半導体デバイス需要を支える応用分野
厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... めとして、化学的・電気的・熱的に特徴的な材料特性を持つことから、MEMS 分野におい て注目されており、ポリマーをベースに MEMS デバイスを構成する Polymer MEMS や化 学的特性や生体適合性を利用した micro-Total Analysis Systems や Lab on a chip 等へ応用 ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリ システムオンチップ（SoC）は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイ スである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用され る。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... 北米 23.8％増、その他アジア 35.2％増、欧州 14.5％増などがカバーし、輸出受注全体では 9.5％増を確保している。また注目すべきは受注残高水準で、5 月末で前年同月比 32.5％増 の 7975 億円は、2008 年 2 月の 7719 億円を抜き、過去最高の受注残高となっている。続く 6 月速報も全体で 1593 億円（前年同月比 11.4％増）と勢いは落ちていない。2018 年暦年 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 研究分野：電気電子材料、品質工学 キーワード：半導体デバイス、超音波洗浄、ポリエスチレンラテックス (PSL)粒子、洗浄、純水、エレクトロスプレー 1．研究開始当初の背景 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)2.0 によると 2020 年 に DRAM ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 1µm を散布したサンプル基板を 周波数 1MHz の超音スプレーと周波数 3MHz で洗浄した 場合、出力に対する PSL 粒子の除去率をそれぞれ図 3 と 図 4 に示す。1 MHz 時も 3 MHz 時も超音波スプレー洗浄 装置の出力（振幅）が大きくなるにつれて除去率が高くな った。当然ではあるが、超音波スプレー洗浄装置の出力が 上昇するにつれて、純水に重畳する超音波の振幅が大きく なり、 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... 2 を添加すると Al 2 O 3 の蒸発速度が飛躍的に増大することを明らかにした．この現象を 利用して， Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを原料として用いた新しい昇華再結晶法を開発した． 高周波誘導加熱炉内に Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを設置し，2173 K の成長温度で SiC ...
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に不可欠な断熱材用途あるいは FPD 製造装置用構造部材等の需要拡大により 各メーカーは順次生産能力を拡大させていった しかし リーマンショック以降 これらの分野の需要減退もあり 生産能力の拡大は踊り場状態となっている 以下では ピッチ系炭素繊維の分類 構造などを説明した後 現状の応用分野を紹介する
... の大量用途への展開は相当ハードルが高いと思われる。しかしながら、汎用ピッチ系炭素繊維は 半導体分野や太陽電池製造ラインに欠かせない素材として広く知られている。高性能ピッチ系炭 素繊維は、弾性率、熱伝導率、低熱膨張性など、他の素材では得られない物性を有している。高 弾性率は、各種製造現場、土木・建設現場における機器の軽量化、高速化、高精度化をもたらす ...
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電子 情報通信分野 ( 電子デバイス / 家電 ) ( ) 仮訳 真に白色の有機 EL の実現に向かって ( 米国 ) ユタ大学の物理学者が色調整可能なポリマーを開発 2013 年 9 月 13 日 米 ユタ大学の物理学者らは 有機半導体に白金原子を入れることで プラスチックの様なポリマ
... 2013 年 9 月 13 日 米・ユタ大学の物理学者らは、有機半導体に白金原子を入れることで、プラスチックの 様なポリマーを「調整」して様々な色を発光できるようにした。これは将来の電球に利用 できる、より効率的で、より安価な真に白色の有機 EL の実現化に向けた一歩となる。 「この新しい白金を豊富に含むポリマーは、白色の有機 EL やより効率的な新タイプの ...
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厚膜レジストを用いた磁気ポリマーコンポジットの特性評価とそのマイクロデバイス応用に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... Fe を含有させた磁気ポリマーコンポジット をバルブ構造体の主材料とした。純鉄 Fe の含有量については解像度を維持し，磁気吸 引力を高くする必要があるため，粒子含有率 15 wt%とした。また，バルブ構造体の寸 法値については Figure 4-14 (a) に示しており，磁気ポリマーコンポジットで構成するこ ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 3. アモノサーマル法による GaN 単結晶、基板製造コスト推定 3.1 溶解析出反応 アモノサーマル法では超臨界アンモニアへの GaN の溶解度の温度依存性を利用して、基本的に は高温部（ 600-750℃）で GaN 原料を溶解し、低温部（500-650℃）に設置した種結晶の上に GaN を析出成長させて単結晶 GaN ...
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半導体メモリデバイスに対する陽子入射シングル イベントアップセット断面積の計算
... 序： 研究背景 中間エネルギー領域の核子入射核反応 の知識・情報 ⇒ 原子核物理以外の理工学分野への応用 半導体デバイス分野 ： 宇宙、航空機、原子力、加速器施設で使用 ...
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パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合
... 審 査 の 結 果 の 要 旨 氏 名 母 鳳文 本論文は、ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスへの適用に期 待の大きい炭化ケイ素 SiC に関し、新しい表面活性化接合（SAB）による接合 の可能性を明らかにしたものである。論文の独自性は、標準的な表面活性化手 法と Si を介在させた表面活性化手法を、SiC と SiC、Si ないしは SiO 2 それぞ ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 100ps を越えるような酸化過程やアニーリングのシミュレーション、ハイブリッド汎関数を用いたアモルファ ス構造を持つ界面の界面準位のシミュレーションを行うことが可能となった。SiC の熱酸化および NO アニーリングのシミュレーションでは実験温度におけるシミュレーションを行うことにより、酸化過 程の途中において炭素クラスタが生成することを見出した。NO ...
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ナノテクノロジーの応用 カーボンナノチューブ、光半導体、走査型プローブ顕微鏡
... カーボンナノチューブは、黎明期にあることから大学や公的機関での研究開発が盛んであ り、 特許出願も比較的多い。 また、 このような黎明期の技術では、 新規の応用分野における、 先進的研究開発と基本特許の取得は、後のビジネス展開のために重要である。海外では、カ ーボンナノチューブに関して、大学（例えば、米国のライス大学、フランスのモンペリエ第 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 3 − 2 変調器集積レーザ 直接変調レーザは、大電流 での変調が必要であり、波長揺らぎ（チャープ）が大きく なるため、長距離伝送には適さない。これを克服し、更な る高速、長距離伝送を可能とするデバイスが電界吸収型 （EA: Electro Absorption）の変調器と、DFB レーザとを集 積した電界吸収型変調器集積 DFB レーザ（EML: Electro- ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... ２．４．４ FIB による平面 TEM 試料作製手法 FIB による試料作製は一般的に断面 TEM 試料を前提にしている。それは不良位置の特定は 主としてレイアウト上からの平面情報によってもたらされる事が多く、また半導体の多層構造的 な特質から、断面情報が重要という事情がある。本章以降でも主として断面 TEM 観察や断面 からの分析評価が主体となる。しかしながら、断面観察に踏み切るには不良位置の同定がデ ...
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半導体デバイスの信頼性
... 図Ⅲ-4 実装時の圧力によるクラック発生例 図Ⅲ-4 にクラックが発生した例を示す。パッケージはガラスセラミック（ガラセラ）を用いモールドでパッ ケージングしてある。このパッケージをガラスエポキシ（ガラエポ）基板に実装し、その後、パッケージの 上面より圧力を印加した場合の図である。パッケージのほぼ中央付近にクラックが発生している。クラッ ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 文献 [6] で報告されているバイアス電圧に対する最大電界分布を観ると、バイアス電圧 (V GS , V DS ) に対してピーク値を持ち、温度依存性を持っていることが分かる (図 3.12) 。正 確な最大電界関数モデルを求めるためには、 2 次元ポアソン方程式に基づいて導出しなけれ ...
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平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (
... 【今後の展望】 本研究は、ポストグラフェン物質として近年大きな注目を集めている TiSe 2 原子層超薄 膜の作製と、その特異な電子物性の起源となる電子状態を研究したものです。その結果、 TiSe 2 における特異物性は、電子と正孔が結合して励起子を形成することによって生じるこ とを見出しました。今後、この単原子層 TiSe 2 に対して、電子および正孔の数を調節・制 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かった。これは、ゲート電極の直下から裏面のドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる （31）〜（33） 。 一般にパワーデバイスに対しては、安全性の面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度のしきい電圧が 要求されている。このトランジスタでは、チャネル形成のた め n 型 AlGaN/GaN ...
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