単結晶育成と結晶性及び超伝導性に関する研究
テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... いる。 例えば、 その電子対を部分的に壊したときにできる準粒子励起状態は、 Majorana 束縛 状態と呼ばれ、 Majorana 粒子として振る舞うことが理論的に示唆されている [16℄ 。 Majorana 粒子とは、粒子がそれ自身の反粒子でもあるという、素粒子としては未発見の新奇粒子で ある。この励起状態としての Majorana 粒子は乱れに対して安定で、かつ複数の状態の入れ ...
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がら この巨大な熱電効果の起源は分かっておらず 熱電性能のさらなる向上に向けた設計指針 は得られていませんでした 今回 本研究グループは FeSb2 の超高純度単結晶を育成し その 結晶サイズを大きくすることで 実際に熱電効果が巨大化すること またその起源が結晶格子の振動 ( フォノン 注 2) と
... ◆極低温で動作する高性能ペルチエ式クーラーの開発に向けた新たな材料設計指針を提案しま した。 ３．発表概要： 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻の高橋英史助教（研究開始時：名古屋大学大学院理 学研究科 日本学術振興会特別研究員 PD）、同研究科の石渡晋太郎准教授（JST さきがけ研究 ...
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超伝導できない超伝導電子－超伝導温度より遙か高温から存在する超伝導電子の発見－ 研究活動 | 研究／産学官連携
... 示すのか、 未だ謎が多いのが現状です。本研究グループの研究結果は、絶縁体の瀬戸際 で生じる超伝導ならではの性質として、 ミクロに生成される超伝導電子が十分な量生成 されて初めて超伝導性が発生することを示し、 「高い超伝導を生む源」を同定する上で の指針となります。 また、 ...
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低抵抗n型SiC結晶中に発生するダブルショックレー型積層欠陥に関する研究
... 本論文は、広禁制帯幅半導体であるSiC（炭化珪素）単結晶の低抵抗化と高品質 化を目指して、独自手法によるSiCインゴット結晶成長と、低抵抗n型SiCで特異的 に発生する積層欠陥に関する研究をまとめたもので、6章からなる。 第1章では、電力変換機器で用いられる半導体パワーデバイスの重要性とパワーデバイ ...
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層状超伝導体BiS2系化合物の合成と圧力印加による超伝導特性変化に関する研究
... EuFBiS 2 については、合成した試料は電気抵抗が半導体的な温度依存性を示しているが、ピストンシリ ンダーセルを用いて高圧力下で電気抵抗測定を行うと、圧力下で絶縁体-金属転移を起こしてゼロ抵抗 が観測された。圧力印加とともに T c は上昇していき、1.8 GPa の圧力下で最高 T c となる 8.6 K が得られ ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1
... 角度が 3°付近までは(310)ドメインの混入が増えるがその 後減少に転じ，10°ではジャスト基板の場合より改善す る．なお，15°ではさらに第 3 の配向が現れたことから， 10°を大きく超えるオフ基板を用いることは，本研究で 用いた成長条件ではあまり得策ではないようである．ま た，Fig.10(b)に示すように，膜厚を増加させることでも 改善が見られた．この原因としては，(310)ドメインの成 ...
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フォトニック結晶の現状と今後の展開可能性について
... さらに、 「欠陥」の大きさを変えると、集まる光の波長を変えることができ、ミクロンオー ダーという超小型の分光器の機能を持たせられる。 「欠陥」の周辺の構造配列をナノオーダー で調整することでは、集まった光をより鋭く共振させる共振器（高Ｑ値 2 ナノ共振器）の機能 が発揮され、減衰が少なく一定時間、光を閉じ込められる。 「導波路」と「欠陥」を組み合わ ...
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結晶
... かしながらソフトモードが強誘電性相転移にまつわる諸物 性を定性的ではあるが非常に良く説明する一方で、何故ソ フトモードが存在するかという、“材料設計に応用できる 形での”直感的な描像は未だ確立していない。本稿では、 変位型のペロブスカイト型酸化物強誘電体である CdTiO 3 における Ca 置換効果を通して、局所的な化学結合の観点 から見たソフトモードの微視的な起源に関して、最新の研 究成果を基に議論する。 ...
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(1-3) 微細構造や薄膜でのトポロジカル超伝導安井 Anwar 寺嶋 (A01) 米澤 前野らは ライデン大学との共同研究で Sr 2 RuO 4 のマイクロリングの磁気抵抗の量子振動から 単結晶では初めて Little- Parks 振動を観測しました ( 図 3)[23] さらに リング面に平
... では初めての超伝導を発見し、トポロジカル超伝導の 出現可能性を指摘しました。今年度は、試料合成法の 改良により超伝導転移温度と Sr 欠損量との関係を明ら かにしました ( 論文投稿中 )。また、Sr 欠損の秩序化に よる長周期構造とドーピングによる電子状態の変化を ...
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欠陥修復した酸化グラフェンから優れた電気特性をもつバンド伝導の観察に成功 ～高結晶性グラフェン薄膜のスケーラブル製造への道筋を開拓～
... AS242Z03214M, 大阪大学フォトニクス先端融合研究センター、「低炭素研究ネットワーク」京都大学ナノテクノロジー ハブ拠点、北陸先端科学技術大学院大学ナノテクノロジープラットフォーム事業の一環として行われ、京都大学 大学 院理学研究科 倉田博基教授、大阪工業大学教育センター 山田省二教授、大阪大学大学院理学研究科 髙城 大輔助教、あいち SR センター ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... 2 と一桁も悪 い値であるにもかかわらず、m 面 SiC 基板上において観測 された発光強度は c 面 SiC 基板上の約 25 倍という報告もな されている （12） 。基板材料を無極性面 AlN 基板に置き換える ことで、エピ層品質・デバイス特性の向上が期待されるが、 無極性面 AlN バルク単結晶に関する報告は数例にとどまっ ている （13）、 （14） 。例えば、c ...
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SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究
... 第 2章では、SiC半導体デバイス作製時の活性層となるエピタキシャル成長層の形成技術 に取り組み、高速成長の試みと SiC成長層中に存在する結晶欠陥の評価について述べてい る。高温における熱対流や反応炉内パーティクルの問題を大幅に低減できる独自の結晶成 長装置を構築し、より高い温度で成長を可能とすることによって、当該分野の標準に比べ て約 5倍となる30 ...
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超高Q値SiCフォトニック結晶ナノ共振器に関する研究
... 造 と 基 本 動 作 に つ い て 述 べ ら れ て い る 。 ま た 、 2 次 元 フ ォ ト ニ ッ ク 結 晶 の 特 性 の 理 論 解 析 手 法 、 試 料 の 作 製 手 法 、 評 価 手 法 に つ い て も 合 わ せ て 述 べ ら れ て い る 。 第 3 章 で は 、従 来 法 に よ り 作 製 さ れ た SiC フ ォ ト ニ ッ ク 結 晶 共 振 器 の 測 ...
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層状超伝導体BiS2系化合物の合成と圧力印加による超伝導特性変化に関する研究
... Aichi Yamashita, Satoshi Demura, Masashi Tanaka, Keita Deguchi, Takuma Yamaki, Hiroshi Hara, Kouji Suzuki, Yunchao Zhang, Saleem James Denholme, Hiroyuki Okazaki, Masaya Fujioka, Takahi[r] ...
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テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... トポロジカル超伝導体の研究はフランスのグルノーブルとの共同研究に於いて主に実施され、また、超 伝導とトポロジカル絶縁体との接合特性についてはイタリアのナポリ大学、スエーデンのチャルマース大 学との共同研究で実施された。また、STM ...
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BiS₂系層状化合物の超伝導特性と結晶構造の相関に関する研究
... でゼロになる 超伝導現象を発見した。それ以降、数多くの超伝導物質が発見されており、よ り高温で超伝導状態を実現するための基礎研究やその応用研究も精力的に行わ れている。現在では我々の生活にも超伝導を応用した製品が少しずつ現れてき ...
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新規材料による高温超伝導基盤技術 研究代表者 平成 20 年度実績報告 高野義彦 物質 材料研究機構 グループリーダー FeSe 系超伝導体の機構解明と新物質探索 1. 研究実施の概要 鉄系超伝導体の中でもっともシンプルな結晶構造をもつ FeSe 系超伝導体に着目し 試料合成 結晶構造解析 超伝導物
... きな圧力効果といえよう。しかも、測定圧力範囲において、超伝導転移温度が常に上昇傾向であ るので、更なる圧力を加えたなら、さらに高い超伝導転移温度が期待される。本加圧にはハイブリ ッド型ピストンシリンダーセルを用いた。圧力の静水圧制が高く扱いやすいことが特徴であるが、最 高圧力が 2GPa 程度にとどまることが欠点である。さらに高い圧力を発生できる装置、例えば、ダ ...
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Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 第２章では、一つ目の目的に対する研究成果として、半金属的バンド構造を持つ一連 の Al 基正 20 面体近似結晶と、Al の一部を Si で置換することにより半導体を発見して いる。Al-遷移金属系で数多く発見されている C 2 相（1/0 立方晶近似結晶）において、実 験的に決められた構造モデルから出発して、密度汎関数法を用いた第一原理バンド計算 ...
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4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性への影響に関する研究
... 「ポスト Si」という言葉はこれまでもたびたび使われてきたが、Φ6 インチウエハが実現され 5) 、 100A 級の MOS トランジスタ 6) 、 3kV 級のダイオードも試作に成功した ７ ) 今、各研究機関においては 現実的な開発が進められ出し、今まさに SiC 技術が重要な局面を迎えようとしている。 現代社会において、その活動の源となるエネルギーの消費は増大の一途をたどっている。エネルギ ...
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機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響
... 3．研究の方法 Si 単結晶を、砥粒径 80μm および 5μm の耐水研磨紙 (SiC)で研磨した試料、砥粒径 1μm および 0.05μm のアル ミナでバフ研磨した試料、砥粒径 9μm、1μm、0.1μm の ダイヤモンドでバフ研磨した試料を、マイクロスコープや 走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて表面の観察を行った。 ...
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