半導体･光変換材料研究
研究成果の詳細 ( 背景 ) 3) 金属や半導体のゼーベック効果注によって温度差を直接電気に変換できる熱電変換は, 工場や火力発電所, 自動車などの廃熱を直接電気エネルギーに変換する, クリーンなエネルギー変換技術として注目されています この熱電変換技術に利用できる半導体 (= 熱電変換材料 ) の
... （専門家向けの補足説明） 半導体 二次元電子ガスでは静電気力によって電子を寄せ集めているので，電子が集まっている領域 の厚さを見積もる必要があります（補足図） 。本研究では，ゲートに各電圧を加えた際の半導体二次 元電子ガスの熱電能が，一般的な半導体の熱電能の電子濃度依存性と等しいと仮定して，電子が溜ま っている層の厚さを見積もりました。その結果， –5 V ...
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半導体レーザを用いた音波検出に関する研究
... IV 変換回路、増幅回路、フィルタ回路からな る。LD 内蔵の PD の自己結合信号によって得られる信号 電流は数 [μＡ]と非常に小さく、オペアンプを使用した IV 変換回路を作製した。電圧信号に変換された受信信号は トランジスタとオペアンプを使用して最大で 20 倍まで 増幅している。さらに得られた受信信号は周囲の雑音や、 装置の振動なども検出してしまい、ノイズの多い信号と ...
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平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (
... 【今後の展望】 本研究は、ポストグラフェン物質として近年大きな注目を集めている TiSe 2 原子層超薄 膜の作製と、その特異な電子物性の起源となる電子状態を研究したものです。その結果、 TiSe 2 における特異物性は、電子と正孔が結合して励起子を形成することによって生じるこ とを見出しました。今後、この単原子層 TiSe 2 に対して、電子および正孔の数を調節・制 ...
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P1 材料基盤研究プロジェクト G2「ソフト材料基盤研究グループ《
... ４. スピンエレクトロニクス材料に関する研究 次世代の不揮発性メモリとして注目されている MRAM において中心的な働きをするのが トンネル磁気抵抗（TMR）素子であり，そのネックとなる素材が，スピンの向きによってト ンネル電流の抵抗を大きく変化させるハーフメタル（HM）強磁性体である．我々は，Co 基 ホイスラー系 HM 合金の相安定性，規則―不規則変態温度，キュリー温度，HM 性を総合的 ...
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( ア ) 窒化ガリウム系化合物半導体を有するLEDチップと, 該 LEDチップを直接覆うコーティング樹脂であって, 該 LEDチップからの第 1の光の少なくとも一部を吸収し波長変換して前記第 1の光とは波長の異なる第 2の光を発光するフォトルミネセンス蛍光体が含有されたコーティング樹脂を有し, 前
... イ 本件プレスリリースにおける被告の注意義務 証拠（乙１２の１・２）及び弁論の全趣旨によれば，被告が，先行訴訟提 起前に，本件製品を実際に入手した上で，本件製品及び本件製品に使用され ているＬＥＤチップの構造，構成材料を分析したことが認められ，あらかじ め，構成要件充足性を検討したと考えられる。また，原告のウェブサイト に，原告が取り扱う半導体製品のメーカーのひとつとしてエバーライト社が ...
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半導体中の単一磁性原子スピンの光による制御 : 正孔-Mnスピン結合系およびCrスピン
... 第 1 章は本論文の理論的背景の紹介に充てられており、半導体の性質、ドットにおける量子閉 じ込め、キャリアと磁性スピン間の交換相互作用についての説明が与えられた後、特に本研究で 重要となる Mn および Cr スピンとキャリア間の交換相互作用に関する詳しい説明が与えられてい る。 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... DA 変換器 2.3.1 セグメント型 DA 変換器の構成 セグメント型 DA 変換器の構成図を図 ...DA 変換器とは、上位ビ ットにユナリ型 DA 変換器，下位ビットにバイナリ型 DA 変換器を組み合わせたものであ る。入力ディジタル信号が下位 bit の入力であれば、バイナリ型 DA 変換器が動作し、上位 bit ...
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技術解説 CO2 光還元を指向した光触媒機能材料の開発 九州工業大学大学院工学研究院物質工学研究系教授 工学博士横野照尚 Teruhisa Ohno Development of photocatalysts toward photoreduction of CO 2 1. 緒言酸化チタン光触媒は
... これまで我々は、半導体光触媒として広く知られ る酸化チタンの表面構造を制御し、特定の結晶面の みが露出した酸化チタンを調製することによって、 反応効率低下の一因である再結合・逆反応を抑制し た結果、優れた有機物分解性能を示すことを明らか にしている。このような表面構造が制御された粒子 上では、それぞれの結晶面によって酸化・還元反応 のサイトが分離し逆反応が抑制された結果、高い光 ...
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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... また、アニール後のグラファイトシートの表面形状を AFM 観察によって調べたところ、数 ｍのサイズを有する原子レベルで平坦なテラスによって覆われていることが明らかになっ た (図 1(b)) 。この様な 400℃程度の低温での簡単な熱処理でも、清浄かつ原子レベルで 平坦な基板表面が得られるのは二次元的な結合様式を持つグラファイトの特徴である。清 浄化したグラファイトシート上に GaN 薄膜の成長を試みたところ、エピタキシャル成長は ...
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表面形態が異なるTiO2電極に吸着したCdSe量子ドットの光吸収と光電変換特性
... ナノ粒子酸化物電極には種々のモルフォロジーを持つものが適用されている。本研究で は、数 10 ナノメートルの粒径を有する TiO 2 ナノ粒子集合体電極基板と、フォトニック 特性を示す逆オパール（蜂の巣）構造を有する TiO 2 電極基板を対象とし、CdSe QD を 吸着した２つの電極基板系の光吸収スペクトル特性評価、光電流量子効率スペクトル特 ...
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目次 序論 熱電変換 熱電変換材料とその性能 ナノ構造化による ZT 向上 ナノ構造化バルクシリコン 目的... 1 実験方法 プラズマ CVD によるナノ粒子作製 放電
... 3 序論 1.1 熱電変換 熱電変換とは温度差を電気に直接変換することであり，再生可能エネルギー源の一つと して注目されている．その原理は，物質の両端に温度差をかけることによってキャリアが高 温側から低温側に移動し両端に電圧差が生じるゼーベック効果である．熱電変換材料とし ては主に半導体が用いられ，n 型半導体では電子，p ...
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研究開発項目 2: 遮熱技術の研究開発従来技術では到達困難であった高い性能を有する革新的遮熱材料を開発する 具体的には 透明性 遮熱性及び電波透過性を兼ね備えた住宅 ビル窓材向け遮熱材料や調光ガラス 建築物の壁材として使用可能な高耐久性遮熱コーティング材料などの遮熱材料を創出する 研究開発項目 3:
... 未利用熱エネルギーを有効活用するための技術として代表的な、断熱技 術・蓄熱技術・熱電技術の共通課題として、新規な材料開発が重要かつ必須 であり、その点で我が国は世界的な卓越性、先導性を維持している。一方、 大学での材料研究と企業での実用化技術の間の乖離は深刻な問題であり、こ の間に橋渡しを行って、我が国の強みを産業競争力にスムーズに活かすスキ ームを確立する事が重要である。 ...
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金属カルコゲナイド量子ドットを吸着した多孔質TiO2電極の光電変換特性とキャリアダイナミクス
... )厚さを必 要とせず(1/10~1/100 倍)身近な腕時計や電卓などに用いられている。しかし、変換効率は 7~10%と結晶 Si 系には及ばない。 化合物半導体を用いた太陽電池は図 1.3 中に示した元素周期表(抜粋)から、Ⅲ-Ⅴ族半導 体やⅡ-Ⅵ族半導体、銅 Cu、インジウム In、セレン Se、さらにガリウム Ga を組み合わせた CIS/CIGS ...
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理化学研究所計算科学研究機構研究部門量子系分子科学研究チーム殿 hp170163: 有機半導体 有機分子発光材料の全自動探索シミュレーションシステムの開発 高度化支援作業 2017 年 9 6 ( R405 般財団法 度情報科学技術研究機構利 援部 1
... PWscf フロー図（旧バージョン v5.4.0） Start read_input Stop qmmm run_pwscf stop_run init_run electrons forces stress punch mp_global iosys setup check_stop 計算のセットアップを行う。 電子状態を self-[r] ...
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Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 第３章では、二つ目の目的に対する研究成果として、Al-Cu-Ir および Al の一部を Si 置換した C 2 相の単相試料を作製し、熱電物性を評価し、理想的に Si 置換できた場合の 無次元熱電性能指数の最大値が実用化の目安である１に迫ることを示している。C 2 相の 単相域を調べたが、Si の固溶限が半導体になる置換量の半分程度であり、熱電性能の向 ...
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平成 3 0 年 9 月 6 日 科学技術振興機構 (JST) 大阪大学 2 段階の熱処理で高品質のビスマス系薄膜 ~ 光応答性能を向上 次世代太陽電池開発に期待 ~ ポイント 光電変換素子の材料探索は それぞれの材料に最適な成膜プロセスの開発と同時に進める必要があり 1 つの材料でも数年を要してい
... この新規プロセスでも、前駆体の濃度、スピンコート回転数、熱処理温度と時間、硫化 水素ガスの流量など、多くの条件を最適化する必要があります。ここでも前述のマイクロ 波分光法で迅速・安定に評価することによって、最小労力でプロセスを最適化しました。 このように本研究では、マイクロ波分光法を活用した評価法を基軸とした材料探索・プロ セス開発という、独自の開発手法の有効性を示すことができました。 ...
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人工光合成の実現に大きく一歩前進 高活性光触媒材料を発見
... その一環として二酸化チタンの改良研究と、二酸化チタン以外の可視光応答型光触媒材料の 研究が行われている。 二酸化チタンの改良研究では、1980 年代以降、紫外線も可視光も吸収する第二世代の素材と して（１）ある種の色素を可視光吸収体として利用する色素増感法の研究や（２）遷移金属イ ...
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研究の背景光共振器は光の閉じ込めと共振による先鋭化や増幅を可能にし レーザーや光スイッチ 光導波路 センシングなど多くの光デバイスにおいて重要な役割を担います ポリマー材料からなる光共振器は 溶液プロセスにより簡便かつ低コストで作製可能であり 柔軟な構造特性をもつことから 近年活発に研究開発が進めら
... 粒子からの発光スペクトルを測定すると、いずれもスパイク状の共鳴発光スペクトル（WGM 発光） 注 8) が観測されまし た（図２）。濃度の上昇に伴い、WGM 発光の波長範囲も大きく変化しました。 それぞれの発光色を示すマイクロ球体共振器を複数個連結し、球体間における光の伝搬と波長変換特性につい て検討しました。その結果、同色の球体間では伝搬はほとんど起きないものの、緑→黄、緑→橙、緑→赤の発光色 ...
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エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県
... 2.3 検出効率 検出効率は，Fig. 1 に示すように，低エネルギー側では X 線の検出器入射窓や半導体素子の不感部での吸収のた めに減少し，高エネルギー側では X 線が素子を透過する ため減少します。入射窓には，多くの場合ベリリウムが使 用されています。有機膜の窓や，窓なしで真空チャンバー 内に直接設置するタイプもあります。高エネルギー側で は，半導体素子の原子番号 Z が大きく，サイズが大きい ...
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ナノテクノロジーの応用 カーボンナノチューブ、光半導体、走査型プローブ顕微鏡
... カーボンナノチューブは、黎明期にあることから大学や公的機関での研究開発が盛んであ り、 特許出願も比較的多い。 また、 このような黎明期の技術では、 新規の応用分野における、 先進的研究開発と基本特許の取得は、後のビジネス展開のために重要である。海外では、カ ーボンナノチューブに関して、大学（例えば、米国のライス大学、フランスのモンペリエ第 ...
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