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半導体/エレクトロニクス売上げの88%

物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信

物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信

... 光電子集積回路(OEIC) • 光半導体素子と電気的な半導体素子とを同一半 導体基板上に集積し,関連付けた集積回路。半 導体レーザーなど発光素子とそれを駆動する 電界効果トラシジスタを集積化したものと,フォト ダイオードなど受光素子と増幅・信号処理用 電界効果トランジスタを集積化したものとに大別 される。光通信送信・受信が主な用途。ガリウ ...

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旭化成エレクトロニクス株式会社

旭化成エレクトロニクス株式会社

... 周囲に各端子が独立して接触する可能性が高くなります。このため静電気、または電気設備から漏電 ある場合にはデバイス破壊可能性があります。計測機器 (カーブトレーサ、シンクロスコープ、パル ス発生器、直流安定化電源など) 端子、およびシャーシに交流電源などから漏電がないよう十分管理 してください。 ...

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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来

1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来

... カラーLED 動作を実証することに成功した。また、PSD 法結晶成長プロセス開発をさらに 推し進めたことで、電子デバイス応用が可能な品質半導体結晶を得られることが見出され、 AlGaN/GaN ヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタ作製が可能となった。さらに、本研究 で開発した PSD 法による結晶成長技術を基に、InN ...

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2017, January, NEWS LETTER 電子情報通信学会 No. 164 エレクトロニクスソサイエティ 目次 巻頭言 1 エレソの持続可能な発展のために [ エレクトロニクスソサイエティ副会長 ] 津田邦男 ( 東芝 ) 寄稿 [ 各賞受賞記 ] [ エレクトロニクスソサイエティ賞 ]

2017, January, NEWS LETTER 電子情報通信学会 No. 164 エレクトロニクスソサイエティ 目次 巻頭言 1 エレソの持続可能な発展のために [ エレクトロニクスソサイエティ副会長 ] 津田邦男 ( 東芝 ) 寄稿 [ 各賞受賞記 ] [ エレクトロニクスソサイエティ賞 ]

... SRAM 0.37V 動 作を皮切りに、マイコン、 FPGA やアクセラレータなど各 種チップ超低電圧動作実証を行い、共同研究機関により 信学会にも多く報告がなされました。東大 VDEC によ る SOTB チップ共同試作は現在も行われており、産学連 携研究活動に寄与できていることも喜ばしいことです。 ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... • 当社は品質、信頼性向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品誤作動や故障により生命・身体・財産 ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... •文書による当社事前承諾なしに本資料転載複製を禁じます。また、文書による当社事前承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...

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2012カーエレクトロニクスカタログ

2012カーエレクトロニクスカタログ

... N 2 /H 2 混合雰囲気中 (極低酸素濃度雰囲気) にてダイマウントする為、 チップ下ボイドが極めて少ないボイドレスマウントを実現 はんだ槽表面酸化膜除去後に溶融はんだを吸引吐布する為、常に活性化したはんだ塗布を実現 大気圧中にてダイマウントプロセスを行う為、実装後残留応力少ないはんだ接合が可能 ヒートシンク上面ダイパッド (IGBT、 ...

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36 日経エレクトロニクス 隔週 (26) 伝送システム 日経 BPマーケティング 37 日経エレクトロニクス 隔週 (26) デジタル通信 日経 BPマーケティング 38 日経エレクトロニクス 隔週 (26) 電子商取引 日経 BPマーケティング 39 日経エレクトロニクス 隔週 (26) 意匠課

36 日経エレクトロニクス 隔週 (26) 伝送システム 日経 BPマーケティング 37 日経エレクトロニクス 隔週 (26) デジタル通信 日経 BPマーケティング 38 日経エレクトロニクス 隔週 (26) 電子商取引 日経 BPマーケティング 39 日経エレクトロニクス 隔週 (26) 意匠課

... 694 Journal of The Magnetics Society of Japan (日本磁気学会誌) 奇数月 情報記録 (公社)日本磁気学会 695 MAGUNETICS JAPAN(まぐね) 偶数月 医学診断 (公社)日本磁気学会 696 月刊プレイグラフ 月 意匠課 プレイグラフ 697 SEAJ Journal 年 4 電子デバイス 日本半導体製造装置協会 ...

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RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... LSI(大規模集積回路)によって初めて可能になったである。こ ように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体モジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くも回 ...

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通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... にして、1.31µm ファブリ・ぺロレーザ(FP : Fabry- Perot)からスタートした。デバイス模式図を図 3 に示す が、組成異なる GaInAsP で構成される MQW 構造活性層 を成長後に、導波路ストライプをマスクとしてメサ状に エッチングし、p-InP 及び n-InP を選択再成長している。こ れによって、逆バイアスによる電流ブロック層を形成し、 ...

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Sony IR Day 2014-エレクトロニクス

Sony IR Day 2014-エレクトロニクス

... ( 1 ) ソニー事業領域を取り巻くグローバルな経済情勢、特に消費動向 ( 2 ) 為替レート、特にソニーが極めて大きな売上、生産コスト、又は資産・負債を有する米ドル、ユーロ又はその他通貨と円と為替レート ( 3 ) ...

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特集 : 日本産業の動向 中期見通し ( エレクトロニクス ) エレクトロニクス 要約 2015 年の国内主要エレクトロニクス製品需要は 消費増税前の駆け込み需要と Windows XP サポート終了に伴う PC 買換え需要の反動減の影響を受けて 4 兆 4,594 億円 ( 前年比 3.1%) と

特集 : 日本産業の動向 中期見通し ( エレクトロニクス ) エレクトロニクス 要約 2015 年の国内主要エレクトロニクス製品需要は 消費増税前の駆け込み需要と Windows XP サポート終了に伴う PC 買換え需要の反動減の影響を受けて 4 兆 4,594 億円 ( 前年比 3.1%) と

... IV. 産業動向を踏まえた日本企業戦略と留意すべきリスクシナリオ 部品業界においては、スマートフォン向け半導体などでカスタマイズ型から汎 用型ビジネスへ転換が進み、日本エレクトロニクス企業一部事業が急 速に競争力を喪失したように、市場環境変化を見誤ることによるプレゼンス ...

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パワーエレクトロニクス機器のEMC 対応設計技術による信頼性向上

パワーエレクトロニクス機器のEMC 対応設計技術による信頼性向上

... 三相インバータで構成され,IGBT スイッチ ングによりモータを 制御する。このとき,スイッチングに よる 高周波電圧 ・ 電流がケーブルを伝わる伝導ノイズや, インバータ 本体やケーブルから放射される放射ノイズとし て 外部へ流出し,電磁妨害を引き起こす原因となる。電磁 ノイズ 伝搬経路は,通常電力を供給するケーブルや配線 を ...

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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

... でシミュレートできるように、劣化モデル式 考案,HiSIM-HV モデルを用いた劣化モデルパラメータ選定及び抽出を論じた。 提案した最大電界関数モデルについて考察する。最大電界関数モデル ...きた。形状が一致しない部分に関しては、今後検討課題である。多項式近似により、精度 ...

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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

... (和文):窒化アルミニウム(AlN)など窒化物半導体は,次世代発光素子,太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが,素子性能を最大限に発揮させるため高品質 AlN 結晶基板開発が急務である.本研究では,熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し,高品質 AlN ...

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RIETI - 東アジアエレクトロニクスデータベースの構築と日本企業の国際競争力の分析

RIETI - 東アジアエレクトロニクスデータベースの構築と日本企業の国際競争力の分析

... 需要が増加している。今後もこの傾向は続くと考えられることから、部品関係競争力を 強化することは企業戦略上重要である。 次に国毎状況であるが、まず中国については、電子部品以外製品について相対 的な競争力を失っている。ただし、中国における生産や貿易は中国における地元企業とい うより欧米や日本・韓国など企業貢献が大きい。従って、中国ビジネスについてこれ ...

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RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

... このような問題原因追及プロセスにおいては、常に、全体をSVが指揮する。例えば、この 事例場合、先サンプル検査から全数検査に切り換えるなど指示は、SV が行ったという。ま た、傷を発生させていた装置(=コーター)を突き止めたは、フォトエリア班長(ラインリーダ ...

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日本経済研究センター 産業ピックアップ 第 4 次産業革命 人口減少下の日本 (5) エレクトロニクス 1. 半導体は世界シェア低下 携帯電話や家電も減少 2. 電子部品の生産は IoT の普及により増加基調が続く 3. エレクトロニクス産業成長のカギは IoT の世界標準 1 半導

日本経済研究センター 産業ピックアップ 第 4 次産業革命 人口減少下の日本 (5) エレクトロニクス 1. 半導体は世界シェア低下 携帯電話や家電も減少 2. 電子部品の生産は IoT の普及により増加基調が続く 3. エレクトロニクス産業成長のカギは IoT の世界標準 1 半導

... 日本経済研究センター 2017.12 産業ピックアップ―第4次産業革命、人口減少下日本― 既存優位性とズレにいち早く対応しなければならない。今、ビッグデータやクラ ウド、ブロックチェーン、自動運転など、新たに様々な領域で破壊的なイノベーショ ンが進みつつある。競争プラットフォームが変わり、既存製品に代わる新たな製品 ...

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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC

セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC

... ソニー経営陣は営業損益に加え、持分法による投資損益および構造改革費用による影響を除いた調整後営業損益を用いて業績を評価しています。この開示は、米国会計原則に 則っていませんが、投資家皆様にソニー営業概況現状および見通しを理解いただくため有益な情報を提供することによって、ソニー営業損益に関する理解を深めていただ ...

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物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信

物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信

... • 再生光スポットをディスク記録トラックに照射することにより昇温 し、中間「スイッチング層」キュリー温度以上領域では磁化 が消滅し、各層間に働いていた交換結合力が解消。 • 移動層に転写されていたマークを保持しておく力一つである交 換結合力が解消されることで、記録マークを形成する磁区周り ...

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