素材をハンダ溶融 の熱源として利用し， Si ウェハ等の瞬間接合技術への 応用を提案してきた．これにより，数 cm 角の Si チッ プを 0.1秒以内に瞬間的にハンダ接合できることを実証 した（図 1）．一方，浜松ホトニクスはレーザーを利用 ...
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通信用半導体レーザの開発
... Epitaxy） や 有 機 金 属 気 相 成 長 法 （ OMVPE ： Organometallic Vapor Phase Epitaxy）が注目されるようになった。特に OMVPE は、リン系化合物の成長に適し、均一性や柔軟性 に優れると共に、基板面内で選択的な成長が可能といった 利点を有する成長方法で、それらの潜在能力の高さが実証 ...
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乾式工法での壁体の構築や接合による摩擦制振システムの開発に向けた要素研究 [ PDF
... 2kN/本 の と き の 載荷速度別の摩擦係数－載荷速度関係を示す．載荷速 度は試験体に生じた変位より求めたものである．載荷 速度がほぼ一定で低速の試験体に比べ，変化のある高 速で載荷を行った試験体の摩擦係数の変動が大きいこ とが分かった．また載荷速度の大きいときに摩擦係数 が小さくなる傾向が見られ，載荷速度が摩擦係数に及 ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... 女たちのレベルは、我が国同業他社の一般技能者を相当に凌駕している。 17 そして、このことを 裏打ちするかのように、ＴＳＭＣ出身の優秀なオペレーターのうちの少なからざる人々が、他社に 生産管理者として異動していくということであった。 18 これらの点に関し、我が国製造業では、同業他社のみならず他業種においても、未だに組 ...
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エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県
... 線 のエネル ギーに依存します。半導体素子の K 吸収端の直上のエネ ルギーでは，光電吸収断面積が大きく光電吸収が素子の表 面付近で起きやすくなるために，エスケープピークも大き くなります。高エネルギーになると素子内部での吸収やコ ンプトン散乱による吸収が多くなるので，エスケープピー ...
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ねじ締めによる導体接続部の発熱に関する研究(第2報)
... 6 mm 仇銅線を使用した。 試料の接触方法は実際のねじ締めの状態とは異なるが 実験および観察の容易さから，試料を突合せ状にした。 試料保持装置はホットゾーンの発生のため微少な距離 調整を必要とする。そのためマイクロメータにより試料 の微動が可能なものとした。また，試料保持部はホット ゾーンの発熱により高温となるので， トランジスタ用ヒ ートシン Fを用い放熱効果を高め[r] ...
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半導体デバイスの信頼性
... 2. 高周波デバイスの劣化メカニズム 2.1 実装後のクラック発生 パッケージ単体で温度サイクル試験、熱衝撃試験、衝撃試験、定加速試験、可変周波振動試験、断 続動作試験を実施し、合格したパッケージでも、基板に実装した段階で不具合が発生する場合がある。 図Ⅲ-3 にモデル図を示す。パッケージを基板に実装した後、パッケージの上または下から圧力が印加 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 。もっとわかりやすい例でいえば、かつて出版においては、手書き の原稿を活字に組んでから校正を行っていたが、現在は著者の書いた電子ファイルを入稿 する前に完全に校正するため、印刷所でゲラを読んで朱を入れるといった事後的な調整が なくなり、精度も格段に上がった。データがデジタル化されてコーディネーションが設計 （執筆）段階に統合されると、逆に編集と印刷はまったく独立になり、海外の印刷会社に ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 別途、書面による契約またはお客様と当社が合意した仕様書がない限り、当社は、本製品および技術情報に関して、明示的にも黙示的にも一切の保証（機能動作の保証、商品性の保証、特定目的 への合致の保証、情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。）をしておりません。 • ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... • 光の波面の位相情報を記録するために、物体からの光と参照光を 重ね合わせてできる干渉縞を利用する。参照光は記録の対象とな る物体を照らす光と同じ光源でなければならない。これは普通の 写真フィルムに記録される。これらの干渉縞はフィルム上に 回折 格子 を形成する。 ...
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半導体中の単一磁性原子スピンの光による制御 : 正孔-Mnスピン結合系およびCrスピン
... 氏 名 Alban Lafuente-Sampietro 学 位 の 種 類 博 士 （工 学） 学 位 記 番 号 博 甲 第 ８４２１ 号 学 位 授 与 年 月 日 平成 ３０年 ２月 ２８日 学 位 授 与 の 要 件 学位規則第４条第１項該当 審 査 研 究 科 数理物質科学研究科 学 位 論 文 題 目 ...
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半導体レーザの光音響効果を用いた非破壊センサの二次元走査に関する研究
... 5 内部欠陥検出結果 市販ロックインアンプと専用測定回路を用いて内部欠 陥を測定した結果を図 4に示す。図中のグレーの部分が 欠縮部を示してあり、市販ロックインアンプ、専用測定 回路どちらの装置を用いた場合でも LD 、試料、空中超 音波センサは同じ物を用いた。両方の結果共、ちょうど 欠陥部分にピークが見られることから内部欠陥が検出で きていることが分かる。また、欠陥[r] ...
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