半導体ビジネスの成長
![60 90% ICT ICT [7] [8] [9] 2. SNS [5] URL 1 A., B., C., D. Fig. 1 An interaction using Channel-Oriented Interface. SNS SNS SNS SNS [6] 3. Processing S](data:image/gif;base64,R0lGODlhAQABAIAAAP///wAAACH5BAEAAAAALAAAAAABAAEAAAICRAEAOw==)
わが国半導体産業の国際競争力強化策 資料 2 新しい時代の始まり : スピードこそが勝負の時代ビジネス分野 ビジネスターゲットの大転換 - パソコンからデジタルネットワーク対応情報家電 モバイル個人情報端末へ - - システムの長期信頼性が再び重要となる時代 - - 総合力を有する我が国に極めて有利
... 高周波・アナログ・デジタル混載システムLSIの時代 の時代 の時代 の時代 全てのシリコンの面方位にトランジスタ(LSI)製造可（現状の2次元平面形状トラ ンジスタに替わる 3次元立体構造トランジスタ の導入可：集積度は容易に倍増）。 (110)面窒化膜ゲート絶縁膜CMOS（現状のUnbalanced ...
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アイリスオーヤマに学ぶ急成長ビジネスモデル―ユーザーが必要とする商品を圧倒的低価格で販売―
... また、アイリスオーヤマの各拠点の社員がこの「新商品開発会議」を通じて情報 共有をしている。 名近い商品開発者を抱えるアイリスオーヤマにとっては、情 報と課題を共有することによってイノベーションを創発することが可能になってい る。さらに他の大手家電メーカーで商品開発や研究に従事していた社員が 名以 ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... LED のほか、省エネルギーのためのパワーデバイスの実用化に貢献してい る。しかし、基板となるべきバルク結晶の育成技術は開発途上で、殆どのデバイスは異種基板上へのエピタキシャル成 長材料を使っている。デバイス作製時には結晶表面の機械的・化学的研磨による平坦化が施されるため、結晶欠陥と歪 みの導入が避けられない。本研究では、 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 活性層 のバンド構造模式図を示す。活性層は、サブバンド間の遷 移によって光子を放出する発光層と、トンネル効果により キャリアを輸送する注入層の二つの領域が一つの単位構造 を形成し、これが多段に連なっている。まさしく、階段状 に連続した滝（カスケード）のように、キャリアが各段を 流れ落ちる際に、光学的な利得が生じることにより、レー ...
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1 世界の成長企業の株式に投資 世界インパクト投資ファンド は 社会的課題を解決する革新的な技術やビジネスモデルを有する世界の成長企業の株式に投資をすることで 株式投資収益の獲得を目指します
... 信用リスク 株式の発行企業の財務状況等が悪化し、当該企業が経営不安や倒産等に陥ったときには、当該企業の株価は大きく下 落し、投資資金が回収できなくなることもあります。この場合、ファンドの基準価額が下落するおそれがあります。 流動性リスク 実質的な投資対象となる有価証券等の需給、市場に対する相場見通し、経済・金融情勢等の変化や、当該有価証券等が売 ...
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SiC半導体
... SiC のエピタキシャル成長に必要な温度は 1300 ∼ 1500 ℃とSiの成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度は反応管材料として多く使用されている 石英の軟化温度を越える温度である。またSiCでは窒 素が n 型のド−パントとなってしまうため，装置の パ−ジガスとして他のガスを使用しなければならな ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かった。これは、ゲート電極の直下から裏面のドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる （31）〜（33） 。 一般にパワーデバイスに対しては、安全性の面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度のしきい電圧が 要求されている。このトランジスタでは、チャネル形成のた め n 型 ...
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通信用半導体レーザの開発
... OMVPE 成長量子井戸レーザの開発 当社に おける、MQW 構造を用いた高性能レーザの開発は、地域 網やアクセス網に使われる光データリンクへの搭載を目的 ...にして、1.31µm のファブリ・ぺロレーザ（FP ： Fabry- Perot）からスタートした。デバイスの模式図を図 3 に示す が、組成の異なる GaInAsP で構成される ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 。もっとわかりやすい例でいえば、かつて出版においては、手書き の原稿を活字に組んでから校正を行っていたが、現在は著者の書いた電子ファイルを入稿 する前に完全に校正するため、印刷所でゲラを読んで朱を入れるといった事後的な調整が なくなり、精度も格段に上がった。データがデジタル化されてコーディネーションが設計 （執筆）段階に統合されると、逆に編集と印刷はまったく独立になり、海外の印刷会社に ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... LED の市場は世界的な拡大を 見せているがその価格に課題が残り、更なる材料作製プ ロセスの低コスト化が望まれている。また、その発光領 域の拡大にむけて、 GaN 系混晶半導体の他、赤色領域 から深紫外領域にわたる広い範囲での高効率・低価格発 光素子の開拓に関する研究が進められている。これらワ ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... が前半と後半の時にミスマッチの影響が大きく出てしまい、中心値付近のみ相対直線から の差が小さく量子化誤差も小さいため INL と DNL が 0 に近くなったと考えられる。 パワースペクトル解析評価では、魔方陣を応用したアルゴリズムで線形性が改善されて いるため、高調波成分が減少したのだと考えられる。 ...
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目次 1. ビジョンとビジネスモデル 年 12 月期第 1 四半期決算概要 3. 事業概況と成長戦略 1
... フィナンシャルサービス事業 モバイルサービス事業 セレスの事業内容 成功報酬型スマートフォンメディアとして、「モッピー」・ 「モバトク」・「お財布.com」のポイントメディアの運営を行 うとともに、アルバイト求人サイト「モッピーバイト」やコ ミ ッ ク サ イ ト 「 コ ミ プ ラ 」 、 ス マ ホ ゲ ー ム 比 較 サ イ ト の ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 進められ、適用範囲の拡大が図られている。これらワイ ドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用では、厚膜 材料が用いられることが多く、様々な物理的、化学的加 工プロセスを経てデバイスが作製される。最も基本的な 工程は切断と研磨で、その結果試料表面には高密度の格 子欠陥と大きな格子歪みが導入されるため、デバイス特 性向上を阻害する最も重要な工程とされ、「ダメージレ ...
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半導体試験・測定システム
... ey の G i gas c al e Sem i c onduc t or Res ear c h Cent er が 中 心 的 に 活 動 し 、 I nt er c onnect Foc us Cent er は G eor gi a I ns t i t ut e of St at e がリードし、M at er i al s 、St r uc t ur e & D evi c e Foc us Cent ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリ システムオンチップ（SoC）は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイ スである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用され る。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に ...
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中国の半導体市場｜TMT Predictions 2019 日本の視点
... • 一方、車載マイコンやアナログ等の IC は、最先端の製造装置を必ずし も必要としないケースも多く、 10 ～ 20 年前の装置で製造が可能である ため 3 、これらの中国向け市場は従来通り拡大していくと推測される。 さらに旧世代の製造装置は中古の流通市場が形成されており、韓国の ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN ...
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第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
... ・２０００年（平成１２年） ISO9001取得 ・２００４年（平成１６年） ISO14000取得 ・２００５年（平成１７年） 第３研究棟建設 ・ ２００７年（平成１９年） 窒化物半導体工場竣工 窒化物半導体事業 ...
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医療機器ビジネスによる事業成長を幻想に終わらせないために
... 価格化圧力にも対応している。以下に、大手 医療機器メーカーの一部の動きを紹介する。 （1） 低価格化圧力への対応 大手医療機器メーカーのボストン・サイエ ンティフィックやコヴィディエンは、製造機 能を縮小あるいは売却し、製造受託メーカー （Contract Manufacture） に 外 注 す る こ と で、既存製品の低価格化を図っている。ま ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 Vol. 41, No. 3 (2014) 解説 昇華法 AlN ウェハー上 HVPE ホモエピタキシャル成長と深紫外
... された． 次に，昇華法 AlN ウェハーと HVPE-AlN ウェハーの 光透過率スペクトルを比較した．比較のため，昇華法 AlN ウェハーと HVPE-AlN ウェハーの表裏面を光学グレ ード研磨し，同じ板厚 114 μm にして反射ロスが含まれる 外部光透過率スペクトルを測定した結果を Fig. 6 に示す． 両者の構造特性は同等であるにも関わらず，その光透過 ...
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