半導体製品の鉛フリー化
韓国の半導体産業の「脱日本化」の行方-日本の対韓輸出管理強化の「意図せざる」結果
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RIETI - 汎用技術としての半導体
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
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高力アルミニウム合金用化成皮膜の六価クロムフリー化
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深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究
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リンドープn型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
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通信用半導体レーザの開発
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リンドープn型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
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製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
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Open IoT Platform & IoT-Engine 坂村 健 東京大学情報学環ユビキタス情報社会基盤研究センター長 教授 YRP ユビキタス ネットワーキング研究所長 TRON フォーラム /uid センター代表 世界 6 か国 7 社の半導体メーカが IoT-Engine 製品化 発売へ
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AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
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酢酸鉛配合の白髪染めクリーム等の安全性
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RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?
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RIETI - 地域クラスター・ネットワークの構造分析- ‘Small-world’ Networks化した関西医療及び九州半導体産業ネットワーク―
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ディスクリート半導体の基礎
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鉛フリー銅合金 KCP ジョイント 水道用ポリエチレン管金属継手日本水道協会基本基準認証品 (G-1) JWWA B 116 基本構造及び性能規定準拠
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ディスクリート半導体の基礎
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
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NJL5510R PD& 赤色 近赤外 LED 搭載バイオモニタリングセンサ 特長 ピーク発光波長 : p660nm( 赤 ),940nm( 赤外 ) 小型 薄型パッケージ :2.4 X 3.75 X 0.8mm 鉛フリーリフローはんだ付け対応 :260 C, 2 回 鉛フリー, ハロゲンフリー R
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配慮事項 1 鉛の使用量 ( バッテリーに使用されているものを除く ) が可能な限り削減されていること 2 資源有効利用促進法の判断の基準を踏まえ 製品の長寿命化及び省資源化又は部品の再使用若しくは材料の再生利用のための設計上の工夫がなされていること 特に 希少金属類の減量化や再生利用のための設計上
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