半導体デバイス、EDAツール、ディスプレイデバイス
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... 内容１ 1. 化合物半導体の特徴・応用の紹介 2. 半導体物理のおさらい ① Blochの定理の意味とk空間 ② バンドギャップの物理的基礎 ③ 有効質量とBloch振動 ④ １，２，３次元における状態密度 ⑤ 電子統計 ...
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半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... や半導体のデバイスの多品種化によってウェハを 1 枚ず つ処理する枚葉式の洗浄が求められ、物理的な洗浄を行う 工程が増えてきている。しかし純水を用いて洗浄する場合、 純水が絶縁体であるため、静電気障害（ ESD: Electrostatic discharge）が生じ、生産の歩留まりを低くする課題がある。 ...
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HOKUGA: 仮想現実感用ヘッドマウントディスプレイOculus と手ジェスチャ認識デバイスLeapmotion の併用に関する試み
... 近年における VR（Virtual reality・仮想現実感）向けのヘッドマウントディスプレイの開発は，クラウド ファンディングによる開発準備段階から市販製品の販売開始へと進捗している．VR 用ヘッドマウントディ スプレイは，ゴーグル状のディスプレイで視界の全域を覆い，ヘッドバンドに装着されたイヤホンを併用す ることで高い埋没感を得ることができる．しかしながら，視界が効かない状況でコンピュータに対してキー ...
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アジェンダ モバイルデバイス活用への課題 モバイルデバイス活用 モバイルデバイスのセキュリティ マイクロソフトのモバイルデバイス管理ソリューション
... デバイスに対応したアプリケーションの配布 • アプリケーションに関する情報を設定 (情報はポータルでの表示などに使用) • デバイス/ ユーザーコレクションに展開 • アプリケーション展開の種類とともに登録 ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... キーワード： 第一原理分子動力学計算、SiC パワーデバイス、界面、熱酸化、アニーリング 1. はじめに 家電、産業、自動車、電鉄、或いは電力分野において、半導体電力変換機器の導入量が急速に増大 しており，低損失 SiC.半導体を導入した場合の省エネ効果は年間.500.億.kWh.にも達すると試算され る。SiC. ...
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三菱光デバイス
... 半導体レーザーはLEDに比べて低消費電力で高出力なほか、開放F値 ※ の大きな光学系が使用でき、焦点調整の不要なプロジェクターを構成で きる利点があります。 当社は、カラープロジェクター用に鮮やかな赤色で視感度が高い波長 638nm、出力2.5W（パルス駆動時）のマルチモード半導体レーザーを 提供しています。 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor) 2.0 によると 2020 年 には DRAM (Dynamic Random Access Memory)の最小線幅が 10nm になると示されている。半導体デバイスの製造工程 ...
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半導体デバイスの信頼性
... に高周波 デバイスのドレイン電流・電圧特性と安全動作領域(SOA: Safe Operation Area)を示す。 ドレイン電圧が低い場合は、ドレイン電流の絶対最大定格(Idmax)で、ドレイン電圧が高い場合は、 ゲート・ドレイン間電圧の絶対最大定格で規定されている。その間は消費電力で安全動作領域が決まる ため図のような曲線になる。この安全動作領域を超えると、ドレイン電流により衝突イオン化が発生し、ド ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 研究分野：電気電子材料、品質工学 キーワード：半導体デバイス、超音波洗浄、ポリエスチレンラテックス (PSL)粒子、洗浄、純水、エレクトロスプレー 1．研究開始当初の背景 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)2.0 によると 2020 年 に DRAM (Dynamic ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... ３．１ 結晶欠陥の生成とその観察 半導体デバイスはシリコン半導体基板上に形成される。ウエハは 100μm～700μm の厚さが あって、その大半はトランジスタや配線などデバイス構造物を支える基台である。しかしながら シリコン基板の最上層部分(～2.0μm)はデバイスの動作に重要な役割を果たしている。 例えば MOS ...
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三菱光デバイス
... 10Gbps 伝送用 CAN型 EMLデバイス TO56 DFB-LDは、レーザーダイオード素子の内部に微細な周期構造（回折格 子）を設けることで、発振スペクトルを単一縦モード（単一の波長成分） にし、FP-LDでは実現できなかった遠距離・高速伝送を可能にする半導 体レーザーです。 ...
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論理エッジ デバイス
... セッションベース（ダイナミック）論理エンド デバイスの設定 GQI は、GQI LED のリモート SRM とのインターフェイスとなるプロトコルです。 ディスカバリ プロトコルを使用するシステムの場合、LED の QAM リソースをリモート SRM に レポートするには、D6 Discovery Protocol ...
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ＧａＮパワーデバイス
... GaN パワーデバイスの特性を十二分にいかした応用性能の発揮のためには、高周波増 幅やゲートドライバー等の回路技術、さらに、MMIC 技術やモジュール実装技術など様々 な技術の集積が必要である。パワーエレクトロニクスのシステム技術者向けに、いかに 使いやすい製品にできるかが課題である。技術区分（特徴点・モジュール）別の出願件 数推移においても（図 3-12）、モノリシック集積回路における素子レベルでの混載、回路、 ...
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三菱パワーデバイス HVIC
... HVIC（High Voltage IC）は、パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、 マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧ICです。 レベルシフト回路により、半導体チップ内部で絶縁し、また各種保護機能（電源電圧低下保護、インターロック機能、 入力信号フィルター機能、エラー出力機能など）を内蔵することで機器の信頼性向上を図ることができます。 ...
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はじめに Setup Tool は MFP の操作パネルからではなく PC で デバイスアドレス帳 部門リスト デバイスの部門管理設定 デバイスユーザーリスト デバイス認証設定 および デバイスネットワークグループ を登録できます ファイルは USB フラッシュドライブ ( メモリースティック )
... はじめに Setup Tool は MFP の操作パネルからではなく、PC で「デバイスアドレス帳」 、 「部門リスト」 、 「デ バイスの部門管理設定」 、 「デバイスユーザーリスト」 、 「デバイス認証設定」 、および「デバイス ネットワークグループ」を登録できます。 ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... • インドにおけるIndian Premier League (IPL) クリケット競技大会の 放映に関する広告収入が増加 営業利益： 18億円の利益計上 • 米国のケーブルネットワーク会社に対するSPEの持分を一部売却 したことによる売却益を計上(83億円) • 米国において映画作品のテレビ向け売上増加が損益改善要因 Investor Relations 13 売上高[r] ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 概要 GaN 系半導体デバイスとして、レーザー、高輝度 LED、パワー半導体が関心を集め、研究対象 となっているが、これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い。 GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため、GaN 基板は極めて高価で、GaN 基板を利用したデバ イスの実用化を阻んでいるとされている。そこで、 GaN 単結晶の代表的な製造方法として、HVPE （ ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 半導体レーザの変調周波数の上限を決める要因は、キャ リア数の変化に誘導放出が追随できなくなる緩和振動周波 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... シャル成長とパワーデバイスへの応用」、SEI テクニカルレビュー第 170 号、34-39（2007） （27）Taku Horii, Tomihito Miyazaki, Yu Saitoh, Shin Hashimoto, Tatsuya Tanabe and Makoto Kiyama,“High-Breakdown-Voltage GaN Vertical Schottky Barrier Diodes with ...
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光ネットワーク用デバイス
... ニオブ酸リチウムを用いた光デバイス ニオブ酸リチウムは強誘電体結晶の一つである。光導 波路を作りやすい，電気光学定数が大きいなどの利点が あるため，古くからデバイス適用への検討が行われてき た。しかし，通信用デバイスとして実用化されたのは比 較 的 最 近 の こ と で （ 1992 年 ）， 富 士 通 の 開 発 し た 2.4 Gbps用外部変調器が初めてのものとなる。その後 ...
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