加速器周辺技術の開発
第 13 回加速器学会年会 2016 年 8 月 9 日 非線形光学を用いた J-PARC 核破砕中性子源へのビーム輸送技術開発 Development of beam transport to spallation neutron source at J-PARC with non-linear
... SAD を用いたツールの作成 ビーム調整時間が殆ど無く短時間で複雑な調整を行う必要がある 入射ビーム条件 八極電磁石条件 ビーム幅の観測結果から入射ビームとオプティクスのフィット 外挿領域(フィットに は未使用） ...
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「○○技術開発」
... LIB のエネルギー密度には工業的な限界が近づいていると言われている。例えば、EV の 1 回の充電あ たりの走行距離をガソリン車並みに伸長させようとした場合、現在の電池パックのエネルギー密度を現 状の 5 倍程度まで高める必要がある。加えて、販売価格もガソリン車並みとするには、電池パックのコス トを現状の ...
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HOKUGA: 現代的⽛低開発⽜のパースペクティブ : グローバル資本主義体制における周辺部構造
... 年 のメキシコ通貨危機によって国民経済形成型 成長の限界が債務危機という形で現れた後は， 規制緩和，国営企業の民営化，緊縮財政，賃 金切り下げなど国民経済形成政策が次々と放 棄され，交易・資本移動・金融の自由化など により中心部資本の自由な活動を保証するシ ステムが形成されていった。生産局面におい ては，外資の引き上げ・国内資本流出により ...
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鉄道駅を核とする地区開発による周辺エリアの変容に関する研究 ‐九州圏内鉄道駅周辺開発を対象として‐ [ PDF
... 1) 小売商業指標 7） 福岡、北九州では鉄道駅地区の売場面積の伸びが顕 著であるが他項目は減少した（図 5）。長崎では鉄道 駅地区で開発後、売場面積の増加が見られたがその後 全項目で減少するとともに中心市街地は開発により減 少が加速した。鹿児島は鉄道駅地区で開発後事務所数 の若干の減少が見られるがその他項目は増加が見られ ...
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J-PARC 加速器
... 第 2 節で述べたように、MA 空洞は以下のような画期的 な性質を持っているが故に、両リングとも MA 空洞を使用 する。まず、従来のフェライト空洞に比較して、10 倍近い 高電場勾配を生成することができる。この MA 空洞なくし ては、 高ビーム出力 RCS は不可能であったと言っても過言 ではない。さらに、その極めて低い Q 値のために（場合に よっては 1 ...
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「○○技術開発」
... これらにより、PI 装置の高感度化、及び高スループット化のための理論検討を行い、PI 装置の検 出感度に関する基本仕様を策定した。パターン欠陥のウェハ転写性を高速、高感度に評価可能な 手法を開発した。これらの成果に基づき、hp16nm 微細加工に対応するパターン欠陥検出感度が 実現できることを確認した。具体的には、PI ...
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「○○技術開発」
... 通信機器の共通基盤技術である半導体LSI 技術の高度化が不可欠である。半導体LSI は、い わゆるムーアの法則に沿った目覚ましい勢いで微細・高集積化し続けることによって、高速 化、高機能化、低消費電力化等の性能向上と低コスト化を実現し、情報技術高度化の原動力 ...
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「○○技術開発」
... 5 開発したプロセスを用いて試作した有機 EL パネルの色度バラツキ ｈ－２ )不均一塗布領域発生要因の解明および選択塗布を指向した塗布要素技術の開発 一般的に特定の基材に対して均一な薄膜が形成可能とされるスリットコート法においても塗布膜 の周辺から約数十 mm ...
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出 展 対 象 開発技術 システム 部品 周辺技術 来 場 対 象 普及 活用 設計 開発 テスティング 設計 開発ツール 駆動システム テスティングツール モーター技術 二次電池 次世代電池 電池材料 CAD CAM CAE ソフトウェア 電子材料 部品 各種試験 検査 計測 半導体 電子部品 解
... オートバックスセブン 店舗開発部 資材調達・購買 充電器 環境 九電テクノシステムズ ソリューション事業本部 営業・販売 大容量100kW 電源 及び 充電コネクタ スズキ 第一生産技術部 製造・生産 非接触充電機器 、EV 部品・ EV 関連モジュール の構造 日産自動車 日本フリート事業本部 営業・販売 EV 普及に向けてのインフラ他技術関連、 EV ...
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「駅前広場整備が周辺地域に与える影響および駅前広場と駅周辺開発事業の整備効果の分析」
... 的に人口増加率、生産人口割合の低下が見られる地域に商業機能活性化を目的とした駅周辺 開発を実施した事例で長期的に賑わいを保っている施設は少ない。地域の適正規模より過大 な施設を建設することで、未使用なままの空間や空き店舗、度重なるリニューアルを繰り返 ...
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「○○技術開発」
... ２）研究開発マネジメントについて 開発計画並びに技術課題は、共通基盤技術としていずれも競争力醸成に不可 欠な項目に絞られており、且つ課題毎にターゲットが明確に数値化されている。 数値目標を達成するには厳しいスケジュールであったが、ほぼ全てが達成され ており、妥当なスケジュールと予算であった。また、セットメーカーや材料メ ...
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加速器学会年会プロシーディングス
... 適化研究 ”, SAP012, in these proceedings [9] I. Koizumi et al., “J-PARC 用セシウム添加高周波駆動負 水 素 イ オ ン 源 の 開 発 状 況 ”, Proceedings of the 10th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan, August 3-5, 2013, Nagoya ...
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2B-a2 加速器 (2) / サイクロトロン (1) SuperKEKB 衝突点用超伝導電磁石システムの開発 - QC1 プロトタイプの開発と低温試験結果 Development of Final Focusing Superconducting Magnet System for SuperKE
... 2.1 の結果 を基に，メインコイルの内半径を 1.2 m とした。セクターコイル で発生する磁場の周方向平均した分布を ...に示す。所望 の等時性磁場分布と併せて示した。この差の磁場をメインコイ ルで発生させることになる。設計条件を以下のように設定し， コイル形状・位置等を設計変数として GA-SA 法を用い，使用 ...
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加速器学会年会プロシーディングス
... 空間から地上への熱エネルギー排出はプロジェクト の成否に関わる重要な技術課題の一つである。本計 画施設の地下構造物全体での、 200MW を超える大 容量の熱エネルギーを制御するシステム構築につい ては、欧米とアジア（日本）間では基本的に異なる 技術検討が展開されている。欧米案は、大型のクラ ...
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「○○技術開発」
... SOFC の基礎データは実用化への第一ステップで あるが、今後における我が国の SOFC 開発への波及効果 がかなり大きいと判断される。 但し、スタックの方式によっては、課題が多く存在し ているので、更に集学的取り組みを強化するなど、最終 目標を達成するための工夫も必要となる。加速劣化試験 ...
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海洋エネルギー 鉱物資源の開発 基本認識 調査 研究を継続しつつ 事業化のための開発 研究を強化する段階へ移行 我が国周辺海域の資源ポテンシャルを把握するための技術開発と広域科学調査 資源探査を継続的に実施 揚鉱 採鉱等生産に向けた技術開発を集中的に実施 石油 天然ガス 日本周辺海域において 基礎物
... • 揚鉱、採鉱等生産に向けた技術開発を集中的に実施 コバルトリッチクラスト及びマンガン団塊、レアアース • コバルトリッチクラスト及びマンガン団塊については、資源量調査と生産関連技術 について、国際海底機構が定めた探査規則を踏まえつつ、調査研究に取り組む。 （特にコバルトリッチクラストについては、海底熱水鉱床の取組の成果も踏まえ、具 ...
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新開発Co基合金の産業への応用化技術開発
... key words : Co-based alloy, mirror surface, grinding, Ni-free, non-magnetic, feeling of cutting 1 緒 言 医療の現場では、強い磁気を利用する MRI を用いた診 断方法が主流となり、磁性を持たない器具類への要求が 大きくなっている。この要求を満たす材料としてセラミ ...
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国際リニアコライダー（ILC）計画に関する技術的実現可能性及び加速器製作における技術的課題等に関する調査分析（平成28年2月株式会社野村総合研究所）（全文（1））
... 加速勾配）は、ILC の要求性能をほぼ達成する水準に至っている。今後は、低コストで効 率的かつ確実に要求性能を満たすために、空洞製造工程の改善（最終工程での電解研磨実 施等） 、大量処理が可能な電子ビーム溶接方法や装置の開発・改善（4 本同時電子ビーム溶 接等） ...
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ILC-PIPにおける加速器の工業化・量産構想
... – CEA: 空洞ストリング、 CM の組み立てに責任 • 組み立てサイトを研究所内に設備し、契約による業務委託で組み立て (20~30名） – CNRS-LAL: カプラー・コンディショニング • 自動化を進め、研究所（少人数）で対応 ...
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「○○技術開発」
... 0 の SiO 膜まで達していない。従って、ガードリングの外側であっても SiN、Si にクラックが入ること により、層間 0 の SiO 膜を経由して配線層に水分が浸入することは十分に考えられる。 ・同様な 2 層配線の構造を QFP で PCT の信頼性評価を行った結果は SAT 観察において剥離は生じてい ない。この QFP ...
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