半導体デバイス需要を支える応用分野の変化
厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... Fe を含有させた磁気ポリマーコンポジット をバルブ構造体の主材料とした。純鉄 Fe の含有量については解像度を維持し，磁気吸 引力を高くする必要があるため，粒子含有率 15 wt%とした。また，バルブ構造体の寸 法値については Figure 4-14 (a) に示しており，磁気ポリマーコンポジットで構成するこ ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... スとして開発が進められている。また、SiC 半導体は Si 半導体と同様に熱酸化により酸化絶縁膜を作 製出来るため、次世代の MOS 型パワーデバイス ...なる。SiC の熱酸化過程のシミュレーションにおいては、化学反応を伴うことと、界面においてさま ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... も本格拡充させている。また研削工程を省くスカイビング加工機などは多品種少量生産効 率を格段に向上させる可能性を秘めている。さらに 3D 金属加工機も投入が始まり、ソディ ック、松浦機械（未上場）は専用機を販売、従来では加工不可能な形状の金型製作が可能と なっている。さらにレーザー加工機もファイバーレーザー搭載で多機能な加工で威力を発 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 5nm の半導体デバイスの試作を始めたとの報 道がなされている。この半導体デバイスの製造工程におい て、シリコンウェハと呼ばれるシリコン基板上のナノメー トルオーダの異物（パーティクル）の除去の必要性から、 製造工程の 1/3 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... nm の紫外領域まで透明であるため，発光した紫外線を吸収することなく，紫外光を効 率よく外部へ取り出せる．現在，窒化物半導体用基板としては，サファイア，SiC，GaN などが候 補として挙げられるが，紫外発光素子用基板材料として，格子整合性および紫外光透過率の観 点から，AlN 単結晶が最良の基板候補である．AlN ...
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目次 序章審議の背景 放送を取り巻く環境変化... 2 (1) デバイス多様化 動画サービスの多様化... 2 (2) 最近のテレビ視聴の状況... 5 (3) 諸外国の放送事業者の動向 審議事項... 9 第 1 章放送コンテンツの流通を支える配信システム及びネット
... 作会社の認識に相違がみられるところであり、まずは、対話・情報共有を通して双方が共通 の認識に立った上で、放送事業者と番組製作会社がイコール・パートナーとして、共通の目 標に向けて取組を進めることが必要である。また、放送コンテンツの製作取引の実態把握に ついては、引き続き、行政が中心となって継続的に現状の把握に努めるべきであり、業種特 ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... 壊が起こりにくいことになり、SiC、GaN の絶縁破壊強度 は、Si のそれの約 10 倍の値となっている。また速い飽和 ドリフト速度、高い熱伝導度などの優れた物性も有してい る。パワーデバイスの消費電力は、電流が流れているオン 時の抵抗（オン抵抗）での損失と、スイッチング時の損失 ...
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厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... MEMS デバイスを構成する Polymer MEMS や、ポリマーの持つ化学的特性や生体適合性を最大限 に利用した Micro-Total Analysis Systems、Lab on a chip への応用が期待されている。こ ...
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パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合
... 査 の 結 果 の 要 旨 氏 名 母 鳳文 本論文は、ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスへの適用に期 待の大きい炭化ケイ素 SiC に関し、新しい表面活性化接合（SAB）による接合 の可能性を明らかにしたものである。論文の独自性は、標準的な表面活性化手 法と Si ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... となる。また車載目的などを含めて、モバイル機器には受信データや、独自に生成したデータ を保存するための、信頼性と消費電力に考慮した小型・大容量のモバイル用ストレージが必要 とされる。ただし、モバイル用ストレージのカテゴリーでは容量に応じた不揮発性メモリとの ...
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GaAs デバイス技術のミリ波応用
... い抑圧MIX（U/C）、ゲート幅の大きなパワーアンプ（PA） を 3D-WLCSP で実現し、そして、PCB のマイクロスト リップ線路を導波管（WG）に変換するアダプタを開発す ることにより、Eバンド送・受信ブレッドボードを作成し た。その写真と、Eバンド送受信機構成を図19に示す。設 ...
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ナノテクノロジーの応用 カーボンナノチューブ、光半導体、走査型プローブ顕微鏡
... カーボンナノチューブは、黎明期にあることから大学や公的機関での研究開発が盛んであ り、 特許出願も比較的多い。 また、 このような黎明期の技術では、 新規の応用分野における、 先進的研究開発と基本特許の取得は、後のビジネス展開のために重要である。海外では、カ ...
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溶接技術分野でのコンピュータ技術の応用
... このシステムの特徴は、溶接プロセスのシミュレーション結果をベースに、溶接に伴う材 料組織の変化、さらには溶接変形や残留応力分布の予測などをリンクさせ、これらを包括し て、シミュレーションの対象としていることである。すなわち、プロセスモデルは、継手形 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かった。これは、ゲート電極の直下から裏面のドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる （31）〜（33） 。 一般にパワーデバイスに対しては、安全性の面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度のしきい電圧が 要求されている。このトランジスタでは、チャネル形成のた ...
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電子 情報通信分野 ( 電子デバイス / 家電 ) ( ) 仮訳 真に白色の有機 EL の実現に向かって ( 米国 ) ユタ大学の物理学者が色調整可能なポリマーを開発 2013 年 9 月 13 日 米 ユタ大学の物理学者らは 有機半導体に白金原子を入れることで プラスチックの様なポリマ
... 研究者らはポリマー中の白金原子量を変えることで、蛍光とリン光の発光を作成・調整 し、ある色の他の色に対する相対強度を調整することに成功した。 「ここでの新発見は、ポリマー中の白金原子の量を変化させることで、ポリマーが発す ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... GaN の溶解度の温度依存性を利用して、基本的に は高温部（ 600-750℃）で GaN 原料を溶解し、低温部（500-650℃）に設置した種結晶の上に GaN を析出成長させて単結晶 GaN を得る技術である。ただし、成長部と原料溶解部の温度関係が逆の ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...
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に不可欠な断熱材用途あるいは FPD 製造装置用構造部材等の需要拡大により 各メーカーは順次生産能力を拡大させていった しかし リーマンショック以降 これらの分野の需要減退もあり 生産能力の拡大は踊り場状態となっている 以下では ピッチ系炭素繊維の分類 構造などを説明した後 現状の応用分野を紹介する
... は増えると予想される。ピッチ系炭素繊維のその生産規模は残念ながら未だ小さく、自動車など の大量用途への展開は相当ハードルが高いと思われる。しかしながら、汎用ピッチ系炭素繊維は 半導体分野や太陽電池製造ラインに欠かせない素材として広く知られている。高性能ピッチ系炭 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 文献 [6] で報告されているバイアス電圧に対する最大電界分布を観ると、バイアス電圧 (V GS , V DS ) に対してピーク値を持ち、温度依存性を持っていることが分かる (図 3.12) 。正 確な最大電界関数モデルを求めるためには、 2 次元ポアソン方程式に基づいて導出しなけれ ...
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投資家の株式需要関数におけるボラティリティの限界効果と構造変化
... 年施行の銀行等の株式等 の保有の制限等に関する法律、日銀による銀行保有株買取りの施策、不良債権問題の処理、BIS 規制へ の対応など、銀行特有の要因も挙げられる。保険会社による株式の売却も顕著であった。新規契約の減 ...
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