半導体及び電子デバイス（EC）事業
電子政府 電子基盤 電子医療 電子商取引等の振興においての他省庁の支援 インターネットサービスおよびプラットフォームに関するガバナンス 国内の半導体デバイス製造促進に関連する問題への対応 IT 関連問題における国際機関との連携 デジタル デバイド解消 メディア ラボ アジア関連問題への対応 IT 分
... 無線機器の型式認証制度が導入されており、 DoT のテレコム・エンジニアリング・ センター（TEC）の Regional TEC にて行われている。また、電子機器のハード・ ソフトの較正、認証、訓練については、DIT の試験標準化・試験・品質認証総局 （Standardisation, Testing and Quality Certification Directorate：STQC）にて行 われている。 また、 ...
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半導体デバイスの信頼性
... に高周波 デバイスのドレイン電流・電圧特性と安全動作領域(SOA: Safe Operation Area)を示す。 ドレイン電圧が低い場合は、ドレイン電流の絶対最大定格(Idmax)で、ドレイン電圧が高い場合は、 ゲート・ドレイン間電圧の絶対最大定格で規定されている。その間は消費電力で安全動作領域が決まる ため図のような曲線になる。この安全動作領域を超えると、ドレイン電流により衝突イオン化が発生し、ド ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... ルを配置する方法が広く用いられている。しかしこの洗浄 方法は純水をスプレーする際に半導体デバイスに静電気 障害 (Electro Static Discharge: ESD)を生じる問題があり、静 電気障害を防止するために純水に炭酸ガスを混入させ純 水の伝導率を下げる方法で対策しているが、純度の高い純 水に不純物を入れてしまうという問題やコスト高の問題 がある。これらの静電気障害の解明や対策は、生産現場で ...
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1. 電機 電子業界の事業概要 電機 電子業界は 産業 業務 家庭 運輸からエネルギー転換 ( 発電 ) にいたるまで あらゆる分野に製品を供給 多様な製品 異質な事業体の集合 電気機器 ( 産業 / 業務用機器 / 家電 /IT 機器 ) 重電 発電機器 電子部品 デバイス 経営のグローバル化によ
... 試算・推計：電機・電子温暖化対策連絡会, JEITA グリーンIT委員会等 2014年10月試算 *部品等（電子部品、半導体素子・集積回路）の排出抑制貢献量は、セット製品の内数として産業連関表に基づく寄与率を考慮して推計。 ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... コスト面から見た既存Si半導体、競合技術との比較 ●デバイス化した際のコストを考えたときに、最も影響が大きいのは 基板コスト 。 基板にSiを用いることは、圧倒的なコスト競争力を持つこととなる。 SiCデバイスの場合、 ...
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Ⅰ. 組織変更 (2015 年 4 月 1 日 ) 1. 変更の内容 (1) 情報電子本部関係 1 情報電子品質保証室 を廃止する 2 LED 照明事業推進室 を廃止する 3 電子デバイスケミカルズ事業部 を ディスプレイマテリアルズ事業部 と 半導体マテリアルズ事業部 に分割する (2) 石化管理
... ③ 「電子デバイスケミカルズ事業部」を「ディスプレイマテリアルズ事業部」と「半導体マテリアルズ事業部」に分割する。 2．変更の趣旨 ① 情報電子品質保証室は、2011年4月に、LED照明・OPV・有機ELの各事業における製品品質の向上・安定、並びに品質技術を確立する目的で ...
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半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... や半導体のデバイスの多品種化によってウェハを 1 枚ず つ処理する枚葉式の洗浄が求められ、物理的な洗浄を行う 工程が増えてきている。しかし純水を用いて洗浄する場合、 純水が絶縁体であるため、静電気障害（ ESD: Electrostatic discharge）が生じ、生産の歩留まりを低くする課題がある。 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor) 2.0 によると 2020 年 には DRAM (Dynamic Random Access Memory)の最小線幅が 10nm になると示されている。半導体デバイスの製造工程 ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... GaN/Siデバイス開発の意義 CO2削減効果：デバイスとして既存のSi半導体に対し70-90％減 日本国内のCO2 排出量約13.5億㌧に対し4％減(2025)、6％(2030) 海外分:日本のCO2排出換算で70％減に相当） ...
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電子 情報通信分野 ( 電子デバイス / 家電 ) ( ) 仮訳 真に白色の有機 EL の実現に向かって ( 米国 ) ユタ大学の物理学者が色調整可能なポリマーを開発 2013 年 9 月 13 日 米 ユタ大学の物理学者らは 有機半導体に白金原子を入れることで プラスチックの様なポリマ
... （ Ctrl+クリックで写真を拡大） ユタ大学の物理学者、 Z. Valy Vardeny 氏は、手袋が取り付けられた透明な密閉容器 中で、清潔な環境下発光ポリマーの研究を実施している。同氏とその同僚研究者ら は有機半導体に白金原子を挿入し、様々な色に発光するよう「調整」可能なポリマ ー材料を作った。これは、真に白色を発し将来電球で利用できる新たな有機 EL(OLED)開発の一歩となる。 ...
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平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (
... 【概要】 東北大学原子分子材料科学高等研究機構（AIMR）の菅原克明助教、一杉太郎教授、高 橋隆教授、同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは、グラフェンを超える電 子デバイスへの応用が期待されているチタン・セレン（TiSe 2 ）原子層超薄膜の作製に成 功しました。さらに、1 層の TiSe 2 超薄膜の電子状態を詳細に調べた結果、その特異な金 ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... キーワード： 第一原理分子動力学計算、SiC パワーデバイス、界面、熱酸化、アニーリング 1. はじめに 家電、産業、自動車、電鉄、或いは電力分野において、半導体電力変換機器の導入量が急速に増大 しており，低損失 SiC.半導体を導入した場合の省エネ効果は年間.500.億.kWh.にも達すると試算され る。SiC. ...
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貿易関係を変える日韓企業のサプライチェーン－電子・半導体産業にみる求心力と遠心力
... 2000年の6.4％から17年に7.6％へ上昇した。グローバル市場向けに生産する韓国の 大企業に対し、高度な素材、部品、製造装置を供給する日本企業が多いためである。 ３．今日の日韓貿易は中間財・生産財分野を中心にした水平貿易になっているように、 サプライチェーンが双方向に形成されているのが特徴的である。日韓貿易関係は、 企業活動のグローバル化に伴うサプライチェーンの変化の影響を強く受けている。 ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... 研究成果の概要 半導体デバイスは、スマートフォンやテレビなどの情報通信機器、エアコン、冷蔵庫などの家電製品、自動車など 暮らしを支える多くの製品に必要不可欠な電子部品である。この半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェ ハ基材上のナノメートルオーダの異物除去の必要性から、製造工程の 1/3 は洗浄工程と言われている。半導体デバイ スは 1 バッチ ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... 研究成果の概要 半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハ基材上のナノメートルオーダの異物除去の必要性から、製造 工程の 1/3 は洗浄工程と言われている。半導体デバイスは 1 バッチ 25 枚の単位で、アンモニア水、過酸化水素水、 塩酸等に加温した薬品に、順次浸漬させる RCA 洗浄方式が一般的であった。しかし最近では、環境負荷の低減や半 ...
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電子デバイスの技術進展による製品戦略の変化
... （１）自動車 ・半導体の製造上の不具合、半田不良やコネクタの接点接続などの潜在不良 が、すぐには現れないこともある。 通常、1年程度の保証期間を設けて不良品の発生に対応している。 （２）電子機器 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 本多 祐二、疋田 智美、佐藤 正典（本多電子株式会社） 研究成果の概要 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)2.0 によると 2020 年には DRAM (Dynamic Random Access Memory)の最小線幅が 10nm になると示されている。半導体デバイ ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 3 − 2 変調器集積レーザ 直接変調レーザは、大電流 での変調が必要であり、波長揺らぎ（チャープ）が大きく なるため、長距離伝送には適さない。これを克服し、更な る高速、長距離伝送を可能とするデバイスが電界吸収型 （EA: Electro Absorption）の変調器と、DFB レーザとを集 積した電界吸収型変調器集積 DFB レーザ（EML: Electro- absorption Modulator ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... 第 6 章ではシリコン半導体以外の半導体材料及びデバイスについてのトピックスを紹 介した。相転移による電気抵抗の変化をメモリに応用したデバイスでは、書き込み消去 の動作と結晶状態の変化を UHVEM を用いて対応付けることができた。また GaAs 超 格子を用いた通信用半導体素子基板ではエピタキシャル層の異常成長の原因が GaAs ...
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2018 年度中期経営計画 電子デバイス事業 2016 年 5 月 26 日富士電機株式会社電子デバイス事業本部 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 1
... １．本資料および本説明会に含まれる予想値および将来の見通しに関する記述・ 言明は、弊社が現在入手可能な情報による判断および仮定に基づいておりま す。その判断や仮定に内在する不確実性および事業運営や内外の状況変化 により、実際に生じる結果が予測内容とは実質的に異なる可能性があり、弊社 は、将来予測に関するいかなる内容についても、その確実性を保証するもので はありません。 ...
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