半導体デバイスモデリング
目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 文献 [6] で報告されているバイアス電圧に対する最大電界分布を観ると、バイアス電圧 (V GS , V DS ) に対してピーク値を持ち、温度依存性を持っていることが分かる (図 3.12) 。正 確な最大電界関数モデルを求めるためには、 2 次元ポアソン方程式に基づいて導出しなけれ ばならないが、導出過程で様々な境界条件を必要とし、その結果，実験により抽出しなけれ ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... 第 7章 結 言 本研究では半導体デバイスの研究開発または製造、信頼性向上に必要な物理的解析の課 題に対応するべく、シリコン材料を用いた半導体基板、 MOS トランジスタ、配線構造 の解析技術を研究対象とし、電子顕微鏡による観察・分析手法、試料作製方法、データ の解釈とデバイス・プロセスへの適用について、電子顕微鏡技術の改良や高度化、また ...
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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... 内容１ 1. 化合物半導体の特徴・応用の紹介 2. 半導体物理のおさらい ① Blochの定理の意味とk空間 ② バンドギャップの物理的基礎 ③ 有効質量とBloch振動 ④ １，２，３次元における状態密度 ⑤ 電子統計 ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 汎関数を用いたバンドギャップ補正により界面準位の起源として Si ダングリングボンド、三配位の酸 素を見出し、水素終端および窒素終端により界面準位が消滅することが示された。 謝 辞 本研究は、平成２１年度地球シミュレータ産業戦略利用プログラム「SiC パワーデバイス開発のた めのシミュレーション」の一環として行われた。地球シミュレータの利用に際しては、独立行政法人 ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... • インドにおけるIndian Premier League (IPL) クリケット競技大会の 放映に関する広告収入が増加 営業利益： 18億円の利益計上 • 米国のケーブルネットワーク会社に対するSPEの持分を一部売却 したことによる売却益を計上(83億円) • 米国において映画作品のテレビ向け売上増加が損益改善要因 Investor Relations 13 売上高[r] ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 概要 GaN 系半導体デバイスとして、レーザー、高輝度 LED、パワー半導体が関心を集め、研究対象 となっているが、これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い。 GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため、GaN 基板は極めて高価で、GaN 基板を利用したデバ イスの実用化を阻んでいるとされている。そこで、 GaN 単結晶の代表的な製造方法として、HVPE （ ...
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半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... 半導体製造プロセスにおいて、窒素ガス等で純水を霧化 する二流体スプレーによる洗浄が行われている。半導体デ バイスを純水でスプレー洗浄する場合、純水が帯電し、ウ ェハ上の半導体デバイスに静電気障害が生じる可能性が ある。本研究は二流体スプレー洗浄時に発生する静電気の 解析と静電気障害の対策を実施するものである。 (3)ウェハ表面の帯電分布計測のためのフィジビリティー スタディー ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 6.3 評価方法の概要 実際の積層構造パッケージにおいて発生した問題を解決するためには，三次元高密度 パッケージ中の残留応力とデバイス特性変動の予測技術の確立が必要になる．デバイス 特性の応力効果による変動の評価方法として，最も簡単なものはピエゾ効果を利用した 方法である．半導体素子として使用されるシリコン結晶に外力が加えられると，形状的 ...
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AutoCAD メッシュ ソリッド モデリング
... 9 14. [Esc]キーを押して、選択を解除しま す。 15. メッシュモデリングは、これで完了で す。クイックアクセスツールバーの [名前を付けて保存]で、ファイルを 保存しておきます。 ...
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vol.011 Bee Style: Mar 2010:Bee Technologies 太陽電池シミュレーション セミナーのご案内 [太陽電池モデルの活用方法] 太陽電池モデル+日射量 で出力シミュレーション デバイスモデリング教材 [受動部品モデル編] [トランスモデル編] [モーターモデル編]
... (当社がモデリングを行い、評価シミュレーショ ンを実施しております)を保有しています。 先 ず、太陽電池が1枚の場合の出力特性をシミュ レーションします。太陽電池モデルの場合、複 数の枚数を任意の接続にて回路解析シミュレ ーションを行うため、スパイスモデルの解析精 度は大いに問われます。解析制度が悪いスパ イスモデルを採用すると、それを複数使用し ますので、全体のシミュレーションの確度が劣 ...
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UMTPモデリング技術セミナー SimpleModelingSimpleModeler.ppt
... z UNIX OSをビジネス向けに改造する仕事 { ファイル管理、分散ファイルシステム、Webサーバなど 、 、 { 信頼性、運用管理、COBOL向けの改造 z 1993年頃からオブジェクト･モデリングの調査を始める z 1995年からJavaの利用を始める ...
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Microsoft PowerPoint - ２．RFMOSFETモデリング.pptx
... Channel Noise 特性 Noise Correlation 特性.. RFアプリケーションでの デバイスモデリングフロー モデリング用 TEG設計 モデリング用 TEG測定、評価 DC, CV測定 モデリング Sパラメータ測定 De-embedding 小信号 ACモデリング 大信号 測定、評価 NG DC, CV, AC モデリング OK 終了.. Sパラメ[r] ...
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微分方程式 モデリングとシミュレーション
... 微分方程式を表すインターフェ イス 独立変数𝑡𝑡と従属変数𝑦𝑦 𝑖𝑖 𝑡𝑡 引数の値から、導関数の値を返す関数 14 @FunctionalInterface. Public interface DifferentialEquation {[r] ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 製造歩留り向上のためには製造工程で生じる欠陥の発生を把握し、対策する ことが重要となる。半導体では、製造プロセスの微細化に伴い致命となる欠陥 サイズも微小化しており、欠陥検査・観察がますます重要となっている。製造工 程で生じた欠陥を把握するため、インラインウェハ検査システムが導入されて いる [15]。インラインウェハ検査システムはデバイスの製造工程間でウェハを検 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor) 2.0 によると 2020 年 には DRAM (Dynamic Random Access Memory)の最小線幅が 10nm になると示されている。半導体デバイスの製造工程 ...
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製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
... 富士電機㈱電子デバイス事業本部及びその生産会社に納入される納入品リスト記載の 当社製品に、「含有禁止物質情報」の欄に記載された禁止物質を除き、下表の禁止物質 が意図的に含有しない事を保証します。 RoHS/ELV指令物質およびパッケージ指令物質に関しては、不純物も含め「製品含有化学 物質に関する指針【半導体製品編】第5版」 表B記載の閾値未満であることを保証します。 含有している禁止物質が上記指針 ...
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半導体デバイスの信頼性
... 図Ⅲ-8 には静電破壊例を示す。H/P FET の熱破壊モードと異なり、静電気破壊の場合、一部分が 破壊するのが特徴である。これは、電圧は高いが、流れる電荷量が限られているため、最も電界が集中 する部分のみに電流が流れて焼損するだけで、他の領域まで広がらないからである。 したがって、L/N FET は特に充分に静電対策を行っ環境下で取り扱う必要がある。以下に推奨条件 を示す。人体は抵抗入りリストストラップで接地する。機器本体は ...
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半導体メモリデバイスに対する陽子入射シングル イベントアップセット断面積の計算
... 序： 研究背景 中間エネルギー領域の核子入射核反応 の知識・情報 ⇒ 原子核物理以外の理工学分野への応用 半導体デバイス分野 ： 宇宙、航空機、原子力、加速器施設で使用 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 半導体レーザの変調周波数の上限を決める要因は、キャ リア数の変化に誘導放出が追随できなくなる緩和振動周波 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... 繰り返しオン・オフさせるパワーデバイスでの損失は、 オン時のオン抵抗による損失、オフ時の漏れ電流による損 失、それとスイッチング時の電圧、電流の過渡損失の合計 となる。これらの損失を少なくするには、デバイスのオン 抵抗値が小さくでき、高速で動作できるものであればよい。 これらの条件を満たすものとしては、Si より広いエネル ギーバンドギャップを持った材料をデバイスの構成材料に ...
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