基板バイアス制御による低電力化
一般社団法人電子情報通信学会 THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS 信学技報 IEICE Technical Report アスペクト指向プログラミングによる高性能 低消費電力化 鷲崎弘宜 大河原洸
... る 低 消 費 電 力 化 戦 略 実 現 コ ー ド の 散 ら ば り 3.2. 低 消 費 電 力 化 効 果 の評 価 低 消 費 電 力 化 の 効 果 に つ い て 、プ ロ グ ラ ム 実 行 中 の バ ッ テ リ 電 圧 の 推 移 を も っ て 代 替 的 に 評 価 す る こ と と し た 。 放 電 特 性 に 伴 い 、 ...
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アウトライン トラフィック抑制型アドホックネットワークの必要性 研究目的 超低消費電力化効果の総合評価の枠組み 提案方式 トラフィック抑制型アドホックネットワーキング方式 自己同期型パイプラインによるデータ駆動チップマルチプロセッサ (CMP) プラットフォーム 総合評価 の消費電力の評価 トラフィ
... • 電源電圧[V]および電流[A]をデジタル化（※）した値および入出力データの総量[token]を、周 期的（※ ）にサンプリングし、タイムスタンプとともに記録する。 ※設計時点で入手可能であった12bit-12.5MHzのアナログ・デジタル変換器を用いた。 • UDP/IP処理時とスタンバイ時の消費電力の実時間観測を可能とした。 ...
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バイアス温度ストレスによる酸窒化SiO2/Si界面欠陥の電荷捕獲挙動-香川大学学術情報リポジトリ
... 第 1 章 序論 1.1 研究の背景 現在，地球上で用いられているトランジスタのほとんどは電界効果型のトランジスタである. これらは MOSFET（Metal－Oxide-Semiconductor Field Effect Transister)とよばれ MOS ダイ オードと隣接した p-n 接合からなっている.p-n-p や n-p-n の接合を用いるバイポーラトランジス ...
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Last Saved: 2010/04/24 22:17 / Edit: 1 特長 低入力オフセット電圧 : 50 µv max 低入力オフセット電圧ドリフト : 0.6 µv/ C max 超低バイアス電流 : 100 pa max 超高オープンループゲイン : 2000 V/mV min 低電源
... 図 28. 大信号過度応答(A VCL = +1) ガードとシールド OP297 の超高入力インピーダンスを維持するためには、回路基 板設計、製造において十分な注意が必要です。基板表面を十分 に清潔にし、湿気がない状態にしなければなりません。湿気が 入らないように適切なコーテング処理することを推奨します。 ...
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報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
... 一方、図 3 の右側に本手法のプロセスを示します。いったん GaN バッファー層 をサファイア、もしくは炭化シリコン基板に形成するところは同じです。しかし、 その後結晶成長装置外にウエハーを取り出す必要はなく、結晶欠陥（転位）終端物 質を結晶成長装置内の結晶成長雰囲気下で供給します。GaN 第 2 層の形成は、そ の後引き続いて行われます。こうした結晶成長雰囲気下で行われるプロセスのこと ...
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ADV7613: 低消費電力 HDMI ／ LVDS ディスプレイ・ブリッジ
... サは、コントラスト調整、輝度調整、飽和度調整、STDI 検出ブ ロック、自走および同期アライメント制御などの機能を提供しま す。 LVDS エンコーダは、6 ビットまたは 8 ビットの DC 不平衡型 OpenLDI マッピングまたは 8 ビットの VESA マッピングにデー タをパッケージ化できます。ADV7613 は、入力で受け取った最 大解像度 1080p（60 Hz）までの 24 ビット ...
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LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ
... レイアウトの重要性 プリント基板と高速オペアンプ プリント基板と高速オペアンプ用の基板設計では、多くの大切な 要素があります。高速回路の設計で基本的な注意事項が守られ ない場合、AC 特性に劣化をまねく過渡のリンギング、オシレーショ ンを引き起こします。基本的なルールとして、低インダクタンス・パ スと低インピーダンス・パスには信号トレースを短く、幅広くとりま ...
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リアクタンスキャンセル機能を有する 電力変換器を用いた非接触給電システムの低損失化 日下佳祐 2016 年 2 月
... はゼロ電流付近でスイッチング可能となる。これにより 電力変換器のスイッチング損失を低減できる。また，本システムではフルブリッジインバ ータとリアクタンスキャンセル回路を一体化することで，回路上の寄生パラメータの影響 を抑制する。さらに，これらの回路と伝送コイルを一体化してプリント基板上に構成する ことで，伝送コイルの寄生パラメータの影響を評価可能となる。これにより寄生パラメー ...
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目次第 1 章序論 背景 1.2 マイクロ波を用いた無線電力伝送 1.3 小型飛行体への無線電力伝送 第 2 章基礎理論 Q 値とプリント基板 プリント基板のパラメータ Q 値 放射効率 η 帯域幅 B r プリ
... 放射パターンの実測値と計算値で比較し，形状は概ね一致した．放射パターンの測定に 送電側と同じ左旋円偏波アンテナを用いればより実測値と計算値が一致すると考えられる． ビーム走査した場合の振れ角と利得，放射パターンの形状について評価した．振れ角は 所望の振れ角に対して 0.74 倍の違いが生じた．所望の振れ角に対して 1.35 倍大きく振るつ もりで位相制御してやれば良い．ビーム走査すれば利得は緩やかに減衰する事を示した． ...
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情報処理学会研究報告 IPSJ SIG Technical Report ホームゲートウェイ連携による光アクセスシステム系 宅内装置省電力化に向けた制御手法に関する検討 西原晋 野村紘子氏川裕隆 田所将志吉本直人 光アクセスネットワーク省電力化を目的とし ホームゲートウェイ (Home gatewa
... 4.3.3 バッファフレーム一括送信技術 本手法において、高優先度サービスとして VoIP トラヒックを想定し、t cycle を 20 msec とし、 TRx 消費電力および必要バッファ量のスループット依存性を t trn が 0.1、1、5 msec の場合において計算した。 4.3.1 同様、スリープモードとしては Doze の適用を仮定し た。その結果、図 10 に示すように、事前トリガによる ...
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デュアルショック2制御基板 製作・プログラム解説マニュアル(R8C/38A版)
... ファイルの位置→C:\WorkSpace\ps_controller_types4_38a\ ps_controller_types4_38a\scph_10010_r8c.c 5 startup.c 固定割り込みベクタアドレスの設定、スタートアッププログラム、RAM の初期化(初期 値のないグローバル変数、初期値のあるグローバル変数の設定)などを行います。 ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... SiC 基板上に作製されたものであり、同研究グループから、c 面 SiC 基板上 AlN エピ層の転位密度 ※3 は 3 ×10 8 /cm 2 であ るのに対し、m 面 SiC 基板上では 4 ×10 9 /cm 2 と一桁も悪 い値であるにもかかわらず、m 面 SiC 基板上において観測 された発光強度は c 面 SiC 基板上の約 25 倍という報告もな ...
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Oracle Enterprise Manager Configuration Change ConsoleによるIT構成制御の自動化
... Console による IT 構成制御の自動化 はじめに 現在、Oracle Enterprise Manager には、完全なアプリケーション管理ソリューショ ンが備わっています。Oracle Enterprise Manager を使用すると、アプリケーション をビジネスの観点からトップダウンで管理できます。これにより、ビジネスにお ...
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ADA4001-2: 低ノイズ、低入力バイアス電流レール to レール出力デュアル JFET オペアンプ
... ADA4001-2 は、これらの両アプリケーションに対する優れた選 択肢です。アナログ・デバイセズは、様々な電源電圧範囲に対 して最適化された様々な製造プロセスにより多様な低電圧ノイ ズと低電流ノイズのオペアンプを提供しています。低ノイズ・ オペアンプ・ファミリーのノイズ、計算、セレクション・テー ...
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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... これまでに研究・開発された GaN を用いたパワーデバ イスでは、サファイア、SiC 等の異種基板上でエピタキ シャル成長されていたため、主に横型のデバイスしかでき なかった。しかし Si や SiC などの既存の大電力用途のデバ イスは縦型が主である。これは、配線、パッケージングの 容易さ、高い面積効率を有するなどの理由から横型に比べ 縦型が大電流・高電圧デバイスに有利なためである。GaN ...
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予備評価を行い この手法により 性能を低下させることなく消費電力を効果的に削減できることを確認した (2) コンパイラによる低電力指向最適化まず上記 (1) に述べた スタティック電力削減に必要となる 利用されない領域を完全に把握するアルゴリズムを開発し 昨年度までに開発したディレクティブベースコン
... (3) 耐故障性を備えたMPIの実現 昨 年 度 プ ロ ト タ イ プ を 実 装 し た Checkpointing/Restart を 行 う MPI に 対 し 、 Checkpointing のプロトコルを制御するデーモンを Coordinated Checkpointingの アルゴリズムを用いて実装した。ただし、この実装は現状、自動的にCheckpointing ...
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1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)
... 定されています。動作電圧または温度によって大きく異なるパ ラメータについては、代表的特性に示します。 入力保護 OPA211の入力端子は、図45に示すように、双方向接続のダ イオード･ペアによって過度の差動電圧から保護されています。 ほとんどの回路アプリケーションでは、入力保護回路は出力に 影響を及ぼしません。ただし、低ゲイン、またはG = 1の回路 では、アンプの出力が入力ランプに対して高速に応答できない ...
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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... 電力変換器にはダイオードに加えトランジスタも必要と なる。光デバイスや通信用電子デバイスでプロセス技術が 成熟しつつあるが、Si や SiC の技術レベルにはまだまだ達 しておらず、GaN を用いたパワートランジスタ作製のた めのデバイス技術には多くの課題がある。パワーデバイス では高耐圧特性を得るために p 型半導体が必須となる。 GaN はイオン注入による p 型の形成が困難であり、Si の ...
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OP1177/OP2177/OP4177: 低ノイズ、低入力バイアス電流の高精度オペアンプ
... 倍になりました。低消費 電力と温度に対して非常に安定な性能も、ウォームアップ・ド リフト誤差を小さいレベルにすることに役立っています。 重い負荷時のオープン・ループ・ゲインの直線性は、OPA277 な どの競合デバイスより優れているため、DC 精度が改善され、 高いクローズド・ループ・ゲインを持つ回路での歪みが減少し ます。入力は、両電源レールを超える過電圧状態から内部で保 護されています。 ...
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パーソナルコンピュータによる吸引型磁気浮上システムの安定化制御: University of the Ryukyus Repository
... Title パーソナルコンピュータによる吸引型磁気浮上システム の安定化制御 Author(s) 石田, 力; 長堂, 勤; 福村, 盛仁; 早川, 忠宏; 宇良, 健 Citation 琉球大学工学部紀要(35): 95-103 Issue Date 1988-03 ...
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